技术领域
[0001] 本实用新型涉及
半导体制造技术领域，尤其涉及一种氧化炉晶舟。
背景技术
[0002] 半导体器件设计向高
密度、高集成度的方向迅速发展，对半导体集成
电路新工艺、新技术、新设备提出了越来越高的要求。在半导体制造工艺中需要在晶片的衬底上沉积不同种类的
薄膜，而在各种沉积薄膜的方法中，低压
化学气相沉积(LPCVD，Low Pressure Chemical Vapor Deposition)是一种常用的方法，已经被广泛应用到各种薄膜的沉积工艺中。
[0003] 在LPCVD工艺中，当前采用的主流设备是立式炉管，利用立式炉管对晶片沉积薄膜的工艺一般为：氧化炉晶舟在装载区载入若干晶片后，将装载了晶片的氧化炉晶舟放入炉管内，同时，工艺气体通过管路供给到立式炉管内，然后开始对晶片进行沉积工序。通常，工艺气体是从氧化炉晶舟底部向顶部进行扩散，因而，在晶舟底部的工艺气体浓度较高，相对的在晶舟顶部的工艺气体浓度较低，这就导致同一氧化炉晶舟内的若干晶片之间的成膜厚度不一致，片间均匀性较差。
[0004] 另一方面，因为现有的氧化炉晶舟的材料主要是
石英，所以氧化炉晶舟整体重量较重。由于氧化炉晶舟上缺少合适搬运的受
力处，工作人员在进行晶舟拆装时，只能将双手置于氧化炉晶舟上的
支撑筋部分，但由于该部分空间较小，经常会出现工作人员触碰到晶舟的环形片状部件，导致该部分因受搬运的作用力而碎裂，从而导致整个晶舟因环形片状部件碎裂而报废。实用新型内容
[0005] 本实用新型的目的在于，通过环形片状部件的空心圆的直径从氧化炉晶舟底部向上逐渐增大，解决同一氧化炉晶舟内的若干晶片之间的成膜厚度不一致的问题。
[0006] 本实用新型的另一目的在于，通过在上盖板上设置
手柄为搬运时提供受力处，防止环形片状部件碎裂。
[0007] 本实用新型提供的一种氧化炉晶舟，包括：上盖板、下盖板、环形片状部件、支撑脚和支撑筋。其中，所述上盖板与所述下盖板之间通过所述支撑筋连接；所述环形片状部件均匀分布于所述上盖板和下盖板之间，所述环形片状部件的空心圆的直径从所述氧化炉晶舟的底部向所述氧化炉晶舟的顶部逐渐增大；所述支撑脚安装在所述环形片状部件上。
[0008] 其中，所述环形片状部件的材料为石英；
[0009] 其中，所述上盖板为圆形片状结构；所述下盖板为环形片状结构。
[0010] 进一步的，所述上盖板的材料为石英；所述下盖板的材料为石英。
[0011] 其中，所述支撑筋的数量为3根，所述支撑筋沿所述环形片状部件的直径方向的
连接线构成一等腰直
角三角形。
[0012] 其中，所述支撑脚包括多个的支撑部，并且所述多个支撑部之间具有高度差。
[0013] 进一步的，所述支撑脚包括第一支撑部、第二支撑部以及连接所述第一支撑部和所述第二支撑部的连接段，所述第一支撑部靠近所述支撑筋，并且所述第二支撑部的高度小于第一支撑部的高度。
[0014] 优选的，所述支撑脚的数量为3个，每个支撑脚均与所述支撑筋固定连接。
[0015] 更优选的，所述支撑脚具有尖端，所述支撑脚的尖端为三棱柱、四棱柱或圆锥形结构中的一种或其组合。
[0016] 更优选的，所述支撑脚的材料为石英。
[0017] 其中，所述上盖板上安装有手柄；进一步的，所述手柄与所述支撑筋、接；更进一步的，所述手柄上设置有凹槽或凸起；再进一步的，所述手柄的材料为石英。
[0018] 本实用新型中，环形片状部件中的空心圆从底部向上逐渐增大，从而有利于工艺气体向上扩散并使晶舟顶部的晶片与工艺气体更充分
接触反应，提高工艺时晶舟上的晶片的成膜均匀性，保证良好工艺。本实用新型还通过在上盖板上设置的手柄作为氧化炉晶舟搬运的受力处，可极大地方便晶舟的安装及拆除的便利，防止晶舟损坏。
附图说明
[0019] 图1为本实用新型的
实施例的立体视图；
[0020] 图2为本实用新型简化后的实施例的立体视图；
[0021] 图3为本实用新型的实施例的某一环形片状部件上的剖面俯视图；
[0022] 图4为本实用新型的实施例的沿支撑脚方向某一环形片状部件上的剖视图；
[0023] 图中，10－上盖板，20－下盖板，30－环形片状部件，40－支撑脚，50－支撑筋，60－空心圆，70－手柄，80－晶片，41－第一支撑部，42－第二支撑部，43－第三支撑部，
400－尖端。
具体实施方式
[0024] 为了使本实用新型的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本
说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
[0025] 如图1、图2所示，本实用新型提供的一种氧化炉晶舟，包括：上盖板10、下盖板20、环形片状部件30、支撑脚40和支撑筋50。其中，所述上盖板10与所述下盖板30之间通过所述支撑筋50连接，所述环形片状部件30均匀分布于所述上盖板10和所述下盖板20之间，每个环形片状部件30上均有支撑脚40。
[0026] 继续参考图2，环形片状部件30的空心圆60的直径从所述氧化炉晶舟底部向所述氧化炉晶舟的顶部逐渐增大。由于工艺气体是从氧化炉晶舟底部向氧化炉晶舟顶部进行扩散，所以氧化炉晶舟底部的工艺气体浓度相对于氧化炉晶舟顶部的工艺气体浓度较高，氧化炉晶舟底部的环形片状部件30中的空心圆60的直径较小，使氧化炉晶舟底部的的晶片与工艺气体的接触面较小；氧化炉晶舟顶部的环形片状部件30中的空心圆60的直径较大，使氧化炉晶舟顶部的晶片与工艺气体更充分接触反应，提高工艺时氧化炉晶舟上的晶片的成膜均匀性，保证良好工艺。
[0027] 较佳方案中，所述环形片状部件30的空心圆60的直径从氧化炉晶舟底部由下至上递增的比例为2mm，例如，适用于当前主流晶片size(300mm)的所述氧化炉晶舟的由下数第一个(最底部的)环形片状部件30的空心圆60的直径为145mm，由下数第二个环形片状部件30的空心圆60的直径为147mm。需要说明的是，本实用新型并不限定环形片状部件30的数量，为了方便图示，图2中减少了环形片状部件30的数量；并且本实用新型并不限定空心圆60的直径的递增比例，递增比例需要根据氧化炉晶舟高度大小、环形片状部件30之间的间距、支撑脚40长度以及工艺气体等情况设定。
[0028] 其中，所述上盖板10为圆形片状结构，可减缓工艺气体继续向上扩散并起到防护和支撑作用；所述上盖板10的材料为石英，石英具有较高的机械强度和化学
稳定性。
[0029] 其中，所述下盖板20为环形片状结构，有利于工艺气体从氧化炉晶舟底部向上运动，与所述上盖板10一起提供防护和支撑作用；所述下盖板20的材料为石英。
[0030] 如图3所示，本实施例中，支撑筋50的数量为3个，使氧化炉晶舟的结构稳定性较佳；3根支撑筋50沿所述环形片状部件30的直径方向的连线构成一等腰直角三角形，以便于晶片的取放。
[0031] 继续参考图3，本实施例中，环形片状部件30上的支撑脚40的数量为3个，每个支撑脚40均与所述支撑筋50固定连接。
[0032] 如图4所示，本实施例中，所述支撑脚40包括第一支撑部41、第二支撑部42以及连接第一支撑部41和第二支撑部42的连接段43，所述第二支撑部41的高度小于第一支撑部42的高度，可以承载两种不同尺寸的晶片80，提高氧化炉晶舟的利用率。需要说明的是，所述支撑脚40可以包含多个支撑部，并且所述多个支撑部之间具有依次递减的高度差，以承载三种以上不同尺寸的晶片。所述氧化炉晶舟的所有支撑脚40的尺寸相同，通过支撑脚40的支撑部支撑及限位，保证同一尺寸晶片在氧化炉晶舟中
位置相对一致，提高工艺时晶舟上的晶片的成膜均匀性。
[0033] 继续参考图4，所述支撑脚40具有一尖端400，通过尖端400来支撑晶片80，以此减小晶片80与支撑脚40的接触面。例如，所述支撑脚40的尖端400为三棱柱、四棱柱或圆锥形结构中的一种或其组合。
[0034] 优选的，所述支撑脚40的材料为石英。
[0035] 如图1、图2所示，本实施例中，所述上盖板10上安装有手柄70，为人力搬运或安装时提供受力处。
[0036] 优选的，3个支撑筋50由所述上盖板10向上延伸并与所述手柄70连接，使手柄70上的作用力均匀分布到氧化炉晶舟上，防止受力不均导致晶舟损坏。
[0037] 更优选的，所述手柄70上设置有防滑凹槽或凸起，防止打滑；所述手柄70的材料为石英。
[0038] 本实用新型中，环形片状部件中的空心圆从底部向上逐渐增大，利于工艺气体向上扩散并使晶舟顶部的晶片与工艺气体更充分接触反应，提高工艺时晶舟上的晶片的成膜均匀性，保证良好工艺。本实用新型通过在上盖板设置的手柄，作为晶舟搬运的受力处，可极大地方便晶舟的安装及拆除，防止晶舟损坏。
