专利汇可以提供一种单晶硅废料再生功率散热器的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供一种单晶 硅 废料再生功率 散热 器的方法,包括 单晶硅 废料的清洗提油、干燥、初步 粉碎 、筛选除杂、精细粉碎、重新配料、 研磨 混合,喷雾 造粒 、 压制成型 、排胶 烧结 、表面修饰、涂覆背胶等工序,本方法有效的利用了硅光 电池 生产过程中产生的单晶硅边 角 料,既节约了资源,又保护了环境,同时通过本方法制备的功率 散热器 具有比重轻、散热效果好等优点。,下面是一种单晶硅废料再生功率散热器的方法专利的具体信息内容。
1.一种单晶硅废料再生功率散热器的方法,其特征在于:
包括以下步骤:
(1)提油、清洗、干燥:
将所述单晶硅废料置入油水分离池内进行油水分离,再将油水分离后的单晶硅废料置入清洗池中洗净,将清洗后的单晶硅废料送入烘炉内干燥;
(2)初步粉碎、除杂:
将步骤(1)中干燥后的单晶硅废料送入粗粉碎机中粉碎,再将粉碎后的单晶硅废料送入筛选机进行筛选与磁选,进而形成单晶硅粗粉体;
(3)精细粉碎:
将步骤(2)中得到的单晶硅粗粉体置入精细粉碎机中进行粉粹,并过精细筛得到单晶硅细粉体;
(4)配料:
按质量比单晶硅细粉体:碳:石英粉/云母粉:无铅釉料:滑石粉:氧化铝为68~
83:5~10:5~16:2~10:0.5~12:0~5的比例进行配料混合形成混合粉料。
(5)研磨混合,喷雾造粒:
将步骤(4)中混合粉料置入球磨机或搅拌磨机或振磨机中,按水:球:料为2~4:1:1的质量比加入水和球,并加入粘合剂,经过研磨混合形成混合浆料,将所述混合浆料送入喷雾造粒机中进行干燥造粒;
(6)压制成形:
将步骤(5)中造粒好的粉料置入压制成型机料筒中进行压制,形成散热器坯块;
(7)排胶烧成:
将所述散热器坯块置入烧缽中,并将烧缽放置在排胶烧成窑炉推板上,送入窑炉中排胶与烧制,得到散热器初始体;
(8)表面加工:
用机械、激光或超声波设备的切、钻、銑方法对无法用压制模具形成的形状进行进一步加工;
(9)涂覆背胶:
在散热器表面平整的一面涂覆粘接胶,涂覆后粘上防粘膜。
2.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法,其特征在于:步骤(1)中烘炉内的干燥温度为150℃~200℃。
3.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法,其特征在于:步骤(2)中单晶硅废料送入粗粉碎机中粉碎的时间为1~5h。
4.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法,其特征在于:步骤(2)中所述单晶硅废料送入50~200目筛选机进行粗筛选与磁选进行筛选。
5.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法,其特征在于:步骤(3)中单晶硅粗粉体在精细粉碎机中进行粉粹的时间为8~50h。
6.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法,其特征在于:步骤(3)中精细筛的规格为1000~1500目。
7.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法,其特征在于:骤(3)中单晶硅细粉体的规格为1000~1500目。
8.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法,其特征在于:步骤(5)中混合粉料研磨时间为2~48h。
9.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法,其特征在于:步骤(7)中窑炉的温度设置为:排胶段为200℃~650℃,烧制段为780℃~1300℃,时间为8~16h。
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