火花塞
阅读：728发布：2020-05-13
专利汇可以提供火花塞专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及 火花塞 。提供能够确保导体的机械强度并且能够提高噪声衰减特性的火花塞。火花塞具备具有轴孔的绝缘体以及配置于轴孔内的 端子 配件与中心 电极 之间的连接部。连接部具备：磁体，包含含Fe 氧 化物；导体，在磁体的外周配置成螺旋状并且与端子配件和 中心电极 电连接；以及中间构件，所述中间构件配置于磁体和导体与绝缘体的内周面之间且 导电性 低于导体。导体具备基材和导电层，该导电层配置于基材的外周并且导电性高于基材，导电层的厚度大于0.1μm且为25μm以下。，下面是火花塞专利的具体信息内容。
1.一种火花塞(10)，具备：
绝缘体(11)，具有从前端侧朝后端侧沿轴线方向延伸的轴孔；
中心电极(15)，配置于所述轴孔的前端侧；
端子配件(16)，配置于所述轴孔的后端侧；以及
连接部(30)，配置于所述轴孔内的所述端子配件(16)与所述中心电极(15)之间，其中，所述连接部(30)具备：
磁体(34,44)，包含含Fe氧化物；
导体(35,45)，在所述磁体(34,44)的外周配置成螺旋状并且与所述端子配件(16)和所述中心电极(15)电连接；以及
中间构件(41,50)，所述中间构件(41,50)与所述磁体(34,44)、所述导体(35,45)和所述绝缘体(11)的内周面(13)接触，并且配置于所述磁体(34,44)和所述导体(35,45)与所述内周面(13)之间，且导电性低于所述导体(35,45)，
所述导体(35,45)具备基材(36,46)和导电层(37,47)，所述导电层(37,47)配置于所述基材(36,46)的外周并且导电性高于所述基材(36,46)，
所述导电层(37,47)的厚度大于0.1μm且为25μm以下。
2.根据权利要求1所述的火花塞(10)，其中，
所述基材(36,46)和所述中间构件(41,50)中的至少一方含有Si、B和P中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的火花塞(10)，其中，所述中间构件(41,50)含有含Fe氧化物。
4.根据权利要求1或2所述的火花塞(10)，其中，
所述导电层(37)自身的至少一部分含有含Fe氧化物并且与配置于所述基材(36)的磁性层(40)接触。
5.根据权利要求1或2所述的火花塞(10)，其中，所述基材(36,46)含有含Fe氧化物。
6.根据权利要求1或2所述的火花塞(10)，其中，所述基材(36,46)含有导电材料5体积％～30体积％。
7.根据权利要求1或2所述的火花塞(10)，其中，所述导电层(37,47)由Ni或Ni基合金形成。
火花塞
技术领域
[0001] 本发明涉及火花塞，特别涉及内置了磁体的火花塞。
背景技术
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1：日本特开2015-225793号公报
发明内容
[0006] 发明所要解决的课题
[0008] 本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于，提供能够在确保导体的机械强度的同时提高噪声衰减特性的火花塞。
[0009] 用于解决课题的手段
[0010] 为了实现该目的，本发明的火花塞具备：绝缘体，具有从前端侧朝后端侧沿轴线方向延伸的轴孔；中心电极，配置于轴孔的前端侧；端子配件，配置于轴孔的后端侧；以及连接部，配置于轴孔内的端子配件与中心电极之间。连接部具备：磁体，包含含Fe氧化物；导体，在磁体的外周配置成螺旋状并且与端子配件和中心电极电连接；以及中间构件，所述中间构件与磁体、导体和绝缘体的内周面接触并且配置于磁体和导体与绝缘体的内周面之间，且导电性低于导体。导体具备基材和导电层，该导电层配置于基材的外周并且导电性高于基材，导电层的厚度大于0.1μm且为25μm以下。
[0011] 发明效果
[0012] 根据方案1所述的火花塞，在磁体的外周配置成螺旋状并且与端子配件和中心电极电连接的导体在基材的外周配置有厚度为25μm以下且大于0.1μm的导电层。导电层的导电性高于基材，因此能够在利用基材确保导体的机械强度的同时提高导体的电流密度。其结果，能够提高磁体和导体带来的噪声衰减性能。
[0013] 根据方案2所述的火花塞，基材和中间构件中的至少一方含有Si、B和P中的至少一种，因此能够提高含有Si、B和P中的至少一种的构件的致密性。因此，除了方案1的效果以外，还能够使得难以发生因振动导致的导体的断线。
[0014] 根据方案3所述的火花塞，中间构件含有含Fe氧化物，因此利用含Fe氧化物带来的磁损耗能够消耗噪声的能量。因此，除了方案1或方案2的效果以外，还能够进一步提高噪声衰减效果。
[0015] 根据方案4所述的火花塞，导电层自身的至少一部分含有含Fe氧化物并且与配置于基材的磁性层接触。由于利用磁性层的磁损耗能够消耗噪声的能量，因此除了方案1～3中任一项所述的效果以外，还能够进一步提高噪声衰减效果。
[0016] 根据方案5所述的火花塞，基材含有含Fe氧化物，因此利用基材中包含的含Fe氧化物带来的磁损耗能够消耗噪声的能量。其结果，除了方案1～4中任一项所述的效果以外，还能够进一步提高噪声衰减效果。
[0017] 根据方案6所述的火花塞，基材含有导电材料5体积％～30体积％。由此，当电流在导电层中流动从而磁场发生变化时，涡电流在含有导电材料的基材中流动，从而能够消耗噪声的能量。因此，除了方案1～5中任一项所述的效果以外，还能够进一步提高噪声衰减效果。
[0018] 根据方案7所述的火花塞，导电层由Ni或Ni基合金形成，因此除了方案1～6中任一项所述的效果以外，还能够在确保导电层的耐热性的同时提高耐腐蚀性。另外，利用Ni能够提高导电层的导磁率，因此能够提高噪声衰减效果。附图说明
[0019] 图1是本发明第一实施方式中的火花塞的单侧剖视图。
[0020] 图2是连接部的剖视图。
[0021] 图3是第二实施方式中火花塞的复合部的剖视图。
具体实施方式
[0022] 以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。图1是本发明第一实施方式中的火花塞10的以轴线O为边界的单侧剖视图。在图1中，将纸面下侧称为火花塞10的前端侧，将纸面上侧称为火花塞10的后端侧(在图2和图3中也相同)。火花塞10具备绝缘体11、中心电极15和端子配件16。
[0023] 绝缘体11是利用机械特性、高温下的绝缘性优异的氧化铝等形成的构件，轴孔沿轴线O贯通而形成内周面13。在内周面13中，朝向后端侧的后端朝向面14设置于前端侧。后端朝向面14向着前端而内径逐渐变小。
[0026] 绝缘体11在外周固定有主体配件17。主体配件17是利用具有导电性的金属材料(例如低碳钢等)形成的大致圆筒状的构件。主体配件17具备：主体部18，包围绝缘体11的前端侧的外周；以及座部20，与主体部18的后端侧连接，并且朝主体部18的径向外侧呈凸缘状伸出。在主体部18的外周面形成有外螺纹19。主体配件17通过使外螺纹19与内燃机(汽缸盖)的螺纹孔(未图示)连结而被固定。
[0027] 接地电极21是与主体配件17的前端接合的金属制(例如镍基合金制)构件。在本实施方式中，接地电极21形成为棒状，前端侧弯曲并且与中心电极15对置。在接地电极21与中心电极15之间形成火花间隙。
[0028] 连接部30是将中心电极15与端子配件16电连接的部位，配置于轴孔中。连接部30具备：复合部33，包含磁体34和导体35(将在后面叙述)；第一密封部31，与中心电极15和复合部33接触；以及第二密封部32，与复合部33和端子配件16接触。
[0029] 第一密封部31和第二密封部32例如由包含B2O3-SiO2类、BaO-B2O3类、SiO2-B2O3-CaO-BaO类等玻璃粒子和金属粒子(Cu、Fe等)的组合物形成，且具有导电性。复合部33是用于抑制放电时产生的电波噪声的部位。
[0030] 图2是连接部30的包含轴线O(参照图1)的剖视图。在图2中，省略了配置于绝缘体11外周的主体配件17的图示。在连接部30中，第一密封部31、复合部33和第二密封部32串联连接。复合部33具备：棒状磁体34，包含含Fe氧化物；导体35，在磁体34的外周配置成螺旋状；以及中间构件41，其与磁体34、导体35和绝缘体11的内周面13接触并且配置于磁体34和导体35与内周面13之间。与导体35的轴线O方向(图2上下方向)的下端连接的末端38与第一密封部31接触，与导体35的上端连接的末端39与第二密封部32接触。
[0031] 磁体34是含有铁氧化物的构件，在本实施方式中形成为圆柱状。对于磁体34，可以优选使用以铁氧化物为主要成分的尖晶石型、石榴石型等的铁素体。对于磁体34，可以用例如加压成形、注射成形、挤出成形等公知方法进行成形并进行焙烧而得到。磁体34利用自身的阻抗、磁损耗而阻断或吸收在放电时在第一密封部31与第二密封部32之间流动的电流中的成为电波噪声原因的频带。
[0032] 对于铁素体，可以例举例如MnxFe2-xO4、NixFe2-xO4、CuxFe2-xO4、ZnxFe2-xO4、CoxFe2-xO4、FexFe2-xO4、CaxFe2-xO4、MgxFe2-xO4、Y3Fe5O12、Dy3Fe5O12、Lu3Fe5O12、Yb3Fe5O12、Tm3Fe5O12、Er3Fe5O12、Ho3Fe5O12、Tb3Fe5O12、Gd3Fe5O12、Sm3Fe5O12等单元铁素体；这些单元铁素体以任意比率彼此固溶而成的(Mn1-xZnx)Fe2O4、(Ni1-xZnx)Fe2O4等复合铁素体。可以适当地选择这些铁素体中一种或多种而使用。
[0033] 导体35具备：形成为螺旋状的基材36以及配置于基材36外周的导电层37。导电层37的导电性高于基材36，导电层37的厚度T大于0.1μm且为25μm以下。这是为了在防止导电层37的断线的同时不使导电层37的电流密度降低。
[0034] 基材36是能够确保高温下的机械特性的构件，可以优选采用导电性低于导电层37的绝缘性、半导电性的构件。作为基材36的材质，可以例举例如氧化物、碳化物等陶瓷、晶体玻璃等无机固体材料。另外，也可以将金属制母材的表面用绝缘性、半导电性的覆膜覆盖的复合结构的构件用于基材36。
[0035] 对于导电层37，可以优选采用氧化物导电体、炭、碳化合物、金属等的导电性高于基材36的构件。在螺旋状的基材36的表面配置导电层37，导电层37沿基材36的线长方向连续，由此形成线圈。由此，能够确保复合部33的阻抗并且限制放电电流。导电层37利用蒸镀、镀敷等公知方法形成于基材36的表面。
[0036] 如图2所示，导电层37的厚度T是在包含轴线O的截面上出现的设置于基材36的外周的导电层37中最厚部分的截面的尺寸。导电层37的厚度T优选为0.5μm～25μm。这是为了在确保耐久性的同时提高噪声衰减特性。
[0037] 构成导体35的基材36的直径(线径)优选为0.1mm～1mm，线圈的外径优选为1mm～3mm，线圈的线间间隙优选为0.3mm～1mm，线圈的轴线O方向的长度优选为7mm～30mm。通过使基材36的直径为0.1mm～1mm，能够使基材36难以断裂并且能够确保线圈的线间间隙从而减小寄生电容。通过使线圈的外径为1mm～3mm，能够容易地加工线圈并且能够容易地配置于轴孔的内部。通过使线圈的线间间隙为0.3mm～1mm，能够确保线圈的阻抗并且能够减小寄生电容。通过使线圈的长度为7mm～30mm，能够确保线圈的阻抗并且能够容易地配置于轴孔的内部。
[0038] 对于构成导电层37的氧化物导电体，可以例举Mn、Co、Ni、Fe、Cr、In、Sn、Ir等的具有金属的导电性、半导电性的氧化物、组合这些氧化物中的两种以上而形成的钙钛矿型、尖晶石型等的复合氧化物等。对于构成导电层37的碳化合物，可以例举：碳化硅(SiC)、碳化硼(B4C)、碳化铝(Al4C3)、碳化钛(TiC)、碳化锆(ZrC)、碳化钒(VC)、碳化铌(NbC)、碳化钽(TaC)、碳化铬(Cr3C2)、碳化钼(Mo2C)、碳化钨(W2C、WC)、氮化碳(C3N4)、氮化碳硼(BCN)等具有导电性、半导电性的无机化合物。
[0039] 特别是，导电层37由Ni或Ni基合金形成时，能够在确保导电层37的耐热性的同时提高耐腐蚀性。其结果，能够抑制因导电层37的消耗导致的寿命降低。另外，利用导电层37中包含的Ni而提高了导电层37的导磁率，因此能够提高噪声衰减效果。
[0040] 导体35中的螺旋状线圈的末端38、39卷绕成环状。末端38、39被设定成所述末端的外径小于线圈的外径和磁体34的直径，分别配置于磁体34的轴线O方向的端面。
[0041] 在基材36由无机固体材料形成的情况下，基材36优选包含硅(Si)、硼(B)和磷(P)中的至少一种。由于能够降低基材36的软化点，因此能够提高基材36的致密性。其结果，能够提高基材36的耐冲击性，并且能够使得难以发生因振动导致的基材36的断裂、即导体35的断线。
[0042] 基材36优选含有导电材料5体积％～30体积％。作为导电材料，可以优选选择氧化物导电体、炭、碳化合物、金属等中的一种或多种。当电流在导电层37中流动从而磁场发生变化时，涡电流在基材36中包含的导电材料中流动，从而能够消耗噪声的能量。其结果，能够进一步提高噪声衰减效果。
[0043] 对于导电层37，导电层37表面的至少一部分被含有含Fe氧化物的磁性层40覆盖。由于利用覆盖导电层37的磁性层40的磁损耗能够消耗噪声的能量，因此能够提高噪声衰减效果。对于磁性层40的材质，可以使用与磁体34相同的含Fe氧化物，因此此处省略说明。需要说明的是，磁性层40所含有的含Fe氧化物优选为铁素体。对于磁性层40所含有的铁素体，可以优选选择与磁体34的铁素体相同种类的铁素体或不同种类的铁素体。磁性层40利用分散有含Fe氧化物的原料糊剂的涂布、镀敷等而形成于导电层37的表面。
[0044] 中间构件41是夹设在导体35与绝缘体11的内周面13之间从而抑制导体35的冲击并且用于将导体35固定于磁体34的外周的构件。中间构件41是能够确保高温下的强度的材质，可以采用导电性低于导电层37的任意的材质。这是为了防止在导电层37中流动的电流的短路。
[0045] 中间构件41可以使用例如SiO2、Al2O3等陶瓷。另外，也可以将Li2O-Al2O3-SiO2类等玻璃、晶体玻璃用于中间构件41。对于中间构件41，可以用如下方式得到：利用以与导体35一体化的磁体34为中心的嵌件成形、将中间构件41的原料糊剂向与导体35一体化的磁体34的涂布等公知方法进行成形并进行焙烧而得到。
[0046] 中间构件41优选包含Si、B和P中的至少一种。由此，能够降低中间构件41的软化点并且使中间构件41玻璃化，因此能够使中间构件41致密化。其结果，中间构件41能够牢固地固定导体35，并且能够确保耐冲击性且使得难以发生因振动导致的导体35的断线。
[0047] 中间构件41优选含有含Fe氧化物。这是因为除了能够得到磁体34、磁性层40带来的噪声衰减效果以外，还能够得到中间构件41所含有的含Fe氧化物带来的噪声衰减效果。对中间构件41的含Fe氧化物使用与磁体34相同的含Fe氧化物，因此此处省略说明。作为中间构件41所含有的含Fe氧化物，优选使用铁素体。对于中间构件41的铁素体，可以优选选择与磁体34的铁素体相同种类的铁素体或不同种类的铁素体。
[0048] 火花塞10利用例如如下方法进行制造。首先，利用挤出成形得到磁体34的成形体，然后将利用挤出成形得到的基材36的成形体在磁体34的成形体上卷绕成螺旋状。对其进行焙烧，得到基材36在磁体34的外周配置成螺旋状的构件。接着，在该构件的基材36的表面利用镀敷形成导电层37，然后在导电层37的表面利用镀敷形成磁性层40。接着，在导体35和磁体34的表面涂布中间构件41的原料糊剂并进行干燥。对其进行焙烧而得到复合部33。
[0049] 接着，在绝缘体11的轴孔中插入中心电极15，将中心电极15用后端朝向面14卡定。接着，从轴孔放入第一密封部31的原料粉末，将其填充在中心电极15的周围。使用压缩用棒材(未图示)对填充到轴孔中的第一密封部31的原料粉末进行预压缩。
[0050] 接着，将复合部33插入轴孔中，将复合部33放置在所成形的第一密封部31的原料粉末的成形体上。接着，将第二密封部32的原料粉末填充在复合部33上。使用压缩用棒材(未图示)对填充到轴孔中的第二密封部32的原料粉末进行预压缩。
[0051] 接着，将依次配置有第一密封部31的原料粉末、复合部33和第二密封部32的原料粉末的绝缘体11转移到炉内，加热至例如高于第一密封部31和第二密封部32的各原料粉末所包含的玻璃成分的软化点的温度。在加热后，将端子配件16插入绝缘体11的轴孔中，利用端子配件16的前端将第二密封部32的原料粉末朝轴向压缩。其结果，在绝缘体11的内部形成第一密封部31、复合部33和第二密封部32。
[0052] 接着，将绝缘体11转移到炉外，将预先接合有接地电极21的主体配件17组装到绝缘体11的外周。接着，弯曲接地电极21以使接地电极21的前端与中心电极15对置，由此得到火花塞10。
[0053] 根据火花塞10，在磁体34外周配置成螺旋状的导体35与端子配件16和中心电极15电连接，因此磁体34和导体35阻断或吸收放电电流中成为电波噪声原因的频带。在导体35中，在基材36的表面上配置有厚度25μm以下的导电层37。导电层37的导电性高于基材36，因此能够在利用基材36确保导体35的机械强度的同时，利用导电层37提高导体35的电流密度。其结果，能够提高磁体34和导体35带来的噪声衰减性能。
[0054] 导体35的末端38、39形成为环状，从磁体34、中间构件41露出，因此能够确保第一密封部31、第二密封部32与末端38、39的接触面积。另外，导体35的末端38、39与磁体34的轴线O方向的端面接触，因此在火花塞10的制造工序中，当插入轴孔中的端子配件16将第二密封部32的原料粉末朝轴向压缩时，能够使导体35的末端38、39难以断裂。
[0055] 接着，参照图3对第二实施方式进行说明。在第一实施方式中，对磁体34和中间构件41分别成形的情况进行了说明。与此相对，在第二实施方式中，对磁体44与中间构件50一体成形的情况进行说明。需要说明的是，对于与第一实施方式中说明的部分相同的部分，附上相同符号并省略以下说明。图3是第二实施方式中的火花塞的复合部43的剖视图。复合部43代替第一实施方式中说明的复合部33而配置于绝缘体11的内部。
[0056] 复合部43具备：磁体44，包含含Fe氧化物；导体45，在磁体44的外周配置成螺旋状；以及中间构件50，其与磁体44、导体45和绝缘体11的内周面13接触并且配置于磁体44和导体45与内周面13之间。与导体45的轴线O方向(图3上下方向)的下端连接的末端48与第一密封部31接触，与导体45的上端连接的末端49与第二密封部32接触。
[0057] 导体45具备形成为螺旋状的基材46以及配置于基材46表面上的导电层47。磁体44、基材46和导电层47的材质与在第一实施方式中说明的磁体34、基材36和导电层37的材质相同，因此此处省略说明。
[0058] 中间构件50包含含Fe氧化物，与磁体44一体成形。对于中间构件50的含Fe氧化物，可以使用与第一实施方式中说明的磁体34同样的含Fe氧化物，因此此处省略说明。通过使磁体44与中间构件50一体成形，导体45被嵌入磁体44和中间构件50的内部。
[0059] 对于复合部43，利用例如如下方法进行制造。首先，利用挤出成形得到基材46的螺旋状成形体，然后对其进行焙烧而得到螺旋状基材46。接着，利用镀敷在该基材46的表面形成导电层47。将形成有导电层47的导体45安装在模具上，然后利用嵌件成形得到在磁体44和中间构件50中嵌入有导体45的成形体。对该成形体进行焙烧，从而得到在磁体44和中间构件50中内置有导体45的复合部43。
[0060] 代替在第一实施方式中说明的复合部33，将复合部43配置于绝缘体11的内侧而得到火花塞。在复合部43中，在包含含Fe氧化物的磁体44和中间构件50中嵌入有导体45，因此能够在确保耐冲击性的同时提高噪声衰减效果。
[0061] [实施例]
[0062] 通过实施例进一步详细地说明本发明，但本发明不限于该实施例。
[0063] 制作火花塞的样品，调查放电试验前后的放电电流的水平、耐冲击性试验后的异常的有无。将制作的样品1～30的基材的材质、基材中包含的导电材料的材质和含有率、基材的尺寸和电阻率、导电层的材质和厚度、磁体和中间构件的材质、中间构件的电阻率示于表1，将试验结果示于表2。
[0064] 表1
[0065]
[0066] 表2
[0067]
[0068] 对于表1所示的基材的材质(主材料、添加材料和导电材料)，由基材的原料粉末进行规定。也可以利用ICP、微小部X射线衍射、使用了EPMA的WDS分析等对基材的截面进行分析从而规定基材的材质。主材料是构成基材的化合物或元素中含有率最高的化合物或元素。添加材料表示与Si、B、P对应的元素。添加材料在基材中的含有率(利用ICP得到的分析结果)为0.1重量％～9重量％的范围。该含有率是将Si、B、P的量换算为氧化物而得到的含有率。在基材中可以包含制造工序中混入的微量(例如1ppm左右)的各种杂质。
[0069] 对于基材的电阻率，另行准备电阻测定用样品，该电阻测定用样品的尺寸大于进行试验的样品的基材，使用该电阻测定用样品并利用直流四端子法进行测定。电阻测定用样品的组成与进行试验的样品的基材为相同组成。
[0070] 作为基材的尺寸，在表1中记载了：基材的螺旋的外径、包含基材螺旋的中心线的截面上彼此相邻的基材的与中心线平行的材料截面间的间隙(所谓线间间隙)、线径、以及基材的末端至末端的长度。
[0071] 对于覆盖基材的导电层的材质和厚度，利用微小部X射线衍射、使用了EPMA的WDS分析进行规定。在导电层中可以包含制造工序中混入的微量(例如1ppm左右)的各种杂质。对于覆盖导电层的磁性层的材质，利用微小部X射线衍射进行规定。
[0072] 对于磁体的材质，由磁体的原料粉末进行规定。也可以利用微小部X射线衍射对磁体的截面进行分析从而规定材质。在磁体中可以包含制造工序中混入的微量(例如1ppm左右)的各种杂质。
[0073] 对于中间构件的材质(主材料A、主材料B和添加材料)，由中间构件的原料粉末进行规定。也可以利用ICP、微小部X射线衍射、使用了EPMA的WDS分析等对中间构件的截面进行分析从而规定材质。在中间构件中包含主材料A和主材料B的情况下，主材料B相对于主材料A和主材料B的总量的含有率为20重量％～80重量％的范围。添加材料表示与Si、B、P对应的元素。添加材料在中间构件中的含有率(利用ICP得到的分析结果)为0.1重量％～9重量％的范围。该含有率是将Si、B、P的量换算为氧化物而得到的含有率。在中间构件中可以包含制造工序中混入的微量(例如1ppm左右)的各种杂质。
[0074] 对于中间构件的电阻率，另行准备电阻测定用样品，该电阻测定用样品的尺寸大于进行试验的样品的中间构件，使用该电阻测定用样品并利用直流四端子法进行测定。电阻测定用样品的组成与进行试验的样品的中间构件为相同组成。
[0075] 对于放电电流的水平，根据JASO D002-2：2004年“汽车-电波噪声特性-第二部：防止器的测定方法，电流法”进行测定。具体而言，将各样品的中心电极与接地电极的火花间隙的距离调节为0.9mm±0.01mm，将13kV～16kV的范围内的电压施加到端子配件与主体配件之间而进行放电。使用电流探针测定放电时在端子配件中流动的电流，算出试验前的10MHz、100MHz、500MHz处的放电电流的水平(相对于规定基准的换算值(单位：dB))。
[0076] 放电试验为如下试验：将各样品的中心电极与接地电极的火花间隙的距离调节为0.9mm±0.01mm，在将各样品保存在400℃的腔室内的状态下，将25kV的电压施加到端子配件与主体配件之间而进行放电。将以每秒60次的比例放电的试验进行100小时，然后与试验前同样地根据JASO D002-2：2004年，算出10MHz、100MHz、500MHz处的放电电流的水平(相对于规定基准的换算值(单位：dB))。在表2中记载了试验前的水平、试验后的水平、以及从试验后的水平减去试验前的水平而得的每个频率之差的平均值。
[0077] 对于耐冲击性，根据JIS B8031：2006年7.4项的耐冲击性试验进行评价。将各样品安装于试验装置，以每分钟400次的比例(振幅22mm)施加10分钟冲击，然后调查端子配件与中心电极之间的导通。样品数为20，表2中所示的异常率(％)为在20个的样品中没有确认到导通(断线)的比例。
[0078] 如表2所示，与导体的内侧不具有铁素体的样品28、中间构件的电阻率低于导体的电阻率(导电性高)的样品29以及导电层的厚度为30μm的样品30(样品28～30为比较例)相比，具备包含铁素体的磁体的样品1～26(实施例)能够减小放电时的10MHz、100MHz、500MHz(试验前)处的电流的水平。另外，与导电层的厚度为0.1μm的样品27(比较例)相比，样品1～26能够减小放电时的10MHz、100MHz、500MHz(试验后)处的电流的水平。可知，样品1～26能够减小成为电波噪声原因的高频带的电流的水平，因此显然能够抑制电波噪声。
[0079] 与导电层的厚度为0.1μm的样品27相比，导电层的厚度为0.5～25μm的样品1～26还能够减小试验前后的放电电流的水平之差(平均值)。推测样品1～26由于导电层的厚度为0.5～25μm，因此能够防止电流密度变得过大，并且防止导电层中的厚度薄的部分发热而导致烧毁的情况，在400℃的环境下的放电试验后也能够确保噪声衰减性能。
[0080] 与基材中不包含添加材料的样品1～4相比，基材中包含添加材料的样品5～7能够降低异常率。推测样品5～7由于基材中包含的添加材料而与样品1～4相比能够使基材致密化，因此能够使导体难以断线。
[0081] 与中间构件中不包含添加材料的样品5～7相比，中间构件中包含添加材料的样品8～10能够降低异常率。推测样品8～10由于中间构件中包含的添加材料，与样品5～7相比能够使中间构件致密化，因此能够使导体难以断线。
[0082] 与中间构件中不包含铁素体的样品8～10相比，中间构件中包含铁素体的样品11～14能够分别降低试验前和试验后的放电电流的水平。推测样品11～14由于不仅在磁体中包含铁素体而且在中间构件中也包含铁素体，因此能够提高噪声衰减性能。
[0083] 与没有形成磁性层的样品11～14相比，导电层被磁性层覆盖的样品15～17能够分别降低试验前和试验后的放电电流的水平。推测样品15～17由于磁性层中包含的铁素体，能够进一步提高噪声衰减效果。
[0084] 与基材中不包含铁素体的样品15～17相比，基材中包含铁素体的样品18～20能够分别降低试验前和试验后的放电电流的水平。推测样品18～20由于基材中包含的铁素体，能够进一步提高噪声衰减效果。
[0085] 与基材中不包含导电材料的样品18～20相比，基材中包含导电材料的样品21～26能够分别降低试验前和试验后的放电电流的水平。推测样品21～26由于基材中包含的导电材料，能够进一步提高噪声衰减效果。
[0086] 特别是，与形成有Cu、Ag、C或LaMnO3制导电层的样品21～24相比，形成有Ni制导电层的样品25、26能够分别降低试验前和试验后的放电电流的水平。推测样品25、26由于导电层中包含的Ni的磁性，能够提高噪声衰减效果。
[0087] 以上，基于实施方式对本发明进行了说明，但本发明丝毫不限于上述实施方式，在不脱离本发明主旨的范围内能够进行各种改良变形是能够显而易见的。
[0088] 在第一实施方式中，对在导体35上形成有磁性层40的情况进行了说明，但并不一定限于此。如在实施例的样品1～14以及第二实施方式中说明的那样，当然可以省略磁性层40。另外，当然可以在第二实施方式中说明的导体45上设置磁性层。
[0089] 在第一实施方式中，对在配置于基材36上的导电层37的表面设置有磁性层40的情况进行了说明，但并不一定限于此。当然可以改变导电层37、磁性层40的层叠顺序，在基材36上配置磁性层40，在该磁性层40的表面设置导电层37。在此情况下也与第一实施方式同样地，由于磁性层40与导电层37接触，因此能够得到磁性层40带来的噪声衰减效果。
[0090] 在实施方式中，说明了基材36、46、中间构件41、50包含Si、B和P中的至少一种是优选的，但并不一定限于此。这是因为，在使基材36、46、中间构件41、50致密化的情况下，即使在基材36、46、中间构件41、50的原料粉末中不包含Si、B和P中的至少一种，也可以通过调节原料粉末的粒径、烧结前的成形体的填充密度来提高烧结性。
[0091] 在实施方式中，对导体35的末端38、39以及导体45的末端48、49配置于磁体34、44、中间构件50的端面的情况进行了说明，但并不一定限于此。当然可以去除导体35的末端38、39、导体45的末端48、49的环状部分，使导体35、45的一部分从磁体34、44、中间构件41、50的端面露出。这是因为，即使省略末端38、39、48、49，也能够将从磁体34、44、中间构件41、50露出的导体35、45的一部分与第一密封部31、第二密封部32连接。
[0092] 在实施方式中，对第二密封部32设置于连接部30的情况进行了说明，但并不一定限于此。当然可以替代第二密封部32，在导体35、45与端子配件16之间夹设具有导电性的弹簧等弹性体(连接部)，从而将导体35、45与端子配件16电连接。
[0093] 在实施方式中，作为火花塞10的制造方法，例示了将预先形成的复合部33、43插入绝缘体11的轴孔中的情况，但并不一定限于此。例如，可以在第一实施方式中形成使导体35与磁体34一体化而得的构件，并将该构件插入绝缘体11的轴孔中，从而配置于第一密封部31的原料粉末上，然后在该构件的周围填充中间构件41的原料粉末。在此情况下，通过将绝缘体11在炉内加热，能够在导体35和磁体34与绝缘体11的内周面13之间配置中间构件41。
[0094] 在实施方式中，对其中接地电极21与中心电极15的前端对置的火花塞10进行了说明，但火花塞的结构并不一定限于此。作为火花塞的其它结构，可以列举例如接地电极21与中心电极15的侧面对置的火花塞、在主体配件17上接合有多个接地电极21而得的多极火花塞。
[0095] 符号说明
[0096] 10 火花塞
[0097] 11 绝缘体
[0098] 13 内周面
[0099] 15 中心电极
[0100] 16 端子配件
[0101] 30 连接部
[0102] 34、44 磁体
[0103] 35、45 导体
[0104] 36、46 基材
[0105] 37、47 导电层
[0106] 40 磁性层
[0107] 41、50 中间构件
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