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皮石斛组培苗的移植方法

阅读:677发布:2023-02-11

专利汇可以提供皮石斛组培苗的移植方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了 铁 皮石斛组培苗的移植方法,是将铁皮石斛的组培苗取出,经过漂洗、消毒后移植至无土基质,定植3-4天后,于一个月内对叶面轮流喷施活 力 素和营养剂各8-10次,每天喷施一种,再转入常规种植管理。本发明的有益效果为:本发明提供的铁皮石斛组培苗的移植方法,通过对组培苗叶面轮流喷施活力素和营养剂,达到了以下效果:1、使植株活力增强,长势旺盛且健壮,叶色浓绿色且有光泽,移植半年后苗平均高15cm,平均径粗0.5cm;2、植株抗病性提高,极少发病;3、移植成活率大幅度提高,可达到98%以上。,下面是皮石斛组培苗的移植方法专利的具体信息内容。

1.皮石斛组培苗的移植方法,其特征在于,是将铁皮石斛的组培苗取出,经过漂洗、消毒后移植至无土基质,定植3-4天后,于一个月内对叶面轮流喷施活素和营养剂各
8-10次,每天喷施一种,再转入常规种植管理。
2.根据权利要求1所述的铁皮石斛组培苗的移植方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将铁皮石斛组培苗从玻璃瓶中取出,置于洁净塑料盆内;
2)将步骤1)取出的铁皮石斛组培苗置于清中漂洗干净其根部残留的培养基,得到洁净组培苗;
3)将步骤2)得到的洁净组培苗置于塑料盆内消毒,消毒方法为采用1000倍甲基托布津稀释溶液或多菌灵稀释溶液浸泡10分钟,再将组培苗晾干至根部发白,得到消毒后组培苗;
4)将步骤3)得到的消毒后组培苗移植于无土基质上,每2-3个芽苗为一丛,丛间距规格为5×5cm;
5)待步骤4)中的组培苗移植至无土基质上定植3-4天后,从第5天开始每天对组培苗叶面轮流喷施活力素和营养剂;药剂的使用浓度为800-1000倍稀释溶液,每天喷施一种,每种药剂喷施8-10次,喷施至叶面湿润为止,1个月后即可转入常规种植管理。
3.根据权利要求2所述的铁皮石斛组培苗的移植方法,其特征在于,所述无土基质的制备方法为:将充分发酵过的基质原料碎树皮或锯末铺在苗床上,基质原料铺设厚度为
10-18cm,先用清水淋透,再用800倍杀菌剂溶液浇透消毒,滤干基质原料中的水分后即得到无土基质。
4.根据权利要求3所述的铁皮石斛组培苗的移植方法,其特征在于,所述基质原料碎树皮或锯末的发酵方法为:将碎树皮或锯末平摊在地面上,原料厚20-30cm,用质量百分浓度为0.5%的尿素水溶液喷洒至原料湿透,然后归堆,堆高为1-1.2m,覆盖一层薄膜堆沤,发酵一个月后翻堆,重新覆盖薄膜再发酵一个月,即得到腐熟基质原料。

说明书全文

皮石斛组培苗的移植方法

技术领域

[0001] 本发明涉及农业种植领域,具体涉及铁皮石斛组培苗的移植方法。

背景技术

[0002] 铁皮石斛(学名:Dendrobium officinale Kimura et Migo),又名:黑节草、南铁皮。属微子目,兰科多年生附生草本植物。茎直立,圆柱形,长9-35厘米,粗2-4毫米,萼片和花瓣黄绿色,近相似,长圆状披针形,长约1.8cm,宽4-5mm,花期3-6月。主要分布于中国安徽、浙江、福建等地。其茎可入药,属补益药中的补阴药,能够益胃生津,滋阴清热。
[0003] 目前铁皮石斛组培苗的移植均采用无土基质移植法。具体方法是:出瓶的组培苗经漂洗、消毒后,将其移植到疏松(锯末或碎树皮等)基质上,通过人工调控光照、份和养份,以及病虫害防治,使铁皮石斛组培苗正常生长,此技术即为常规管护方法。
[0004] 现有技术的缺点为:铁皮石斛苗长势弱,移植半年后苗平均高仅6cm,平均径粗0.3cm;抗逆性差,常大面积发病;移植成活率低,仅是10-60%。

发明内容

[0005] 本发明的目的就是针对上述现有技术中的缺陷,提供了一种移植成活率高,植株长势旺盛的铁皮石斛组培苗的移植方法。
[0006] 为了实现上述目的,本发明提供的技术方案为:铁皮石斛组培苗的移植方法,是将铁皮石斛的组培苗取出,经过漂洗、消毒后移植至无土基质,定植3-4天后,于一个月内对叶面轮流喷施活素和营养剂各8-10次,每天喷施一种,再转入常规种植管理。
[0007] 进一步的,上述的铁皮石斛组培苗的移植方法,包括以下步骤:1)将铁皮石斛组培苗从玻璃瓶中取出,置于洁净塑料盆内;
2)将步骤1)取出的铁皮石斛组培苗置于清水中漂洗干净其根部残留的培养基,得到洁净组培苗;
3)将步骤2)得到的洁净组培苗置于塑料盆内消毒,消毒方法为采用1000倍甲基托布津稀释溶液或多菌灵稀释溶液浸泡10分钟,再将组培苗晾干至根部发白,得到消毒后组培苗;
4)将步骤3)得到的消毒后组培苗移植于无土基质上,每2-3个芽苗为一丛,丛间距规格为5×5cm;
5)待步骤4)中的组培苗移植至无土基质上定植3-4天后,从第5天开始每天对组培苗叶面轮流喷施活力素和营养剂;药剂的使用浓度为800-1000倍稀释溶液,每天喷施一种,每种药剂喷施8-10次,喷施至叶面湿润为止,1个月后即可转入常规种植管理。
[0008] 转入常规种植管理后,药剂的使用浓度为4000倍。
[0009] 进一步的,上述的铁皮石斛组培苗的移植方法,所述无土基质的制备方法为:将充分发酵过的基质原料碎树皮或锯末铺在苗床上,基质原料铺设厚度为10-18cm,先用清水淋透,再用800倍杀菌剂溶液浇透消毒,滤干基质原料中的水分后即得到无土基质。
[0010] 进一步的,上述的铁皮石斛组培苗的移植方法,所述基质原料碎树皮或锯末的发酵方法为:将碎树皮或锯末平摊在地面上,原料厚20-30cm,用质量百分浓度为0.5%的尿素水溶液喷洒至原料湿透,然后归堆,堆高为1-1.2m,覆盖一层薄膜堆沤,发酵一个月后翻堆,重新覆盖薄膜再发酵一个月,即得到腐熟基质原料。
[0011] 本发明的有益效果为:本发明提供的铁皮石斛组培苗的移植方法,通过对组培苗叶面轮流喷施活力素和营养剂,达到了以下效果:1、使植株活力增强,长势旺盛且健壮,叶色浓绿色且有光泽,移植半年后苗平均高
15cm,平均径粗0.5cm;
2、植株抗病性提高,极少发病;
3、移植成活率大幅度提高,可达到98%以上。
附图说明
[0012] 图1为铁皮石斛组培瓶苗定植后喷施活力素和营养剂的流程示意图。

具体实施方式

[0013] 所使用的制剂来源为:活力素:植物叶霸(潍坊健牌生物科技研究所)500倍稀释液和翠筠B-1活力素(广东农作物病虫测报站农科服务社)500倍稀释液等体积混合。
[0014] 营养剂配制:准确称取尿素5.4kg、硫酸铵0.45kg、磷酸二氢铵1.25kg、硝酸1.8kg、磷酸二氢钾0.45kg、硫酸镁0.9kg、微肥(STEM)0.1kg。若原料为状或颗粒需粉碎,然后将各种成分充分混合均匀即得营养剂。
[0015] 甲基托布津:允发化工(上海)有限公司。
[0016] 多菌灵:淄博恒生农药有限公司。
[0017] 杀菌剂(消毒无土基质用):百菌清(广东中迅农科股份有限公司)。
[0018] 实施例1:(一)组培苗出瓶:用长柄镊子将铁皮石斛组培苗从玻璃瓶内取出,置于干净的塑料盆内;
(二)漂洗:将组培苗置于清水中,把残留在根部的培养基漂洗干净;
(三)消毒:将洗净的瓶苗置于塑料盆内,用1000倍甲基托布津或多菌灵浸泡10分钟,然后捞出置于阴凉处晾干至根部发白,待移植;
(四)移植:将充分发酵过的碎树皮或锯末铺在苗床上,基质厚度10~18cm,先用清水淋透,再用800倍杀菌剂浇透消毒,待基质滤干水后,将消毒好的瓶苗移植在基质上,一般
2~3个芽为一小丛,丛与丛之间的种植规格为5×5cm;
(五)喷施活力素和营养剂:如图1所示,瓶苗定植在苗床3~4天后,第5天开始每天对叶面喷施活力素和营养剂,这两种药剂使用的浓度均为800~1000倍,一天只喷一种,轮流喷施,每种药剂喷施8~10次,每次喷施以叶面湿润为度,夏秋高温期,宜在上午9~10点钟喷施,春冬季节,应在温暖的中午喷施,特别注意,阴雨或阴冷(气温低于15℃)天气不宜喷施;
(六)常规管理:组培瓶苗定植经喷施活力素和营养剂后,其长势旺盛,成活率高达98%以上,随后转入常规管理,铁皮石斛常规管理如下:
1、温度控制:调节大棚的通遮阳网,保持棚内温度在12-35℃以内,以25-30℃最为理想,冬季确保在0℃以上;
2、光照控制管理:铁皮石斛喜半阴半阳、凉爽环境,早晚或阴天宜打开遮阳网,晴天高温时,宜盖网遮阳;
3、湿度(水份)控制:铁皮石斛最适宜生长湿度在80%左右,基质微湿为好,若基质过干,不利于铁皮石斛生长,甚至会脱水而死亡;基质湿度过大,会导致根茎腐烂,铁皮石斛湿度控制经验:空气湿度宜大、根系湿度宜小;夏秋高温期,宜在早晨或傍晚喷灌,避免中下午高温时喷灌;春冬季节,应在温暖的中午喷灌;
4、施肥管理:气温在20℃以上时,适时施肥,促进植株生长;
叶面肥:选择在有阳光的上午(10点钟前),每隔1-2天喷施一次叶面肥,叶面肥选用兰花高氮或平均肥,使用浓度4000倍;
根灌肥:每7-10天根灌一次,春夏季选用兰花高氮肥或平均肥,秋季选用兰花平均肥或高磷钾肥,使用浓度2500-3000倍,冬季阴冷天气(15℃以下)不宜施肥;待铁皮石斛苗长高至15—20公分时,施肥应以有机肥料为主,适当配施无机肥,可改善品质和提高产量;
5、病虫害防治原则:尽量减少农药使用次数和用药量,以减少对药材和环境的污染,在必须施用农药时,应严格按照《中华人民共和国农药管理条例》的规定,选用高效、低毒、低残留农药,禁止使用剧毒、高残毒农药。
[0019] 最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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