一种电磁辐射抑制电路
阅读：902发布：2020-05-13
专利汇可以提供一种电磁辐射抑制电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种电磁 辐射 抑制 电路 ，它涉及抑制电路技术领域；应用于具有一主功率 开关 的一电源转换器； 电磁辐射 抑制电路包含一控制单元、一驱动选择单元以及一开关单元；驱动选择单元耦接于控制单元与主功率开关之间，且提供至少两驱动端；其中一第一驱动端耦接控制单元，一第二驱动端耦接主功率开关；开关单元耦接于至少两驱动端的任一者与一接地点之间，且接收一回授控制 信号 ；当回授 控制信号 致能开关单元时，接地点耦接与开关单元耦接的驱动端；借此达到电磁辐射抑制以及兼顾该电源转换器的操作效率。，下面是一种电磁辐射抑制电路专利的具体信息内容。
1.一种电磁辐射抑制电路，其应用于具有一主功率开关的一电源转换器；其特征在于：
该电磁辐射抑制电路包括一控制单元、一驱动选择单元以及一开关单元；驱动选择单元耦接于该控制单元与主功率开关之间，且提供至少两驱动端；其中第一驱动端耦接该控制单元，第二驱动端耦接主功率开关；开关单元耦接于至少两驱动端的任一者与一接地点之间，且接收一回授控制信号；当回授控制信号致能开关单元时，接地点耦接与开关单元耦接的驱动端。
2.根据权利要求1所述的一种电磁辐射抑制电路，其特征在于：所述电磁辐射抑制电路还包括一取样单元；取样单元取样电源转换器的一输出电流值，且比较该输出电流值与一电流临界范围值；当输出电流值介于该电流临界范围值时，取样单元传送该回授控制信号至开关单元，以致能开关单元。
3.根据权利要求2所述的一种电磁辐射抑制电路，其特征在于：所述电流临界范围值大于电源转换器的一满载电流值，且小于电源转换器的一过载保护电流值。
4.根据权利要求1所述的一种电磁辐射抑制电路，其特征在于：所述驱动选择单元包括一第一二极管、一第一电阻以及一第二电阻；第一电阻并联耦接该第一二极管，以提供一第一端与一共接端，且第一端为第一驱动端；第二电阻提供一第二端与该共接端，且第二端为该第二驱动端。
5.根据权利要求1所述的一种电磁辐射抑制电路，其特征在于：所述开关单元包含一接收开关、一分压电阻组、一电压控制部以及一输出部；接收开关接收一电源电压；分压电阻组耦接于接收开关与接地点之间，且分压电源电压，以提供一分压电压；电压控制部接收分压电压；输出部耦接电压控制部；当电压控制部导通时，接地点透过输出部耦接与开关单元耦接的该驱动端。
6.根据权利要求5所述的一种电磁辐射抑制电路，其特征在于：所述电压控制部为一稳压电晶体；稳压晶体管包括一控制端、一第一连接端以及一第二连接端；控制端耦接分压电压的高电压侧，第一连接端耦接接地点，以及第二连接端耦接输出部；当回授控制信号致能开关单元时，分压电压导通该稳压晶体管，使接地点透过输出部耦接与开关单元耦接的驱动端。
7.根据权利要求5所述的一种电磁辐射抑制电路，其特征在于：所述电压控制部包括一辅助功率开关与一稳压元件组；稳压元件组耦接辅助功率开关，且接收分压电压；当回授控制信号致能开关单元时，分压电压透过稳压元件组导通辅助功率开关，使接地点透过输出部耦接与开关单元耦接的驱动端。
8.根据权利要求7所述的一种电磁辐射抑制电路，其特征在于：所述稳压元件组包括一第一电容、一第二二极体、一第三电阻以及一第四电阻；第一电容耦接于辅助功率开关与接地点之间；第三电阻并联耦接第二二极体，且耦接第一电容与辅助功率开关；第四电阻耦接于第三电阻与分压电阻组之间。
9.根据权利要求3所述的一种电磁辐射抑制电路，其特征在于：所述取样单元包括一比较器与一传送开关；比较器接收输出电流值经转换的一感测电压值与一参考电压值，且比较感测电压值与参考电压值；传送开关耦接比较器；当感测电压值大于参考电压值时，传送开关导通，且传送该回授控制信号至该开关单元，以导通开关单元。
10.根据权利要求9所述的一种电磁辐射抑制电路，其特征在于：所述参考电压值对应该满载电流值。
一种电磁辐射抑制电路
[0002] 背景技术：随着电源转换器小型化的需求日益提高，因此电源转换器的开关频率不断地提高以实现应用需求，也提高整个电源供应器产业的发展。惟高频化所伴随而来最直接的影响就是电磁干扰（electromagnetic interference，EMI）问题的严重化。由于电磁干扰透过电磁传导和电磁辐射的方式对电子元件或电子设备造成损坏，因此对开发与设计开关电源的人员来说，EMI问题的防制使其有效地被抑制，是刻不容缓的重要课题。
[0003] 发明内容：针对上述问题，本发明要解决的技术问题是提供一种电磁辐射抑制电路，解决电源转换器高频化所伴随的电磁干扰影响的问题。
[0004] 本发明的一种电磁辐射抑制电路，其应用于具有一主功率开关的一电源转换器；该电磁辐射抑制电路包括一控制单元、一驱动选择单元以及一开关单元；驱动选择单元耦接于该控制单元与主功率开关之间，且提供至少两驱动端；其中第一驱动端耦接该控制单元，第二驱动端耦接主功率开关；开关单元耦接于至少两驱动端的任一者与一接地点之间，且接收一回授控制信号；当回授控制信号致能开关单元时，接地点耦接与开关单元耦接的驱动端。
[0005] 作为优选，所述电磁辐射抑制电路还包括一取样单元；取样单元取样电源转换器的一输出电流值，且比较该输出电流值与一电流临界范围值；当输出电流值介于该电流临界范围值时，取样单元传送该回授控制信号至开关单元，以致能开关单元。
[0006] 作为优选，所述电流临界范围值大于电源转换器的一满载电流值，且小于电源转换器的一过载保护电流值。
[0007] 作为优选，所述驱动选择单元包括一第一二极管、一第一电阻以及一第二电阻；第一电阻并联耦接该第一二极管，以提供一第一端与一共接端，且第一端为第一驱动端；第二电阻提供一第二端与该共接端，且第二端为该第二驱动端。
[0008] 作为优选，所述开关单元包含一接收开关、一分压电阻组、一电压控制部以及一输出部；接收开关接收一电源电压；分压电阻组耦接于接收开关与接地点之间，且分压电源电压，以提供一分压电压；电压控制部接收分压电压；输出部耦接电压控制部；当电压控制部导通时，接地点透过输出部耦接与开关单元耦接的该驱动端。
[0009] 作为优选，所述电压控制部为一稳压电晶体；稳压晶体管包括一控制端、一第一连接端以及一第二连接端；控制端耦接分压电压的高电压侧，第一连接端耦接接地点，以及第二连接端耦接输出部；当回授控制信号致能开关单元时，分压电压导通该稳压晶体管，使接地点透过输出部耦接与开关单元耦接的驱动端。
[0010] 作为优选，所述电压控制部包括一辅助功率开关与一稳压元件组；稳压元件组耦接辅助功率开关，且接收分压电压；当回授控制信号致能开关单元时，分压电压透过稳压元件组导通辅助功率开关，使接地点透过输出部耦接与开关单元耦接的驱动端。
[0011] 作为优选，所述稳压元件组包括一第一电容、一第二二极体、一第三电阻以及一第四电阻；第一电容耦接于辅助功率开关与接地点之间；第三电阻并联耦接第二二极体，且耦接第一电容与辅助功率开关；第四电阻耦接于第三电阻与分压电阻组之间。
[0012] 作为优选，所述取样单元包括一比较器与一传送开关；比较器接收输出电流值经转换的一感测电压值与一参考电压值，且比较感测电压值与参考电压值；传送开关耦接比较器；当感测电压值大于参考电压值时，传送开关导通，且传送该回授控制信号至该开关单元，以导通开关单元。
[0013] 作为优选，所述参考电压值对应该满载电流值。
[0014] 与现有技术相比，本发明的有益效果为：能够达到电磁辐射抑制以及兼顾该电源转换器的操作效率。
[0016] 图1为本发明的电路方框图；图2为本发明中开关单元第一实施例的电路图；
图3为本发明中开关单元第二实施例的电路图；
图4为本发明中取样单元的电路图；
图5为本发明电源供应器之电磁辐射抑制电路的完整电路图；
图6为本发明中主功率开关之驱动电压的波形图。
图3为本发明中开关单元第二实施例的电路图；
图4为本发明中取样单元的电路图；
图5为本发明电源供应器之电磁辐射抑制电路的完整电路图；
图6为本发明中主功率开关之驱动电压的波形图。
[0017] 图中：10-电磁辐射抑制电路；20-电源转换器；11-控制单元；12-驱动选择单元；13-开关单元；14-取样单元；Tr-变压器；Ck-主电容；Vin-输入电压；Vout-输出电压；Q1-主功率开关；Pc1-第一驱动端；Pc2-第二驱动端；Pc3-第三驱动端；Gnd-接地点；Sfc-回授控制信号；Rd1-第一电阻；Dd1-第一二极管；Rd2-第二电阻；Vcc-电源电压；31-接收开关；132-分压电阻组；133-电压控制部；134-输出部；133’-稳压元件组；141-比较器；142-传送开关；
Zd-稳压晶体管；Iout-输出电流值；Ith-电流临界范围值；Ifull-满载电流值；IOLP-过载保护电流值；Vsen-感测电压值；Vref-参考电压值；Vx-分压电压；Qx-辅助功率开关；Cx1-第一电容；Dx2-第二二极体；Rx1-第一分压电阻；Rx2-第二分压电阻；Rx3-第三电阻；Rx4-第四电阻；Rxo-输出电阻；Cxo-输出电容；Rsen-感测电阻；Dsa-二极管；Rsa4-限流电阻；C1-第一电压曲线；C2-第二电压曲线；C3-第三电压曲线。
Zd-稳压晶体管；Iout-输出电流值；Ith-电流临界范围值；Ifull-满载电流值；IOLP-过载保护电流值；Vsen-感测电压值；Vref-参考电压值；Vx-分压电压；Qx-辅助功率开关；Cx1-第一电容；Dx2-第二二极体；Rx1-第一分压电阻；Rx2-第二分压电阻；Rx3-第三电阻；Rx4-第四电阻；Rxo-输出电阻；Cxo-输出电容；Rsen-感测电阻；Dsa-二极管；Rsa4-限流电阻；C1-第一电压曲线；C2-第二电压曲线；C3-第三电压曲线。
[0018] 具体实施方式：为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过附图中示出的具体实施例来描述本发明。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。
[0019] 如图1所示，本具体实施方式采用以下技术方案：该电磁辐射抑制电路10应用于一电源转换器20，其中该电源转换器20可为一返驰式转换器（flyback converter），然不以此为限制。该电源转换器20具有一变压器Tr，其具有一初级侧（primary side）与一次级侧（secondary side），且该初级侧接收一输入电压Vin。然在图1所示的该输入电压Vin为简化前端交流转换直流电路的示意，即经转换后提供于主电容Ck上的直流电压。该变压器Tr的该初级侧耦接一主功率开关Q1，透过一控制单元11控制该主功率开关Q1的切换，进而控制该变压器Tr的该初级侧与该次级侧之间的电能转换。
[0020] 该电磁辐射抑制电路10包括控制单元11、一驱动选择单元12以及一开关单元13。在一实施例中，该控制单元11可为一脉冲宽度调变集成电路（PWM IC），然不以此为限制。该控制单元11可由一脚位（如图1所示的GATE脚位）输出一控制信号，经由该驱动选择单元12，以控制该主功率开关Q1的切换。
[0021] 该驱动选择单元12耦接于该控制单元11与该电源转换器20的该主功率开关Q1之间，且提供至少两驱动端。其中一者为一第一驱动端Pc1耦接该控制单元11，即耦接该控制单元11的GATE脚位。另一者为一第二驱动端Pc2耦接该主功率开关Q1，即耦接该主功率开关Q1的控制端。以该主功率开关Q1为一金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）为例，该第二驱动端Pc2耦接该主功率开关Q1的闸极（gate）。换言之，该第一驱动端Pc1相较于该第二驱动端Pc2更为邻接该控制单元11，反之，该第二驱动端Pc2相较于该第一驱动端Pc1更为邻接该主功率开关Q1。再者，如图1的实施例所示，驱动端的数量为三个，除了前述的该第一驱动端Pc1与该第二驱动端Pc2之外，更包含一第三驱动端Pc3，容后说明。
[0022] 该开关单元13耦接于该至少两驱动端Pc1，Pc2，Pc3的任一者与一接地点Gnd之间。即实际电路操作中，该开关单元13的输出可耦接于该第一驱动端Pc1、该第二驱动端Pc2或者该第三驱动端Pc3的任一者。在本发明中，该开关单元13可直接耦接于该至少两驱动端Pc1，Pc2，Pc3的任一者，或者可透过一切换开关元件（图未示）提供可供切换的控制或调整，以选择该开关单元13耦接于该至少两驱动端Pc1，Pc2，Pc3的任一者。所述接地点Gnd指该电源转换器20的该初级侧的接地点，有别于经该变压器Tr隔离的该次级侧的接地点。
[0023] 再者，该开关单元13接收一回授控制信号Sfc，其中该回授控制信号Sfc可由该电源转换器20的该次级侧所提供，以作为控制该开关单元13之用。当该回授控制信号Sfc致能该开关单元13时，该接地点Gnd耦接与该开关单元13耦接的该驱动端Pc1，Pc2，Pc3。举例来说，当该开关单元13耦接于该第一驱动端Pc1，且该回授控制信号Sfc致能该开关单元13时，该接地点Gnd可耦接该第一驱动端Pc1。同样地，当该开关单元13耦接于该第二驱动端Pc2，且该回授控制信号Sfc致能该开关单元13时，该接地点Gnd则可耦接该第二驱动端Pc2。
[0024] 如图1所示，该电磁辐射抑制电路10更包括一取样单元14。该取样单元14可耦接于该电源转换器20的输出侧，用以取样该电源转换器20的一输出电流值Iout与一输出电压值Vout。该输出电流值Iout流经过一感测电阻Rsen，以转换正比于该输出电流值Iout的一感测电压值Vsen，即Vsen=Iout×Rsen。因此，根据所转换的该感测电压值Vsen可侦测以判断该电源转换器20的负载状态，例如该电源转换器20为轻载操作、重载操作、满载（full load）操作或过载保护（over load protection）操作…等等的负载状态。
[0025] 以超过满载时，启动该回授控制信号Sfc致能该开关单元13为例。该取样单元14透过比较该输出电流值Iout与预设的一电流临界范围值Ith，以判断该电源转换器20是否为超过满载的状况。因此，在一实施例中，该电流临界范围值Ith可设定为大于该电源转换器20的一满载电流值Ifull，且小于该电源转换器20的一过载保护电流值IOLP。换言之，。因此，一旦该取样单元14侦测到该输出电流值Iout大于该电流临界范围值Ith时，则表示该输出电流值Iout大于该满载电流值Ifull，而确定该电源转换器20操作于超过满载的状况。
[0026] 此时，亦即该输出电流值Iout介于该电流临界范围值Ith时，该取样单元14则传送该回授控制信号Sfc至该开关单元13，以致能该开关单元13，使该接地点Gnd耦接与该开关单元13耦接的该驱动端Pc1，Pc2，Pc3。借此，当该电源转换器20操作于超过满载且介于满载与过载保护电流之间的负载状态时，可透过启动该开关单元13达到电磁辐射抑制的功效，容后说明。
[0027] 如图1所示，该驱动选择单元12包括一第一二极管Dd1、一第一电阻Rd1以及一第二电阻Rd2。该第一电阻Rd1并联耦接该第一二极管Dd1，以提供一第一端与一共接端，且该第一端为与该控制单元11的GATE脚位耦接的该第一驱动端Pc1。该第二电阻Rd2提供一第二端与该共接端，且该第二端为与该主功率开关Q1耦接的该第二驱动端Pc2。该共接端可为该第一电阻Rd1、该第一二极管Dd1以及该第二电阻Rd2的共同连接端。在本实施例中，该共接端可为该第三驱动端Pc3。
[0028] 请参见图2所示，其为本发明电磁辐射抑制电路之开关单元第一实施例的电路图。该开关单元13主要包含一接收开关131、一分压电阻组132、一电压控制部133以及一输出部
134。该接收开关131接收一电源电压Vcc，配合图1所示，其中该电源电压Vcc可提供该电磁辐射抑制电路10操作所需的电源，亦为该控制单元11所提供对应高准位控制信号的高电压（相较于接地电位，或者是负电压的低电压）。
134。该接收开关131接收一电源电压Vcc，配合图1所示，其中该电源电压Vcc可提供该电磁辐射抑制电路10操作所需的电源，亦为该控制单元11所提供对应高准位控制信号的高电压（相较于接地电位，或者是负电压的低电压）。
[0029] 该分压电阻组132耦接于该接收开关131与该接地点Gnd之间，且该分压电阻组132包含一第一分压电阻Rx1与一第二分压电阻Rx2。透过该第一分压电阻Rx1与该第二分压电阻Rx2的阻值比例，分压该电源电压Vcc，使该第二分压电阻Rx2的两端提供一分压电压Vx。
[0030] 该电压控制部133接收该第二分压电阻Rx2的跨压，即该分压电压Vx。该电压控制部133包含一辅助功率开关Qx与一稳压元件组133’，即该稳压元件组133’为该电压控制部133中除了该辅助功率开关Qx以外的元件组。该稳压元件组133’耦接该辅助功率开关Qx，且接收该分压电压Vx。具体地，该稳压元件组133’主要包含一第一电容Cx1、一第二二极体Dx2、一第三电阻Rx3以及一第四电阻Rx4。该第一电容Cx1耦接于该辅助功率开关Qx与该接地点Gnd之间。该第三电阻Rx3并联耦接该第二二极体Dx2，且耦接该第一电容Cx1与该辅助功率开关Qx。该第四电阻Rx4耦接于该第三电阻Rx3与该分压电阻组132之间。
[0031] 该输出部134耦接该电压控制部133。如图2所示的实施例，该输出部134可包含一输出电阻Rxo与并联耦接该输出电阻Rxo的一输出电容Cxo。
[0032] 当该电压控制部133导通时，该接地点Gnd透过该输出部134耦接与该开关单元13耦接的该驱动端Pc1，Pc2，Pc3。具体地，当该回授控制信号Sfc致能该开关单元13时，该分压电压Vx透过该稳压元件组133’导通该辅助功率开关Qx，使该接地点Gnd透过该输出部134耦接与该开关单元13耦接的该驱动端Pc1，Pc2，Pc3。
[0033] 请参见图3所示，其为本发明电磁辐射抑制电路之开关单元第二实施例的电路图。有别于图2所示的该电压控制部133可由该辅助功率开关Qx与该稳压元件组133’（包含该第一电容Cx1、该第二二极体Dx2、该第三电阻Rx3以及该第四电阻Rx4），在图3所示的实施例中，该电压控制部133可为一稳压电晶体Zd。该稳压晶体管Zd包含一控制端、一第一连接端以及一第二连接端，其中该控制端为参考极（R），该第一连接端为阳极（A），该第二连接端为阴极（K）。该控制端耦接该分压电压Vx的高电压侧，即该第二分压电阻Rx2的非接地侧，在本实施例为该第一分压电阻Rx1与该第二分压电阻Rx2的共接处。该第一连接端耦接该接地点Gnd，以及该第二连接端耦接具有该输出电阻Rxo与该输出电容Cxo的该输出部134。
[0034] 当该电压控制部133导通时，该接地点Gnd透过该输出部134耦接与该开关单元13耦接的该驱动端Pc1，Pc2，Pc3。具体地，当该回授控制信号Sfc致能该开关单元13时，该分压电压Vx导通该稳压晶体管Zd，使该接地点Gnd透过该输出部134耦接与该开关单元13耦接的该驱动端Pc1，Pc2，Pc3。
[0035] 请参见图4所示，其为本发明电磁辐射抑制电路之取样单元的电路图。该取样单元14主要包含一比较器141与一传送开关142。在本实施例中，该比较器141可为一运算放大器作为具有电压比较的功能使用。该比较器141的正相输入端耦接一电阻Rse，并且透过该电阻Rse接收该感测电压值Vsen。
[0036] 该比较器141的反相输入端接收一参考电压值Vref。在本实施例中，由于该取样单元14可用以判断该电源转换器20是否为超过满载的状况，因此该参考电压值Vref的设定可对应该满载电流值Ifull，亦即基于该输出电流值Iout大于该满载电流值Ifull则确定该电源转换器20操作于超过满载的状态，因此当该输出电流值Iout流经该感测电阻Rsen所转换的该感测电压值Vsen大于该参考电压值Vref时（配合参见图1所示），则表示该输出电流值Iout大于该满载电流值Ifull。故此，当该电源转换器20操作于超过满载且介于满载与过载保护电流之间的负载状态时，该取样单元14所输出的该回授控制信号Sfc导通该开关单元13，以启动该开关单元13达到电磁辐射抑制的功效。该比较器141的反相输入端透过一电阻-电容网络接收该电源转换器20的该输出电压值Vout，且转换该输出电压值Vout为该参考电压值Vref。在一实施例中，该电阻-电容网络与该比较器141的反相输入端之间可包含一稳压单元（未图式），透过该稳压单元的稳压作用使提供至该比较器141的反相输入端的该参考电压值Vref为固定大小的电压参考值。
[0037] 该传送开关142可透过一二极体Dsa与一限流电阻Rsa4耦接该比较器141的输出端。配合参见图2或图3所示，在一实施例中，该取样单元14的该传送开关142与该开关单元13的该接收开关131可分别为一光耦合器（photo coupler）或称光隔离器的信号传送部（transmitter）及信号接收部（receiver）。借此，透过使用该光耦合器作为该变压器Tr的该初级侧与该次级侧之间不同接地（非共地）的电气隔离外，亦可将该回授控制信号Sfc藉由该传送开关142（信号传送部）传送至该接收开关131（信号接收部）。因此，当该比较器141接收到的该感测电压值Vsen大于该参考电压值Vref时，该传送开关142导通，且传送该回授控制信号Sfc至该开关单元13，以导通该开关单元13。
[0038] 请参见图5所示，其为本发明电源供应器之电磁辐射抑制电路的完整电路图。在本实施例中，该开关单元13为如图2所示的该实施例，并且该开关单元13的输出，即该输出部134可耦接该驱动选择单元12的该第二驱动端Pc2。然上述电路拓朴与连接位置并非用来对本发明加以限制。值得一提，无论该开关单元13耦接于该驱动选择单元12的该第二驱动端Pc2、该第三驱动端Pc3甚或该第一驱动端Pc1皆能够达到电磁辐射抑制的功效，差别仅在于电磁辐射抑制的程度多寡，容后说明。
[0039] 承前所述，该取样单元14透过取样该电源转换器20的该输出电流值Iout，并且侦测到该输出电流值Iout大于该电流临界范围值Ith时，则表示该输出电流值Iout大于该满载电流值Ifull，而确定该电源转换器20操作于超过满载的状况。对应地，当该输出电流值Iout大于该满载电流值Ifull，则表示该输出电流值Iout流经该感测电阻Rsen所转换的该感测电压值Vsen大于该参考电压值Vref。当该感测电压值Vsen大于该参考电压值Vref时，该比较器141提供一高准位输出以顺向导通该二极管Dsa，并且导通该传送开关142，使该传送开关142传送该回授控制信号Sfc至该开关单元13的该接收开关131，以导通该接收开关131。
[0040] 当该接收开关131导通时，该电源电压Vcc经该分压电阻组132分压所得到在该第二分压电阻Rx2两端的该分压电压Vx顺向导通该第二二极体Dx2，使得该辅助功率开关Qx（即MOSFET）的闸极（gate）与源极（source）之间的一闸-源极电压（VGS_Qx）够大足以使该辅助功率开关Qx导通，因此，耦接于该辅助功率开关Qx的汲极（drain）之该输出电阻Rxo与该输出电容Cxo如等效直接耦接该接地点Gnd。由于该输出电容Cxo在直流操作可视为开路，再者由于该辅助功率开关Qx可作为开关使用（而非增益放大之用），因此可选择使用小阻值的该输出电阻Rxo，使得当该辅助功率开关Qx导通时，该接地点Gnd直接耦接于该驱动选择单元12的该第二驱动端Pc2的效应更加显著。同理，如图3所示该实施例亦可透过上述的电路操作，达到与图2所示该实施例同样的电路功效，故在此不再赘述。
[0041] 请参见图6所示，其为本发明主功率开关之驱动电压的波形图，其中横坐标表示时间，纵座标表示该主功率开关Q1的闸极（gate）与源极（source）之间的一闸-源极电压VGS_Q1，即该主功率开关Q1的驱动电压。具体地，图6为实验仪器（例如示波器）所呈现该闸-源极电压VGS_Q1的电压波形图，其包括一第一电压曲线C1、一第二电压曲线C2以及一第三电压曲线C3。其中，该第一电压曲线C1表示不具有本发明该电磁辐射抑制电路时，该主功率开关Q1的该闸-源极电压VGS_Q1电压波形图。相较于该第一电压曲线C1，该第二电压曲线C2表示具有本发明该电磁辐射抑制电路，且该开关单元13耦接于该驱动选择单元12的该第一驱动端Pc1；该第三电压曲线C3表示具有本发明该电磁辐射抑制电路，且该开关单元13耦接于该驱动选择单元12的该第二驱动端Pc2。
[0042] 由于透过减小该主功率开关Q1的驱动电阻值可使得导通或截止该主功率开关Q1的时间减慢，即减慢该主功率开关Q1的开关速度，而能够有效地达到电磁辐射的抑制，因此透过该开关单元13的设计达到上述目的。上述所谓该主功率开关Q1的驱动电阻值即为该主功率开关Q1之闸极（gate）的等效输入电阻值，如图5所示，该等效输入电阻值涉及该驱动选择单元12的该第一电阻Rd1、该第二电阻Rd2、耦接于该主功率开关Q1之闸极与该接地点Gnd之间的一闸极电阻Rg以及该开关单元13之该输出部134的该输出电阻Rxo。
[0043] 具体地，无论该开关单元13耦接于该驱动选择单元12的该第二驱动端Pc2、该第三驱动端Pc3甚或该第一驱动端Pc1，一旦该开关单元13致能使得该接地点Gnd耦接于任一驱动端Pc1，Pc2，Pc3，由于该输出电阻Rxo可并联耦接加入原电路，因此都能使得该主功率开关Q1的驱动电阻值减小，而减慢该主功率开关Q1的开关速度，进而有效地达到电磁辐射的抑制。
[0044] 配合参见图6所示，当该开关单元13未致能时，根据等效输入电阻值的计算可得到该驱动电阻值最大，因此如该第一电压曲线C1所示，该主功率开关Q1的开关速度最快。当该开关单元13耦接于该驱动选择单元12的该第一驱动端Pc1，且该开关单元13致能时，该驱动电阻值相较于上述该开关单元13未致能时来得小，因此如该第二电压曲线C2所示，可减慢该主功率开关Q1的开关速度。再者，当该开关单元13耦接于该驱动选择单元12的该第二驱动端Pc2，且该开关单元13致能时，该驱动电阻值相较于上述两种情况皆来得更小，因此如该第三电压曲线C3所示，可再减慢该主功率开关Q1的开关速度，使得电磁辐射的抑制效果更加显著。此外，可透过设计更小阻值的该输出电阻Rxo，使得该驱动电阻值再更小，而能够大幅地达到电磁辐射的抑制效果。
[0045] 综上所述，本具体实施方式具有以下之特征与优点：1、当侦测该电源转换器20操作于超过满载的状况时，启动该开关单元13达到电磁辐射抑制以及同时兼顾该电源转换器20操作效率的效果。
[0046] 2、根据实际电路应用的需求，将该开关单元13耦接于不同的驱动端Pc1，Pc2，Pc3，可达到不同程度的电磁辐射抑制，以及电路使用的弹性化调整。
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