1.一种纳米自旋阀阵列的制备方法，其特征在于，具体步骤为：
一、选取多孔阳极氧化铝模板，孔洞两端是相通的，孔径30-100nm, 孔间距90～120nm, 面密度1011/cm2；
二、多孔阳极氧化铝模板的预处理：
（1）在多孔阳极氧化铝模板的一个表面溅射Au和Ta膜，作为电化学沉积时的工作电极，方法是：把多孔阳极氧化铝模板置于磁控溅射中，在多孔阳极氧化铝模板一个表面溅射上一层厚度为400～800nm的Au膜，然后在Au膜上再溅射10～20 nm 厚的Ta膜，作为电化学沉积时的工作电极，以及后续电沉积反铁磁层和铁磁层的种子层，以便使反铁磁材料FeMn合金在面心立方晶面择优生长，从而使反铁磁材料的钉扎作用更强；
（2）把上述溅射Au膜和Ta膜的多孔阳极氧化铝模板依次放在丙酮、无水乙醇、去离子水中各浸泡10分钟，超声波清洗5分钟，是为了清洗和排出孔道内的气泡；所述的丙酮为分析纯；
三、采用不同的电镀槽分别电化学沉积纳米自旋阀的各层，克服使用单一槽电化学沉积各层材料带来的各种金属共沉积的缺点，方法是：取槽1、槽2、槽3和槽4，共四个电镀槽，每个电镀槽装有三个电极：（1）参比电极：饱和甘汞电极；（2）辅助电极：Ru02／Ti02电极；（3）工作电极：预处理后的多孔阳极氧化铝模板；纳米自旋阀由五个层自下向上叠装在一起构成，直径为30-100nm，五个层依次是（：1）、反铁磁钉扎层，由FeMn合金构成，厚度8～15nm，其中，合金中Mn所占的重量百分比为47%～53%（；2）、铁磁被钉扎层（PFL），由NiFe合金或Co构成，厚度5～10nm，其中，合金中Ni所占的重量百分比为75%～85%；（3）、非磁性金属隔离层，由Cu构成，厚度2～4nm；（4）、铁磁自由层，由NiFe合金或Co构成，厚度3～8nm，其中，合金中Ni所占的重量百分比为75%～85%；（5）、保护层，由Cu构成，厚度10～15nm；
所述的槽1内有由FeSO4·7H2O 0.3～0.4 mol、MnSO4 0.4～0.5mol、（NH4）2SO4 0.2～0.3 mol、C6H5Na3O7·2H2O 0.07～0.15 mol加水至1升制成pH值为3.0～4.0的电镀溶液；
所述的槽2内由FeSO4·7H2O  0.02～0.1 mol、H3BO30.4～0.8 mol、NiSO4·6H2O 0.5～
1mol、C6H5Na3O7·2H2O  0.1～0.2 mol加水至1升制成pH值为3.0～4.0的电镀溶液；
所述的槽3内有由CoSO4·7H2O 0.42mol和H3BO3 0.47 mol加水至1升制成pH值为3.0～
4.0的电镀溶液；
所述的槽4内有由CuSO4·5H2O 0.01～0.02mol和H3BO3 0.4～0.6 mol加水至1升制成pH值为3.0～4.0的电镀溶液；
槽1：用来电化学沉积反铁磁钉扎层；当铁磁被钉扎层由NiFe合金构成时，用槽2进行电化学沉积；当铁磁自由层由NiFe合金构成时，使用槽2进行电化学沉积；当铁磁被钉扎层由Co构成时，用槽3进行电化学沉积；当铁磁自由层由Co构成时，使用槽3进行电化学沉积；槽
4：分别用来电化学沉积非磁性金属隔离层和保护层；
四、电化学沉积：
（1）在电化学沉积时，将预处理后的多孔阳极氧化铝模板，其中有膜的表面朝下，另一表面朝上放置，垂直于预处理后的多孔阳极氧化铝模板的方向，加500 Oe-1000 Oe的均匀外磁场，用来感生铁磁被钉扎层、铁磁自由层的单轴各向异性和排列反铁磁钉扎层的钉扎方向；
（2）将LAI200-PC104任意波形发生卡插入计算机PCI插槽，使用计算机上的LAI200-PC104任意波形发生卡的控制软件控制脉冲电信号发生器，根据电化学沉积纳米自旋阀的不同层，输出不同的电位，方法是：电化学沉积反铁磁钉扎层，电位选为－1.0～－1.3V；电化学沉积铁磁被钉扎层和铁磁自由层，电位选为－1.0～－1.2V；电化学沉积非磁性金属隔离层和保护层，电位选为－0.3V～－0.4V；所述的LAI200-PC104任意波形发生卡为成都佳仪科技发展有限公司的LAI200_PC104:1Ch50Msps14Bits任意波形发生卡；
（3）根据纳米自旋阀的每层不同材料的电化学沉积的速率，通过计算机上的LAI200-PC104任意波形发生卡的控制软件分别控制每层不同材料电化学沉积的时间，来控制沉积在预处理后的多孔阳极氧化铝模板内孔洞中纳米自旋阀每一层的厚度；
（4）电化学沉积的温度为18-25℃；
（5）每电化学沉积完纳米自旋阀的一层，换槽；换槽时，为防止沉积液交叉污染，把已电化学沉积的模板在去离子水中超声清洗5分钟；
（6）电化学沉积按以下顺序进行：反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁性金属隔离层、铁磁自由层、保护层，依次电化学沉积，即得到纳米自旋阀阵列；
所述的纳米自旋阀的每层不同材料电化学沉积的速率计算方法为：分别依次对纳米自旋阀的每一层的不同材料进行电化学沉积，当电流突然急剧增大时，标志着预处理后的多孔阳极氧化铝模板上的孔洞已被填满，记录下此时该层材料电化学沉积所用的时间，多孔阳极氧化铝模板的厚度除以该层材料电化学沉积所用的时间等于该层材料电化学沉积的速率；
所述的FeSO4·7H2O、MnSO4、（NH4）2SO4、NiSO4·6H2O、CoSO4·7H2O、CuSO4·5H2O和C6H5Na3O7·2H2O均为分析纯；所述的H3BO3的含量为99.999%。
2.根据权利要求1所述的纳米自旋阀阵列的制备方法，其特征在于，具体步骤为：
一、选取多孔阳极氧化铝模板，孔径40nm，孔间距100nm, 面密度1011/cm2；
二、多孔阳极氧化铝模板的预处理：
（A）多孔阳极氧化铝模板置于磁控溅射中，在多孔阳极氧化铝模板一个表面溅射上一层厚度为500nm的Au膜，然后在Au膜上再溅射15 nm厚的Ta膜；
（B）把上述溅射Au膜和Ta膜的多孔阳极氧化铝模板依次放在丙酮、无水乙醇、去离子水中浸泡10分钟，超声波清洗5分钟；
三、用槽1、槽2和槽4三个电镀槽电化学沉积纳米自旋阀，方法是：每个电镀槽装有三个电极：（1）参比电极：饱和甘汞电极（；2）辅助电极：Ru02／Ti02电极；（3）工作电极：预处理后的多孔阳极氧化铝模板；纳米自旋阀由五个层自下向上叠装在一起构成，直径为40nm，五个层依次是（：1）、反铁磁钉扎层，由FeMn合金构成，厚度10nm，其中，合金中Mn所占的重量百分比为51%（；2）、铁磁被钉扎层，由NiFe合金构成，厚度8nm，其中，合金中Ni所占的重量百分比为
82%；（3）、非磁性金属隔离层，由Cu构成，厚度3nm；（4）、铁磁自由层，由NiFe合金构成，厚度
5nm，其中，合金中Ni所占的重量百分比为82%；（5）、保护层，由Cu构成，厚度15nm；
槽1内有由FeSO4·7H2O 0.36 mol、MnSO4 0.47mol、（NH4）2SO4 0.22 mol和C6H5Na3O7·
2H2O 0.09 mol加水至1升制成pH 值为 3.5的电镀溶液；
槽2内有由FeSO4·7H2O 0.07mol、H3BO3 0.52mol、NiSO4·6H2O 0.68mol和C6H5Na3O7·
2H2O 0.17mol加水至1升制成PH 值3.5的电镀溶液；
槽4内有由CuSO4·5H2O  0.07mol和H3BO3 0.47 mol加水至1升制成PH 值3.5的电镀溶液；
槽1：用来电化学沉积反铁磁钉扎层；槽2：分别用来电化学沉积铁磁被钉扎层和铁磁自由层；槽4：分别用来电化学沉积非磁性金属隔离层和保护层；
四、电化学沉积：
（A）在电化学沉积时，将预处理后的多孔阳极氧化铝模板，其中有膜的表面朝下，另一表面朝上放置，垂直于预处理后的多孔阳极氧化铝模板的方向，加700 Oe的均匀外磁场；
（B）使用计算机上的LAI200-PC104任意波形发生卡的控制软件控制脉冲电信号发生器，电化学沉积反铁磁钉扎层，电位选为－1.3V；电化学沉积铁磁被钉扎层和铁磁自由层，电位均选为－1.2V；电化学沉积非磁性金属隔离层和保护层，电位选为－0.3V；
（C）根据纳米自旋阀每层材料电化学沉积的速率，通过计算机上的LAI200-PC104任意波形发生卡的控制软件分别控制电沉积的时间，来控制每层材料沉积在预处理后的多孔阳极氧化铝模板内孔洞中纳米自旋阀每一层的厚度，反铁磁钉扎层电沉积速率1.472nm/s，沉积时间6.78s，沉积厚度10nm；铁磁被钉扎层，沉积速率为1.024nm/s，沉积时间7.81s，沉积厚度8nm；非磁性金属隔离层，沉积速率0.957nm/s，沉积时间3.13s，沉积厚度3nm；铁磁自由层，沉积速率1.024nm/s，沉积时间4.88s，沉积厚度5nm；保护层Cu沉积速率0.957nm/s，沉积时间15.67s，沉积厚度15nm；
（D）电化学沉积的温度为20℃；
（E）每电化学沉积完纳米自旋阀的一层，换槽；换槽时，把已电化学沉积的模板在去离子水中超声清洗5分钟；
（F）电化学沉积按以下顺序进行：反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁性金属隔离层、铁磁自由层、保护层，依次电化学沉积，即得到纳米自旋阀阵列。
3.根据权利要求1所述的纳米自旋阀阵列的制备方法，其特征在于，具体步骤为：
一、选用多孔阳极氧化铝模板，孔径80nm,孔间距95nm, 面密度在1011/cm2；
二、多孔阳极氧化铝模板的预处理：
（1A）多孔阳极氧化铝模板置于磁控溅射中，在多孔阳极氧化铝模板一个表面溅射上一层厚度为800nm的Au膜，然后在Au膜上再溅射20 nm 厚的Ta膜；
（1B）把上述溅射Au膜和Ta膜的多孔阳极氧化铝模板依次放在丙酮、无水乙醇、去离子水中浸泡10分钟，超声波清洗5分钟；
三、用槽1、槽2、槽3和槽4共四个电镀槽电化学沉积纳米自旋阀，方法是：每个电镀槽装有三个电极（：1）参比电极：饱和甘汞电极（；2）辅助电极：Ru02／Ti02电极；（3）工作电极：预处理后的多孔阳极氧化铝模板；纳米自旋阀由五个层自下向上叠装在一起构成，直径为80nm，五个层依次是：（1）、反铁磁钉扎层，由FeMn合金构成，厚度11nm，其中，合金中Mn所占的重量百分比为49%；（2）、铁磁被钉扎层，由NiFe合金构成，厚度7nm，其中，合金中Ni所占的重量百分比为78%（；3）、非磁性金属隔离层，由Cu构成，厚度3nm；（4）、铁磁自由层，由Co构成，厚度
4nm；（5）、保护层，由Cu构成，厚度15nm；
所述的槽1内有FeSO4·7H2O 0.38 mol、MnSO4 0.42mol、（NH4）2SO4 0.22 mol和C6H5Na3O7·2H2O 0.09 mol加水至1升制成pH值为3.5的电镀溶液；
所述的槽2内由FeSO4·7H2O 0.08 mol、H3BO3 0.52 mol、NiSO4·6H2 O 0.63mol和C6H5Na3O7·2H2O 0.17mol加水至1升制成pH值为3.5的电镀溶液；
所述的槽3内有由CoSO4·7H2O 0.42mol和H3BO3 0.47 mol加水至1升制成pH值为3.5的电镀溶液；
所述的槽4内有由CuSO4·5H2O 0.07mol和H3BO3 0.47 mol加水至1升制成pH值为3.5的电镀溶液；
槽1：用来电化学沉积反铁磁钉扎层；槽2：用来电化学沉积铁磁被钉扎层；槽3：用来电化学沉积铁磁自由层；槽4：分别用来电化学沉积非磁性金属隔离层和保护层；
四、电化学沉积：
（1A）在电化学沉积时，将预处理后的多孔阳极氧化铝模板，其中有膜的表面朝下，另一表面朝上放置，垂直于预处理后的多孔阳极氧化铝模板的方向，加1000 Oe的均匀外磁场；
（1B）用计算机上的LAI200-PC104任意波形发生卡的控制软件控制脉冲电信号发生器，电化学沉积反铁磁钉扎层，电位选为－1.3V；电化学沉积铁磁被钉扎层，电位选为－1.2V；
电化学沉积铁磁自由层，电位选为－1.2V；电化学沉积非磁性金属隔离层和保护层，电位选为－0.3V；
（1C）根据纳米自旋阀每层材料电化学沉积的速率，通过计算机上的LAI200-PC104任意波形发生卡的控制软件分别控制电沉积的时间，来控制每层材料沉积在预处理后的多孔阳极氧化铝模板内孔洞中纳米自旋阀每一层的厚度，反铁磁钉扎层电沉积速率1.473nm/s，沉积时间7.47s，沉积厚度11nm；铁磁被钉扎层沉积速率为1.025nm/s，沉积时间6.84s，沉积厚度7nm；非磁性金属隔离层沉积速率0.957nm/s，沉积时间3.13s，沉积厚度3nm；铁磁自由层沉积速率1.124nm/s，沉积时间3.56s，沉积厚度4nm；保护层Cu沉积速率0.957nm/s，沉积时间15.67s，沉积厚度15nm；
（1D）电化学沉积的温度为25℃；
（1E）每电化学沉积完纳米自旋阀的一层，换槽；换槽时，把已电化学沉积的模板在去离子水中超声清洗5分钟；
（1F）电化学沉积按以下顺序进行：反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁性金属隔离层、铁磁自由层、保护层依次电化学沉积，即得到纳米自旋阀阵列。
4.根据权利要求1所述的纳米自旋阀阵列的制备方法，其特征在于，所述的纳米自旋阀的每层不同材料电化学沉积的速率计算方法，以电化学沉积由NiFe合金构成的铁磁自由层为例：在10μm厚的多孔阳极氧化铝模板的一表面溅射一层厚度为500nm的Au膜，然后在Au膜上再溅射10 nm Ta膜，依次放在丙酮、无水乙醇、去离子水中浸泡10分钟，超声波清洗5分钟，置于槽2内作为工作电极，槽2内装有参比电极和辅助电极；槽2内有由FeSO4·7H2O 0.07 mol、H3BO3 0.52 mol、NiSO4·6H2 O 0.68mol和C6H5Na3O7·2H2O  0.17mol加水至1升制成PH 值为3.5的电镀溶液，垂直于预处理后的多孔阳极氧化铝模板加700 Oe的均匀外磁场，用计算机上的LAI200-PC104任意波形发生卡的控制软件控制脉冲电信号发生器，电位选为－
1.2V，温度为20℃，当电流突然急剧增大时，记录此模板的孔洞被沉积满所用的时间9765s，即得出此条件下铁磁自由层的NiFe合金的电化学沉积速率为10μm除以9765s约等于
1.024nm/s，以此方法类推，计算出纳米自旋阀的每一层的不同材料电化学沉积的速率。