一种提高析出强化奥氏体耐热钢中特殊晶界比例的方法
专利汇可以提供一种提高析出强化奥氏体耐热钢中特殊晶界比例的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 属于析出强化奥氏体耐热 钢 领域，涉及一种提高析出强化奥氏体耐热钢中特殊 晶界 比例的方法。优化处理工艺包括固溶、 冷轧 和 退火 。其特征在于，先经1150～1300℃保持20～60min的固溶处理；再进行 变形 量为20～60%室温 轧制 ，单道次压下量不低于15%，随后在1100～1250℃的 温度 下，进行周期性短时退火， 水 冷。经过优化处理后，析出强化奥氏体耐热钢显微组织中特殊晶界分布均匀，比例高于80%。本发明通过增加室温变形量提高应变储存能，促进析出强化奥氏体钢中再结晶的发生，从而提高析出强化型高Cr高Ni奥氏体耐热钢中特殊晶界比例，优化其与晶界相关的性能，尤其是耐 腐蚀 性和抗辐照肿胀能 力 。，下面是一种提高析出强化奥氏体耐热钢中特殊晶界比例的方法专利的具体信息内容。
1.一种提高析出强化奥氏体耐热钢中特殊晶界比例的方法：包括固溶、冷轧和退火,其主要特征在于如下步骤：
步骤一、固溶处理：
由于合金含量较高，为了顺利实现室温变形，需在更高温下进行固溶处理；
在1150～1300℃的温度范围内，保温20～60min，然后淬水；
步骤二、冷轧：
在室温下，对固溶处理后的钢板进行中等变形量的轧制，变形量范围为20～60%，控制单道次压下量不低于15%；
步骤三、退火：
在1100～1250℃的温度范围内，同一温度分不同周期进行退火，第一周期是保温
20min然后淬水，第二周期是在该温度下保温20min淬水后，再保温40min后淬水；第三周期是在第二周期基础上，再在该温度下保温退火60min后淬水，以此类推。
2.根据权利要求1所述的一种提高析出强化奥氏体耐热钢中特殊晶界比例的方法：其特征在于所述步骤一中：在1180～1250℃下保温25～40min，水冷至室温。
3.根据权利要求1所述的一种提高析出强化奥氏体耐热钢中特殊晶界比例的方法：其特征在于所述步骤二中的冷轧压下量的特征在于：在室温进行轧制，压下量为30～40%，控制单道次压下量不低于15%。
4.根据权利要求1所述的一种提高析出强化奥氏体耐热钢中特殊晶界比例的方法：其特征在于所述步骤三：在1150～1230℃下，进行1～2个周期的退火，水冷至室温。
5.根据权利要求1所述的一种提高析出强化奥氏体耐热钢中特殊晶界比例的方法：
其特征在于所述步骤一和三中的升温过程：分两段加热，室温～800℃的升温速度不大于
10℃/min；800℃～目标温度的升温速率为15～25℃/min。
一种提高析出强化奥氏体耐热钢中特殊晶界比例的方法
技术领域
背景技术
40％的变形后，进行高于再结晶温度的短时间(5～60min)退火，并重复进行3～7次。这两种工艺多用于304，316奥氏体不锈钢、镍基合金、铅合金等金属材料，在形成退火孪晶的基础上，提高低ΣCSL晶界含量。Engelberg等在研究304型不锈钢的变形历史对后续变形量的影响时发现，在单道次变形量为5％/1050℃/1h时获得较高百分数的Σ3晶界和二级、三级孪晶界。而在二步大应变量分别为30％和82％，却没有得到期望的低ΣCSL晶界含量。Fang等对304奥氏体不锈钢的研究表明，小变形量(6％～10％)样品在1173K进行长时间(2～96h)退火，可增加特殊晶界的比例，并有效阻断一般大角晶界网络的连通性，提高材料的晶间腐蚀抗力。Kumar等认为在退火过程中，不同变形量(50～80％)的304L奥氏体不锈钢，Σ3特殊晶界的产生过程不同。Sekine观察了晶界工程控制的PNC316中的CSL晶界分数达到86％，晶界网被隔断，在700℃时效100h后，晶界网没有明显变化，具有很低的辐照肿胀速率。
发明内容
(1)固溶处理：由于合金含量较高，为了顺利实现室温变形，需在更高温下进行固溶处理。在1150～1300℃的温度范围内，保温20～60min，然后淬水；
(2)冷轧：在室温下，对固溶处理后的钢板进行中等变形量的轧制，变形量范围为20～
60％，控制单道次压下量不低于15％；
(3)退火：在1100～1250℃的温度范围内，同一温度分不同周期进行退火，第一周期是保温20min然后淬水，第二周期是在该温度下保温20min淬水后，再保温40min后淬水。第三周期是在第二周期基础上，再在该温度下保温退火60min后淬水，以此类推。周期性退火工艺过程示意图详见图1。
(2)在析出强化奥氏体耐热钢中，为了实现退火过程的再结晶并提高特殊晶界比例，本发明的采用中等变形量的室温轧制变形，增加累积位错及应变储存能，并在更高温度下进行退火；
(3)本发明在退火过程中采用循环性的周期退火过程，避免在高温保温过程中，晶粒尺寸的长大，从而实现优化显微结构和提高特殊晶界含量的目的。本发明中采用的工艺方法，不需要长时间保温，也不需要进行循环多次的冷变形，此方法更为简便，具有可操作性强，兼具节约时间和成本的优点。
附图说明
图3为本发明实例2的特殊晶界分布图
图4为本发明实例3的特殊晶界分布图
具体实施方式
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