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基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法

阅读:226发布:2023-02-22

专利汇可以提供基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法,把 电路 表示为超图模型;将VLSI电路布局模型模拟为二维静电系统,将 密度 约束转化为静电系统的总 势能 N(v)=0的约束;基于泊松方程、边界条件和兼容性条件建立偏微分方程组;建立密度函数的解析式,并代入偏微分方程组;根据密度函数确定电势和 电场 的表达式;确定电势和电场表达式的收敛性;根据部分和得到电势和电场的求解表达式;由快速计算方法得到每个网格的电势和电场值,加权得到模 块 的电势和电场,在电场 力 作用下完成VLSI电路布局模型建立。本发明实可以提供高效实用的全局布局结果,尤其对大规模的实例,可满足目前VLSI全局布局阶段的需求。,下面是基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法专利的具体信息内容。

1.一种基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法,特征在于,包括如下步骤:
步骤S1:把电路表示为超图模型H={V,E};
步骤S2:将VLSI电路布局模型模拟为二维静电系统,将密度约束转化为静电系统的总势能N(v)=0的约束;
步骤S3:基于泊松方程、边界条件和兼容性条件建立偏微分方程组;
步骤S4:建立密度函数的解析式,并代入偏微分方程组;
步骤S5:根据密度函数确定电势和电场的表达式;
步骤S6:确定电势和电场表达式的收敛性;
步骤S7:根据部分和得到电势和电场的求解表达式;
步骤S8:由快速计算方法得到每个网格的电势和电场值,加权得到模的电势和电场,在电场作用下完成VLSI电路布局模型建立。
2.根据权利要求1所述的基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法,其特征在于,在步骤S1中,布局区域为[0,W]×[0,H],给定n个模块和r个线网,将VLSI电路布局模型作为一个超图G(V,E),将模块表示为顶点集V={v1,v2,...,vn},线网表示为超边集E={e1,e2,...,er},模块vi的宽和高分别为wi和hi,中心点坐标为(xi,yi),i=1、2、···、n;
VLSI电路布局模型在模块之间没有重叠的基础上确定每个模块的最佳位置,并且总线长是最优的:
min W(v)
s.t.模块之间没有重叠
其中,W(v)为总线长,通过半周长线长计算获取。
3.根据权利要求2所述的基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法,其特征在于,在步骤S2中,根据模块在布局区域中的位置,确定电势φ(x,y)和电场ξ(x,y),其中,ξ(x,y)=(ξx,ξy)=-φ(x,y);将模块i作为一个正电荷i,将面积Ai作为电荷量qi,用φi=φ(xi,yi)和ξi=ξ(xi,yi)分别表示在电荷i处的电势和电场,电荷i根据电场力Fi=qiξi进行移动,系统势能为 其中,Ni=qiφi表示电荷i的电势能;将密度约束转化为静电系统的总势能N(v)=0的约束。
4.根据权利要求1所述的基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法,其特征在于,在所述步骤S3中,基于高斯定律,建立静电系统的泊松方程,在满足布局边界条件和兼容性条件的同时得到偏微分方程,分别为:
泊松方程,其中,ρ(x,y)是密度函数:
▽·▽φ(x,y)=-ρ(x,y)
诺埃曼边界条件,用于避免模块跑出布局的边界,其中R和 分别表示布局区域R的边界和外法矢量:
兼容条件,使方程组具有唯一解:
5.根据权利要求4所述的基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法,其特征在于,在所述步骤S4中,将模块i在x方向上的密度函数记为:
为了与矢量(x,y)=(x1,y1,...xi,yi)进行区分,用 表示连续变量;将模块i在y方向上的密度函数定义成 则模块i的密度函数为 所有模块在布局区域上的
总密度为:
其中n是模块个数;
重新定义ρ(x,y):
根据密度函数,则泊松方程,边界条件和兼容性条件变为:
6.根据权利要求5所述的基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法,其特征在于,在所述步骤S5中,根据所述步骤S4获取的泊松方程以及边界条件,获取如下解:
其中,au,p表示每个波函数的系数,u和p表示整数索引;为了计算系数au,p,将上述解代入步骤S4获取的泊松方程,通过计算的 得到密度函数的 的另一个表达
式:
其中,
根据高斯定律,电场 等于电势 的负梯度;由上述解 有
7.根据权利要求6所述的基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法,其特征在于,在所述步骤S7中,将布局区域划分为m×m相同规格的网格,并把每个网格记为blj,其中,l=0,、1、···、m-1,j=0,、1、···、m-1表示网格的标号,令
网格blj的密度为
则电势为:
电场为:
其中:
8.根据权利要求7所述的基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法,其特征在于,在所述步骤S8中,计算m×m的系数矩阵a′u,p:
通过调用一次FFT库计算出系数矩阵,再花费m2时间将系数矩阵a′u,p更新为au,p,计算出所有的系数au,p;在计算出所有的系数后,通过快速傅里叶变换的逆变换计算出φ(l,j)和ξ(l,j),电场力Fi=qiξi会使模块i运动,完成VLSI电路布局模型建立。

说明书全文

基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法

技术领域

[0001] 本发明涉及超大规模集成电路(VLSI)物理设计自动化技术领域,特别是基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法。

背景技术

[0002] 随着技术发展进入十亿晶体管集成的深纳米时代,布局工具的性能在EDA工具的总体质量中占主导地位。因此,在近段时间里,许多布局器被开发了出来。主要的布局算法有三种:基于模拟退火的方法,基于划分的方法和基于分析的方法。最近的研究表明,分析型的布局器通常能够达到更优的布局质量并且具有良好的可扩展性。
[0003] 在基于分析的布局中,一个关键的技术是减少模间的重叠,获得均匀分散的布局。针对基于分析的布局,许多文献提出了减少重叠的方法,例如划分、单元移动、频率控制、分配、钟形密度控制、亥姆霍兹密度控制和泊松密度控制。在这些方法中,泊松密度控制被一些主流的布局器,如FDP、Kraftwerk、mFAR和ePlace所采用。
[0004] 在全局布局中,ePlace采用了泊松方程,并且在基于ISPD2005和ISPD2006测试例子的所有理论型布局器中,实现了最优的线长。ePlace首先将每个模块转化为一个正电荷,将模块密度转化为电势能约束来处理。接下来通过给定的电荷密度产生的电势和电场建模,建立泊松方程,并根据布局的特点设置诺依曼边界条件和兼容性条件。泊松方程是一个偏微分方程(PDE),通过谱方法求解这个偏微分方程,ePlace可以快速计算出一个电势和电场分布,因此它可以在将模块快速散开的同时实现线长最小化。
[0005] 泊松方程常用于许多领域,如静电学、计算机科学、机械工程、理论物理、天文学、化学等等。例如,泊松方程在矩形域里可以利用双三次元的埃尔米特基函数建立一个具有有限元的系统。特别地,泊松方程经常被用于描述由给定电荷或质量密度引起的势场分布。
[0006] 泊松方程的解法分为两类:解析解法和数值解法。解析解是一种准确的解,同时也是偏微分方程的显式解。而数值解是通过一些数值方法得到的,比如有限元法、数值逼近法、插值法等等。因为数值解只能近似PDE的解,所以数值解不可避免地会产生一些数值误差。以特征应变的半空间问题为例,人们做了很多的工作尽量减少数值误差。一般来说,如果可以找到PDE的一个显式解,那么它要从本质上优于数值解。
[0007] 在目前已有的基于泊松密度控制的布局器中,都是使用数值解法来解泊松方程。在Kraftwerk中,使用了几何多网格求解器DiMEPACK来求解泊松方程;在ePlace中,利用了快速傅里叶变换(FFT)来计算电势和电场分布。但是,不同边界条件的泊松方程有不同的特点,因此它的解也不一样的。通常认为,获得PDE的显式解是十分具有挑战性的,甚至是不可能的。比如洛伦兹表达式在有限元模拟中是合适和准确的,但是并不适用于计算。

发明内容

[0008] 本发明的目的在于提供一种基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法,以克服现有技术中存在的缺陷
[0009] 为实现上述目的,本发明的技术方案是:一种基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法,包括如下步骤:
[0010] 步骤S1:把电路表示为超图模型H={V,E};
[0011] 步骤S2:将VLSI电路布局模型模拟为二维静电系统,将密度约束转化为静电系统的总势能N(v)=0的约束;
[0012] 步骤S3:基于泊松方程、边界条件和兼容性条件建立偏微分方程组;
[0013] 步骤S4:建立密度函数的解析式,并代入偏微分方程组;
[0014] 步骤S5:根据密度函数确定电势和电场的表达式;
[0015] 步骤S6:确定电势和电场表达式的收敛性;
[0016] 步骤S7:根据部分和得到电势和电场的求解表达式;
[0017] 步骤S8:由快速计算方法得到每个网格的电势和电场值,加权得到模块的电势和电场,在电场力作用下完成VLSI电路布局模型建立。
[0018] 相较于现有技术,本发明具有以下有益效果:
[0019] (1)使用精确的密度函数来模拟模块的分布,不会产生数值误差;
[0020] (2)在精确密度函数基础上直接求解泊松方程得到一个显式解,并且证明了解的收敛性;由于采用的是解析解,因此在求解静电系统时不会产生数值误差;
[0021] (3)该方法不仅实现了线长的优化,也保证了求解的速度。在和两大主流的布局器ePlace和NTUplace3的对比中,使用ISPD2005和ISPD2006测试集的结果表明,本发明的算法可以让线长更小。用该软件的快速计算泊松方程的解法代替密度控制,嵌入到NTUplace3中的实验结果表明,算法可以减少11%的线长,极大改善了结果。附图说明
[0022] 图1为本发明中基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法的流程图

具体实施方式

[0023] 下面结合附图,对本发明的技术方案进行具体说明。
[0024] 本发明一种基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法,如图1所示,包括如下步骤:
[0025] (1)把电路表示为超图H={V,E};
[0026] (2)把布局问题模拟成二维静电系统,将密度约束转化为静电系统的总势能N(v)=0的约束;
[0027] (3)利用泊松方程,边界条件和兼容性条件建立偏微分方程组;
[0028] (4)给出密度函数的解析式,并代入偏微分方程组;
[0029] (5)利用密度函数确定电势和电场的准确表达式;
[0030] (6)证明电势和电场表达式的收敛性;
[0031] (7)利用部分和得到电势和电场的求解表达式。
[0032] (8)由快速计算方法得到每个网格的电势和电场值,加权得到模块的电势和电场,在电场力作用下完成布局。
[0033] 进一步的,在步骤(1)中,给定布局区域为[0,W]×[0,H],VLSI的电路布局问题可模拟成一个超图G(V,E),模块表示成顶点集V={v1,v2,...,vn},线网表示成超边集E={e1,e2,...,er},模块vi的宽和高分别为wi和hi,中心点坐标为(xi,yi)。其中i=1、2、···、n。VLSI布局问题就是要在模块之间没有重叠的基础上确定每个模块的最佳位置,并且总线长是最优的:
[0034] min W(v)s.t.模块之间没有重叠   (1)
[0035] 其中,W(v)为总线长,通过半周长线长(HPWL)计算得到。
[0036] 进一步的,在步骤S2中,把布局问题模拟成二维静电系统。根据模块在布局区域中的位置,可以确定电势φ(x,y)和电场ξ(x,y),其中ξ(x,y)=(ξx,ξy)=-φ(x,y)。模块i被看做一个正电荷i,面积Ai被表示成电荷量qi。用φi=φ(xi,yi)和ξi=ξ(xi,yi)表示在电荷i处的电势和电场。之后,电荷i根据电场力Fi=qiξi进行移动。因此,系统势能可以被定义成其中Ni=qiφi表示电荷i的电势能。最后把密度约束转化为静电系统的总势能N(v)=0的约束。
[0037] 进一步的,在步骤(3)中,利用泊松方程,边界条件和兼容性条件建立偏微分方程组。基于高斯定律,构建静电系统的泊松方程,在满足满足布局边界条件和兼容性条件的同时得到偏微分方程:
[0038]
[0039] 其中,方程(2a)给出了泊松方程,其中ρ(x,y)是密度函数;方程(2b)是诺埃曼边界条件,用于避免模块跑出布局的边界,其中R和 分别表示布局区域R的边界和外法矢量;方程(2c)是兼容条件,使方程组具有唯一解。
[0040] 进一步的,在步骤(4)中,将模块i在x方向上的密度函数定义为:
[0041]
[0042] 为了与矢量(x,y)=(x1,y1,...xi,yi)进行区分,用 表示连续变量。同样,可以将模块i在y方向上的密度函数定义为 则模块i的密度函数为 所有模块在布局区域上的的总密度为:
[0043]
[0044] 其中,n是模块数。
[0045] 进一步的,图1中求解“解析解”部分,具体方式如下:
[0046] 为了满足方程(2c),重新定义
[0047]
[0048] 使用精确的密度函数,泊松方程,相关的边界条件和兼容性条件(2a)-(2c)变为:
[0049]
[0050] 进一步的,在步骤(5)中,通过方程(6a)和(6b),可以得到它们的解形如:
[0051]
[0052] 其中,au,p表示每个波函数的系数,u和p表示整数索引。为了计算系数au,p,将式(7)代入泊松方程(6a),通过计算 可以得到密度函数 的另一个表达形式:
[0053]
[0054] 在等式(8)的左右两边同时乘以 并积分得到
[0055]
[0056] 方程(9)的积分区域是R=(0,W)×(0,H)。因此,在方程(9)的右边,根据三函数的正交性,第一项只在μ=0,p=η,第二项只在η=0和u=μ,第三项只在p=η和u=μ取非零值。因此在μ≥1和η=0,方程(9)简化为:
[0057]
[0058] 因此可以得到:
[0059]
[0060] 同样,可以得到系数a0,η和aμ,η,为了满足等式(6c),在等式(7)中令a0,0=0,于是可以得到:
[0061]
[0062] 在μ,η≥1时,将式(5)带入式(12d)得到:
[0063]
[0064] 同样可得:
[0065]
[0066] 和
[0067]
[0068] 需要指出的是,在VLSI布局问题中,au,p是由精确密度函数(5)的积分计算出来的,比ePlace中离散计算的更准确。
[0069] 进一步的,图1中求解“电势梯度”部分,具体方式如下:
[0070] 由高斯定律知,电场 等于电势的负梯度 由式(7)的 有
[0071]
[0072] 进一步的,在步骤(6)中,因为方程(9)中的 是无穷级数,因此要证明是收敛的。
[0073] 引理1.
[0074] 无穷级数 和 是收敛的。
[0075] 定理1.
[0076] 无穷级数 是绝对收敛的。
[0077] 证明:
[0078] 注意到:
[0079]
[0080] 对于au,p,u,p≥1,由方程(13)有:
[0081]
[0082] 对于另外两种情况u=0,p≥1和u≥1,p=0,有:
[0083]
[0084] 和
[0085]
[0086] 因此
[0087]
[0088] 通过引理1知以上三个无穷级数是收敛的,因此 存在一个收敛上界,所以是绝对收敛的。
[0089] 进一步的,在步骤(7)中,根据定理1,在实际计算中只需计算 的部分和。此外, 是 的负梯度,同样可以用 的部分和来近似。因为在等式(17)中含有u3或者p3,因此 收敛得很快,只需要迭代K次计算部分和就可以得到一个比较精确的解。
[0090] 因此,可将布局区域划分成m×m相同规格的网格,并把每个网格记为:blj,其中,l=0,、1、···、m-1,j=0,、1、···、m-1表示网格的标号,那么网格blj的密度就为:
[0091]
[0092] 模块i在网格blj中的面积由模块的大小确定,并且与模块i的中心点距离和网格blj的距离成反比,这种方法类似于ePlace中的局部光滑化和密度缩放技术,从而可以得到下面的密度函数
[0093]
[0094] 其中 表示网格blj的密度函数。令(xl,yj)表示网格blj的中心点坐标,那么就可以得到近似于式(5)的所有网格的密度函数为:
[0095]
[0096] 在求得的au,p的基础上将式(18)代入式(12b),(12c)和(12d),在u=0和p>=1的情况下得到:
[0097]
[0098] 其中,xl和yj由网格的大小和布局区域决定,将
[0099] 代入式(19)得到:
[0100]
[0101] 其余的系数也可按同样的方法求得。求得的所有系数au,p如下:
[0102]
[0103] 对于每个网格blj,(7)式中的电势 可用下式重新计算得到:
[0104]
[0105] 由定理1知,无穷级数 是绝对收敛的,因此可以做如下近似:
[0106]
[0107] 式(16)中的电场 可以被近似为:
[0108]
[0109] 进一步的,在步骤(8)中,根据式(18)计算出每个网格的密度 在式(21a)-(21b)中,忽略系数的求和,可以计算出m×m的系数矩阵a′u,p:
[0110]
[0111] 通过调用一次FFT库可以计算出系数矩阵,再花费m2时间把系数矩阵a′u,p更新成au,p,计算出所有的系数au,p。在计算出所有的系数后,通过快速傅里叶变换的逆变换可以计算出φ(l,j)和ξ(l,j),电场力Fi=qiξi会使模块i运动,从而完成布局。
[0112] 进一步的,图1中求解“线长梯度”部分,具体方式如下:
[0113] 在问题(1)中,W(v)是不可微的,直接优化很难,因此使用LSE线长来近似HPWL。x方向上的LSE线长函数是:
[0114]
[0115] 其中,γ是光滑参数,求该函数梯度即可得到线长梯度。
[0116] 进一步的,图1中“模块位置优化和参数更新”部分,具体方式如下:
[0117] 在每次迭代中,采用Nesterov方法来求解无约束最小化问题,通过一次迭代,得到一个新解(xk+1,yk+1),该解即为优化后的模块位置,然后更新罚参数λ。
[0118] 以上是本发明的较佳实施例,凡依本发明技术方案所作的改变,所产生的功能作用未超出本发明技术方案的范围时,均属于本发明的保护范围。
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