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一种解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法

阅读：393发布：2023-01-13

专利汇可以提供一种解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，包括进口管路、流量计、薄膜分支管路、薄膜分支管路的雾化器、厚膜分支管路、厚膜分支管路的雾化器和工艺腔室，TEOS机台保养后，通过淀积TEOS厚膜和淀积TEOS薄膜的工艺方法，以跑假片的方式，对厚膜分支管路和薄膜分支管路分别各进行至少一次的清洁处理，以排出薄膜分支管路和厚膜分支管路中的结晶小颗粒；本发明能有效解决由于管路气体回流造成的二次颗粒污染，并使得薄膜分支管路和厚膜分支管路中的结晶颗粒都得到有效清洁，从而解决机台保养后的颗粒跳高问题。，下面是一种解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，所述TEOS机台包括有进口管路、薄膜分支管路、厚膜分支管路和工艺腔室，所述进口管路装有流量计，所述薄膜分支管路和厚膜分支管路分别装有雾化器，所述薄膜分支管路和厚膜分支管路分别连通所述TEOS机台的工艺腔室,其特征在于，所述方法包括：
通过淀积TEOS厚膜和淀积TEOS薄膜的工艺方法，以跑假片的方式，向所述厚膜分支管路和薄膜分支管路分别通入TEOS，对所述厚膜分支管路和薄膜分支管路分别各进行至少一次的清洁处理，以排出所述薄膜分支管路和厚膜分支管路中的结晶小颗粒；其中，在对所述厚膜分支管路进行清洁处理时，选用淀积TEOS厚膜工艺跑假片，由所述进口管路通入的TEOS，经所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口进入所述厚膜分支管路，并排向所述工艺腔室，在对所述薄膜分支管路进行清洁处理时，选用淀积TEOS薄膜工艺跑假片，由所述进口管路通入的TEOS，经所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口进入所述薄膜分支管路，并排向所述工艺腔室。
2.如权利要求1所述的解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，其特征在于，对所述厚膜分支管路和薄膜分支管路交替进行清洁处理。
3.如权利要求1所述的解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，其特征在于，先对所述薄膜分支管路进行清洁处理，再对所述厚膜分支管路进行清洁处理。
4.如权利要求1所述的解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，其特征在于，先对所述薄膜分支管路进行清洁处理，再对所述厚膜分支管路进行清洁处理，然后，再次对所述薄膜分支管路进行清洁处理。
5.如权利要求1～4任意一项所述的解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，其特征在于，对所述厚膜分支管路进行清洁处理时，打开所述进口管路的所述流量计、所述厚膜分支管路的雾化器，关闭所述薄膜分支管路的雾化器，由所述进口管路通入的TEOS，经所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口进入所述厚膜分支管路，并排向所述工艺腔室，以排出所述厚膜分支管路中的结晶小颗粒。
6.如权利要求1～4任意一项所述的解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，其特征在于，对所述薄膜分支管路进行清洁处理时，打开所述进口管路的所述流量计、所述薄膜分支管路的雾化器，关闭所述厚膜分支管路的雾化器，由所述进口管路通入的TEOS，经所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口进入所述薄膜分支管路，并排向所述工艺腔室，以排出所述薄膜分支管路中的结晶小颗粒。
7.如权利要求1～4任意一项所述的解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，其特征在于，对所述薄膜分支管路进行清洁处理时，选用淀积TEOS薄膜工艺跑假片，淀积时间为6～
8sec；对所述厚膜分支管路进行清洁处理时，选用淀积TEOS厚膜工艺跑假片，淀积时间为
5～7sec。
8.如权利要求1～4任意一项所述的解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，其特征在于，对所述薄膜分支管路进行清洁处理时，TEOS的通入流量为0.1～2mgm，对所述厚膜分支管路进行清洁处理时，TEOS的通入流量为10～20mgm。

说明书全文

一种解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及集成电路制造技术领域，更具体地说，涉及一种解决薄膜淀积工艺中TEOS(四乙基氧化硅)工艺机台保养后颗粒跳高的方法。

背景技术

[0002] 半导体集成电路制造工艺中，TEOS淀积二氧化硅由于台阶覆盖性好，成本低，作为介质层被广泛使用，其中，TEOS淀积是把含有构成薄膜元素的气态反应剂引入反应室,在硅片表面发生化学反应,从而生成所需的固态薄膜并淀积在其表面的工艺。在实际量产中，为了节约成本和产能的灵活调配，通常将TEOS厚膜工艺与TEOS薄膜工艺应用于同一机台，如图1所示，图1为现有技术中TEOS机台薄膜分支管路和厚膜分支管路示意图，其中，1为进口管路，2为流量计，3为薄膜分支管路，4为薄膜分支管路的雾化器，5为工艺腔室，
6为厚膜分支管路，7为厚膜分支管路的雾化器；在图1中，液态TEOS经进口管路和流量计后，分叉到两路管路，一路是薄膜分支管路和薄膜分支管路的雾化器，然后到工艺腔室进行淀积TEOS薄膜处理；另外一路是厚膜分支管路和厚膜分支管路的雾化器，然后到工艺腔室进行淀积TEOS厚膜处理；但是在实际的TEOS淀积工艺量产中，特别是在TEOS机台保养后，总是出现颗粒跳高现象，严重的还会使首1～3批硅片批受害，颗粒跳高现象指气体中夹杂有颗粒形态的小颗粒，在覆膜产品上就会造成凸点，凸点处容易造成铜线断开、缺损等良率和产品的可靠性问题；例如使用LAM(泛林)公司Vector做TEOS淀积工艺中，在TEOS淀积工艺量产中，特别是在机台保养后，总是出现颗粒跳高现象；主要原因是TEOS作为液态源，很容易遇冷结晶，特别是在管道的弯道、阀门和雾化器等有机构阻力的位置。

[0003] 在现有技术中，对于解决TEOS作为液态源容易遇冷结晶的方法，目前业界的先进方法是在TEOS的气体管路上用加热带来保温，加热带通过电阻丝的加热使TEOS气体管路的温度高于TEOS结晶的温度，以达到防止TEOS结晶的方法，减少TEOS机台在使用中出现的颗粒跳高现象。

[0004] 然而，目前的在TEOS的气体管路上用加热带来保温的方法，只能减少TEOS机台在使用中出现的颗粒跳高现象，但是在遇到机台保养时，TEOS机台就必须降温开腔，包括工艺腔室降温和加热带降温；这种降温的动作，容易造成残余在管路里的TEOS冷凝结晶，复机后随反应源气流进入工艺腔室从而又产生工艺颗粒跳高问题。

[0005] 如果希望在机台保养后，仍能保证没有颗粒跳高问题，则需要有跑假片(以硅片为测试片进行薄膜淀积处理)的工艺处理过程，现有的跑假片方式为了节省时间和成本，通常只使用TEOS厚膜工艺，即通过使用淀积TEOS厚膜的工艺方法，把厚膜分支管道中的颗粒进行冲刷以排出管道，避免管道中的结晶颗粒造成产品中的跳高问题。

[0006] 然而，本领域技术人员清楚，只使用淀积TEOS厚膜工艺，而没有使用淀积TEOS薄膜工艺，TEOS薄膜分支管路得不到有效净化，再加上管道的弯道、阀门和雾化器等有机构阻力的位置，往往沉积有结晶颗粒，并会因为管路分叉口处的回流作用，薄膜分支管路中冷凝结晶的TEOS颗粒仍然会返回厚膜分支管路，造成厚膜分支管路的再次污染，所以TEOS机台保养复机后，TEOS厚膜分支管道和TEOS薄膜分支管道中，都会出现造成颗粒跳高的结晶颗粒。

[0007] 因此，本领域的技术人员致力于开发一种解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，以能有效防止机台保养后首批产品硅片的颗粒受害，从而提高了产品的良率、稳定性和可靠性。

发明内容

[0008] 有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明的目的在于有效防止TEOS机台保养后首批产品硅片的颗粒受害，从而提高了产品的良率、稳定性和可靠性。

[0009] 为实现上述目的，本发明提供了一种有效解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，通过淀积TEOS厚膜和淀积TEOS薄膜的工艺方法，以跑假片的方式，向厚膜分支管路和薄膜分支管路分别通入TEOS，对厚膜分支管路和薄膜分支管路分别各进行至少一次的清洁处理，以排出薄膜分支管路和厚膜分支管路中的结晶小颗粒，使得两路薄膜分支管路和厚膜分支管路都得到有效清洁，并有效解决由于管路气体回流造成的二次颗粒污染问题。本发明的技术方案如下：

[0010] 一种解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，所述TEOS机台包括有进口管路、薄膜分支管路、厚膜分支管路和工艺腔室，所述进口管路装有流量计，所述薄膜分支管路和厚膜分支管路分别装有雾化器，所述薄膜分支管路和厚膜分支管路分别连通所述TEOS机台的工艺腔室,所述方法包括：通过淀积TEOS厚膜和淀积TEOS薄膜的工艺方法，以跑假片的方式，向所述厚膜分支管路和薄膜分支管路分别通入TEOS，对所述厚膜分支管路和薄膜分支管路分别各进行至少一次的清洁处理，以排出所述薄膜分支管路和厚膜分支管路中的结晶小颗粒；其中，在对所述厚膜分支管路进行清洁处理时，选用淀积TEOS厚膜工艺跑假片，由所述进口管路通入的TEOS，经所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口进入所述厚膜分支管路，并排向所述工艺腔室，在对所述薄膜分支管路进行清洁处理时，选用淀积TEOS薄膜工艺跑假片，由所述进口管路通入的TEOS，经所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口进入所述薄膜分支管路，并排向所述工艺腔室。

[0011] 优选地，对所述厚膜分支管路和薄膜分支管路交替进行清洁处理。

[0012] 优选地，先对所述薄膜分支管路进行清洁处理，再对所述厚膜分支管路进行清洁处理。

[0013] 优选地，先对所述薄膜分支管路进行清洁处理，再对所述厚膜分支管路进行清洁处理，然后，再次对所述薄膜分支管路进行清洁处理。

[0014] 优选地，对所述厚膜分支管路进行清洁处理时，打开所述进口管路的所述流量计、所述厚膜分支管路的雾化器，关闭所述薄膜分支管路的雾化器，由所述进口管路通入的TEOS，经所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口进入所述厚膜分支管路，并排向所述工艺腔室，以排出所述厚膜分支管路中的结晶小颗粒。

[0015] 优选地，对所述薄膜分支管路进行清洁处理时，打开所述进口管路的所述流量计、所述薄膜分支管路的雾化器，关闭所述厚膜分支管路的雾化器，由所述进口管路通入的TEOS，经所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口进入所述薄膜分支管路，并排向所述工艺腔室，以排出所述薄膜分支管路中的结晶小颗粒。

[0016] 优选地，对所述薄膜分支管路进行清洁处理时，选用淀积TEOS薄膜工艺跑假片，淀积时间为6～8sec；对所述厚膜分支管路进行清洁处理时，选用淀积TEOS厚膜工艺跑假片，淀积时间为5～7sec。

[0017] 此处设计的目的在于，通过淀积TEOS厚膜和淀积TEOS薄膜的工艺方法，以跑假片的方式，对厚膜分支管路和薄膜分支管路分别通入TEOS，对厚膜分支管路和薄膜分支管路分别各进行至少一次的清洁处理，以排出薄膜分支管路和厚膜分支管路中的结晶小颗粒，并通过操作系统一次性完成，使得两路薄膜分支管路和厚膜分支管路都得到有效清洁，能避免管路气体的回流造成的二次颗粒污染问题，以消除机台保养带来的颗粒问题，从而解决机台保养后的颗粒跳高问题；清洁薄膜分支管路的淀积时间为6～8sec，清洁厚膜分支管路的淀积时间为5～7sec，以在保证清洁效果的前提下，缩短清洁作业时间，减少淀积TEOS的成本浪费。

[0018] 优选地，对所述薄膜分支管路进行清洁处理时，TEOS的通入流量为0.1～2mgm，对所述厚膜分支管路进行清洁处理时，TEOS的通入流量为10～20mgm。

[0019] 此处设计的目的在于，所选跑假片时的所选流量的工艺参数，能在保证有效冲刷管道的同时，减少管道的弯道、阀门等机构阻力处出现沉积结晶颗粒的现象，以防止机台保养带来的颗粒跳高问题，同时又能减少跑假片时所造成的成本浪费和时间的消耗。

[0020] 从上述技术方案可以看出，本发明一种解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，通过淀积TEOS厚膜和淀积TEOS薄膜的工艺方法，以跑假片的方式，向厚膜分支管路和薄膜分支管路分别通入TEOS，对厚膜分支管路和薄膜分支管路分别各进行至少一次的清洁处理，以排出薄膜分支管路和厚膜分支管路中的结晶小颗粒，使得两路薄膜分支管路和厚膜分支管路都得到有效清洁，并有效解决由于管路气体回流造成的二次颗粒污染。

[0021] 以下将结合附图对本发明的构思、具体流程及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本发明的目的、特征和效果。

附图说明

[0022] 图1为现有技术中TEOS机台薄膜分支管路和厚膜分支管路示意图；

[0023] 图2为本发明一种解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法的工艺流程框图；

[0024] 图3为本发明中淀积TEOS薄膜以清洁薄膜分支管路的TEOS流向示意图；

[0025] 图4为本发明中淀积TEOS厚膜以清洁厚膜分支管路的TEOS流向示意图。

[0026] 图中，1为进口管路，2为流量计，3为薄膜分支管路，4为薄膜分支管路的雾化器，5为工艺腔室，6为厚膜分支管路，7为厚膜分支管路的雾化器。

具体实施方式

[0027] 下面结合附图2～4，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。

[0028] 需要说明的是，在下述实施例中，以采用6英寸大小的硅片作为假片为例进行说明；如图2，图2为本发明一种解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法的工艺流程框图，其说明了一种有效解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，所述TEOS机台包括有进口管路1、薄膜分支管路3和厚膜分支管路6，所述进口管路1装有流量计2，所述薄膜分支管路3和厚膜分支管路6分别装有雾化器，所述薄膜分支管路3和厚膜分支管路6分别连通所述TEOS机台的工艺腔室5。

[0029] 在实施例的清洁处理中，先对所述薄膜分支管路3进行清洁处理，如图2中的步骤S01，再对所述厚膜分支管路6进行清洁处理，如图2中的步骤S02，然后，再次对所述薄膜分支管路3进行清洁处理，如图2中的步骤S03。

[0030] 请参阅图4，图4为本发明中淀积TEOS厚膜以清洁厚膜分支管路的TEOS流向示意图；如图4所示，对所述厚膜分支管路6进行清洁处理时，打开所述进口管路1的所述流量计2、所述厚膜分支管路的雾化器7，关闭所述薄膜分支管路的雾化器4，由所述进口管路1通入的TEOS，经所述厚膜分支管路6和薄膜分支管路3的交叉口进入所述厚膜分支管路6，并排向所述工艺腔室5，以排出所述厚膜分支管路6中的结晶小颗粒；对所述厚膜分支管路6进行清洁处理时，淀积时间为5sec，TEOS的通入流量为10mgm。

[0031] 请参阅图3，图3为本发明中淀积TEOS薄膜以清洁薄膜分支管路的TEOS流向示意图；如图3所示，对所述薄膜分支管路3进行清洁处理时，打开所述进口管路1的所述流量计2、所述薄膜分支管路的雾化器4，关闭所述厚膜分支管路的雾化器7，由所述进口管路1通入的TEOS，经所述厚膜分支管路6和薄膜分支管路3的交叉口进入所述薄膜分支管路3，并排向所述工艺腔室5，以排出所述薄膜分支管路3中的结晶小颗粒；对所述薄膜分支管路3进行清洁处理时，淀积时间为6sec，TEOS的通入流量为0.1mgm。

[0032] 从上述实施例可以看出，本发明一种有效解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，通过淀积TEOS厚膜和淀积TEOS薄膜的工艺方法，以跑假片的方式，对厚膜分支管路6和薄膜分支管路3分别通入TEOS，对厚膜分支管路6进行一次的清洁处理,对薄膜分支管路3进行两次的清洁处理，以排出薄膜分支管路和厚膜分支管路中的结晶小颗粒，使得两路薄膜分支管路和厚膜分支管路都得到有效清洁，并有效解决由于管路气体回流造成的二次颗粒污染。

[0033] 以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。

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