本发明涉及等离子体显示面板的结构。

*特願2006-137972*表面放电型交流等离子体显示面板(以下称为PDP)一般具有以下结构：在隔着封入有放电气体的放电空间而相互对置的二块玻璃基板中的一个玻璃基板侧配置有在行方向延伸且在列方向并设的多个行电极对，该多个行电极对由电介质层覆盖，在另一玻璃基板侧配置有在列方向延伸且在行方向并设的多个列电极，在放电空间的与行电极对和列电极分别交叉的部分对置的部分形成有具有红、绿、蓝的荧光体层的放电单元，该放电单元呈矩阵状配置在面板面上。
然后，在一对玻璃基板之间的放电空间内封入有包含体积比为百分之1～10的氙气的放电气体。
该PDP在构成行电极对的成对的行电极中的一个行电极与列电极之间选择性地产生寻址放电，进行发光单元(在对置部分的电介质层形成有壁电荷的放电单元)和非发光单元(对置部分的电介质层的壁电荷被消去的放电单元)的选择，使该发光单元和非发光单元与影像信号的图像数据相对应地分布在面板面上。
之后，对各行电极对的相互成对的行电极交替施加维持脉冲，在发光单元内产生维持放电，通过该维持放电由放电空间内的放电气体中的氙气产生真空紫外线，使用该真空紫外线激励各发光单元内的红、绿、蓝的荧光体层来产生可见光，从而在面板面上形成矩阵显示的图像。
在上述结构的PDP中，行电极的尺寸以往按以下设定。
即，图1示出以往的PDP的行电极对中的与一个放电单元C对置的部分的结构，在该图1中，构成行电极对(X、Y)的行电极X和Y分别由以下部分构成：带状的透明电极Xa、Ya，其相互在行方向上平行延伸且在列方向上隔着放电间隙g而对置；以及带状的总线电极Xb、Yb，其与该透明电极Xa、Ya连接，并在行方向上延伸。
图1中，D是列电极。
并且，该以往的PDP的各行电极X、Y的列方向的宽度w被设定为400～1000μm的值。
这种结构的以往的PDP例如在日本特开平8-22772号公报中作了记载。
在该以往的PDP中，行电极的列方向的宽度按上述设定是根据以下的理由。
即，在PDP中，使用通过维持放电而由放电气体中的氙气产生的真空紫外线中作为其主成分的波长147nm的共振线，激励荧光体层来产生可见光，而该共振线在放电气体中向荧光体层逐渐行进的过程中，与放电气体中的氙原子碰撞，因与该氙原子之间重复吸收和放射而衰减。
因此，在封入有所包含的氙气的体积比是百分之1～10的低氙气分压的放电气体的PDP中，在维持放电时有到达荧光体层的共振线的量减少，不能获得所需亮度的情况。
因此，在以往的PDP中，如上所述，通过把各行电极X、Y的列方向的宽度w(参照图1)设定得较宽，在放电单元C内的宽区域内产生维持放电，使通过该维持放电而产生的真空紫外线的量(即，共振线的量)增加，使到达荧光体层的共振线的量大于等于规定值，从而确保大于等于规定值的亮度。
然而，在上述以往的PDP中，具有的问题点是：不能获得形成高亮度的画面所需要的高的发光效率。
*特願2006-137969*并且，一般情况下，为了提高PDP中的发光效率，只要使覆盖进行维持放电的行电极对的电介质层的厚度变厚来抑制放电电流即可，然而当使该电介质层的厚度变厚时，产生的问题是，由于放电电压上升，因而驱动电路成本上升，或者由于行电极间的静电电容增加而使消耗功率增大。
因此，在以往的PDP中，具有以下的PDP，即：在行电极对的与放电间隙对置的部分的电介质层内形成凹部，使该行电极对的与放电间隙对置的部分的电介质层的厚度比其他部分的电介质层的厚度薄，从而提高放电间隙附近的电场强度来使驱动电压下降。
这种结构的以往的PDP例如在日本特开平11-96919号公报中作了记载。
然而，在该以往的PDP中，也不能得到为形成高亮度画面所需要的高的发光效率。

*特願2006-137972*本发明把解决上述以往的PDP具有的问题作为其技术课题之一，本发明的第1目的是提供可取得高的发光效率的PDP。
而且，本发明的第2目的是防止为取得高的发光效率而使消耗功率增大。
为了达到前述目的，根据本发明的PDP的特征在于，具有：一对基板，其隔着放电空间对置；多个行电极对，其配置在该一对基板中的一个基板侧并在行方向上延伸且在列方向上并设，并且分别由隔着放电间隙相互对置的成对的行电极构成；电介质层，其形成在一个基板侧并覆盖行电极对；以及多个列电极，其配置在另一基板侧并在列方向上延伸且在行方向上并设；在该列电极和行电极对交叉的部分的放电空间内分别形成有单位发光区域；在放电空间内封入有包含氙气的放电气体；构成前述行电极对的一对行电极的参与通过放电间隙进行的放电的各自部分的与行电极的伸长方向正交的方向的宽度被设定为小于等于150μm；前述放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa。
并且，本发明的PDP把以下的PDP作为其第1实施方式，即：构成行电极对的一对行电极的各自参与通过放电间隙进行的放电的部分的与行电极的伸长方向正交的方向的宽度被设定为小于等于150μm，并且在前面玻璃基板与背面玻璃基板之间的放电空间内封入有氙气分压被设定为大于等于6.67kPa的放电气体。
该第1实施方式中的PDP，由于构成行电极对的一对行电极的构成部分中参与通过该行电极间的放电间隙进行的放电的部分的与行电极的伸长方向正交的方向的宽度被设定为比以往的PDP中的400～1000μm的宽度小，即小于等于150μm，因而在放电空间的单位发光区域内，在行电极间产生的放电扩展的深度与以往的PDP相比变窄，该放电成长区域被限制为与初始辉光放电的产生区域重合的放电间隙的附近的窄区域。
因此，该实施方式中的PDP与以往的PDP相比，以非常高的效率从放电气体中的氙气生成真空紫外线。
然后，由于放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa，因而可使用从该放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的主要是波长172nm的分子线进行荧光体层的激励，并且由于该分子线不像共振线那样在放电气体中行进的过程中大部分衰减，因而即使在行电极间产生的放电在放电间隙的附近范围内定域化的情况下，真空紫外线也能充分到达荧光体层，因此与以往的PDP相比，以高效率进行真空紫外线的生成的特性照样得到发挥，从而可取得高的发光效率。
而且，上述实施方式的PDP，由于单位发光区域内的真空紫外线的产生区域比以往的PDP小，因而即使在单位发光区域由隔壁划分的情况下，也难以受到壁损失等的来自隔壁的影响，并且由于利用真空紫外线的分子线进行荧光体层的激励，因而由真空紫外线的产生区域和荧光体层的距离偏差引起的影响减小，因此，行电极对相对于单位发光区域的列方向的位置不要求高精度，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
作为把构成行电极对的一对行电极的各自参与通过放电间隙进行的放电的部分的列方向的宽度设定为小于等于150μm的结构，具有以下等的结构，即：第1，各行电极的列方向的宽度被设定为小于等于150μm的结构；第2，关于覆盖行电极对的电介质层，覆盖各行电极的前端部分的列方向的宽度小于等于150μm的部分的电介质层的厚度薄，其他部分的电介质层的厚度厚，容许仅在行电极的前端部分的列方向的宽度小于等于150μm的部分产生放电的结构；第3，仅在覆盖行电极对的电介质层上的与各行电极的前端部分的列方向的宽度小于等于150μm的部分对置的部分，使用高γ材料形成二次电子放出层的结构。
该第1结构的PDP，由于各行电极的列方向的宽度与以往的PDP相比大幅减小，因而形成在电极间的静电电容大幅减少，结果，无效电流的产生减少，可实现消耗功率的降低。
第2结构的PDP，由于不需要以往的行电极对的结构变更，因而不需要制造工序的大幅变更，而且，由于电介质层的形成位置和厚度尺寸可任意设定来构成，因而设计和制造上的自由度增大，由此可实现制造成本的低廉化和产品成品率的提高。
第3结构的PDP，由于行电极间的放电产生区域根据二次电子放出层的形成位置和尺寸自由设定，因而设计和制造上的自由度增大，可灵活应对设计变更等。
在上述实施方式中，由于使放电气体中包含分压大于等于8.00kPa的氦气，因而与在放电气体中不包含氦气的情况相比，可进一步改善发光效率。
而且，在上述实施方式中，由于使构成行电极对的各行电极的与单位发光区域对置的部分形成为使该部分的长度为大于等于单位发光区域的行方向的宽度的大小的形状，并且把与行电极的伸长方向正交的方向的宽度设定为小于等于150μm，因而PDP的亮度提高，并且即使在放电气体中的氙气分压被设定得高的情况下，也能抑制驱动电压的上升。
*特願2006-137971*而且，本发明的PDP把以下的PDP作为其第2实施方式，即：构成行电极对的一对行电极的各自参与通过放电间隙进行的维持放电的部分的列方向的宽度被设定为小于等于150μm，并且在前面玻璃基板和背面玻璃基板之间的放电空间内封入有氙气分压被设定为大于等于6.67kPa的放电气体，并且在对行方向上邻接的单位发光区域间进行划分的隔壁的与行电极对对置的部分和电介质层之间，形成有具有比行电极对的列方向的宽度大且比单位发光区域的列方向的宽度小的所需列方向的宽度的壁部，使用该壁部，将位于在行方向上邻接的单位发光区域的壁部两侧的部分之间进行遮断，并且在列方向上，在壁部两侧部分的隔壁与电介质层侧之间形成有间隙，通过该间隙使在行方向上邻接的单位发光区域间连通。
该第2实施方式中的PDP，由于在构成行电极对的一对行电极间产生的维持放电因该一对行电极的参与维持放电的部分的列方向的宽度被设定为小于等于150μm而成为窄深度放电，而且由于在放电气体中含有分压大于等于6.67kPa(50乇)的高氙气，因而发光效率提高。
然后，由于在行方向上邻接的单位发光区域内的各自产生成为窄深度放电的维持放电的部分之间由配置在对行方向上邻接的单位发光区域间进行划分的隔壁的与行电极对对置的部分和电介质层之间的壁部遮断，因而当产生维持放电时，可防止在行方向邻接的单位发光区域间发生误放电，并且通过形成在壁部两侧的隔壁与电介质层侧之间的间隙，可发挥在行方向上邻接的单位发光区域间的启动效果，而且可在制造工序时确保排气和放电气体的导入路径。
而且，由于在为了进一步提高该启动效果而缩短产生维持放电的维持脉冲周期的情况下，具有高氙气的放电气体，并且维持放电构成窄深度放电，因而与以往的PDP相比，可提高发光效率。
而且，由于进行窄深度放电并且封入有高氙气的放电气体，因而由形成在电介质层和隔壁的纵壁之间的间隙对启动效果的影响增大，通过形成在该电介质层和纵壁之间的间隙，可取得比以往高的发光效率。
在上述实施方式的PDP中，壁部可以在隔壁上形成为一体，或者可以形成在覆盖行电极对的电介质层侧。
在该壁部形成在覆盖行电极对的电介质层侧的情况下，在PDP的制造工序中，可提高壁部形成时的定位精度。
而且，在上述实施方式的PDP中，壁部可以使用与形成隔壁的电介质材料相同的材料形成，或者可以使用与形成隔壁的电介质材料不同的低电介质材料形成。
在壁部使用与隔壁相同的电介质材料形成的情况下，可使壁部与隔壁同时一体成形，并且，在壁部使用与形成隔壁的电介质材料不同的低电介质材料形成的情况下，可使产生寻址放电的行电极和列电极之间的静电电容减小，因此，可降低寻址放电时的消耗功率。
而且，在上述实施方式的PDP中，壁部的中央部分与行电极的参与维持放电的部分对置，在从一个基板侧观察的状态下，两端部分分别配置在从一对行电极朝列方向外方伸出相同长度的位置上，例如，从该行电极的参与维持放电的部分朝列方向外方伸出的两端部分的列方向的长度分别可设定为小于等于30μm。
因此，在行方向上邻接的单位发光区域内的各自产生成为窄深度放电的维持放电的部分之间由壁部充分遮断，从而充分防止在产生维持放电时在行方向邻接的单位发光区域间产生误放电。
在上述实施方式的PDP中，作为把构成行电极对的一对行电极的各自参与通过放电间隙进行的放电的部分的列方向的宽度设定为小于等于150μm的结构，具有以下等结构，即：第1，各行电极的列方向的宽度被设定为小于等于150μm的结构；第2，关于覆盖行电极对的电介质层，覆盖各行电极的前端部分的列方向的宽度小于等于150μm的部分的电介质层的厚度薄，其他部分的电介质层的厚度厚，容许仅在行电极的前端部分的列方向的宽度小于等于150μm的部分产生放电的结构；第3，在成对的行电极的各自的放电间隙侧的前端部分的列方向的宽度小于等于150μm的部分和与放电间隙对置的部分的覆盖行电极对的电介质层上，使用高γ材料形成二次电子放出层的结构。
该第1结构的PDP，由于各行电极的列方向的宽度与以往的PDP相比大幅减小，因而形成在电极间的静电电容大幅减少，结果，无效电流的产生减少，可实现消耗功率的降低。
第2结构的PDP，由于不需要以往的行电极对的结构变更，因而不需要制造工序的大幅变更，而且，由于电介质层的形成位置和厚度尺寸可任意设定来构成，因而设计和制造上的自由度增大，由此可实现制造成本的低廉化和产品成品率的提高。
第3结构的PDP，由于行电极间的放电产生区域根据二次电子放出层的形成位置和尺寸自由设定，因而设计和制造上的自由度增大，可灵活应对设计变更等。
*特願2006-137970*而且，本发明的PDP把以下的PDP作为其第3实施方式，即：构成行电极对的一对行电极的各自参与通过放电间隙进行的放电的部分的列方向的宽度被设定为小于等于150μm，并且在前面玻璃基板和背面玻璃基板之间的放电空间内封入有氙气分压被设定为大于等于6.67kPa的放电气体，覆盖行电极对的电介质层的与放电间隙对置的部分的厚度比该电介质层的其他部分的厚度薄。
该第3实施方式中的PDP，由于构成行电极对的一对行电极的构成部分中参与通过该行电极间的放电间隙进行的放电的部分的列方向的宽度被设定为比以往的PDP中的400～1000μm的宽度小，即小于等于150μm，因而在放电空间的单位发光区域内，在行电极间产生的放电扩展的深度与以往的PDP相比变窄，该放电成长区域被限制为与初始辉光放电的产生区域重合的放电间隙的附近的窄区域。
因此，该实施方式中的PDP与以往的PDP相比，以非常高的效率从放电气体中的氙气生成真空紫外线。
然后，由于放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa，因而可使用从该放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的主要是波长172nm的分子线进行荧光体层的激励，并且由于该分子线不像共振线那样在放电气体中行进的过程中大部分衰减，因而即使在行电极间产生的放电在放电间隙的附近范围内定域化的情况下，真空紫外线也能充分到达荧光体层，因此与以往的PDP相比，以高效率进行真空紫外线的生成的特性照样得到发挥，从而可取得高的发光效率。
而且，由于由封入高氙气分压的放电气体而引起的驱动电压的上升因电介质层的与放电间隙对置的部分的厚度比其他部分的厚度薄而得到抑制，使驱动电压下降，因而可实现驱动电路成本的下降和发光效率的进一步上升。
在上述实施方式的PDP中，作为使电介质层的与放电间隙对置的部分的厚度比其他部分的厚度薄的方法，例如，可列举有在电介质层的与放电空间对置的面的与放电间隙对置的部分内形成凹部等的方法。
上述实施方式的PDP，还由于单位发光区域内的真空紫外线的产生区域比以往的PDP小，因而即使在单位发光区域由隔壁划分的情况下，也难以受到壁损失等的来自隔壁的影响，并且由于利用真空紫外线的分子线进行荧光体层的激励，因而由真空紫外线的产生区域和荧光体层的距离偏差引起的影响减小，因此，行电极对相对于单位发光区域的列方向的位置不要求高精度，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
作为把构成行电极对的一对行电极的各自参与通过放电间隙进行的放电的部分的列方向的宽度设定为小于等于150μm的结构，具有以下等结构，即：第1，各行电极的列方向的宽度被设定为小于等于150μm的结构；第2，关于覆盖行电极对的电介质层，覆盖各行电极的前端部分的列方向的宽度小于等于150μm的部分的电介质层的厚度薄，其他部分的电介质层的厚度厚，容许仅在行电极的前端部分的列方向的宽度小于等于150μm的部分产生放电的结构；第3，在成对的行电极的各自的放电间隙侧的前端部分的列方向的宽度小于等于150μm的部分和与放电间隙对置的部分的包含厚度变薄的部分的电介质层上，使用高γ材料形成二次电子放出层的结构。
该第1结构的PDP，由于各行电极的列方向的宽度与以往的PDP相比大幅减小，因而形成在电极间的静电电容大幅减少，结果，无效电流的产生减少，可实现消耗功率的降低。
第2结构的PDP，由于不需要以往的行电极对的结构变更，因而不需要制造工序的大幅变更，而且，由于电介质层的形成位置和厚度尺寸可任意设定来构成，因而设计和制造上的自由度增大，由此可实现制造成本的低廉化和产品成品率的提高。
第3结构的PDP，由于行电极间的放电产生区域根据二次电子放出层的形成位置和尺寸自由设定，因而设计和制造上的自由度增大，可灵活应对设计变更等。
*特願2006-137969*而且，本发明的PDP把以下的PDP作为其第4实施方式，即：构成行电极对的一对行电极的各自参与通过放电间隙进行的放电的部分的列方向的宽度被设定为小于等于150μm，并且在前面玻璃基板和背面玻璃基板之间的放电空间内封入有氙气分压被设定为大于等于6.67kPa的放电气体，覆盖行电极对的电介质层使用相对介电常数小于等于9.3的电介质材料形成。
该第4实施方式中的PDP，由于构成行电极对的一对行电极的构成部分中参与通过该行电极间的放电间隙进行的放电的部分的列方向的宽度被设定为比以往的PDP中的400～1000μm的宽度小，即小于等于150μm，因而在放电空间的单位发光区域内，在行电极间产生的放电扩展的深度与以往的PDP相比变窄，该放电成长区域被限制为与初始辉光放电的产生区域重合的放电间隙的附近的窄区域。
因此，该实施方式中的PDP与以往的PDP相比，以非常高的效率从放电气体中的氙气生成真空紫外线。
而且，该实施方式中的PDP，由于放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa，因而可使用从该放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的主要是波长172nm的分子线进行荧光体层的激励，并且由于该分子线不像共振线那样在放电气体中行进的过程中大部分衰减，因而即使在行电极间产生的放电在放电间隙的附近范围内定域化的情况下，真空紫外线也能充分到达荧光体层，因此与以往的PDP相比，以高效率进行真空紫外线的生成的特性照样得到发挥，从而可取得高的发光效率。
然后，该实施方式中的PDP，由于覆盖行电极对的电介质层使用相对介电常数小于等于9.3，优选的是小于等于8的例如氧化锌系玻璃或氧化锌系玻璃和氧化磷系玻璃的混合物等的低电介质材料形成，因而在进行窄深度放电且封入有高氙气分压的放电气体的PDP中，维持放电时的电离量得到抑制，由于真空紫外线生成效率的改善而使照射到荧光体层的真空紫外光量增大，从而可进一步改善发光效率。
在上述实施方式的PDP中，优选的是，将电介质层形成为在垂直于基板的方向上具有大于等于35μm的膜厚。
因此，由各单位发光区域的电介质层的膜厚偏差产生的放电电流的偏差减小，因而可减小各单位发光区域的发光效率偏差，可制造能在面板的整个面内取得稳定发光效率的PDP。
上述实施方式的PDP，还由于单位发光区域内的真空紫外线的产生区域比以往的PDP小，因而即使在单位发光区域由隔壁划分的情况下，也难以受到壁损失等的来自隔壁的影响，并且由于利用真空紫外线的分子线进行荧光体层的激励，因而由真空紫外线的产生区域和荧光体层的距离偏差引起的影响减小，因此，行电极对相对于单位发光区域的列方向的位置不要求高精度，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
作为把构成行电极对的一对行电极的各自参与通过放电间隙进行的放电的部分的列方向的宽度设定为小于等于150μm的结构，具有以下等的结构，即：第1，各行电极的列方向的宽度被设定为小于等于150μm的结构；第2，关于覆盖行电极对的电介质层，覆盖各行电极的前端部分的列方向的宽度小于等于150μm的部分的电介质层的厚度薄，其他部分的电介质层的厚度厚，容许仅在行电极的前端部分的列方向的宽度小于等于150μm的部分产生放电的结构；第3，在成对的行电极对的各自的放电间隙侧的前端部分的列方向的宽度小于等于150μm的部分和与放电间隙对置的部分的电介质层上，使用高γ材料形成二次电子放出层的结构。
该第1结构的PDP，由于各行电极的列方向的宽度与以往的PDP相比大幅减小，因而形成在电极间的静电电容大幅减少，结果，无效电流的产生减少，可实现消耗功率的降低。
第2结构的PDP，由于不需要以往的行电极对的结构变更，因而不需要制造工序的大幅变更，而且，由于电介质层的形成位置和厚度尺寸可任意设定来构成，因而设计和制造上的自由度增大，由此可实现制造成本的低廉化和产品成品率的提高。
第3结构的PDP，由于行电极间的放电产生区域根据二次电子放出层的形成位置和尺寸自由设定，因而设计和制造上的自由度增大，可灵活应对设计变更等。
附图说明
*特願2006-137972*图1是示出以往的PDP的结构的正视图。
图2是示出本发明的实施方式的第1实施例的正视图。
图3是图2的V1-V1线的剖面图。
图4是示出PDP中的电极宽度和发光效率的关系的曲线图。
图5是示出PDP中的放电的一般成长过程的曲线图。
图6是示出PDP的放电单元内的维持放电的成长过程的状态图。
图7是示出本发明的实施方式的第2实施例的正视图。
图8是示出本发明的实施方式的第3实施例的正视图。
图9是图8的V2-V2线的剖面图。
图10是示出同实施例的变形例的正视图。
图11是示出同实施例的另一变形例的正视图。
图12是示出本发明的实施方式的第4实施例的正视图。
图13是图12的V3-V3线的剖面图。
图14是示出本发明的实施方式的第5实施例中的氙气分压和氦气分压与发光效率的关系的表图。
图15是图14的曲线图。
图16是示出本发明的实施方式的第6实施例的正视图。
图17是同实施方式的放大图。
图18是示出本发明的实施方式的第7实施例的正视图。
图19是同实施方式的放大图。
图20是示出本发明的实施方式的第8实施例的正视图。
图21是同实施方式的放大图。
*特願2006-137971*图22是示出本发明的实施方式的第9实施例的正视图。
图23是图22的V4-V4线的剖面图。
图24是示出同实施例中的PDP的隔壁的立体图。
图25是示出PDP中的维持脉冲周期和发光效率的关系的曲线图。
图26是将同实施例的PDP中的间隙长度和发光效率的关系与现有例进行比较而示出的曲线图。
图27是示出本发明的实施方式的第10实施例的立体图。
图28是示出本发明的实施方式的第11实施例的正视图。
图29是图28的V5-V5线的剖面图。
图30是示出本发明的实施方式的第12实施例的正视图。
图31是图30的V6-V6线的剖面图。
图32是示出本发明的实施方式的第13实施例的正视图。
图33是图32的V7-V7线的剖面图。
图34是示出本发明的实施方式的第14实施例的正视图。
图35是图34的V8-V8线的剖面图。
*特願2006-137970*图36是示出本发明的实施方式的第15实施例的正视图。
图37是图36的V9-V9线的剖面图。
图38是示出产生窄深度放电的PDP中的发光效率和驱动电压的关系的曲线图。
图39是示出以往的PDP中的发光效率和驱动电压的关系的曲线图。
图40是示出本发明的实施方式的第16实施例的正视图。
图41是图40的V10-V10线的剖面图。
图42是示出本发明的实施方式的第17实施例的正视图。
图43是图42的V11-V11线的剖面图。
图44是示出同实施例的变形例的正视图。
图45是示出同实施例的另一变形例的正视图。
图46是示出本发明的实施方式的第18实施例的正视图。
图47是图46的V12-V12线的剖面图。
*特願2006-137969*图48是示出本发明的实施方式的第19实施例的正视图。
图49是图48的V13-V13线的剖面图。
图50是示出进行窄深度放电且封入有高氙气分压的放电气体的PDP中的放电电流和发光效率、电介质的相对介电常数的关系的表图。
图51是示出图50中的放电电流和发光效率、电介质的相对介电常数的关系的曲线图。
图52是示出以往的PDP中的放电电流和发光效率、电介质的相对介电常数的关系的曲线图。
图53是示出PDP中的电介质膜厚和电介质电容的关系的曲线图。
图54是示出PDP中的电介质膜厚和电介质电容的变化率的关系的曲线图。
图55是示出本发明的实施方式的第20实施例的正视图。
图56是图55的V14-V14线的剖面图。
图57是示出本发明的实施方式的第21实施例的正视图。
图58是图57的V15-V15线的剖面图。
图59是示出同实施例的变形例的正视图。
图60是示出同实施例的另一变形例的正视图。
图61是示出本发明的实施方式的第22实施例的正视图。
图62是图61的V16-V16线的剖面图。

*特願2006-137972*【实施例】【实施例1】图2和图3示出本发明的PDP的实施方式的第1实施例，图2是示意性地示出该第1实施例中的PDP的一部分的正视图，图3是图2的V1-V1线的剖面图。
在该图2和图3中，PDP 10在作为显示面的前面玻璃基板11的背面，按照在列方向(图2的上下方向)上隔开所需间隔的状态等间隔地并设有在行方向(图2的左右方向)上延伸的多个行电极对(X1、Y1)。
构成该行电极对(X1、Y1)的一个行电极X1由以下部分构成：透明电极X1a，其在前面玻璃基板11的背面由ITO等的透明导电膜形成为在行方向呈带状延伸；以及总线电极X1b，其在该透明电极X1a的背面的中央位置由金属膜形成，且在列方向的宽度比透明电极X1a的列方向的宽度小的带状的行方向上延伸。
构成行电极对(X1、Y1)的另一行电极Y1也与行电极X1一样，由以下部分构成：透明电极Y1a，其在前面玻璃基板11的背面由ITO等的透明导电膜形成为在行方向呈带状延伸，并位于与行电极X1的透明电极X1a隔开所需间隔而平行延伸的位置上；以及总线电极Y1b，其在该透明电极Y1a的背面的中央位置由金属膜形成，且在列方向的宽度比透明电极Y1a的列方向的宽度小的带状的行方向上延伸。
该行电极X1和Y1沿着前面玻璃基板11的列方向交替排列，在各行电极对(X1、Y1)中，成对的行电极X1和Y1的相互对置的透明电极X1a和Y1a之间的所需宽度的间隔分别构成放电间隙g1。
在前面玻璃基板11的背面还形成有电介质层12，行电极对(X1、Y1)由该电介质层12覆盖。
而且，形成有由氧化镁(MgO)等的高γ材料构成的未作图示的二次电子放出层，以覆盖该电介质层12整体。
背面玻璃基板13隔着放电空间与该前面玻璃基板11平行对置。
并且，在该背面玻璃基板13的与前面玻璃基板11对置侧的面上，按照在行方向上隔开所需间隔的状态等间隔地形成有在列方向上呈带状延伸的多个列电极D1。
在背面玻璃基板13的该面上还形成有列电极保护层(电介质层)14，列电极D1由该列电极保护层14覆盖。
在该列电极保护层14上形成有具有以下形状的隔壁15。
即，该隔壁15由多个横壁15A和多个纵壁15B形成为大致格子形状，该多个横壁15A在与列方向上相互邻接的行电极对(X1、Y1)之间的中间位置对置的位置上分别沿行方向延伸，该多个纵壁15B沿列方向延伸且在行方向上隔开所需间隔等间隔地并设。
通过使用该隔壁15将前面玻璃基板11和背面玻璃基板13之间的放电空间分别划分为大致方形形状，形成在面板面上呈矩阵状配置的多个放电单元C1。
并且，在该各放电单元C1的中央部分分别使行电极对(X1、Y1)对置。
在各放电单元C1中，在面对该放电单元C1内的放电空间的隔壁15的横壁15A和纵壁14B的四个侧面以及列电极保护层14的表面形成有荧光体层16，以全部覆盖该五个面，该荧光体层16的颜色按照各放电单元C1被分成三原色的红、绿、蓝，该三原色被配置成在行方向上依次排列。
在放电空间内封入有包含氙气的放电气体。
上述PDP 10的行电极X1、Y1的尺寸和放电气体的结构按以下设定。
即，各行电极X1、Y1的列方向的宽度，即，透明电极X1a的列方向的宽度Wx1和透明电极Y1a的列方向的宽度Wy1(参照图2)分别被设定为小于等于150μm。
并且，封入在放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)。
该PDP 10对各行电极对(X1、Y1)的行电极Y1依次施加扫描脉冲，与此同时，对列电极D1选择性地施加数据脉冲，在该被施加了扫描脉冲的行电极Y1和被施加了数据脉冲的列电极D1交叉的部分所形成的放电空间C1内，在行电极Y1和列电极D1之间产生寻址放电，通过该寻址放电而形成的发光单元(在对置部分的电介质层12上形成有壁电荷的放电单元C1)和非发光单元(对置部分的电介质层12的壁电荷被消去的放电单元C1)与影像信号的图像数据对应地分布在面板面上。
之后，对各行电极对(X1、Y1)的分别成对的行电极X1和Y1交替施加维持脉冲，在发光单元内，在透明电极X1a和Y1a之间通过放电间隙g1产生维持放电。
然后，在发光单元内，通过该维持放电由封入在放电空间内的放电气体中的氙气产生真空紫外线，使用该真空紫外线激励发光单元内的红、绿、蓝的萤光体层16来产生可见光，从而在面板面上形成矩阵显示的图像。
通过将该PDP 10的各行电极X1的列方向的宽度Wx1和透明电极Y1的列方向的宽度Wy1分别设定为小于等于150μm，并且将放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压设定为大于等于6.67kPa(50乇)，在图像形成时的上述维持放电时，根据以下理由，可获得高的发光效率。
即，图4示出PDP中的行电极的列方向的宽度(以下简称为电极宽度)和发光效率的关系。
另外，该图4示出放电单元的尺寸是700(μm)×310(μm)、开口部尺寸是640(μm)×250(μm)的情况的测定结果。
在该图4中，在氙气分压小于6.67kPa(50乇)的情况下(在图4中，示出氙气分压是2.67kPa(20乇)的情况)，电极宽度越小，发光效率就越下降。
然后，当氙气分压大于等于6.67kPa(50乇)时，随着电极宽度减小，发光效率上升，氙气分压越大(在图4中，示出氙气分压是13.33kPa(100乇)的情况)，发光效率的上升就越显著。
作为在PDP中所要求的发光效率，大于等于2.0(lm/W)的值成为有用值。
因此，从该图4中可知，在PDP 10中，只要在放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)的状态下，行电极X1、Y1的电极宽度Wx1和Wy1分别小于等于150μm，就能取得大于等于2.0(lm/W)的发光效率。
这样，在放电气体中的氙气分压大于等于6.67kPa(50乇)的状态下，随着电极宽度减小，发光效率上升，这是根据以下的理由。
图5是示出放电的一般成长过程的曲线图，图6是示出以往的放电单元内的维持放电的成长过程的状态图。
如该图5和图6所示，在前述的图像形成时，在放电单元内产生的维持放电经过汤森德放电-初始辉光放电-辉光放电的各个过程而成长。
为了在PDP的图像形成时生成真空紫外线，一般利用维持放电产生期间中的初始辉光放电和辉光放电期间。
然后，在用于该真空紫外线的生成的放电期间中的初始辉光放电期间，在空间电荷的定域化完成前的过程中，在阴极附近主要由离子形成的阴极下降部的能量没有损失，因而以非常高的效率生成真空紫外线。
在紧接着该初始辉光放电期间的辉光放电期间，通过阴极下降部的生成而在放电空间内形成非常强的电场，通过该强电场生成大量的高能量电子，在成为强电场部的出口的负辉光部中生成大量的真空紫外线，然而由于在阴极下降部产生能量损失，因而与初始辉光放电期间相比，真空紫外线的生成效率不高。
在PDP的放电单元内产生的维持放电一般如图6所示，在其成长过程中，从行电极对的阳极侧向阴极侧呈立体成长。
在上述PDP 10中，行电极X1、Y1的电极宽度Wx1和Wy1分别被设定为小于等于150μm，并且在放电单元C1内维持放电扩展的深度与以往的PDP相比窄，因而该维持放电的成长区域被限制为放电间隙g1的附近的窄区域(在图6中由e表示的区域)。
另外，在该PDP 10中，在放电间隙g1的附近的窄区域中产生的维持放电以下称为窄深度放电。
该窄深度放电的成长区域与如前所述以非常高的效率生成真空紫外线的图6的初始辉光放电的产生区域重合。
因此，通过将PDP 10的行电极X1、Y1的电极宽度Wx1和Wy1分别设定为小于等于150μm，并且使维持放电成为窄深度放电，与以往的PDP相比能以非常高的效率进行真空紫外线的生成。
另一方面，在PDP 10中，与以往一样，在放电空间内封入低氙气分压的放电气体，当使用由该放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的主要是波长147nm的共振线来激励荧光体层16时，在PDP 10中产生的作为窄深度放电的维持放电在放电间隙g1的附近范围内定域化，因而在该真空紫外线的共振线到达荧光体层16前的期间的衰减反而增大。
一般公知的是，在全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压是2.67～3.33kPa(20～25乇)的情况下，由放电气体产生的真空紫外线的主成分是波长147nm的共振线，该共振线在氙气分压是2.67～3.33kPa(20～25乇)的条件下，在放电气体中行进100μm期间，大致衰减一半。
在PDP 10中，通过将全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压设定为大于等于6.67kPa(50乇)，使用由该放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的主要是波长172nm的分子线进行荧光体层16的激励。
该真空紫外线中的分子线不像共振线那样在放电气体中的行进的过程中大部分衰减。
因此，在PDP 10中，即使维持放电成为窄深度放电而在放电间隙g1的附近范围内定域化的情况下，真空紫外线也充分到达荧光体层16，因而维持放电成为窄深度放电，这样与以往的PDP相比以非常高的效率进行真空紫外线的生成的特性照样得到发挥，因此可取得高的发光效率。
另外，上述效果即使在PDP的隔壁呈带状的情况下也能取得，然而通过使PDP 10的隔壁15形成为大致格子形状，荧光体层16也形成在分别包围各放电单元C1的横壁15A和纵壁15B的四个侧面上，从而增大该荧光体层16的表面积，因此可取得更高的发光效率。
而且，通过使上述PDP 10的行电极X1、Y1的列方向的宽度与以往的PDP相比大幅减小，形成在电极间的静电电容大幅减少，结果，无效电流的产生减少，可实现消耗功率的降低。
另外，在上述中，示出了PDP 10的行电极对(X1、Y1)相对于放电单元C1在列方向上配置在放电单元C1的中央位置的示例，然而行电极对(X1、Y1)也可以相对于放电单元C1在列方向上配置在与放电单元C1的中央位置上下偏离的位置上。
其理由如下所述。
即，在以往的PDP中，由于如前所述，维持放电变为扩展到放电单元整体的深度深的放电，因而当行电极对相对于由格子形状的隔壁所划分的放电单元在列方向上配置在与放电单元的中央位置上下任意偏离的位置上时，通过使放电间隙偏向划分放电单元的隔壁的上下横壁的任意一方，针对各放电单元，电压容限、亮度、发光效率等产生偏差，产生对发光造成不良影响的问题，因而要求行电极对相对于放电单元的高的位置精度。
然而，在上述PDP 10中，由于维持放电成为如前所述的放电区域窄的窄深度放电，并且真空紫外线的产生区域成为比以往的PDP小的所谓的点光源，因而难以受到壁损失等的来自隔壁的影响，并且由于利用真空紫外线的吸收少的波长172nm的分子线进行荧光体层16的激励，因而由维持放电的放电区域(真空紫外线的产生区域)和荧光体层16的距离偏差引起的影响减小，因此，即使在行电极对(X1、Y1)相对于放电单元C1的列方向的位置与中央位置偏离的情况下，也几乎不产生发光效率和亮度的变动。
因此，根据上述PDP 10，即使在隔壁15具有大致格子形状且放电单元C1的周围由横壁15A和纵壁15B包围的情况下，放电间隙的位置(即行电极对的位置)也可以在列方向上不精确地定位在放电单元的中央位置，行电极对(X1、Y1)相对于放电单元C1的位置精度的容许量增大，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
并且，在上述中，示出了构成行电极的透明电极分别形成为以沿着总线电极在邻接的放电单元间呈带状连续的形状的示例，然而透明电极也可以是针对各放电单元独立形成并与总线电极连接的结构。
而且，在上述中，描述了行电极由透明电极和总线电极构成的示例，然而行电极也可以仅由金属制的总线电极构成，并且是把其列方向的宽度分别设定为小于等于150μm的结构。
【实施例2】图7是示意性地示出本发明的实施方式中的第2实施例的PDP的一部分的正视图。
另外，在以下说明中，对于与前述第1实施例的PDP相同的结构部分，在图7中附上与图2和图3相同的符号进行说明。
前述第1实施例的PDP的构成行电极对的各行电极的总线电极配置在透明电极的背面的大致中央部，相比之下，该第2实施例的PDP 20的构成行电极对(X2、Y2)的行电极X2和Y2分别由以下部分构成：透明电极X2a、Y2a，其位于与由大致格子形状的隔壁15所划分的放电单元C 1的列方向的中央部分对置的位置上；以及总线电极X2b、Y2b，其配置在接近放电单元C 1的两侧的横壁15A的位置上且与透明电极X2a、Y2a连接。
即，在图7中，PDP 20与第1实施例的情况一样，放电空间采用由横壁15A和纵壁15B形成为大致格子形状隔壁15，被划分为大致方形，从而形成放电单元C1。
构成行电极对(X2、Y2)的行电极X2、Y2的各自的带状透明电极X2a、Y2a在与放电单元C1的列方向的中央部分对置的位置上相互隔开所需间隔(放电间隙g2)沿行方向平行延伸。
该透明电极X2a、Y2a的列方向的宽度(Wx2、Wy2)分别被设定为小于等于150μm。
然后，总线电极X2b、Y2b分别由以下部分构成：总线电极主体部X2b1、Y2b1，其沿着隔壁15的横壁15A的内缘部在行方向上呈带状延伸；以及总线电极连接部X2b2、Y2b2，其在该总线电极主体部X2b1、Y2b1和透明电极X2a、Y2a之间与隔壁15的纵壁15B对置的位置上沿列方向延伸，使总线电极主体部X2b1、Y2b1和透明电极X2a、Y2a分别连接。
其他部分的结构与第1实施例的情况相同，封入在放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(大于等于50乇)。
在第1实施例的情况下，由于由金属膜形成的总线电极配置在与放电单元的中央部分对置的位置上，因而放电单元的开口部分别由该不具有光透过性的总线电极在列方向上分成两个，相比之下，在该PDP 20的情况下，通过将由金属膜形成的总线电极X2b、Y2b的总线电极主体部X2b1、Y2b1配置在接近隔壁15的横壁15A的位置上，放电单元C1的开口部不像第1实施例的情况那样由总线电极X2b、Y2b分成两个。
在本实施例的情况下，具有以下的特性：越接近放电间隙，发光强度就越高，越接近横壁，发光强度就越弱。因此，在该结构的情况下，发光强度高的部分不会被总线电极遮蔽，可取得更高的发光效率。
而且，通过将该PDP 20的总线电极连接部X2b2、Y2b2配置在与隔壁15的纵壁15B对置的位置上，放电单元C1的开口部的一部分也不会由于该总线电极连接部X2b2、Y2b2的形成而被遮蔽。
另外，在上述中，示出了总线电极X2b、Y2b的总线电极主体部X2b1、Y2b1配置在与放电单元C1对置的部分中接近隔壁15的横壁15A的位置上的示例，然而该总线电极主体部X2b1、Y2b1也可以配置在与隔壁15的横壁15A对置的位置上，在该情况下，由于总线电极主体部X2b1、Y2b1不会遮蔽放电单元C1的开口部，因而不用担心总线电极X2b、Y2b的整体会干扰来自荧光体层的发光。
然后，通过将上述PDP 20的行电极X2、Y2的透明电极X2a的列方向的宽度(电极宽度)Wx2和透明电极Y2a的列方向的宽度(电极宽度)Wy2分别设定为小于等于150μm，与第1实施例的情况一样，在该透明电极X2a和Y2a之间产生的维持放电成为窄深度放电，与以往的PDP相比以非常高的效率进行真空紫外线的生成，并且通过将封入在放电空间内的放电气体中的氙气分压设定为大于等于6.67kPa(50乇)，使用由该放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的主要是几乎没有衰减的波长172nm的分子线进行荧光体层16的激励，因此与以往的PDP相比可取得高的发光效率。
另外，上述效果即使在PDP的隔壁呈带状的情况下也能取得，然而通过将PDP 20的隔壁15形成为大致格子形状，荧光体层也形成在分别包围各放电单元C1的横壁15A和纵壁15B的四个侧面上，从而增大荧光体层的表面积，因此可取得更高的发光效率。
而且，通过使上述PDP 20的行电极X2、Y2的透明电极X2a、Y2a的各自的列方向的宽度与以往的PDP相比大幅减小，形成在电极间的静电电容大幅减少，结果，无效电流的产生减少，可实现消耗功率的降低。
而且，上述PDP 20根据与在第1实施例中所说明的相同理由，可把行电极对(X2、Y2)相对于放电单元C1在列方向上配置在与放电单元C1的中央位置上下偏离的位置上，因此，行电极对(X2、Y2)相对于放电单元C1的位置精度的容许量增大，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
并且，在上述中，示出了构成行电极的透明电极形成为分别沿着总线电极在邻接的放电单元间呈带状连续的形状的示例，然而透明电极也可以是针对各放电单元独立形成并与总线电极连接的结构。
【实施例3】图8和图9示出本发明的实施方式中的第3实施例，图8是示意性地示出该第3实施例的PDP的一部分的正视图，图9是图8的V2-V2线的剖面图。
另外，在以下说明中，对于与前述第1实施例的PDP相同的构成部分，在图8和图9中附上与图2和图3相同的符号进行说明。
前述第1实施例的PDP构成为变更各行电极的透明电极的列方向的宽度以使维持放电形成窄深度放电，相比之下，该第3实施例的PDP 30构成为，在与由大致格子形状的隔壁15所划分的放电单元C1对置的位置上形成有与以往的PDP(参照图1)相同尺寸的行电极对(X3、Y3)，在覆盖该行电极对(X3、Y3)的第1电介质层22的面对放电空间的背面侧的所需位置上还层叠形成有第2电介质层23，通过使行电极X3、Y3的各自实质产生放电的部分的列方向的宽度变窄，使维持放电形成窄深度放电。
即，PDP 30在前面玻璃基板11的背面，使与图1的以往的PDP相同的列方向的宽度例如是400～1000μm的带状的透明电极X3a、Y3a相互隔开所需间隔(放电间隙g3)在行方向上平行延伸，在该透明电极X3a、Y3a的背面的基端侧，使带状的总线电极X3b、Y3b分别形成为在行方向上延伸，并与透明电极X3a、Y3a连接。
该行电极对(X3、Y3)由形成在前面玻璃基板11的背面的第1电介质层22覆盖。
然后，在该第1电介质层22的背面的以下所述的所需位置上层叠形成第2电介质层23。
然后，形成未作图示的二次电子放出层，以覆盖该第1电介质层22和第2电介质层23的整体。
即，该第2电介质层23形成在覆盖如下部分的位置上，即：与第1电介质层22的背面的放电间隙g3、和隔着该放电间隙g3而对置的行电极X3、Y3的透明电极X3a、Y3a的各自从前端在列方向上的小于等于150μm的宽度Wx3和Wy3的部分对置的、在行方向上延伸的带状部分以外的部分。
覆盖该行电极对(X3、Y3)的第1电介质层22具有与通过放电而形成壁电荷的以往的PDP大致相同的膜厚，第2电介质层23具有大于等于第1电介质层22的膜厚，层叠有第1电介质层22和第2电介质层23的部分的膜厚被设定为大于等于第1电介质层22的膜厚的2倍的通过放电几乎不形成壁电荷的膜厚。
然后，在放电空间内封入氙气分压大于等于6.67kPa(50乇)的放电气体。
上述PDP 30的行电极对(X3、Y3)的各行电极X3、Y3的列方向的宽度具有与以往的PDP大致相同的尺寸，而该行电极X3、Y3的隔着放电间隙g3相互对置的透明电极X3a、Y3a的前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分以外的部分由所层叠的第1电介质层22和第2电介质层23的二层电介质层覆盖，并且该部分的电介质层的膜厚比覆盖前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分的电介质层的膜厚厚，因而壁电荷几乎不形成在因第2电介质层23层叠于第1电介质层22上而使膜厚变厚的部分上，而是形成在覆盖透明电极X3a和Y3a的前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分的第1电介质层22的表面上。
因此，在PDP 30中，对行电极对(X3、Y3)施加维持脉冲而在透明电极X3a和Y3a之间通过放电间隙g3产生维持放电时，该维持放电大部分仅在透明电极X3a和Y3a的前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分进行，形成在第1实施例中所说明的窄深度放电。
以上所述，上述PDP 30与第1实施例的情况一样，通过使维持放电成为窄深度放电，与以往的PDP相比以非常高的效率进行真空紫外线的生成，并且通过将封入在放电空间内的放电气体中的氙气分压设定为大于等于6.67kPa(50乇)，使用由该放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的主要是几乎没有衰减的波长172nm的分子线进行荧光体层的激励，因此与以往的PDP相比可取得高的发光效率。
而且，该PDP 30根据与在第1实施例中所说明的相同理由，可把行电极对(X3、Y3)相对于放电单元C1在列方向上配置在与放电单元C1的中央位置上下偏离的位置上，因此，行电极对(X3、Y3)相对于放电单元C1的位置精度的容许量增大，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
而且，上述PDP 30除了具有与上述第1实施例的情况相同的效果以外，由于透明电极X3a、Y3a的列方向的宽度具有与以往的PDP相同的大小，并且总线电极X3b、Y3b配置在远离放电间隙g3的位置上，因而来自荧光体层的发光受到由金属膜构成的总线电极X3b、Y3b干扰的影响减小，发光取出效率提高。
即，在本实施例的情况下，具有以下特性：越接近放电间隙，发光强度就越高，越接近横壁，发光强度就越弱。因此，在该结构的情况下，发光强度高的部分不会被总线电极遮蔽，可取得更高的发光效率。
然后，根据该PDP 30的结构，用于减小总线电极对来自荧光体层的发光的影响的结构与前述第2实施例的PDP的情况相比可简化。
并且，例如，图8和图9示出了总线电极X3b、Y3b配置在与放电单元C1的开口面对置的位置上的示例，然而，如图10所示，只要构成行电极对(X4、Y4)的各行电极X4、Y4的总线电极X4b、Y4b配置在离开放电单元C1的开口面的位置上，总线电极X4b、Y4b对来自荧光体层的发光就没有影响，从而可大幅提高发光取出效率。
上述PDP 30还由于行电极对(X3、Y3)的结构与以往相同，因而不需要制造工序的大的变更，并且由于第2电介质层23的形成位置可任意设定，因而设计和制造上的自由度增大，因此，可实现制造成本的低廉化和对产品成品率的贡献。
另外，在上述中，示出了构成行电极的透明电极形成为分别沿着总线电极在邻接的放电单元间呈带状连续的形状的示例，然而透明电极也可以是针对各放电单元独立形成并与总线电极连接的结构。
并且，在上述中，示出了各第2电介质层23形成为分别在行方向上延伸的带状的示例，然而层叠在第1电介质层22上的第2电介质层如图11所示的第2电介质层33那样，形成为在与放电单元C1的开口面对置的部分形成有方形的开口部33a的大致格子形状，通过该开口部33a，可以把覆盖与透明电极X3a和Y3a的各自的前端部分的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分以及放电间隙g3对置的部分以外的部分的电介质层的膜厚设定为不形成壁电荷的厚度。
【实施例4】图12和图13示出本发明的实施方式中的第4实施例，图12是示意性地示出该第4实施例的PDP的一部分的正视图，图13是图12的V3-V3线的剖面图。
另外，在以下的说明中，对于与前述第3实施例的PDP相同的结构部分，在图12和图13中附上与图8和图9相同的符号进行说明。
前述第3实施例的PDP构成为通过由形成在覆盖行电极对的第1电介质层上的第2电介质层限制维持放电的放电范围来形成窄深度放电，相比之下，该第4实施例的PDP 40在与由大致格子形状的隔壁15所划分的放电单元C1对置的位置上形成有与以往的PDP(参照图1)相同的尺寸的行电极对(X3、Y3)，仅在覆盖该行电极对(X3、Y3)的电介质层42的面对放电空间的背面侧的所需位置上，使用MgO等的高γ材料把二次电子放出层43形成为在行方向上呈带状延伸，利用该二次电子放出层43使在透明电极X3a和Y3a之间产生的维持放电形成窄深度放电。
即，在前面玻璃基板11的背面，PDP 40的与图1的以往的PDP相同的列方向的宽度例如是400～1000μm的带状的透明电极X3a、Y3a相互隔开所需间隔(放电间隙g4)在行方向上平行延伸，在该透明电极X3a、Y3a的背面的基端侧，带状的总线电极X3b、Y3b分别形成为在行方向上延伸，并与透明电极X3a、Y3a连接。
该行电极对(X3、Y3)由形成在前面玻璃基板11的背面的电介质层42覆盖。
然后，仅在该电介质层42的背面上的与放电间隙g4和包含隔着该放电间隙g4而位于两侧的透明电极X3a和Y3a的各自的前端部分的列方向的宽度Wx4和Wy4的部分的部分对置的位置上，使用MgO等的高γ材料形成在行方向上呈带状延伸的二次电子放出层43。
作为该二次电子放出层43的形成方法，例如，具有以下方法等，即：使具有与二次电子放出层43的形成位置对应的开口部的掩模介于电介质层42和高γ材料的材料蒸发源之间，使从材料蒸发源产生的高γ材料的蒸气附着在电介质层42的与掩模的开口部对置的部分上进行成膜。
该二次电子放出层43的与透明电极X3a、Y3a对置的部分的各自的列方向的宽度Wx4和Wy4被设定为小于等于150μm。
然后，封入在放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)。
通过使上述PDP 40的行电极对(X3、Y3)的各行电极X3、Y3的列方向的宽度具有与以往的PDP大致相同的尺寸，而由高γ材料形成的二次电子放出层43仅配置在与电介质层42上的放电间隙g4和该放电间隙g4的两侧的透明电极X3a和Y3a的各自的前端部分的宽度Wx4和Wy4的部分对置的位置上，在透明电极X3a和Y3a之间产生的维持放电的大部分产生在形成有该二次电子放出层43的区域的范围内，因此，该维持放电形成在第1实施例中所说明的窄深度放电。
以上所述，上述PDP 40与第1实施例的情况一样，通过使维持放电成为窄深度放电，与以往的PDP相比以非常高的效率进行真空紫外线的生成，并且通过将封入在放电空间内的放电气体中的氙气分压设定为大于等于6.67kPa(50乇)，使用由该放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的主要是几乎没有衰减的波长172nm的分子线进行荧光体层的激励，因此与以往的PDP相比可取得高的发光效率。
而且，该PDP 40根据与在第1实施例中所说明的相同理由，可把行电极对(X3、Y3)相对于放电单元C1在列方向上配置在与放电单元C1的中央位置上下偏离的位置上，因此，行电极对(X3、Y3)相对于放电单元C1的位置精度的容许量增大，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
而且，PDP 40除了具有与上述第1实施例的情况相同的效果以外，由于透明电极X3a、Y3a的列方向的宽度具有与以往的PDP相同的大小，并且总线电极X3b、Y3b配置在远离放电间隙g4的位置上，因而来自荧光体层的发光受到由金属膜构成的总线电极X3b、Y3b干扰的影响减小，发光取出效率提高。
即，在本实施例的情况下，具有以下特性：越接近放电间隙，发光强度就越高，越接近横壁，发光强度就越弱。因此，在该结构的情况下，发光强度高的部分不会被总线电极遮蔽，可取得更高的发光效率。
然后，根据该PDP 40的结构，用于减小总线电极对来自荧光体层的发光的影响的结构与前述第2实施例的PDP的情况相比可简化。
并且，根据该PDP40的结构，由于窄深度放电的产生区域根据二次电子放出层43的形成位置和尺寸自由设定，因而设计和制造上的自由度增大，可灵活应对设计变更等。
另外，在上述中，示出了二次电子放出层43形成为在行方向上呈带状延伸的形状的示例，然而该二次电子放出层也可以形成为针对各放电单元C1独立的所谓的岛形状。
并且，在上述中，示出了构成行电极的透明电极形成为分别沿着总线电极在邻接的放电单元间呈带状连续的形状的示例，然而透明电极也可以是针对各放电单元独立形成并与总线电极连接的结构。
【实施例5】由于本发明的实施方式中的第5实施例的PDP的结构与图2和图3所示的前述第1实施例的PDP相同，因而以下参照图2和图3，使用与该图2和图3相同的符号对本实施例的PDP进行说明。
该第5实施例的PDP的各行电极X1、Y1的列方向的宽度，即，透明电极X1a、Y1a的列方向的宽度(电极宽度)Wx1、Wy1分别被设定为小于等于150μm。
然后，在该PDP的放电空间内封入有全压为66.7kPa(500乇)的放电气体，该放电气体包含分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)的氙气和分压被设定为大于等于8.00kPa，优选大于等于10.00kPa的氦气。
另外，该放电气体还包含有氖气作为主成分。
上述PDP的透明电极X1a、Y1a的电极宽度Wx1、Wy1分别被设定为小于等于150μm，在包含分压大于等于6.67kPa的氙气的全压为66.7kPa的放电气体中包含有分压大于等于8.00kPa的氦气，因而与在放电气体中不包含氦气的情况相比，发光效率进一步改善。
图14是示出在电极宽度被设定为150μm、而且与图4的情况一样放电单元C1的尺寸是700(μm)×310(μm)、开口部尺寸被设定为640(μm)×250(μm)的上述PDP中，全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压分别被设定为6.67kPa(50乇)和10.00kPa(75乇)、13.33kPa(100乇)、33.33kPa(250乇)，氦气分压分别被设定为0kPa和1.33kPa(10乇)、3.33kPa(25乇)、6.67kPa(50乇)、8.00kPa(60乇)、10.00kPa(75乇)、13.33kPa(100乇)的情况下的发光效率(绝对值)的值的表。
然后，图15以曲线图示出图14的表的值。
氙气分压和PDP的发光效率的关系如在第1实施例中根据图4所说明的那样，在具有上述电极宽度、单元尺寸、开口部尺寸的PDP中，为了取得所要求的大于等于2.0(lm/W)的发光效率，有必要把全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压设定为大于等于6.67kPa(50乇)。
然后，如图14和图15所示，放电气体中所包含的氦气分压越大，发光效率就越高，而且在氙气分压大于等于6.67kPa的情况下，将氦气分压设定为大于等于8.00kPa时，对于任何氙气分压，PDP的发光效率都得到改善，发光效率大于等于在PDP中所要求的2.0(lm/W)。
然后，从该图14和图15可以知道，当放电气体中包含分压大于等于10.00kPa的氦气时，与不包含氦气的情况相比，发光效率上升10％～15％的显著改善效果得到发挥。
这样，通过在放电气体中添加氦气，与放电气体不包含氦气的情况相比，PDP的发光效率提高，这可以考虑为，因为氦气使通过放电而从放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的分子线的比率进一步提高，因此，真空紫外线对荧光体层的照射效率提高。
另外，在上述PDP中，构成行电极的透明电极可以形成为沿着总线电极在邻接的放电单元间呈带状连续的形状，并且可以是按照各放电单元独立形成并与总线电极连接的结构，这与第1实施例的情况相同。
而且，在上述PDP中，行电极也可以仅由金属制的总线电极构成，并且可以是把其列方向的宽度分别设定为小于等于150μm的结构，这与第1实施例的情况相同。
而且，在上述实施例中，对向第1实施例的图2、图3的结构的PDP的放电气体中添加了氦气的情况进行了说明，而在第2实施例的图7的结构的PDP和第3实施例的图8至图11的结构的PDP、第4实施例的图12、图13的结构的PDP中，分别与上述一样，在向放电气体中添加了氦气的情况下，PDP的发光效率提高。
【实施例6】图16和图17示出本发明的实施方式中的第6实施例的PDP，图16是示出该实施例中的PDP的行电极的形状的正视图，图17是该行电极的与一个放电单元对置的部分的放大图。
在该图16和图17中，构成行电极对(X5，Y5)的各行电极X5、Y5隔着放电间隙g5相互对置，在使该放电间隙g5保持一定的同时，分别使与放电单元C1对置的部分向相对于行方向以规定角度(例如，45度)倾斜的方向延伸。
然后，该行电极X5、Y5按如下方式形成，即：与邻接的放电单元C1对置的部分的倾斜方向互为反向，在邻接的放电单元C1间分别构成V字形状。
PDP的其他部分的结构与第1实施例的情况大致相同，行电极X5、Y5分别与第1实施例的情况一样，可以是在透明电极上形成有总线电极的结构，并且可以仅由金属制的总线电极构成。
该行电极X5、Y5的各自与伸长方向正交的方向的宽度W5a被设定为小于等于150μm，在放电单元C1内封入有包含分压大于等于6.67kPa(50乇)的氙气的全压66.7kPa(500乇)的放电气体。
该PDP由于行电极X5、Y5的各自相对放电单元C1的列方向的宽度W5b大于150μm，而该行电极X5、Y5的与伸长方向正交的方向的宽度W5a分别小于等于150μm，因而如在第1实施例中根据图6所说明的那样，以放电间隙g5为起点在与该放电间隙g5的伸长方向(与行电极X5、Y5平行的方向)正交的方向上扩展的维持放电的成长区域被限制在放电间隙g5的附近，与以非常高的效率生成真空紫外线的初始辉光放电的产生区域重合。
因此，该PDP由于在行电极X5、Y5间产生的维持放电成为窄深度放电，因而与以往的PDP相比，能以非常高的效率进行真空紫外线的生成，然后，由于在放电单元C1内封入有包含分压大于等于6.67kPa(50乇)的氙气的放电气体，因而可取得比以往高的发光效率。
并且，由于该放电气体还包含分压大于等于8.00kPa(60乇)的氦气，因而如在第5实施例中所说明的那样，PDP的发光效率进一步提高。
而且，该PDP的行电极X5、Y5的与放电单元C1对置的部分的长度Lg1由于该部分相对于放电单元C1倾斜，因而比放电单元C1的行方向的宽度Lr长。
例如，在行电极X5、Y5的倾斜角度是45度的情况下，为Lg1＝Lr。
这样，由于各放电单元C1中的窄深度放电的产生区域沿着放电间隙g5的伸长方向(与行电极X5、Y5平行的方向)扩展，因而PDP的驱动电压下降，并且亮度提高。
特别是，如该PDP那样，在放电气体中的氙气分压被设定得高的情况下，通常，驱动电压上升，然而根据上述结构，即使在放电空间中的氙气分压被设定得高的情况下，也能抑制驱动电压的上升。
例如，在图17中，在设定为宽度W5a＝150μm、Lg1∶Lr＝1.4∶1.0，并且放电单元C1内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为6.67kPa(50乇)的情况下，与第1实施例的PDP相比较，驱动电压降低4％，亮度提高到1.4倍。
【实施例7】图18和图19示出本发明的实施方式中的第7实施例的PDP，图18是示出本实施例中的PDP的行电极形状的正视图，图19是该行电极的与一个放电单元对置的部分的放大图。
在该图18和图19中，构成行电极对(X6、Y6)的各行电极X6、Y6隔着放电间隙g6相互对置，在使该放电间隙g6保持一定的同时，分别使与放电单元C1对置的范围的部分形成为在大致呈W字形状弯曲的同时进行蛇行的形状。
PDP的其他部分的结构与第1实施例的情况大致一样，行电极X6、Y6分别与第1实施例的情况一样，可以是在透明电极上形成有总线电极的结构，并且，也可以仅由金属制的总线电极构成。
该行电极X6、Y6的各自与伸长方向正交的方向的宽度W6a被设定为小于等于150μm，在放电单元C1内封入有包含分压大于等于6.67kPa(50乇)的氙气的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体。
该PDP由于行电极X6、Y6的各自相对于放电单元C1的列方向的宽度W6b大于150μm，而该行电极X6、Y6的与伸长方向正交的方向的宽度W6a分别小于等于150μm，因而与第6实施例的情况一样，以放电间隙g6为起点在与该放电间隙g6的伸长方向(平行于行电极X6、Y6的方向)正交的方向上扩展的维持放电的成长区域被限制在放电间隙g6的附近，与以非常高的效率生成真空紫外线的初始辉光放电的产生区域重合。
因此，该PDP由于在行电极X6、Y6间产生的维持放电成为窄深度放电，因而与以往的PDP相比，能以非常高的效率进行真空紫外线的生成，然后，由于在放电单元C1内封入有包含分压大于等于6.67kPa(50乇)的氙气的放电气体，因而可取得比以往高的发光效率。
并且，由于该放电气体还包含分压大于等于8.00kPa(60乇)的氦气，因而如在第5实施例中所说明的那样，PDP的发光效率进一步提高。
而且，该PDP由于行电极X6、Y6的与放电单元C1对置的部分的长度Lg2在与放电单元C1对置的范围内进行蛇行，因而比放电单元C1的行方向的宽度Lr长。
例如，在行电极X6、Y6的相对于放电单元C1的列方向的倾斜角度是60度的情况下，为Lg1＝2Lr。
这样，由于各放电单元C1中的窄深度放电的产生区域沿着放电间隙g6的伸长方向(平行于行电极X6、Y6的方向)扩展，因而PDP的驱动电压下降，并且亮度提高。
特别是，如该PDP那样，在放电气体中的氙气分压被设定得高的情况下，通常，驱动电压上升，而根据上述结构，即使在放电气体中的氙气分压被设定得高的情况下，也能抑制驱动电压的上升。
例如，在图19中，在设定为宽度W6a＝150μm、Lg2∶Lr＝2.0∶1.0，并且放电单元C1内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为6.67kPa(50乇)的情况下，与第1实施例的PDP相比较，驱动电压降低8％，亮度提高到2倍。
【实施例8】图20和图21示出本发明的实施方式中的第8实施例的PDP，图20是示出本实施例中的PDP的行电极形状的正视图，图21是该行电极的与一个放电单元对置的部分的放大图。
在该图20和图21中，构成行电极对(X7、Y7)的各行电极X7、Y7隔着放电间隙g7相互对置，在使该放电间隙g7保持一定的同时，分别使与放电单元C1对置的范围的部分形成为在大致呈コ字形状弯曲的同时进行蛇行的形状。
PDP的其他部分的结构与第1实施例的情况大致一样，行电极X7、Y7分别与第1实施例的情况一样，可以是在透明电极上形成有总线电极的结构，并且，也可以仅由金属制的总线电极构成。
该行电极X7、Y7的各自与伸长方向正交的方向(列方向和行方向)的宽度W7a的任何部分都被设定为小于等于150μm，在放电单元C1内封入有包含分压大于等于6.67kPa(50乇)的氙气的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体。
该PDP由于行电极X7、Y7的各自相对于放电单元C1在列方向上延伸的部分的宽度(长度)W7b大于150μm，而与该行电极X7、Y7的伸长方向正交的方向的宽度W7a分别小于等于150μm，因而与第6实施例的情况一样，以放电间隙g7为起点在与该放电间隙g7的伸长方向(平行于行电极X7、Y7的方向)正交的方向上扩展的维持放电的成长区域被限制在放电间隙g7的附近，与以非常高的效率生成真空紫外线的初始辉光放电的产生区域重合。
因此，该PDP由于在行电极X7、Y7间产生的维持放电成为窄深度放电，因而与以往的PDP相比，能以非常高的效率进行真空紫外线的生成，然后，由于在放电单元C1内封入有包含分压大于等于6.67kPa(50乇)的氙气的放电气体，因而可取得比以往高的发光效率。
并且，由于该放电气体还包含分压大于等于8.00kPa(60乇)的氦气，因而如在第5实施例中所说明的那样，PDP的发光效率进一步提高。
而且，由于该PDP在与放电单元C1对置的范围内进行蛇行，因而行电极X7、Y7的与放电单元C1对置的部分的长度Lg3比放电单元C1的行方向的宽度Lr长。
例如，在行电极X7、Y7的与放电单元C1对置的部分的在行方向上延伸的部分和在列方向上延伸的部分的长度相等且是Lr的情况下，为Lg3＝2Lr。
这样，由于各放电单元C1中的窄深度放电的产生区域沿着放电间隙g7的伸长方向(平行于行电极X6、Y6的方向)扩展，因而PDP的驱动电压下降，并且亮度提高。
特别是，如该PDP那样，在放电气体中的氙气分压被设定得高的情况下，通常，驱动电压上升，而根据上述结构，即使在放电气体中的氙气分压被设定得高的情况下，也能抑制驱动电压的上升。
例如，在图21中，在设定为宽度W7a＝150μm、Lg3∶Lr＝2.0∶1.0，并且放电单元C1内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为6.67kPa(50乇)的情况下，与第1实施例的PDP相比较，驱动电压降低8％，亮度提高到2倍。
*特願2006-137971*【实施例9】图22至图24示出本发明的PDP的实施方式的第9实施例，图22是示意性地示出该第9实施例中的PDP的一部分的正视图，图23是图22的V4-V4线的剖面图，图24是示出该第9实施例的PDP的隔壁结构的立体图。
在该图22至图24中，PDP 50在作为显示面的前面玻璃基板11的背面，按照在列方向(图22的上下方向)上隔开所需间隔的状态等间隔地并设有在行方向(图22的左右方向)上延伸的多个行电极对(X1、Y1)。
构成该行电极对(X1、Y1)的一个行电极X1由透明电极X1a和总线电极X1b构成，该透明电极X1a在前面玻璃基板11的背面由ITO等的透明导电膜形成为在行方向上呈带状延伸，该总线电极X1b与该透明电极X1a的背面连接，由金属膜形成，并且在列方向的宽度比透明电极X1a的列方向的宽度小的带状的行方向上延伸。
构成行电极对(X1、Y1)的另一行电极Y1也与行电极X1一样，由透明电极Y1a和总线电极Y1b构成，该透明电极Y1a在前面玻璃基板11的背面由ITO等的透明导电膜形成为在行方向上呈带状延伸，并且定位成与行电极X1的透明电极X1a隔开所需间隔平行延伸，该总线电极Y1b与该透明电极Y1a的背面连接，由金属膜形成，并且在列方向的宽度比透明电极Y1a的列方向的宽度小的带状的行方向上延伸。
该行电极X1和Y1沿着前面玻璃基板11的列方向交替排列，在各行电极对(X1、Y1)中，成对的行电极X1和Y1的相互对置的透明电极X1a和Y1a之间的所需宽度的间隔分别构成放电间隙g1。
在前面玻璃基板11的背面还形成有电介质层12，行电极对(X1、Y1)由该电介质层12覆盖。
而且，形成有由氧化镁(MgO)等的高γ材料构成的未作图示的保护层，以覆盖该电介质层12的整个背面。
背面玻璃基板13隔着放电空间与该前面玻璃基板11平行对置。
然后，在该背面玻璃基板13的与前面玻璃基板11对置侧的面上，按照在行方向上隔开所需间隔的状态等间隔地形成有在列方向上呈带状延伸的多个列电极D1。
在背面玻璃基板13的该面上还形成有列电极保护层(电介质层)14，列电极D1由该列电极保护层14覆盖。
在该列电极保护层14上形成有具有以下形状的隔壁15。
即，该隔壁15由多个横壁15A和多个纵壁15B形成为大致格子形状，该多个横壁15A在与在列方向上相互邻接的行电极对(X1、Y1)间的中间位置对置的位置处分别在行方向上延伸，该多个纵壁15B在列方向上延伸并按照在行方向上隔开所需间隔的状态等间隔地并设。
通过使用该隔壁15将前面玻璃基板11和背面玻璃基板13之间的放电空间分别划分为大致方形形状，形成以矩阵状配置在面板面上的多个放电单元C1，在该各放电单元C1的中央部分分别使行电极对(X1、Y1)对置。
隔壁15还具有以下结构。
即，在该隔壁15的各纵壁15B的与前面玻璃基板11对置的端面上的中央部，分别形成有朝前面玻璃基板11侧突出并在列方向上延伸的突条部15Ba。
该突条部15Ba的列方向的长度L1被设定成比行电极对(X1、Y1)的列方向的宽度，即，行电极X1和Y1与其间的放电间隙g1的列方向的宽度的合计长度大、而且比隔壁15的邻接横壁15A间的长度小的尺寸，在从前面玻璃基板11侧观察的状态下，突条部15Ba的两端部分别处于从行电极X1和Y1的各自与放电间隙g1相反侧的缘部朝列方向外方伸出规定的相同长度d1的状态。
在该实施例中，例如，设定成d1＝0～30μm。
该突条部15Ba与覆盖电介质层12的保护层的背面抵接。
然后，在该突条部15Ba上，与在其两侧邻接的横壁15A之间的部分的纵壁15B不与分别覆盖电介质层12的保护层的背面抵接，而是在其间形成有间隙r1，通过该间隙r1，使在行方向上邻接的两个放电单元C1隔着纵壁15B相互连通。
优选的是，该间隙r1的宽度(覆盖电介质层12的保护层与纵壁15B之间的间隔)被设定为1至20μm。
这是因为，在间隙r1的宽度小于1μm的情况下，不能充分进行后述的启动(priming)效果的发挥、发光效率的提高、排气通路的确保等，另一方面，在大于20μm的情况下，有可能在行方向邻接的放电单元C1间产生误放电。
另外，该突条部15Ba如后所述，可以使用与形成隔壁15的主体的电介质材料相同的材料形成为一体，然而也可以使用与形成隔壁15的主体的电介质材料不同的低电介质材料形成。
在各放电单元C1中，在面对该放电单元C1内的放电空间的隔壁15的横壁15A和纵壁14B的四个侧面以及列电极保护层14的表面形成有荧光体层16，以覆盖该五个面，该荧光体层16的颜色按照各放电单元C1被分成三原色的红、绿、蓝，该三原色被配置成在行方向上依次排列。
在放电空间内封入有包含氙气的放电气体。
上述PDP 50的行电极X1、Y1的尺寸和放电气体的构成按以下设定。
即，各行电极X1、Y1的列方向的宽度，即，透明电极X1a的列方向的宽度Wx1和透明电极Y1a的列方向的宽度Wy1(参照图22)分别被设定为小于等于150μm。
然后，封入在放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)。
该PDP 50对各行电极对(X1、Y1)的行电极Y1依次施加扫描脉冲，与此同时，对列电极D1选择性地施加数据脉冲，在该被施加了扫描脉冲的行电极Y1和被施加了数据脉冲的列电极D1交叉的部分所形成的放电单元C1内，在行电极Y1和列电极D1之间产生寻址放电，通过该寻址放电而形成的发光单元(在对置部分的电介质层12上形成有壁电荷的放电单元C1)和非发光单元(对置部分的电介质层12的壁电荷被消去的放电单元C1)与影像信号的图像数据对应地分布在面板面上。
之后，对各行电极对(X1、Y1)的分别成对的行电极X1和Y1交替施加维持脉冲，在发光单元内，在透明电极X1a和Y1a之间通过放电间隙g1产生维持放电。
然后，通过该维持放电，在发光单元内，从封入在放电空间内的放电气体中的氙气产生真空紫外线，使用该真空紫外线激励发光单元内的红、绿、蓝的萤光体层16来产生可见光，从而在面板面上形成矩阵显示的图像。
该PDP 50由于各行电极X1的列方向的宽度Wx1和透明电极Y1的列方向的宽度Wy1分别被设定为小于等于150μm，并且放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)，因而在图像形成时的上述维持放电时，可取得高的发光效率。
该理由与在第1实施例中根据图4至图6进行了说明的理由相同。
上述PDP 50在与隔壁15的纵壁15B上的与行电极对(X1、Y1)对置的部分和从该行电极对(X1、Y1)的外侧的两缘部伸出的所需范围部分对置的位置处形成有突条部15Ba，在该部分中，通过突条部15Ba，遮断隔着纵壁15B在行方向上邻接的放电单元C1间的连通。
因此，在该行方向上邻接的放电单元C1间的放电干扰被阻止，防止在维持放电产生时产生误放电。
此时，由于行电极X1、Y1的电极宽度Wx1和Wy1分别被设定为小于等于150μm，因而在行电极X1、Y1间产生的维持放电成为前述的放电区域窄的窄深度放电，并且由于真空紫外线的产生区域成为比以往的PDP小的所谓的点光源，因而即使突条部15Ba仅形成在与纵壁15B上的与行电极对(X1、Y1)对置的部分和从该行电极对(X1、Y1)的外侧的两缘部伸出的所需范围部分对置的位置处，并且在该突条部15Ba的两侧形成有间隙r1的情况下，也能充分防止在行方向上邻接的放电单元C1间的放电干扰。
而且，上述PDP 50，在突条部15Ba的列方向的两侧部分中，形成在覆盖电介质层12的保护层和纵壁15B之间的间隙r1构成PDP 50的制造工序时的从放电空间内的排气和放电气体向放电空间内的导入路径，而且，构成由PDP驱动时的维持放电产生的启动粒子向邻接放电单元C1内的导入路径。
该间隙r1不会成为防止在行方向上邻接的放电单元C1间的放电干扰的障碍，这与上述一样。
这里，一般情况下，在PDP中，由于用于产生维持放电的维持脉冲的脉冲周期越短，放电间隔就越短，因而启动粒子产生得越多，因此，在行方向上邻接的放电单元间连通的情况下，放电效率的提高和放电延迟的改善等的启动效果增大，然而如以往PDP那样，在电极宽度宽且放电气体中的氙气分压低的情况下，即使维持脉冲周期缩短，发光效率也几乎不变化。
相比之下，上述PDP 50由于在放电空间中封入有高氙气的放电气体，并且行电极X1、Y1的电极宽度被设定为小于等于150μm，因而通过形成在覆盖电介质层12的保护层和纵壁15B之间的间隙r1来发挥启动效果，并且当为了提高该启动效果而缩短维持脉冲周期时，与以往的PDP相比，发光效率提高。
图25是在电介质层和隔壁的纵壁之间未设置间隙的情况下，使用电压230V的维持脉冲驱动PDP，以分别对具有电极宽度被设定为50μm的行电极X1、Y1且氙气分压被设定为13.33kPa的高氙气的放电气体来进行窄深度放电的PDP中的维持脉冲周期和发光效率的关系、与具有电极宽度被设定为250μm的行电极和氙气分压被设定为2.67kPa的放电气体的以往的PDP中的维持脉冲周期和发光效率的关系进行比较的曲线图。
另外，该图25的发光效率的值是与以周期50μsec进行了标准化的维持脉冲所对应的值。
从该图25可以知道，在电介质层和隔壁的纵壁之间未设置间隙的情况下，在电极宽度是250μm、放电气体中的氙气分压是2.67kPa的以往的PDP中，即使维持脉冲周期缩短，发光效率也几乎不变化，而在电极宽度是50μm、放电气体中的氙气分压是13.33kPa的上述PDP 50中，维持脉冲周期越缩短，发光效率越提高。
这样，上述PDP 50在行方向上邻接的放电单元C1间，可同时取得使用突条部15Ba防止产生误放电的效果、以及使用间隙r1提高放电效率和改善放电延迟等的启动效果，并且在为了提高该启动效果而缩短了维持脉冲周期的情况下，与以往的PDP相比可提高发光效率。
图26是示出为了确认通过在电介质层和隔壁的纵壁之间设置上述间隙而产生的启动效果所进行的实验的结果的曲线图，对电极宽度被设定为50μm且封入有氙气分压是13.33kPa的放电气体的PDP中的与电介质层和隔壁的纵壁之间的间隙长度对应的发光效率、与电极宽度被设定为250μm且封入有氙气分压是2.67kPa的放电气体的以往的PDP中的与电介质层和隔壁的纵壁之间的间隙长度对应的发光效率进行比较而示出。
另外，在该图26中，示出了：取代间隙长度，把在从前面玻璃基板侧观察的状态下突条部的端部从行电极的与放电间隙相反侧的缘部向列方向外方伸出的长度(图22、图23的伸出长度d1)取为横轴，并以d1的长度60μm进行了标准化的发光效率的值。
从该图26可以知道，在以往的电极宽度是250μm且放电气体中的氙气分压是2.67kPa的PDP中，即使电介质层和隔壁的纵壁之间的间隙延长(即，纵壁上的突条部的长度缩短)，发光效率也不怎么变化，电介质层和纵壁之间的间隙长度对启动效果的影响小，然而在电极宽度是50μm且放电气体中的氙气分压被设定为13.33kPa的PDP中，电介质层和隔壁的纵壁之间的间隙越长(纵壁上的突条部的伸出长度d1越短)，启动效果就越大，发光效率就越上升。
该两者中的发光效率的差在纵壁上的突条部的伸出长度d1小于等于30μm的情况下变得显著。
这样，PDP 50由于进行窄深度放电且封入有高氙气的放电气体，因而由形成在电介质层和隔壁的纵壁之间的间隙对启动效果的影响增大，因此，通过形成在电介质层12和隔壁15的纵壁15B之间的所需长度以上的间隙r1，可取得比以往的PDP高的发光效率。
而且，该PDP 50由于通过间隙r1确保制造工序时的排气路径，进行从放电空间内的充分排气，因而可取得PDP的寿命延长和色温度上升等的面板特性提高的效果。
而且，上述PDP 50由于在纵壁15B和覆盖电介质层12的保护层之间形成有间隙r1，因而形成在行电极Y1和列电极D1之间的静电电容按照该间隙r1的部分减小，使寻址放电时的消耗功率降低。
另外，在上述PDP 50中，突条部15Ba的列方向的长度L1为了防止在邻接放电单元C1间的维持放电时产生误放电，长的为好，而为了确保启动效果和排气路径、降低行电极Y1和列电极D1之间的静电电容，短的为好。
因此，可认为以下的突条部15Ba的长度L1是合适的，即：在从前面玻璃基板11侧观察的状态下，从行电极X1和Y1的各自与放电间隙g1相反侧的缘部向列方向外方伸出的突条部15Ba的两端部的各自长度d1(参照图22、图23)被设定为0μm≤d1≤30μm的范围。
并且，为了防止该误放电，优选的是，使突条部15Ba的顶部尽可能地平滑化，与覆盖电介质层12的保护层紧密结合。
另外，由于该突条部15Ba不要求像隔壁15的主体所要求那样的高反射率等的性能，因而也能使用与隔壁15的主体不同的材料单独形成。
然后，由于突条部15Ba与隔壁15的主体相比使用低介电常数的材料形成，因而可进一步减小行电极Y1和列电极D1之间的静电电容，因此，可进一步降低寻址放电时的消耗功率。
另外，上述效果也可在PDP的隔壁是条状的情况下取得，然而PDP50由于隔壁15形成为大致格子形状，因而荧光体层16也形成在分别包围各放电单元C1的横壁15A和纵壁15B的四个侧面上，使该荧光体层16的表面积增大，因而可取得更高的发光效率。
而且，上述PDP 50由于行电极X1、Y1的列方向的宽度Wx1、Wy1与以往的PDP相比大幅减小，因而形成在电极间的静电电容大幅减少，结果，无效电流的产生减少，可实现消耗功率的降低。
另外，在上述中，示出了PDP 50的行电极对(X1、Y1)相对于放电单元C1，在列方向上配置在放电单元C1的中央位置上的例子，然而行电极对(X1、Y1)也可以相对于放电单元C1在列方向上配置在与放电单元C1的中央位置上下偏离的位置上。
其理由如下所述。
即，在以往的PDP中，由于如前所述，维持放电成为扩展到放电单元整体的深度深的放电，因而当行电极对相对于由格子形状的隔壁所划分的放电单元在列方向上位于在与放电单元的中央位置上下任意偏离的位置上时，由于放电间隙位于偏向划分放电单元的隔壁的上下横壁的任意一方，因而针对各放电单元，电压余量、亮度、发光效率等产生偏差，产生对发光造成不良影响的问题，因而要求行电极对相对于放电单元的高的位置精度。
然而，在上述PDP 50中，由于维持放电成为前述的放电区域窄的窄深度放电，并且真空紫外线的产生区域成为比以往的PDP小的所谓的点光源，因而难以受到壁损失等的来自隔壁的影响，并且由于利用真空紫外线的吸收少的波长172nm的分子线进行荧光体层16的激励，因而由维持放电的放电区域(真空紫外线的产生区域)和荧光体层16的距离偏差引起的影响减小，因此，即使在行电极对(X1、Y1)相对于放电单元C1的列方向的位置与中央位置偏离的情况下，也几乎不产生发光效率和亮度的变动。
因此，根据上述PDP 50，即使在隔壁15具有大致格子形状且放电单元C1的周围由横壁15A和纵壁15B包围的情况下，放电间隙g1的位置(即行电极对的位置)也可以在列方向上不精确地定位在放电单元的中央位置上，行电极对(X1、Y1)相对于放电单元C1的位置精度的容许量增大，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
并且，在上述中，示出了构成行电极的透明电极分别形成为沿着总线电极在邻接的放电单元间呈带状连续的形状的例子，然而透明电极也可以是针对各放电单元独立形成并与总线电极连接的结构。
而且，在上述中，描述了行电极由透明电极和总线电极构成的例子，然而行电极也可以仅由金属制的总线电极构成，并且是把其列方向的宽度分别设定为小于等于150μm的结构。
【实施例10】图27是示出本发明的实施方式的第10实施例中的前面玻璃基板侧的结构的立体图。
在前述第9实施例中，PDP的对在行方向上邻接的放电单元间进行遮蔽的突条部在隔壁的纵壁上形成为一体，相比之下，该第10实施例中的PDP的在列方向上延伸的突条部25Ba形成在前面玻璃基板11的背面侧。
即，该突条部25Ba形成在覆盖前面玻璃基板11的背面的电介质层12的未作图示的保护层上。
然后，各突条部25Ba的形成位置分别在从前面玻璃基板11侧观察的状态下，在中央部分与行电极对(X1、Y1)交叉，并且在PDP的制造工序中前面玻璃基板11和背面玻璃基板重合时，设定在与形成于背面玻璃基板上的隔壁的纵壁重合的位置上。
关于PDP的其他部分的结构、突条部25Ba的尺寸和形状、覆盖电介质层12的保护层和纵壁之间的间隙的宽度、以及形成材料等，与第9实施例的情况相同。
该PDP与第9实施例的情况一样，由于在行电极X1、Y1间产生的维持放电成为窄深度放电，并且在全压是66.7kPa(500乇)的放电气体中包含分压大于等于6.67kPa(50乇)的高氙气，因而发光效率提高，并且，使用突条部25Ba防止在行方向上邻接的放电单元C1间的维持放电时产生误放电。
而且，该PDP通过形成在突条部25Ba的两侧的间隙，发挥在行方向上邻接的放电单元C1间的启动效果，并且在制造工序时确保排气和放电气体的导入路径，然后，在为了进一步提高该启动效果而缩短维持脉冲周期的情况下，封入有高氙气的放电气体，并且在行电极X1、Y1间产生的维持放电构成窄深度放电，因而与以往的PDP相比，可提高发光效率。
而且，由于进行窄深度放电并且封入有高氙气的放电气体，因而由形成在电介质层和隔壁的纵壁之间的间隙对启动效果的影响增大，通过形成在电介质层12和纵壁之间的间隙，可取得比以往高的发光效率。
而且，该PDP与第9实施例的情况相比，由于在前面玻璃基板11的背面侧形成有突条部25Ba，因而形成有该突条部25Ba时的行电极X1、Y1和放电间隙g1的定位精度提高，结果，可进一步提高使用突条部25Ba防止在邻接的放电单元间的误放电的效果。
上述PDP具有的其他技术效果与第9实施例的情况相同。
【实施例11】图28和图29示出本发明的实施方式中的第11实施例，图28是示意性地示出该第11实施例的PDP的一部分的正视图，图29是图28的V5-V5线的剖面图。
另外，在以下说明中，对于与前述第3实施例的PDP相同的结构部分，使用与图8和图9相同的符号进行说明。
前述第1实施例的PDP构成为：使各行电极的透明电极的列方向的宽度变窄，使维持放电形成窄深度放电，相比之下，该第11实施例的PDP60构成为：在与由大致格子形状的隔壁15所划分的放电单元C1对置的位置上形成有与以往的PDP(参照图1)相同尺寸的行电极对(X3、Y3)，在覆盖该行电极对(X3、Y3)的第1电介质层22的面对放电空间的背面侧的所需位置上还层叠形成有第2电介质层23，通过使行电极X3、Y3的各自实质产生放电的部分的列方向的宽度变窄，使维持放电形成窄深度放电。
即，PDP 60在前面玻璃基板11的背面，使与图1的以往的PDP相同的列方向的宽度例如是400～1000μm的带状的透明电极X3a、Y3a相互隔开所需间隔(放电间隙g3)在行方向上平行延伸，在该透明电极X3a、Y3a的背面的基端侧，使带状的总线电极X3b、Y3b分别形成为在行方向上延伸，并与透明电极X3a、Y3a连接。
该行电极对(X3、Y3)由形成在前面玻璃基板11的背面的第1电介质层22覆盖。
然后，在与该第1电介质层22的背面的放电间隙g3、和隔着该放电间隙g3对置的行电极X3、Y3的透明电极X3a、Y3a的各自从前端在列方向上小于等于150μm的宽度Wx3和Wy3的部分对置的、在行方向上延伸的带状部分以外的部分，层叠形成该第2电介质层23，在列方向上邻接的第2电介质层23间，形成与上述放电间隙g3和透明电极X3a、Y3a的前端部的宽度Wx3、Wy3的部分对置的槽部h。
然后，在第1电介质层22和第2电介质层23的背面上形成未作图示的保护层，以覆盖它们。
覆盖该行电极对(X3、Y3)的第1电介质层22具有与通过放电形成壁电荷的以往的PDP大致相同的膜厚，第2电介质层23具有大于等于第1电介质层22的膜厚，层叠有第1电介质层22和第2电介质层23的部分的膜厚被设定为大于等于第1电介质层22的膜厚的2倍的通过放电几乎不形成壁电荷的膜厚。
在背面玻璃基板13上，通过与第9实施例的情况相同的结构和配置，形成列电极D1、列电极保护层14、大致格子形状的隔壁15、以及红、绿、蓝的荧光体层16。
在隔壁15的各纵壁15B的与前面玻璃基板11对置的端面上的中央部，分别形成朝前面玻璃基板11侧突出并在列方向上延伸的突条部26。
该突条部26形成为具有第一级突条部26A和第二级突条部26B的二级形状，该第一级突条部26A形成在纵壁15B上，列方向的宽度比第2电介质层23间的槽部h的列方向的宽度大，该第二级突条部26B形成在该第一级突条部26A上的中央部，具有与第2电介质层23间的槽部h相同的列方向的宽度。然后，第二级突条部26B嵌合在槽部h内，并且未形成有该第二级突条部26B的第一级突条部26A的两端部的顶面分别抵接覆盖第2电介质层23的保护层。
该突条部26的第一级突条部26A的列方向的长度L2被设定为比槽部h的列方向的宽度(放电间隙g3的宽度和透明电极X3a、Y3a的前端部分的宽度Wx3、Wy3的合计)大、且比隔壁15的邻接的横壁15A间的长度小的尺寸，在从前面玻璃基板11侧观察的状态下，第一级突条部26A的两端部分分别处于从槽部h向列方向外方伸出规定的相同长度d2的状态。
在该实施例中，例如，设定成d2＝0～30μm。
然后，该突条部26与在其两侧邻接的横壁15A之间的部分的纵壁15B不与覆盖第2电介质层23的保护层的背面抵接，而是在其间形成有间隙r2，通过该间隙r2，使在行方向上邻接的两个放电单元C1隔着纵壁15B分别相互连通。
优选的是，该间隙r2的宽度(覆盖第2电介质层23的保护层与纵壁15B之间的间隔)被设定为1至20μm。
这是因为，在间隙r2的宽度小于1μm的情况下，不能充分进行后述的启动效果的发挥和发光效率的提高、排气通路的确保等，另一方面，在大于20μm的情况下，有可能在行方向邻接的放电单元C1间产生误放电。
另外，突条部26与第9实施例的情况一样，可以使用与形成隔壁15的主体的电介质材料相同的材料形成为一体，也可以使用与形成隔壁15的主体的电介质材料不同的低电介质材料形成。
然后，在放电空间内封入氙气分压大于等于6.67kPa(50乇)的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体。
上述PDP 60的行电极对(X3、Y3)的各行电极X3、Y3的列方向的宽度具有与以往的PDP大致相同的尺寸，而该行电极X3、Y3的通过放电间隙g3相互对置的透明电极X3a、Y3a的前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分以外的部分由所层叠的第1电介质层22和第2电介质层23的两层电介质层覆盖，并且该部分的电介质层的膜厚比覆盖前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分的电介质层的膜厚厚，因而壁电荷几乎不形成在因第2电介质层23层叠于第1电介质层22上而使膜厚变厚的部分上，而是形成在覆盖透明电极X3a和Y3a的前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分的第1电介质层22的表面上。
因此，在PDP 60中，对行电极对(X3、Y3)施加维持脉冲而在透明电极X3a和Y3a之间通过放电间隙g3产生维持放电时，该维持放电大部分仅在透明电极X3a和Y3a的前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分进行，形成与第1实施例相同的窄深度放电。
该PDP 60与第1实施例的情况一样，由于维持放电成为窄深度放电，并且在放电气体中包含分压大于等于6.67kPa(50乇)的高氙气，因而发光效率提高，并且通过突条部26防止在行方向上邻接的放电单元C1间的维持放电时产生误放电。
而且，该PDP通过形成在突条部26的两侧的间隙r2，发挥在行方向上邻接的放电单元C1间的启动效果，并且在制造工序时确保排气和放电气体的导入路径，而且，在为了进一步提高该启动效果而缩短维持脉冲周期的情况下，封入高氙气的放电气体，并且在行电极X3、Y3间产生的维持放电构成窄深度放电，因而与以往的PDP相比，可提高发光效率。
而且，由于进行窄深度放电并且封入有高氙气的放电气体，因而由形成在电介质层和隔壁的纵壁之间的间隙对启动效果的影响增大，通过形成在该第2电介质层23和纵壁15B之间的间隙r2，可取得比以往高的发光效率。
而且，该PDP 60由于突条部26形成为第一级突条部26A和第二级突条部26B的二级形状，并且第二级突条部26B与形成在前面玻璃基板11侧的槽部h嵌合，因而可容易进行在制造工序时的重合时的前面玻璃基板11和背面玻璃基板13的定位。
而且，PDP 60由于透明电极X3a、Y3a的列方向的宽度具有与以往的PDP相同的大小，并且总线电极X3b、Y3b配置在离开放电间隙g3的位置上，因而来自荧光体层的发光受到由金属膜构成的总线电极X3b、Y3b干扰的影响减小，发光取出效率提高。
即，在本实施例的情况下，具有以下特性：越接近放电间隙，发光强度就越高，越接近横壁，发光强度就越弱。因此，在该结构的情况下，发光强度高的部分不会被总线电极遮蔽，可取得更高的发光效率。
上述PDP 60具有的其他技术效果与第1实施例的情况相同。
【实施例12】图30和图31示出本发明的实施方式中的第12实施例，图30是示意性地示出本实施例的PDP的一部分的正视图，图31是图30的V6-V6线的剖面图。
在前述第12实施例的PDP中，形成在与第2电介质层间的放电间隙和行电极的产生维持放电的部分对置的部分上的槽部具有在行方向上延伸的带状形状，相比之下，该实施例的PDP 70，层叠在第1电介质层22上的第2电介质层33形成为在与放电单元C1的开口面的透明电极X3a、Y3a的前端的各自宽度Wx3、Wy3的部分和放电间隙g3对置的部分形成有方形的孔33a的大致格子形状，通过该孔33a，在行电极X3、Y3间产生的维持放电构成被孔33a的范围制约的窄深度放电。
隔壁15的纵壁15B与第2电介质层33的孔33a间的在列方向上延伸的带状部分对置。
然后，在该隔壁15的纵壁15B上的中央部分形成突条部36。
该PDP 70的突条部36的形成位置和尺寸与第11实施例的突条部的第一级突条部相同，与覆盖第2电介质层33的保护层抵接，以分别遮断在行方向上邻接的放电单元C1的与孔33a对置的部分之间。
然后，在该突条部36的两侧的纵壁15B与覆盖第2电介质层33的保护层之间形成间隙r3，通过该间隙r3，使在行方向上邻接的放电单元C1间连通。
优选的是，该间隙r3的宽度(覆盖第2电介质层33的保护层与纵壁15B之间的间隔)被设定为1至20μm。
这是因为，在间隙r3的宽度小于1μm的情况下，不能充分进行后述的启动效果的发挥和发光效率的提高、排气通路的确保等，另一方面，在大于20μm的情况下，有可能在行方向邻接的放电单元C1间产生误放电。
该PDP 70的其他部分的结构与前述第11实施例的PDP相同，对于与该第11实施例的PDP相同的结构部分，在图30和图31中附上与图28和图29相同的符号。
上述PDP 70与第9实施例的情况一样，由于维持放电成为窄深度放电，并且在全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中包含分压大于等于6.67kPa(50乇)的高氙气，因而发光效率提高，并且使用突条部36防止在行方向邻接的放电单元C1间的维持放电时产生误放电。
而且，该PDP 70通过形成在突条部36的两侧的间隙r3，发挥在行方向邻接的放电单元C1间的启动效果，并且在制造工序时确保排气和放电气体的导入路径，然后，在为了进一步提高该启动效果而缩短维持脉冲周期的情况下，具有高氙气的放电气体，并且在行电极X3、Y3间产生的维持放电构成窄深度放电，因而与以往的PDP相比，可提高发光效率。
而且，由于进行窄深度放电并且封入有高氙气的放电气体，因而由形成在电介质层和隔壁的纵壁之间的间隙对启动效果的影响增大，通过形成在该第2电介质层33和纵壁15B之间的间隙r3，可取得比以往高的发光效率。
上述PDP 70具有的其他技术效果与前述第11实施例的情况相同。
【实施例13】图32和图33示出本发明的实施方式中的第13实施例，图32是示意性地示出该第13实施例的PDP 80的一部分的正视图，图33是图32的V7-V7线的剖面图。
另外，在以下说明中，对于与前述第4实施例的PDP相同的构成部分，使用与图12和图13相同的符号进行说明。
前述第11和第12实施例的PDP构成为通过由形成在覆盖行电极对的第1电介质层上的第2电介质层限制维持放电的放电范围来形成窄深度放电，相比之下，该第13实施例的PDP 80仅在与在由大致格子形状的隔壁15所划分的放电单元C1对置的位置上覆盖与以往的PDP(参照图1)相同尺寸的行电极对(X3、Y3)的电介质层12的面对放电空间的背面侧的所需位置上，使用MgO等的高γ材料，形成在行方向上呈带状延伸的二次电子放出层43，通过该二次电子放出层43，在透明电极X3a和Y3a之间产生的维持放电构成窄深度放电。
即，PDP 80在前面玻璃基板11的背面上与图1的以往的PDP相同的列方向的宽度例如是400～1000μm的带状的透明电极X3a、Y3a相互隔开所需间隔(放电间隙g4)在行方向上平行延伸，在该透明电极X3a、Y3a的背面的基端侧，带状的总线电极X3b、Y3b分别形成为在行方向上延伸，并与透明电极X3a、Y3a连接。
该行电极对(X3、Y3)由形成在前面玻璃基板11的背面的电介质层12覆盖。
然后，仅在该电介质层12的背面上的与放电间隙g4和包含隔着该放电间隙g4位于两侧的透明电极X3a和Y3a的各自的前端部分的列方向的宽度Wx4和Wy4的部分的部分对置的位置上，使用MgO等的高γ材料形成在行方向上呈带状延伸的二次电子放出层43。
该二次电子放出层43的与透明电极X3a、Y3a对置的部分的各自的列方向的宽度Wx4和Wy4被设定为小于等于150μm。
在背面玻璃基板13上，通过与第1实施例的情况相同的结构和配置，形成列电极D1、列电极保护层14、大致格子形状的隔壁15、以及红、绿、蓝的荧光体层16。
在隔壁15的各纵壁15B的与前面玻璃基板11对置的端面上的中央部分，分别形成朝前面玻璃基板11侧突出并在列方向上延伸的突条部46。
该突条部46的列方向的长度L3被设定为比二次电子放出层43的列方向的宽度(放电间隙g4的宽度和透明电极X3a、Y3a的前端部的宽度Wx4、Wy4的合计)大、且比隔壁15的邻接的横壁15A间的长度小的尺寸，在从前面玻璃基板11侧观察的状态下，突条部46的两端部分别处于从二次电子放出层43向列方向外方伸出规定的相同长度d3的状态。
在该实施例中，例如，设定成d3＝0～30μm。
在该突条部46的与前面玻璃基板11侧对置的顶面，形成有沿着列方向的剖面形状与二次电子放出层43的沿着列方向的剖面形状相同的凹部46a，二次电子放出层43嵌合在该凹部46a内，并且突条部46的凹部46a的列方向的两侧部分与覆盖电介质层12的保护层抵接。
然后，在该突条部46的列方向的两侧，在覆盖电介质层12的保护层和纵壁15B之间分别形成间隙r4。
优选的是，该间隙r4的宽度(覆盖电介质层12的保护层和纵壁15B之间的间隔)被设定为1至20μm。
这是因为，在间隙r4的宽度小于1μm的情况下，不能充分进行后述的启动效果的发挥和发光效率的提高、排气通路的确保等，另一方面，在大于20μm的情况下，有可能在行方向邻接的放电单元C1间产生误放电。
因此，与第9实施例的情况一样，在形成有突条部46的部分中，使用该突条部46遮断在行方向上邻接的放电单元C1间的连通，并且通过该突条部46的两侧的间隙r4，使在行方向上邻接的放电单元C1间连通。
另外，该突条部46与第9实施例的情况一样，可以使用与形成隔壁15的主体的电介质材料相同的材料形成为一体，也可以使用与形成隔壁15的主体的电介质材料不同的低电介质材料形成。
然后，封入在放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)。
上述PDP 80由于行电极对(X3、Y3)的各行电极X3、Y3具有与以往的PDP大致相同的尺寸的列方向的宽度，而使用高γ材料形成的二次电子放出层43仅配置在电介质层12上的与放电间隙g4和该放电间隙g4的两侧的透明电极X3a和Y3a的各自的前端部分的宽度Wx4和Wy4的部分对置的位置上，因而在透明电极X3a和Y3a间产生的维持放电的大部分产生在形成有该二次电子放出层43的区域的范围内，因此，该维持放电构成在第1实施例中所说明的窄深度放电。
上述PDP 80与第1实施例的情况一样，由于维持放电成为窄深度放电，并且在放电气体中包含分压大于等于6.67kPa(50乇)的高氙气，因而发光效率提高，并且使用突条部46防止在行方向邻接的放电单元C1间产生误放电。
而且，该PDP 80通过形成在突条部46的两侧的间隙r4，发挥在行方向上邻接的放电单元C1间的启动效果，并且在制造工序时确保排气和放电气体的导入路径，然后，在为了进一步提高该启动效果而缩短维持脉冲周期的情况下，具有高氙气的放电气体，并且在行电极X3、Y3间产生的维持放电构成窄深度放电，因而与以往的PDP相比，可提高发光效率。
而且，由于进行窄深度放电并且封入有高氙气的放电气体，因而由形成在电介质层和隔壁的纵壁之间的间隙对启动效果的影响增大，通过形成在该电介质层12和纵壁15B之间的间隙r4，可取得比以往高的发光效率。
并且，根据该PDP 80的结构，由于窄深度放电的产生区域根据二次电子放出层43的形成位置和尺寸自由设定，因而设计和制造上的自由度增大，可灵活应对设计变更等。
上述PDP 80具有的其他技术效果与前述第3实施例的情况相同。
【实施例14】图34和图35示出本发明的实施方式中的第14实施例，图34是示意性地示出本实施例的PDP的一部分的正视图，图35是图34的V8-V8线的剖面图。
在前述第13实施例的PDP中，形成在覆盖行电极对的电介质层的背面的二次电子放出层形成为在行方向上延伸的带状，相比之下，该实施例的PDP 90的形成在电介质层12的背面的二次电子放出层53形成为与放电单元C1的开口面的透明电极X3a、Y3a的前端的各自宽度Wx4、Wy4的部分和放电间隙g4对置的方形形状，通过该方形的二次电子放出层53，使在行电极X3、Y3间产生的维持放电构成被方形的二次电子放出层53的范围制约的窄深度放电。
隔壁15的纵壁15B与电介质层12的在行方向上邻接的二次电子放出层53间的在列方向上延伸的带状部分对置。
然后，在该隔壁15的纵壁15B上的中央部分形成具有与第13实施例的突条部相同的列方向的宽度L3的突条部56，该突条部56与覆盖电介质层12的保护层抵接，分别将在行方向上邻接的放电单元C1间遮断。
然后，在该突条部56的两侧的纵壁15B和覆盖电介质层12的保护层之间形成间隙r5，通过该间隙r5，使在行方向上邻接的放电单元C1间连通。
优选的是，该间隙r5的宽度(覆盖电介质层12的保护层和纵壁15B之间的间隔)被设定为1至20μm。
这是因为，在间隙r5的宽度小于1μm的情况下，不能充分进行后述的启动效果的发挥和发光效率的提高、排气通路的确保等，另一方面，在大于20μm的情况下，有可能在行方向邻接的放电单元C1间产生误放电。
该PDP 90的其他部分的结构与前述第13实施例的PDP相同，对于与该第13实施例的PDP相同的构成部分，在图34和图35中附上与图32和图33相同的符号。
上述PDP 90与第13实施例的情况一样，由于维持放电成为窄深度放电，并且在放电气体中包含分压大于等于6.67kPa(50乇)的高氙气，因而发光效率提高，并且，使用突条部56防止在行方向邻接的放电单元C1间的维持放电时产生误放电。
而且，该PDP 90通过形成在突条部56的两侧的间隙r5，发挥在行方向邻接的放电单元C1间的启动效果，并且在制造工序时确保排气和放电气体的导入路径，然后，在为了进一步提高该启动效果而缩短维持脉冲周期的情况下，具有高氙气的放电气体，并且在行电极X3、Y3间产生的维持放电构成窄深度放电，因而与以往的PDP相比，可提高发光效率。
而且，由于进行窄深度放电并且封入有高氙气分压的放电气体，因而由形成在电介质层和隔壁的纵壁之间的间隙对启动效果的影响增大，通过形成在该电介质层12和纵壁15B之间的间隙r5，可取得比以往高的发光效率。
而且，根据该PDP 90的结构，由于窄深度放电的产生区域根据二次电子放出层53的形成位置和尺寸自由设定，因而设计和制造上的自由度增大，可灵活应对设计变更等。
上述PDP 90具有的其他技术效果与前述第11实施例的情况相同。
*特願2006-137970*
【实施例15】图36和图37示出根据本发明的PDP的实施方式的第15实施例，图36是示意性地示出该第15实施例中的PDP的一部分的正视图，图37是图36的V9-V9线的剖面图。
在该图36和图37中，PDP 100在作为显示面的前面玻璃基板11的背面，将在行方向(图36的左右方向)上延伸的多个行电极对(X1、Y1)按照在列方向(图36的上下方向)上隔开所需间隔的状态等间隔地并设。
构成该行电极对(X1、Y1)的一个行电极X1由以下部分构成，即：透明电极X1a，其在前面玻璃基板11的背面由ITO等的透明导电膜形成为在行方向上呈带状延伸；以及总线电极X1b，其在该透明电极X1a的背面的中央位置上由金属膜形成，并且在列方向的宽度比透明电极X1a的列方向的宽度小的带状的行方向上延伸。
构成行电极对(X1、Y1)的另一行电极Y1也与行电极X1一样，由以下部分构成，即：透明电极Y1a，其在前面玻璃基板11的背面由ITO等的透明导电膜形成为在行方向上呈带状延伸，并且定位成与行电极X1的透明电极X1a隔开所需间隔平行延伸；以及总线电极Y1b，其在该透明电极Y1a的背面的中央位置上由金属膜形成，并且在列方向的宽度比透明电极Y1a的列方向的宽度小的带状的行方向上延伸。
该行电极X1和Y1沿着前面玻璃基板11的列方向交替排列，在各行电极对(X1、Y1)中，成对的行电极X1和Y1的相互对置的透明电极X1a和Y1a之间的所需宽度的间隔分别构成放电间隙g1。
在前面玻璃基板11的背面还形成有电介质层32，行电极对(X1、Y1)由该电介质层32覆盖。
然后，在该电介质层32的背面的构成各行电极对(X1、Y1)的行电极X1、Y1间的与放电间隙g1对置的部分形成有凹部32A，形成有该凹部32A的部分的电介质层32的厚度(垂直于前面玻璃基板11的方向的厚度)比该电介质层32的其他部分的厚度薄。
另外，该凹部32A可以形成为沿着行电极X1、Y1呈带状延伸，或者，可以按照与后述的放电单元对应的各部分形成为方形的岛状。
在该电介质层32的背面侧形成有由氧化镁(MgO)等的高γ材料构成的未作图示的保护层，以覆盖包含凹部32A内的电介质层32的整个背面。
背面玻璃基板13隔着放电空间与该前面玻璃基板11平行对置。
然后，在该背面玻璃基板13的与前面玻璃基板11对置侧的面上，按照在行方向上隔开所需间隔的状态等间隔地形成有在列方向上呈带状延伸的多个列电极D1。
在背面玻璃基板13的该面上还形成有列电极保护层(电介质层)14，列电极D1由该列电极保护层14覆盖。
在该列电极保护层14上形成有具有以下形状的隔壁15。
即，该隔壁15由多个横壁15A和多个纵壁15B形成为大致格子形状，该多个横壁15A在与在列方向上相互邻接的行电极对(X1、Y1)间的中间位置对置的位置处分别在行方向上延伸，该多个纵壁15B在列方向上延伸并按照在行方向上隔开所需间隔的状态等间隔地并设。
通过由该隔壁15将前面玻璃基板11和背面玻璃基板13之间的放电空间分别划分为大致方形形状，形成呈矩阵状配置在面板面上的多个放电单元C1。
然后，在该各放电单元C1的中央部分分别使行电极对(X1、Y1)对置。
在各放电单元C1中，在面对该放电单元C1内的放电空间的隔壁15的横壁15A和纵壁14B的四个侧面以及列电极保护层14的表面形成有荧光体层16，以覆盖所有该五个面，该荧光体层16的颜色按照各放电单元C1被分成三原色的红、绿、蓝，该三原色被配置成在行方向上依次排列。
在放电空间内封入有包含氙气的放电气体。
上述PDP 100的行电极X1、Y1的尺寸和放电气体的结构按以下设定。
即，各行电极X1、Y1的列方向的宽度，即，透明电极X1a的列方向的宽度Wx1和透明电极Y1a的列方向的宽度Wy1(参照图36)分别被设定为小于等于150μm。
然后，封入在放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)。
该PDP 100对各行电极对(X1、Y1)的行电极Y1依次施加扫描脉冲，与此同时，对列电极D1选择性地施加数据脉冲，在该被施加了扫描脉冲的行电极Y1和被施加了数据脉冲的列电极D1交叉的部分所形成的放电单元C1内，在行电极Y1和列电极D1之间产生寻址放电，通过该寻址放电形成的发光单元(在对置部分的电介质层32上形成有壁电荷的放电单元C1)和非发光单元(对置部分的电介质层32的壁电荷被消去的放电单元C1)与影像信号的图像数据对应地分布在面板面上。
之后，对各行电极对(X1、Y1)的分别成对的行电极X1和Y1交替施加维持脉冲，在发光单元内，在透明电极X1a和Y1a之间通过放电间隙g1产生维持放电。
然后，在发光单元内，通过该维持放电，从封入在放电空间内的放电气体中的氙气产生真空紫外线，使用该真空紫外线激励发光单元内的红、绿、蓝的萤光体层16来产生可见光，从而在面板面上形成矩阵显示的图像。
该PDP 100由于各行电极X1的列方向的宽度Wx1和透明电极Y1的列方向的宽度Wy1分别被设定为小于等于150μm，并且放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)，因而在图像形成时的上述维持放电时，可取得高的发光效率。
该理由与在第1实施例中根据图4至图6进行了说明的理由相同。
这里，如上所述，在放电气体中的氙气分压高的情况下，PDP的驱动电压增高，由于必须使用耐压性高的驱动电路，因而招致产品的高成本化。
上述PDP 100由于在该电介质层32的背面的构成各行电极对(X1、Y1)的行电极X1、Y1间的与放电间隙g1对置的部分形成有凹部32A，并且形成有该凹部32A的部分的电介质层32的厚度比该电介质层32的其他部分的厚度薄，因而PDP 100的驱动电压受到抑制而下降。
这样，PDP 100由于行电极X1、Y1间的维持放电构成窄深度放电，并且封入有高氙气分压的放电气体，因而发光效率提高，并且即使在封入了该高氙气分压的放电气体的情况下，由于电介质层32的与放电间隙g1对置的部分的厚度因凹部32A而比电介质层32的其他部分的厚度薄，因而也能使驱动电压下降，从而可同时实现发光效率的提高和驱动电压的下降。
图38是示出电极宽度被设定为50μm、全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为13.33kPa(100乇)的PDP的驱动电压和发光效率的关系的曲线图，图39是示出电极宽度被设定为200μm、全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为2.67kPa(20乇)的以往的PDP的驱动电压和发光效率的关系的曲线图。
在该图38和图39中，用于测定的维持脉冲周期都是5μs。
从该图38和图39的比较可以知道，图39的以往的PDP有必要为了提高发光效率而提高驱动电压，而且，即使提高驱动电压，发光效率也在PDP中所要求的小于等于2.0(lm/W)的值时饱和，然而图38的维持放电构成窄深度放电且封入有高氙气分压的放电气体的PDP在驱动电压降低时，与以往的PDP相反，发光效率增高，并且可取得图39的以往的PDP的近2倍的值的发光效率。
因此，如前所述，上述PDP 100由于维持放电构成窄深度放电且封入有高氙气分压的放电气体，因而可取得高的发光效率，并且由于由封入高氙气分压的放电气体引起的驱动电压的上升通过借助凹部32A使电介质层32的与放电间隙g1对置的部分的厚度比其他部分的厚度薄来得到抑制而下降，因而可使驱动电路成本下降，并可使发光效率进一步上升。
另外，上述效果也能在PDP的隔壁是带状的情况下取得，然而PDP100由于隔壁15形成为大致格子形状，因而荧光体层16也形成在分别包围各放电单元C1的横壁15A和纵壁15B的四个侧面，使该荧光体层16的表面积增大，因此可取得更高的发光效率。
而且，上述PDP 100由于行电极X1、Y1的列方向的宽度与以往的PDP相比大幅减小，因而形成在电极间的静电电容大幅减少，结果，无效电流的产生减少，可实现消耗功率的降低，并且由于在与放电间隙g1对置的部分的电介质层32内形成有凹部32A，因而形成在电极间的静电电容减少，无效电流的产生减少，从而可降低消耗功率。
另外，在上述中，示出了PDP 100的行电极对(X1、Y1)相对于放电单元C1在列方向上配置在放电单元C1的中央位置上的例子，然而行电极对(X1、Y1)可以相对于放电单元C1在列方向上配置在与放电单元C1的中央位置上下偏离的位置上。
其理由如下所述。
即，在以往的PDP中，由于如前所述，维持放电成为扩展到放电单元整体的深度深的放电，因而当行电极对相对于由格子形状的隔壁所划分的放电单元在列方向上位于与放电单元的中央位置上下任意偏离的位置上时，由于使放电间隙位于偏向划分放电单元的隔壁的上下横壁的任意一方，因而针对各放电单元，电压余量、亮度、发光效率等产生偏差，产生对发光造成不良影响的问题，因而要求行电极对相对于放电单元的高的位置精度。
然而，在上述PDP 100中，由于维持放电成为如前所述的放电区域窄的窄深度放电，并且真空紫外线的产生区域成为比以往的PDP小的所谓的点光源，因而难以受到壁损失等的来自隔壁的影响，并且由于利用真空紫外线的吸收少的波长172nm的分子线进行荧光体层16的激励，因而由维持放电的放电区域(真空紫外线的产生区域)和荧光体层16的距离偏差引起的影响减小，因此，即使在行电极对(X1、Y1)相对于放电单元C1的列方向的位置与中央位置偏离的情况下，也几乎不产生发光效率和亮度的变动。
因此，根据上述PDP 100，即使在隔壁15具有大致格子形状且放电单元C1的周围由横壁15A和纵壁15B包围的情况下，放电间隙的位置(即行电极对的位置)也可以在列方向上不精确地定位在放电单元的中央位置上，行电极对(X1、Y1)相对于放电单元C1的位置精度的容许量增大，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
并且，在上述中，示出了构成行电极的透明电极分别形成为沿着总线电极在邻接的放电单元间呈带状连续的形状的例子，然而透明电极也可以是按照各放电单元独立形成并与总线电极连接的结构。
而且，在上述中，描述了行电极由透明电极和总线电极构成的例子，然而行电极也可以仅由金属制的总线电极构成，并且是把其列方向的宽度分别设定为小于等于150μm的结构。
【实施例16】图40和图41示出本发明的PDP的实施方式的第16实施例，图40是示意性地示出该第16实施例中的PDP的一部分的正视图，图41是图40的V10-V10线的剖面图。
在该图40和图41中，对于与前述第2实施例的PDP相同的构成部分，附上与图7相同的符号。
前述第15实施例的PDP的构成行电极对的各行电极的总线电极配置在透明电极的背面的大致中央部，相比之下，该第16实施例的PDP 110的构成行电极对(X2、Y2)的行电极X2和Y2分别由以下部分构成：透明电极X2a、Y2a，其位于与由大致格子形状的隔壁15所划分的放电单元C1的列方向的中央部分对置的位置上；以及总线电极X2b、Y2b，其配置在接近放电单元C1的两侧的横壁15A的位置且与透明电极X2a、Y2a连接。
即，在图40和图41中，PDP 110与第15实施例的情况一样，放电空间由使用横壁15A和纵壁15B形成为大致格子形状的隔壁15划分为大致方形，从而形成放电单元C1。
构成行电极对(X2、Y2)的行电极X2、Y2的各自的带状透明电极X2a、Y2a在与放电单元C1的列方向的中央部分对置的位置上相互隔开所需间隔(放电间隙g2)在行方向上平行延伸。
该透明电极X2a、Y2a的列方向的宽度(Wx2、Wy2)分别被设定为小于等于150μm。
总线电极X2b、Y2b分别由以下部分构成：总线电极主体部X2b1、Y2b1，其沿着隔壁15的横壁15A的内缘部在行方向上呈带状延伸；以及总线电极连接部X2b2、Y2b2，其在该总线电极主体部X2b1、Y2b1和透明电极X2a、Y2a之间与隔壁15的纵壁15B对置的位置上沿列方向延伸，使总线电极主体部X2b1、Y2b1和透明电极X2a、Y2a分别连接。
然后，在覆盖该行电极对(X2、Y2)的电介质层42的背面的构成各行电极对(X2、Y2)的行电极X2、Y2间的与放电间隙g2对置的部分形成有凹部42A，形成有该凹部42A的部分的电介质层42的厚度(垂直于前面玻璃基板11的方向的厚度)比该电介质层42的其他部分的厚度薄。
另外，该凹部42A可以形成为沿着行电极X2、Y2呈带状延伸，或者，可以按照与后述的放电单元对应的各部分形成为方形的岛状。
其他部分的结构与第15实施例的情况一样，封入在放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(大于等于50乇)。
在第15实施例的情况下，由于由金属膜形成的总线电极配置在与放电单元的中央部分对置的位置上，因而放电单元的开口部分别由该不具有光透过性的总线电极在列方向上分成两部分，相比之下，在该PDP 110的情况下，由于由金属膜形成的总线电极X2b、Y2b的总线电极主体部X2b1、Y2b1配置在接近隔壁15的横壁15A的位置上，因而放电单元C1的开口部不像第15实施例的情况那样由总线电极X2b、Y2b分成两部分。
在本实施例的情况下，具有以下特性：越接近放电间隙，发光强度就越高，越接近横壁，发光强度就越弱。因此，在该结构的情况下，发光强度高的部分不会被总线电极遮蔽，可取得更高的发光效率。
而且，该PDP 110由于总线电极连接部X2b2、Y2b2配置在与隔壁15的纵壁15B对置的位置上，因而放电单元C1的开口部的一部分也不会由于该总线电极连接部X2b2、Y2b2的形成而被遮蔽。
另外，在上述中，示出了总线电极X2b、Y2b的总线电极主体部X2b1、Y2b1配置在与放电单元C1对置的部分中接近隔壁15的横壁15A的位置上的例子，然而该总线电极主体部X2b1、Y2b1也可以配置在与隔壁15的横壁15A对置的位置上，在该情况下，由于总线电极主体部X2b1、Y2b1不会遮蔽放电单元C1的开口部，因而不用担心总线电极X2b、Y2b的整体会干扰来自荧光体层的发光。
上述PDP 110由于行电极X2、Y2的透明电极X2a的列方向的宽度(电极宽度)Wx2和透明电极Y2a的列方向的宽度(电极宽度)Wy2分别被设定为小于等于150μm，因而与第15实施例的情况一样，在该透明电极X2a和Y2a之间产生的维持放电成为窄深度放电，与以往的PDP相比以非常高的效率进行真空紫外线的生成，并且由于封入在放电空间内的放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)，因而可使用从该放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的主要是几乎没有衰减的波长172nm的分子线进行荧光体层16的激励，因此与以往的PDP相比可取得高的发光效率。
然后，上述PDP 110由于由封入高氙气分压的放电气体引起的驱动电压的上升通过借助凹部42A使电介质层42的与放电间隙g2对置的部分的厚度比其他部分的厚度薄来得到抑制而下降，因而可使驱动电路成本下降，并可使发光效率进一步上升。
另外，上述效果也能在PDP的隔壁是带状的情况下取得，然而PDP110由于隔壁15形成为大致格子形状，因而可将荧光体层形成在分别包围各放电单元C1的横壁15A和纵壁15B的四个侧面来使荧光体层的表面积增大，因此可取得更高的发光效率。
而且，上述PDP 110由于行电极X2、Y2的透明电极X2a、Y2a的各自的列方向的宽度与以往的PDP相比大幅减小，因而形成在电极间的静电电容大幅减少，结果，无效电流的产生减少，可实现消耗功率的降低，并且由于在与放电间隙g2对置的部分的电介质层42内形成有凹部42A，因而形成在电极间的静电电容减少，无效电流的产生减少，从而可实现消耗功率的降低。
而且，上述PDP 110根据与在第15实施例中所说明的相同理由，可把行电极对(X2、Y2)相对于放电单元C1在列方向上配置在与放电单元C1的中央位置上下偏离的位置上，因此，行电极对(X2、Y2)相对于放电单元C1的位置精度的容许量增大，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
并且，在上述中，示出了构成行电极的透明电极分别形成为沿着总线电极在邻接的放电单元间呈带状连续的形状的例子，然而透明电极也可以是按照各放电单元独立形成并与总线电极连接的结构。
【实施例17】图42和图43示出本发明的实施方式中的第17实施例，图42是示意性地示出该第17实施例的PDP的一部分的正视图，图43是图42的V11-V11线的剖面图。
在该图42和图43中，对于与前述第3实施例的PDP相同的构成部分，附上与图8和图9相同的符号。
前述第15实施例的PDP构成为变更各行电极的透明电极的列方向的宽度来使维持放电形成窄深度放电，相比之下，该第17实施例的PDP120构成为：在与由大致格子形状的隔壁15所划分的放电单元C1对置的位置上形成有与以往的PDP(参照图1)相同尺寸的行电极对(X3、Y3)，在覆盖该行电极对(X3、Y3)的第1电介质层52的面对放电空间的背面侧的所需位置上还层叠形成有第2电介质层23，通过使行电极X3、Y3的各自实质产生放电的部分的列方向的宽度变窄，使维持放电形成窄深度放电。
即，PDP 120在前面玻璃基板11的背面，将与图1的以往的PDP相同的列方向的宽度例如是400～1000μm的带状的透明电极X3a、Y3a相互隔开所需间隔(放电间隙g3)在行方向上平行延伸，在该透明电极X3a、Y3a的背面的基端侧，分别使带状的总线电极X3b、Y3b形成为在行方向上延伸，并与透明电极X3a、Y3a连接。
该行电极对(X3、Y3)由形成在前面玻璃基板11的背面的第1电介质层52覆盖。
然后，在该第1电介质层52的背面的各行电极对(X3、Y3)的行电极X3、Y3间的与放电间隙g3对置的部分形成有凹部52A，形成有该凹部52A的部分的第1电介质层52的厚度(垂直于前面玻璃基板11的方向的厚度)比该第1电介质层52的其他部分的厚度薄。
另外，该凹部52A可以形成为沿着行电极X3、Y3呈带状延伸，或者，可以按照与后述的放电单元对应的各部分形成为方形的岛状。
在该第1电介质层52的背面的以下所述的所需位置上，层叠形成第2电介质层23。
然后，形成未作图示的二次电子放出层，以覆盖包含这些凹部52A内的第1电介质层52和第2电介质层23的整个背面。
第2电介质层23形成在覆盖如下部分的位置上，即：与第1电介质层52的背面的放电间隙g3、和隔着该放电间隙g3对置的行电极X3、Y3的透明电极X3a、Y3a的各自从前端在列方向上小于等于150μm的宽度Wx3和Wy3的部分对置的、在行方向上延伸的带状部分以外的部分。
覆盖该行电极对(X3、Y3)的第1电介质层52具有与通过放电形成壁电荷的以往的PDP大致相同的膜厚，第2电介质层23具有大于等于第1电介质层52的膜厚，层叠有第1电介质层52和第2电介质层23的部分的膜厚被设定为大于等于第1电介质层52的膜厚的2倍的通过放电几乎不形成壁电荷的膜厚。
形成在第1电介质层52内的凹部52A位于与隔着第2电介质层23的带状的槽部23A对置的位置上。
在放电空间内封入有氙气分压大于等于6.67kPa(50乇)的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体。
上述PDP 120由于行电极对(X3、Y3)的各行电极X3、Y3的列方向的宽度具有与以往的PDP大致相同的尺寸，而该行电极X3、Y3的隔着放电间隙g3相互对置的透明电极X3a、Y3a的前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分以外的部分由所层叠的第1电介质层52和第2电介质层23的两层电介质层覆盖，并且该部分的电介质层的膜厚比覆盖前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分的电介质层的膜厚厚，因而壁电荷几乎不形成在由第2电介质层23层叠于第1电介质层22上而使膜厚变厚的部分上，而是形成在覆盖透明电极X3a和Y3a的前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分的第1电介质层52的表面上。
因此，在PDP 120中，对行电极对(X3、Y3)施加维持脉冲而在透明电极X3a和Y3a之间通过放电间隙g3产生维持放电时，该维持放电大部分仅在透明电极X3a和Y3a的前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分进行，形成在第1实施例中所说明的窄深度放电。
以上所述，上述PDP 120与第15实施例的情况一样，由于维持放电成为窄深度放电，因而与以往的PDP相比以非常高的效率进行真空紫外线的生成，并且由于封入在放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)，因而可使用从该放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的主要是几乎没有衰减的波长172nm的分子线进行荧光体层的激励，因此与以往的PDP相比可取得高的发光效率。
然后，上述PDP 120由于由封入高氙气分压的放电气体引起的驱动电压的上升通过借助凹部52A使第1电介质层52的与放电间隙g3对置的部分的厚度比其他部分的厚度薄来得到抑制而下降，因而可使驱动电路成本下降，并可使发光效率进一步上升。
而且，上述PDP 120由于在与放电间隙g3对置的部分的第1电介质层52内形成有凹部52A，因而形成在电极间的静电电容减少，无效电流的产生减少，从而可实现消耗功率的降低。
而且，该PDP 120根据与在第15实施例中所说明的相同理由，可把行电极对(X3、Y3)相对于放电单元C1在列方向上配置在与放电单元C1的中央位置上下偏离的位置上，因此，行电极对(X3、Y3)相对于放电单元C1的位置精度的容许量增大，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
而且，上述PDP 120不仅具有与上述第15实施例的情况相同的效果，而且由于透明电极X3a、Y3a的列方向的宽度具有与以往的PDP相同的大小，并且总线电极X3b、Y3b配置在离开放电间隙g3的位置上，因而来自荧光体层的发光受到由金属膜构成的总线电极X3b、Y3b干扰的影响减小，发光取出效率提高。
即，在本实施例的情况下，具有以下特性：越接近放电间隙，发光强度就越高，越接近横壁，发光强度就越弱。因此，在该结构的情况下，发光强度高的部分不会被总线电极遮蔽，可取得更高的发光效率。
然后，根据该PDP 120的结构，用于减小总线电极对来自荧光体层的发光的影响的结构与前述第2实施例的PDP的情况相比可简化。
并且，例如，图42和图43示出了总线电极X3b、Y3b配置在与放电单元C1的开口面对置的位置上的例子，然而如图44所示，只要构成行电极对(X4、Y4)的各行电极X4、Y4的总线电极X4b、Y4b配置在离开放电单元C1的开口面的位置上，总线电极X4b、Y4b对来自荧光体层的发光就没有影响，从而可大幅提高发光取出效率。
上述PDP 120还由于行电极对(X3、Y3)的结构与以往相同，因而不需要制造工序的大的变更，并且由于第2电介质层23的形成位置可任意设定，因而设计和制造上的自由度增大，因此，可实现制造成本的低廉化和对产品成品率的贡献。
另外，在上述中，示出了构成行电极的透明电极分别形成为沿着总线电极在邻接的放电单元间呈带状连续的形状的例子，然而透明电极也可以是按照各放电单元独立形成并与总线电极连接的结构。
并且，在上述中，示出了第2电介质层分别形成为在行方向上延伸的带状的例子，然而层叠在第1电介质层上的第2电介质层如图45所示的第2电介质层33那样，形成为在与放电单元C1的开口面对置的部分形成有方形的开口部33a的大致格子形状，借助该开口部33a，可以把覆盖与透明电极X3a和Y3a的各自的前端部分的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分以及放电间隙g3对置的部分以外的部分的电介质层的膜厚设定为不形成壁电荷的厚度。
【实施例18】图46和图47示出本发明的实施方式中的第18实施例，图46是示意性地示出该第18实施例的PDP的一部分的正视图，图47是图46的V12-V12线的剖面图。
在该图46和图47中，对于与前述第4实施例的PDP相同的构成部分，附上与图12和图13相同的符号。
前述第17实施例的PDP构成为通过由形成在覆盖行电极对的第1电介质层上的第2电介质层限制维持放电的放电范围来形成窄深度放电，相比之下，该第18实施例的PDP 130在与由大致格子形状的隔壁15所划分的放电单元C1对置的位置上形成有与以往的PDP(参照图1)相同尺寸的行电极对(X3、Y3)，在覆盖该行电极对(X3、Y3)的电介质层62的行电极X3、Y3间的与放电间隙g4对置的部分形成有凹部62A，并仅在该电介质层62的面对放电空间的背面侧的所需位置上，使用MgO等的高γ材料把二次电子放出层63形成为在行方向上呈带状延伸，借助该二次电子放出层63，使在透明电极X3a和Y3a之间产生的维持放电形成窄深度放电。
即，PDP 130在前面玻璃基板11的背面，将与图1的以往的PDP相同的列方向的宽度例如是400～1000μm的带状的透明电极X3a、Y3a相互隔开所需间隔(放电间隙g4)在行方向上平行延伸，在该透明电极X3a、Y3a的背面的基端侧，分别使带状的总线电极X3b、Y3b形成为在行方向上延伸，并与透明电极X3a、Y3a连接。
该行电极对(X3、Y3)由形成在前面玻璃基板11的背面的电介质层62覆盖，在该电介质层62的行电极X3、Y3间的与放电间隙g4对置的部分形成有凹部62A，形成有该凹部62A的部分的电介质层62的厚度(垂直于前面玻璃基板11的方向的厚度)比该电介质层62的其他部分的厚度薄。
另外，该凹部62A可以形成为沿着行电极X3、Y3呈带状延伸，或者，可以按照与后述的放电单元对应的各部分形成为方形的岛状。
然后，仅在该电介质层62的背面上的与放电间隙g4和包含隔着该放电间隙g4位于两侧的透明电极X3a和Y3a的各自的前端部分的列方向的宽度Wx4和Wy4的部分的部分对置的位置上，使用MgO等的高γ材料形成在行方向上呈带状延伸的二次电子放出层63。
因此，该二次电子放出层63在凹部62A的内部也形成为覆盖其内壁面。
作为该二次电子放出层63的形成方法，例如，具有以下方法等，即：使具有与二次电子放出层63的形成位置对应的开口部的掩模介于电介质层62和高γ材料的材料蒸发源之间，使从材料蒸发源产生的高γ材料的蒸气附着在电介质层62的与掩模的开口部对置的部分上进行成膜。
该二次电子放出层63的与透明电极X3a、Y3a对置的部分的各自的列方向的宽度Wx4和Wy4被设定为小于等于150μm。
然后，封入在放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)。
上述PDP 130由于行电极对(X3、Y3)的各行电极X3、Y3的列方向的宽度具有与以往的PDP大致相同的尺寸，而由高γ材料形成的二次电子放出层63仅配置在电介质层62上的与放电间隙g4和该放电间隙g4的两侧的透明电极X3a和Y3a的各自的前端部分的宽度Wx4和Wy4的部分对置的位置上，因而在透明电极X3a和Y3a之间产生的维持放电的大部分产生在形成有该二次电子放出层63的区域的范围内，因此，该维持放电形成在第1实施例中所说明的窄深度放电。
以上所述，上述PDP 130与第1实施例的情况一样，由于维持放电成为窄深度放电，因而与以往的PDP相比以非常高的效率进行真空紫外线的生成，并且由于封入在放电空间内的放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)，因而可使用从该放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的主要是几乎没有衰减的波长172nm的分子线进行荧光体层的激励，因此与以往的PDP相比可取得高的发光效率。
然后，上述PDP 130由于由封入高氙气分压的放电气体引起的驱动电压的上升通过借助凹部62A使电介质层62的与放电间隙g4对置的部分的厚度比其他部分的厚度薄来得到抑制而下降，因而可使驱动电路成本下降，并可使发光效率进一步上升。
而且，上述PDP 130由于在与放电间隙g4对置的部分的电介质层62内形成有凹部62A，因而形成在电极间的静电电容减少，无效电流的产生减少，从而可实现消耗功率的降低。
而且，该PDP 130根据与在第15实施例中所说明的相同理由，可把行电极对(X3、Y3)相对于放电单元C1在列方向上配置在与放电单元C1的中央位置上下偏离的位置上，因此，行电极对(X3、Y3)相对于放电单元C1的位置精度的容许量增大，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
而且，上述PDP 130不仅具有与上述第15实施例的情况相同的效果，而且由于透明电极X3a、Y3a的列方向的宽度具有与以往的PDP相同的大小，并且总线电极X3b、Y3b配置在离开放电间隙g4的位置上，因而来自荧光体层的发光受到由金属膜构成的总线电极X3b、Y3b干扰的影响减小，发光取出效率提高。
即，在本实施例的情况下，具有以下特性：越接近放电间隙，发光强度就越高，越接近横壁，发光强度就越弱。因此，在该结构的情况下，发光强度高的部分不会被总线电极遮蔽，可取得更高的发光效率。
然后，根据该PDP 130的结构，用于减小总线电极对来自荧光体层的发光的影响的结构与前述第2实施例的PDP的情况相比可简化。
并且，根据该PDP 130的结构，由于窄深度放电的产生区域根据二次电子放出层63的形成位置和尺寸自由设定，因而设计和制造上的自由度增大，可灵活应对设计变更等。
另外，在上述中，示出了二次电子放出层63形成为在行方向上呈带状延伸的形状的例子，然而该二次电子放出层也可以按照各放电单元C1形成为独立的所谓的岛形状。
并且，在上述中，示出了构成行电极的透明电极分别形成为沿着总线电极在邻接的放电单元间呈带状连续的形状的例子，然而透明电极也可以是按照各放电单元独立形成并与总线电极连接的结构。
*特願2006-137969*【实施例19】图48和图49示出本发明的PDP的实施方式的第19实施例，图48是示意性地示出本第19实施例中的PDP的一部分的正视图，图49是图48的V13-V13线的剖面图。
在该图48和图49中，PDP 140在作为显示面的前面玻璃基板11的背面，将在行方向(图48的左右方向)上延伸的多个行电极对(X1、Y1)按照在列方向(图48的上下方向)上隔开所需间隔的状态等间隔地并设。
构成该行电极对(X1、Y1)的一个行电极X1由以下部分构成，即：透明电极X1a，其在前面玻璃基板11的背面由ITO等的透明导电膜形成为在行方向上呈带状延伸；以及总线电极X1b，其在该透明电极X1a的背面的中央位置上由金属膜形成，并且在列方向的宽度比透明电极X1a的列方向的宽度小的带状的行方向上延伸。
构成行电极对(X1、Y1)的另一行电极Y1也与行电极X1一样，由以下部分构成，即：透明电极Y1a，其在前面玻璃基板11的背面由ITO等的透明导电膜形成为在行方向上呈带状延伸，并且定位成与行电极X1的透明电极X1a隔开所需间隔平行地延伸；以及总线电极Y1b，其在该透明电极Y1a的背面的中央位置上由金属膜形成，并且在列方向的宽度比透明电极Y1a的列方向的宽度小的带状的行方向上延伸。
该行电极X1和Y1沿着前面玻璃基板11的列方向交替排列，在各行电极对(X1、Y1)中，成对的行电极X1和Y1的相互对置的透明电极X1a和Y1a之间的所需宽度的间隔分别构成放电间隙g1。
在前面玻璃基板11的背面还形成有电介质层72，行电极对(X1、Y1)由该电介质层72覆盖。
该电介质层72根据后面详述的理由，使用相对介电常数小于等于9.3，优选的是小于等于8的低电介质材料形成为使垂直于前面玻璃基板11的方向的膜厚d4大于等于35μm。
作为形成电介质层72的相对介电常数小于等于9.3的低电介质材料，例如，可列举有氧化锌(ZnO)系玻璃、或者该氧化锌(ZnO)系玻璃和氧化磷(P2O5)系玻璃的混合物等。
在该电介质层72的背面侧形成有由氧化镁(MgO)等的高γ材料构成的未作图示的保护层，以覆盖该电介质层72的整个背面。
背面玻璃基板13隔着放电空间与该前面玻璃基板11平行对置。
而且，在该背面玻璃基板13的与前面玻璃基板11对置侧的面上，按照在行方向上隔开所需间隔的状态等间隔地形成有在列方向上呈带状延伸的多个列电极D1。
在背面玻璃基板13的该面上还形成有列电极保护层(电介质层)14，列电极D1由该列电极保护层14覆盖。
在该列电极保护层14上形成有具有以下形状的隔壁15。
即，该隔壁15由多个横壁15A和多个纵壁15B形成为大致格子形状，该多个横壁15A在与在列方向上相互邻接的行电极对(X1、Y1)间的中间位置对置的位置上分别在行方向上延伸，该多个纵壁15B在列方向上延伸并按照在行方向上隔开所需间隔的状态等间隔地并设。
通过使用该隔壁15将前面玻璃基板11和背面玻璃基板13之间的放电空间分别划分为大致方形形状，形成呈矩阵状配置在面板面上的多个放电单元C1。
然后，在该各放电单元C1的中央部分分别使行电极对(X1、Y1)对置。
在各放电单元C1中，在面对该放电单元C1内的放电空间的隔壁15的横壁15A和纵壁14B的四个侧面以及列电极保护层14的表面上形成有荧光体层16，以覆盖所有该五个面，该荧光体层16的颜色针对各放电单元C1被分成三原色的红、绿、蓝，该三原色被配置成在行方向上依次排列。
在放电空间内封入有包含氙气的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体。
上述PDP 140的行电极X1、Y1的尺寸和放电气体的结构按以下设定。
即，各行电极X1、Y1的列方向的宽度，即，透明电极X1a的列方向的宽度Wx1和透明电极Y1a的列方向的宽度Wy1(参照图48)分别被设定为小于等于150μm。
然后，封入在放电空间内的放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)。
该PDP 140对各行电极对(X1、Y1)的行电极Y1依次施加扫描脉冲，与此同时，对列电极D1选择性地施加数据脉冲，在该被施加了扫描脉冲的行电极Y1和被施加了数据脉冲的列电极D1交叉的部分所形成的放电单元C1内，在行电极Y1和列电极D1之间产生寻址放电，通过该寻址放电形成的发光单元(在对置部分的电介质层72上形成有壁电荷的放电单元C1)和非发光单元(对置部分的电介质层72的壁电荷被消去的放电单元C1)与影像信号的图像数据对应地分布在面板面上。
之后，对各行电极对(X1、Y1)的分别成对的行电极X1和Y1交替施加维持脉冲，在发光单元内，在透明电极X1a和Y1a之间通过放电间隙g1产生维持放电。
然后，在发光单元内，通过该维持放电，从封入在放电空间内的放电气体中的氙气产生真空紫外线，使用该真空紫外线激励发光单元内的红、绿、蓝的萤光体层16来产生可见光，从而在面板面上形成矩阵显示的图像。
该PDP 140由于各行电极X1的列方向的宽度Wx1和透明电极Y1的列方向的宽度Wy1分别被设定为小于等于150μm，并且放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)，因而在图像形成时的上述维持放电时，可取得高的发光效率。
该理由与在第1实施例中根据图4至图6进行了说明的理由相同。
下面，对如上所述进行窄深度放电并封入有高氙气分压的放电气体的PDP 140中的电介质层72的相对介电常数与放电电流和发光效率的关系进行说明。
图50是示出在电极宽度被设定为50μm、全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为13.33kPa(100乇)时进行窄深度放电的PDP中，覆盖行电极对的电介质层的相对介电常数与放电电流(电流密度)和发光效率的关系的表，图51将该图50的表以曲线图示出。
然后，图52是示出电极宽度被设定为200μm、全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为2.67kPa(20乇)的以往的PDP中的放电电流(电流密度)和发光效率的关系的曲线图。
另外，在图50至图52中，用于测定的维持脉冲周期全都是5μs，并且，图中，i表示放电电流(电流密度)，η表示发光效率。
在PDP中的维持放电时的放电电流(电流密度)和覆盖行电极对的电介质层的相对介电常数之间具有的关系是，该电介质层的相对介电常数越大，放电电流就越大，在图52所示的以往的PDP中，随着放电电流增大，发光效率增大。
相比之下，在图51的进行窄深度放电且封入有高氙气分压的放电气体的PDP中，覆盖行电极对的电介质层的相对介电常数减小而放电电流减少，随之，发光效率上升，当放电电流小于等于1.0A/m2时，发光效率稳定在大致4lm/W。
这样随着放电电流减少而发光效率上升的现象在进行窄深度放电且封入有高氙气分压的放电气体的PDP中发生，而如上所述，在以往的PDP中不发生。
在PDP中，通常，优选的是使最大发光效率和实际发光效率大致相等，而优选的是实际发光效率至少为大于等于最大发光效率的90％的值。
因此，从图50和图51可以知道，在上述PDP 10中，为了取得大于等于最大发光效率4lm/W的90％的值，即大于等于3.6lm/W的实际发光效率，放电电流(电流密度)被设定为小于等于1.16A/m2的值，因此，电介质层72的相对介电常数被设定为小于等于9.3的值。
而且，在该PDP 140中，为使实际发光效率与最大发光效率4lm/W大致相等，有必要使放电电流(电流密度)为小于等于1A/m2的值，因此，优选的是，电介质层72的相对介电常数被设定为小于等于8的值。
这样，在产生窄深度放电且封入有高氙气分压的放电气体的PDP中，随着覆盖行电极对的电介质层的相对介电常数和放电电流(电流密度)减小，发光效率增大，这是根据以下理由的。
即，由于当覆盖行电极对的电介质层的相对介电常数增大时，放电电流(电流密度)增大，在行电极间产生的维持放电时的电离量增多，因而由该电离生成的电子对通过与该电子的碰撞反应而处于真空紫外光放射开始状态的激励氙气原子进行激励破坏的概率增高。
特别是，在PDP 140那样的产生窄深度放电且封入有高氙气分压的放电气体的PDP中，由于当放电电流(电流密度)增大时，因上述激励氙气原子的激励破坏而使真空紫外线的生成效率恶化，因而照射到荧光体层的真空紫外线的光量下降，从而使发光效率下降。
因此，在产生窄深度放电且封入有高氙气分压的放电气体的PDP中，认为，由于放电电流减小而使发光效率上升。
以上所述，PDP 140由于行电极X1、Y1的电极宽度Wx1和Wy1分别被设定为小于等于150μm，而且放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)，并且覆盖行电极对(X1、Y1)的电介质层72的相对介电常数被设定为小于等于9.3，优选的是小于等于8，因而维持放电时的电离量得到抑制，由该电离所生成的电子对通过与该电子的碰撞反应而处于真空紫外光放射开始状态的激励氙气原子进行激励破坏的概率降低，因此，真空紫外线生成效率得到改善，照射到荧光体层的真空紫外光量增大，从而使发光效率得到改善。
而且，上述PDP 140由于电介质层72使用相对介电常数小于等于9.3的低电介质材料形成，因而与设有采用具有比其大的相对介电常数的电介质材料形成的电介质层的以往的PDP相比，行电极X1、Y1间和行电极Y1与列电极D1间的静电电容减小，无效功率的产生降低。
并且，在封入有高氙气分压的放电气体的PDP中，当驱动电压上升时，放电电流增大，而在上述PDP 140中，即使在放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)的情况下，由于电介质层72使用相对介电常数小于等于9.3的低电介质材料形成，因而放电电流减小，防止发光效率下降。
下面，根据图53和图54对PDP 140的电介质层72的膜厚被设定为大于等于35μm的理由进行说明。
图53是示出标准化电介质膜厚和标准化电介质电容的关系的曲线图，图54是示出标准化电介质电容相对于标准化电介质膜厚的变化率(图10的曲线图的斜率(微分值))的图。
然后，图53和图54中的标准化电介质电容Cr由下式求出：Cr＝εr·ε0(S/d)εr：相对介电常数ε0：真空介电常数S：电极面积d：电介质膜厚然后，该图53和图54是针对在PDP中一般形成的电介质层的几十μm的膜厚的数值范围，根据上述式算出电介质电容而示出的图。
从上述式中知道，标准化电介质电容Cr仅与电介质膜厚成反比，如图53和图54所示，电介质膜厚越大，标准化电介质电容就越小。
这里，从图53和图54知道，在电介质膜厚小于35μm的情况下，伴随电介质膜厚增大的电介质电容的减少率增大。
相比之下，当电介质膜厚大于等于35μm时，伴随电介质膜厚增大的电介质电容的减少率与电介质膜厚小于等于35μm的情况相比减小。
如前所述，在PDP中，在放电电流和发光效率之间具有相关关系，在进行窄深度放电且封入有高氙气分压的放电气体的PDP中，当放电电流值减小时，发光效率上升。
因此，当该放电电流按照各放电单元产生偏差时，产生发光效率按照各放电单元不同的问题。
该放电电流根据电介质层的电介质电容而变化，该电介质电容如前所述，根据电介质膜厚而变化。
在PDP的制造工序中，难以在所有放电单元中形成均匀膜厚的电介质层，电介质层的膜厚产生某种程度的偏差。
此时，如前所述，在电介质层的膜厚大于等于35μm的情况下，与膜厚小于35μm的情况相比，电介质电容相对于膜厚变化的变化率小，因而当把电介质层形成为使膜厚大于等于35μm时，由各放电单元的膜厚偏差而产生的放电电流的偏差减小，因此，可把各放电单元的发光效率偏差抑制得比以往的PDP小，可制造能在面板的整个面内取得稳定发光效率的PDP。
另外，上述各效果也能在PDP的隔壁是带状的情况下取得，然而PDP140由于隔壁15形成为大致格子形状，因而荧光体层16也形成在分别包围各放电单元C1的横壁15A和纵壁15B的四个侧面上，使该荧光体层16的表面积增大，因此可取得更高的发光效率。
而且，上述PDP 140由于行电极X1、Y1的列方向的宽度与以往的PDP相比大幅减小，因而形成在电极间的静电电容大幅减少，结果，无效电流的产生减少，可实现消耗功率的降低，并且由于在与放电间隙g1对置的部分的电介质层12内形成有凹部12A，因而形成在电极间的静电电容减少，无效电流的产生减少，从而可降低消耗功率。
另外，在上述中，示出了PDP 140的行电极对(X1、Y1)相对于放电单元C1在列方向上配置在放电单元C1的中央位置上的例子，然而行电极对(X1、Y1)可以相对于放电单元C1在列方向上配置在与放电单元C1的中央位置上下偏离的位置上。
其理由如下所述。
即，在以往的PDP中，由于如前所述，维持放电成为扩展到放电单元整体的深度深的放电，因而当行电极对相对于由格子形状的隔壁所划分的放电单元在列方向上配置在与放电单元的中央位置上下任意偏离的位置上时，由于使放电间隙位于偏向划分放电单元的隔壁的上下横壁的任意一方，因而针对各放电单元，电压余量、亮度、发光效率等产生偏差，产生对发光造成不良影响的问题，因而要求行电极对相对于放电单元的高的位置精度。
然而，在上述PDP 140中，由于维持放电成为如前所述的放电区域窄的窄深度放电，并且真空紫外线的产生区域成为比以往的PDP小的所谓的点光源，因而难以受到壁损失等的来自隔壁的影响，并且由于利用真空紫外线的吸收少的波长172nm的分子线进行荧光体层16的激励，因而由维持放电的放电区域(真空紫外线的产生区域)和荧光体层16的距离偏差引起的影响减小，因此，即使在行电极对(X1、Y1)相对于放电单元C1的列方向的位置与中央位置偏离的情况下，也几乎不产生发光效率和亮度的变动。
因此，根据上述PDP 140，即使在隔壁15具有大致格子形状且放电单元C1的周围由横壁15A和纵壁15B包围的情况下，放电间隙的位置(即行电极对的位置)也可以在列方向上不精确地定位在放电单元的中央位置，行电极对(X1、Y1)相对于放电单元C1的位置精度的容许量增大，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
并且，在上述中，示出了构成行电极的透明电极分别形成为沿着总线电极在邻接的放电单元间呈带状连续的形状的例子，然而透明电极也可以是按照各放电单元独立形成并与总线电极连接的结构。
而且，在上述中，描述了行电极由透明电极和总线电极构成的例子，然而行电极也可以仅由金属制的总线电极构成，并且是把其列方向的宽度分别设定为小于等于150μm的结构。
【实施例20】图55和图56示出本发明的PDP的实施方式的第20实施例，图55是示意性地示出该第20实施例中的PDP的一部分的正视图，图56是图55的V14-V14线的剖面图。
在该图55和图56中，对于与前述第2实施例的PDP相同的构成部分，附上与图7相同的符号。
前述第19实施例的PDP的构成行电极对的各行电极的总线电极配置在透明电极的背面的大致中央部，相比之下，该第20实施例的PDP 150的构成行电极对(X2、Y2)的行电极X2和Y2分别由以下部分构成：透明电极X2a、Y2a，其位于与由大致格子形状的隔壁15所划分的放电单元C1的列方向的中央部分对置的位置上；以及总线电极X2b、Y2b，其配置在接近放电单元C1的两侧的横壁15A的位置上且与透明电极X2a、Y2a连接。
即，在图55和图56中，PDP 150与第19实施例的情况一样，放电空间由使用横壁15A和纵壁15B形成为大致格子形状的隔壁15划分为大致方形，从而形成放电单元C1。
构成行电极对(X2、Y2)的行电极X2、Y2的各自的带状透明电极X2a、Y2a在与放电单元C1的列方向的中央部分对置的位置上相互隔开所需间隔(放电间隙g2)向行方向平行延伸。
该透明电极X2a、Y2a的列方向的宽度(Wx2、Wy2)分别被设定为小于等于150μm。
总线电极X2b、Y2b分别由以下部分构成：总线电极主体部X2b1、Y2b1，其沿着隔壁15的横壁15A的内缘部在行方向上呈带状延伸；以及总线电极连接部X2b2、Y2b2，其在该总线电极主体部X2b1、Y2b1和透明电极X2a、Y2a之间与隔壁15的纵壁15B对置的位置沿列方向延伸，使总线电极主体部X2b1、Y2b1和透明电极X2a、Y2a分别连接。
然后，覆盖该行电极对(X2、Y2)的电介质层82使用例如氧化锌(ZnO)系玻璃或该氧化锌(ZnO)系玻璃和氧化磷(P2O5)系玻璃的混合物等的相对介电常数小于等于9.3，优选的是小于等于8的低电介质材料形成为使垂直于前面玻璃基板11的方向的膜厚d5大于等于35μm。
其他部分的结构与第19实施例的情况一样，封入在放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)的值。
在第19实施例的情况下，由于由金属膜形成的总线电极配置在与放电单元的中央部分对置的位置上，因而放电单元的开口部分别由该不具有光透过性的总线电极在列方向上分成两部分，相比之下，在该PDP 150的情况下，由于由金属膜形成的总线电极X2b、Y2b的总线电极主体部X2b1、Y2b1配置在接近隔壁15的横壁15A的位置上，因而放电单元C1的开口部不像第1实施例的情况那样由总线电极X2b、Y2b分成两部分。
在本实施例的情况下，具有以下特性：越接近放电间隙，发光强度就越高，越接近横壁，发光强度就越弱。因此，在该结构的情况下，发光强度高的部分不会被总线电极遮蔽，可取得更高的发光效率。
而且，该PDP 150由于总线电极连接部X2b2、Y2b2配置在与隔壁15的纵壁15B对置的位置上，因而放电单元C1的开口部的一部分也不会由于该总线电极连接部X2b2、Y2b2的形成而被遮蔽。
另外，在上述中，示出了总线电极X2b、Y2b的总线电极主体部X2b1、Y2b1配置在与放电单元C1对置的部分中接近隔壁15的横壁15A的位置上的例子，然而该总线电极主体部X2b1、Y2b1也可以配置在与隔壁15的横壁15A对置的位置上，在该情况下，由于总线电极主体部X2b1、Y2b1不会遮蔽放电单元C1的开口部，因而不用担心总线电极X2b、Y2b的整体会干扰来自荧光体层的发光。
上述PDP 150由于行电极X2、Y2的透明电极X2a的列方向的宽度(电极宽度)Wx2和透明电极Y2a的列方向的宽度(电极宽度)Wy2分别被设定为小于等于150μm，因而与第19实施例的情况一样，在该透明电极X2a和Y2a之间产生的维持放电成为窄深度放电，与以往的PDP相比以非常高的效率进行真空紫外线的生成，并且由于封入在放电空间内的放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)，因而可使用从该放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的主要是几乎没有衰减的波长172nm的分子线进行荧光体层16的激励，因此与以往的PDP相比可取得高的发光效率。
然后，上述PDP 150与第19实施例的情况一样，由于覆盖行电极对(X2、Y2)的电介质层82采用相对介电常数小于等于9.3的低电介质材料形成，因而在进行窄深度放电且封入有高氙气分压的放电气体的PDP中，维持放电时的电离量得到抑制，由于真空紫外线生成效率的改善而使照射到荧光体层的真空紫外光量增大，从而使发光效率得到改善，而且，由于该电介质层82的膜厚被设定为大于等于35μm，因而由各放电单元C1的电介质层22的膜厚d5的偏差产生的放电电流的偏差减小，因此，各放电单元C1的发光效率偏差比以往的PDP减小，可制造能在面板的整个面内取得稳定发光效率的PDP。
另外，上述效果也能在PDP的隔壁是带状的情况下取得，然而PDP150由于隔壁15形成为大致格子形状，因而荧光体层也可形成在分别包围各放电单元C1的横壁15A和纵壁15B的四个侧面上，使荧光体层的表面积增大，因此可取得更高的发光效率。
而且，上述PDP 150由于行电极X2、Y2的透明电极X2a、Y2a的各自的列方向的宽度与以往的PDP相比大幅减小，因而形成在电极间的静电电容大幅减少，结果，无效电流的产生减少，可实现消耗功率的降低。
而且，上述PDP 150根据与在第19实施例中所说明的相同理由，可把行电极对(X2、Y2)相对于放电单元C1在列方向上配置在与放电单元C1的中央位置上下偏离的位置上，因此，行电极对(X2、Y2)相对于放电单元C1的位置精度的容许量增大，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
并且，在上述中，示出了构成行电极的透明电极分别形成为沿着总线电极在邻接的放电单元间呈带状连续的形状的例子，然而透明电极也可以是按照各放电单元独立形成并与总线电极连接的结构。
【实施例21】图57和图58示出本发明的实施方式中的第21实施例，图57是示意性地示出该第21实施例的PDP的一部分的正视图，图58是图57的V15-V15线的剖面图。
在该图57和图58中，对于与前述第3实施例的PDP相同的构成部分，附上与图8和图9相同的符号。
前述第19实施例的PDP构成为变更各行电极的透明电极的列方向的宽度来使维持放电形成窄深度放电，相比之下，该第21实施例的PDP160构成为：在与由大致格子形状的隔壁15所划分的放电单元C1对置的位置上形成有与以往的PDP(参照图1)相同尺寸的行电极对(X3、Y3)，在覆盖该行电极对(X3、Y3)的第1电介质层92的面对放电空间的背面侧的所需位置上还层叠形成有第2电介质层23，通过使行电极X3、Y3的各自实质产生放电的部分的列方向的宽度变窄，使维持放电形成窄深度放电。
即，PDP 160在前面玻璃基板11的背面，使与图1的以往的PDP相同的列方向的宽度例如是400～1000μm的带状的透明电极X3a、Y3a相互隔开所需间隔(放电间隙g3)在行方向上平行延伸，在该透明电极X3a、Y3a的背面的基端侧，分别使带状的总线电极X3b、Y3b形成为在行方向上延伸，并与透明电极X3a、Y3a连接。
该行电极对(X3、Y3)由形成在前面玻璃基板11的背面的第1电介质层92覆盖。
该第1电介质层92使用例如氧化锌(ZnO)系玻璃或该氧化锌(ZnO)系玻璃和氧化磷(P2O5)系玻璃的混合物等的相对介电常数小于等于9.3，优选的是小于等于8的低电介质材料形成为使垂直于前面玻璃基板11的方向的膜厚d6大于等于35μm。
在该第1电介质层92的背面的以下所述的所需位置上层叠形成第2电介质层23。
然后，形成未作图示的二次电子放出层，以覆盖这些第1电介质层92和第2电介质层23的整个背面。
第2电介质层23形成在覆盖如下部分的位置上，即：与第1电介质层92的背面的放电间隙g3、和隔着该放电间隙g3对置的行电极X3、Y3的透明电极X3a、Y3a的各自从前端在列方向上小于等于150μm的宽度Wx3和Wy3的部分对置的、在行方向上延伸的带状部分以外的部分。
覆盖该行电极对(X3、Y3)的第1电介质层92形成为使其与前面玻璃基板11垂直方向的膜厚d6大于等于35μm，第2电介质层23具有大于等于第1电介质层92的膜厚，层叠有第1电介质层92和第2电介质层23的部分的膜厚被设定为大于等于第1电介质层92的膜厚的2倍的通过放电几乎不形成壁电荷的膜厚。
在放电空间内封入有氙气分压大于等于6.67kPa(50乇)的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体。
上述PDP 160由于行电极对(X3、Y3)的各行电极X3、Y3的列方向的宽度具有与以往的PDP大致相同的尺寸，而该行电极X3、Y3的隔着放电间隙g3相互对置的透明电极X3a、Y3a的前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分以外的部分由所层叠的第1电介质层92和第2电介质层23的两层电介质层覆盖，并且该部分的电介质层的膜厚比覆盖前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分的电介质层的膜厚厚，因而壁电荷几乎不形成在由第2电介质层23层叠于第1电介质层92上而使膜厚变厚的部分上，而是形成在覆盖透明电极X3a和Y3a的前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分的第1电介质层92的表面上。
因此，在PDP 160中，对行电极对(X3、Y3)施加维持脉冲而在透明电极X3a和Y3a之间通过放电间隙g3产生维持放电时，该维持放电大部分仅在透明电极X3a和Y3a的前端部的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分进行，形成在第1实施例中所说明的窄深度放电。
以上所述，上述PDP 160与第19实施例的情况一样，由于维持放电成为窄深度放电，因而与以往的PDP相比以非常高的效率进行真空紫外线的生成，并且由于封入在放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)，因而可使用从该放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的主要是几乎没有衰减的波长172nm的分子线进行荧光体层的激励，因此与以往的PDP相比可取得高的发光效率。
然后，上述PDP 160与第19实施例的情况一样，由于覆盖行电极对(X3、Y3)的第1电介质层92使用相对介电常数小于等于9.3的低电介质材料形成，因而在进行窄深度放电且封入有高氙气分压的放电气体的PDP中，维持放电时的电离量得到抑制，由于真空紫外线生成效率的改善而使照射到荧光体层的真空紫外光量增大，从而使发光效率得到改善，而且，由于该第1电介质层92的膜厚d6被设定为大于等于35μm，因而由各放电单元C1的第1电介质层32的膜厚d3的偏差产生的放电电流的偏差减小，因此，各放电单元C1的发光效率偏差比以往的PDP减少，可制造能在面板的整个面内取得稳定发光效率的PDP。
而且，该PDP 160根据与在第19实施例中所说明的相同理由，可把行电极对(X3、Y3)相对于放电单元C1在列方向上配置在与放电单元C1的中央位置上下偏离的位置上，因此，行电极对(X3、Y3)相对于放电单元C1的位置精度的容许量增大，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
而且，上述PDP 160不仅具有与上述第19实施例的情况相同的效果，而且由于透明电极X3a、Y3a的列方向的宽度具有与以往的PDP相同的大小，并且总线电极X3b、Y3b配置在离开放电间隙g3的位置上，因而来自荧光体层的发光受到由金属膜构成的总线电极X3b、Y3b干扰的影响减小，发光取出效率提高。
即，在本实施例的情况下，具有以下特性：越接近放电间隙，发光强度就越高，越接近横壁，发光强度就越弱。因此，在该结构的情况下，发光强度高的部分不会被总线电极遮蔽，可取得更高的发光效率。
然后，根据该PDP 160的结构，用于减小总线电极对来自荧光体层的发光的影响的结构与前述第20实施例的PDP的情况相比可简化。
并且，例如，图57和图58示出了总线电极X3b、Y3b配置在与放电单元C1的开口面对置的位置上的例子，然而，如图59所示，只要构成行电极对(X4、Y4)的各行电极X4、Y4的总线电极X4b、Y4b配置在离开放电单元C1的开口面的位置上，总线电极X4b、Y4b对来自荧光体层的发光就没有影响，从而可大幅提高发光取出效率。
上述PDP 160还由于行电极对(X3、Y3)的结构与以往相同，因而不需要制造工序的大的变更，并且由于第2电介质层33的形成位置可任意设定，因而设计和制造上的自由度增大，因此，可实现制造成本的低廉化和对产品成品率的贡献。
另外，在上述中，示出了构成行电极的透明电极分别形成为沿着总线电极在邻接的放电单元间呈带状连续的形状的例子，然而透明电极也可以是按照各放电单元独立形成并与总线电极连接的结构。
并且，在上述中，示出了第2电介质层分别形成为在行方向上延伸的带状的例子，然而层叠在第1电介质层上的第2电介质层如图60所示的第2电介质层33那样，形成为在与放电单元C1的开口面对置的部分形成有方形的开口部33a的大致格子形状，借助该开口部33a，可以把覆盖透明电极X3a和Y3a的各自的前端部分的列方向的宽度Wx3和Wy3的部分以及与放电间隙g3对置的部分以外的部分的电介质层的膜厚设定为不形成壁电荷的厚度。
【实施例22】图61和图62示出本发明的实施方式中的第22实施例，图61是示意性地示出该第22实施例的PDP的一部分的正视图，图62是图61的V16-V16线的剖面图。
在该图61和图62中，对于与前述第4实施例的PDP相同的构成部分，附上与图12和图13相同的符号。
前述第21实施例的PDP构成为通过由形成在覆盖行电极对的第1电介质层上的第2电介质层限制维持放电的放电范围来形成窄深度放电，相比之下，该第22实施例的PDP 170在与由大致格子形状的隔壁15所划分的放电单元C1对置的位置上形成有与以往的PDP(参照图1)相同尺寸的行电极对(X3、Y3)，仅在该电介质层102的面对放电空间的背面侧的所需位置上，使用MgO等的高γ材料把二次电子放出层43形成为在行方向上呈带状延伸，借助该二次电子放出层43，使在透明电极X3a和Y3a之间产生的维持放电形成窄深度放电。
即，PDP 170在前面玻璃基板11的背面，将与图1的以往的PDP相同的列方向的宽度例如是400～1000μm的带状的透明电极X3a、Y3a相互隔开所需间隔(放电间隙g4)在行方向上平行延伸，在该透明电极X3a、Y3a的背面的基端侧，分别使带状的总线电极X3b、Y3b形成为在行方向上延伸，并与透明电极X3a、Y3a连接。
该行电极对(X3、Y3)由形成在前面玻璃基板11的背面的电介质层102覆盖。
覆盖该行电极对(X3、Y3)的电介质层102使用例如氧化锌(ZnO)系玻璃或该氧化锌(ZnO)系玻璃和氧化磷(P2O5)系玻璃的混合物等的相对介电常数小于等于9.3，优选的是小于等于8的低电介质材料形成为使垂直于前面玻璃基板11的方向的膜厚d7大于等于35μm。
然后，仅在该电介质层102的背面上的与放电间隙g4和包含隔着该放电间隙g4位于两侧的透明电极X3a和Y3a的各自的前端部分的列方向的宽度Wx4和Wy4的部分的部分对置的位置上，使用MgO等的高γ材料形成在行方向上呈带状延伸的二次电子放出层43。
作为该二次电子放出层43的形成方法，例如，具有以下方法等，即：使具有与二次电子放出层43的形成位置对应的开口部的掩模介于电介质层102和高γ材料的材料蒸发源之间，使从材料蒸发源产生的高γ材料的蒸气附着在电介质层102的与掩模的开口部对置的部分上进行成膜。
该二次电子放出层43的与透明电极X3a、Y3a对置的部分的各自的列方向的宽度Wx4和Wy4被设定为小于等于150μm。
然后，封入在放电空间内的全压为66.7kPa(500乇)的放电气体的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)。
上述PDP 170由于行电极对(X3、Y3)的各行电极X3、Y3的列方向的宽度具有与以往的PDP大致相同的尺寸，而由高γ材料形成的二次电子放出层43仅配置在电介质层102上的与放电间隙g4和该放电间隙g4的两侧的透明电极X3a和Y3a的各自的前端部分的宽度Wx4和Wy4的部分对置的位置上，因而在透明电极X3a和Y3a之间产生的维持放电的大部分产生在形成有该二次电子放出层43的区域的范围内，因此，该维持放电形成在第1实施例中所说明的窄深度放电。
以上所述，上述PDP 170与第19实施例的情况一样，由于维持放电成为窄深度放电，因而与以往的PDP相比以非常高的效率进行真空紫外线的生成，并且由于封入在放电空间内的放电气体中的氙气分压被设定为大于等于6.67kPa(50乇)，因而可使用从该放电气体中的氙气产生的真空紫外线中的主要是几乎没有衰减的波长172nm的分子线进行荧光体层的激励，因此与以往的PDP相比可取得高的发光效率。
然后，上述PDP 170与第19实施例的情况一样，由于覆盖行电极对(X3、Y3)的电介质层102使用相对介电常数小于等于9.3的低电介质材料形成，因而在进行窄深度放电且封入有高氙气分压的放电气体的PDP中，维持放电时的电离量得到抑制，由于真空紫外线生成效率的改善而使照射到荧光体层的真空紫外光量增大，从而使发光效率得到改善，而且，由于该电介质层102的膜厚d7被设定为大于等于35μm，因而由各放电单元C1的电介质层102的膜厚偏差产生的放电电流偏差减小，因此，各放电单元C1的发光效率偏差比以往的PDP的情况减小，可制造能在面板的整个面内取得稳定发光效率的PDP。
而且，该PDP 170根据与在第19实施例中所说明的相同理由，可把行电极对(X3、Y3)相对于放电单元C1在列方向上配置在与放电单元C1的中央位置上下偏离的位置上，因此，行电极对(X3、Y3)相对于放电单元C1的位置精度的容许量增大，从而可有助于通过提高制造工序中的产品成品率来降低制造成本。
而且，上述PDP 170不仅具有与上述第19实施例的情况相同的效果，而且由于透明电极X3a、Y3a的列方向的宽度具有与以往的PDP相同的大小，并且总线电极X3b、Y3b配置在离开放电间隙g4的位置上，因而来自荧光体层的发光受到由金属膜构成的总线电极X3b、Y3b干扰的影响减小，发光取出效率提高。
即，在本实施例的情况下，具有以下特性：越接近放电间隙，发光强度就越高，越接近横壁，发光强度就越弱。因此，在该结构的情况下，发光强度高的部分不会被总线电极遮蔽，可取得更高的发光效率。
然后，根据该PDP 170的结构，用于减小总线电极对来自荧光体层的发光的影响的结构与前述第20实施例的PDP的情况相比可简化。
并且，根据该PDP 170的结构，由于窄深度放电的产生区域根据二次电子放出层43的形成位置和尺寸自由设定，因而设计和制造上的自由度增大，可灵活应对设计变更等。
另外，在上述中，示出了二次电子放出层43形成为在行方向上呈带状延伸的形状的例子，然而该二次电子放出层也可以按照各放电单元C1形成为独立的所谓的岛形状。
并且，在上述中，示出了构成行电极的透明电极分别形成为沿着总线电极在邻接的放电单元间呈带状连续的形状的例子，然而透明电极也可以是按照各放电单元独立形成并与总线电极连接的结构。