技术领域
[0001] 本
发明涉及一种
半导体产品的封装工艺中的退火装置及退火方法，尤其涉及一种应用于
有源矩阵有机发光二极体面板的封装工艺中的退火装置及退火方法。
背景技术
[0002] 目前，由于显示技术的快速发展，显示技术正从传统的LCD向OLED（有机发光显示技术，Organic Light Emitting Diode）技术发展，传统的LCD显示技术的显示屏由于其自身不会发光，因此，在LCD的显示屏内部都需要搭载
背光模
块；而OLED技术则通过在其
电极之间夹上有机
发光层，当正负极
电子在此有机材料中相遇时就会发光，因此，OLED显示技术的显示屏由于其通电之后就能够发光，在生产时，可省掉
灯管的重量、体积以及耗电量，使产品的厚度更薄，操作
电压更低，再加上OLED的反应时间和色彩都比LCD出色，所以具有极广的应用范围。
[0003] 而在OLED技术中，根据驱动方式的不同，可分为无源有机发光二极体面板和有缘有机发光二极体面板。由于有源有机发光二极体面板可以大尺寸化生产，并且较为省电，同时具有高解析度以及寿命较长的优点，因此，有源有机发光二极体面板的技术是今后显示技术发展的方向。
[0004] 但是，目前有源有机发光二极体面板技术也有其不足之处，比如TFT变异性较高，制程较为复杂等，其中，制程的复杂主要体现在制造工艺中和封装工艺中。
[0005] 在现有的技术中，对于AMOLED的封装通常采用的是FRIT熔结技术、ODF制程工艺、Getter涂布技术等，而在这些封装工艺中，通常都是采用激光封装玻璃基盖板，而在激光封装玻璃基盖板时，激光会对玻璃进行加热，过多的
能量堆积而不能立刻消散则会导致玻璃表面的应
力增加，而在封装时为了尽可能的节省材料，用于封装的玻璃基盖板的排版往往都是尽可能的紧密，这就会导致在进行激光封装时，相邻的块区之间产生
应力，从而导致后续的切割工艺时的良率下降。针对这种情况，目前通常有两种解决方式，一种是使用激光封装时的激光头再次对玻璃
基板进行再一次的
烧结，从而起到退火的效果，使得应力得以消散，但是，采用这种方式进行退火因其工艺速度慢，而不利于大批量的工业生产；另一种则是，减小玻璃排版间的
密度，从而使得块区之间的距离增大，在进行激光封装时能够有足够的空间消散应力，从而保证了后续的切割良率，但是这种方式对于实际生产过程中的利用率不高，因为，该方法是以牺牲成本为代价的。
[0006] 因此，如果能有一种既能够实现大批量工艺生产又尽可能降低生产成本的针对AMOLED封装的退火工艺是具有实际意义的。
[0007] 中国
专利（公开号：CN101750790A）公开了一种用于玻璃基板间的缓冲
垫片及其封装结构，该缓冲垫片嵌在上层玻璃和下层基板之间，以区隔和保护上层玻璃基板和下层玻璃基板，并且该缓冲垫片具有一顶面和一底面，其
中底面具有多个第一凸起，该第一凸起对应于下层玻璃基板的非沉膜区域。其技术原理在于，通过缓冲垫片上设置凸起，均匀地分担玻璃基板因自身重量产生的承载应力，避免缓冲垫片直接
接触玻璃基板的沉膜区域，减小玻璃基板沉膜区域的损伤，并且减小或消除缓冲垫片与玻璃基板间的静电
吸附效应，提高产品的合格率。该专利虽然公开了一种玻璃基板的封装结构，但是，其未涉及封装工艺中对退火工艺的改进。
[0008] 中国专利（公开号：CN202013903U）公开了一种有机发光器件的激光封装装置，包括机械手，传送腔，由
阀门控制可与传送腔相通或隔开的密封腔，在密封腔的底部中心设有第一基板承载台，在密封腔的底部左右两端设有第二基板承载台，在密封腔的顶部中心设有激光
辐射源，在密封腔外侧下方设有可与密封腔相通的排气管。其技术原理在于，激光辐射源照射玻璃
密封圈，使得玻璃密封圈能够充分吸收激光能量，达到被封装好的玻璃密封圈机械性能好，阻断
水、
氧效果好的目的。该专利中所揭露的内容仅涉及对于封装效果的改进，而并未提及封装工艺中的退火问题。
[0009] 美国专利（公开号：US2011/0036817A1）公开了一种通过激光将多个箔进行
焊接的激光封装装置，用于在一台
包装机的装置，包括一个用于产生激光的激光发生器；以及一个设置在特定
位置的，用于对多个箔施施加压力并引导激光照射的
定位装置；还包括一个非吸收区域，
激光束被引导通过所述的非吸收区域，被引导到箔上，该非吸收区域是透明的。其方法在于通过激光束将箔互相焊接在一起，同时在密封接缝区域中对它们施压。该专利所揭露的技术原理在于，通过所施加的定位装置，实现箔之间的准确定位和对激光束的引导，从而使箔之间的焊接更加准确，基材之间更为平整。其也没有提及封装过程中产生的应力问题。
[0010] 可见，目前对于AMOLED产品的封装过程中产生应力的问题仍没有很好的解决方法。
发明内容
[0011] 鉴于上述问题，本发明提供一种退火装置及退火方法。
[0012] 本发明解决技术问题所采用的技术方案为：
[0013] 一种退火装置，应用于有源矩阵有机发光二极体面板的封装工艺中，其中，所述退火装置包括一高周波发射器；
[0014] 所述高周波发射器设置于所述有源矩阵有机发光二极体面板的上方或下方，以对所述面板进行退火工艺。
[0015] 所述的退火装置，其中，所述高周波发射器包括一滚动装置，该滚动装置上设置有多个高周波
喷嘴，所述滚动装置带动所述多个高周波喷嘴进行转动，以对所述有源矩阵有机发光二极体面板进行退火工艺。
[0016] 所述的退火装置，其中，当每个所述高周波喷嘴转动至所述滚动装置的下方或上方时，该高周波喷嘴发射高周波，以对位于高周波喷嘴下方或上方的有源矩阵有机发光二极体面板上的退火区域进行退火工艺。
[0017] 所述的退火装置，其中，当每个所述高周波喷嘴转动至所述滚动装置的下方或上方时，该高周波喷嘴开始发射高周波，且该高周波喷嘴所发射的所述高周波垂直于所述有源矩阵有机发光二极体面板所在的平面射入位于所述面板上的所述退火区域中。
[0018] 所述的退火装置，其中，所述滚动装置包括滚筒结构，且所述多个高周波喷嘴设置于该滚筒结构的滚动的表面上，所述滚筒结构带动所述高周波喷嘴在所述有源矩阵有机发光二极体面板的上方滚动，以对所述有源矩阵有机发光二极体面板进行退火工艺。
[0019] 所述的退火装置，其中，设置有多个高周波喷嘴的所述滚筒的表面展开后形成的平面图形与所述有源矩阵有机发光二极体面板的图形匹配。
[0020] 所述的退火装置，其中，所述高周波发射器所发射的高周波的
频率大于100KHz。
[0021] 一种退火方法，应用于有源矩阵有机发光二极体面板的封装工艺中，其中，所述退火方法包括以下步骤：
[0022] 采用高周波对所述有源矩阵有机发光二极体面板进行退火工艺。
[0023] 所述的退火方法，其中，采用高周波发射器发射所述高周波；
[0024] 所述高周波发射器包括设置有多个高周波喷嘴的滚动装置；
[0025] 所述滚动装置带动所述多个高周波喷嘴在所述有源矩阵有机发光二极体面板上方滚动。
[0026] 所述的退火方法，其中，当每个所述高周波喷嘴转动至所述滚动装置的下方时，该高周波喷嘴发射高周波，以对位于该高周波喷嘴下方的有源矩阵有机发光二极体面板上的退火区域进行退火工艺。
[0027] 所述的退火装置，其中，当每个所述高周波喷嘴转动至所述滚动装置的下方时，该高周波喷嘴开始发射高周波，且该高周波从所述有源矩阵有机发光二极体面板的
正面射入所述有源矩阵有机发光二极体面板上的所述退火区域中。
[0028] 所述的退火方法，其中，所述高周波喷嘴与所述退火区域进行对位后，所述滚动装置带动所述多个高周波喷嘴旋转，以使得所述多个高周波喷嘴完成对一块所述有源矩阵有机发光二极体面板的退火工艺。
[0029] 所述的退火方法，其中，所述滚动装置包括滚筒结构，且所述多个高周波喷嘴设置在该滚筒结构的滚动的表面上；所述滚筒结构带动所述高周波喷嘴在所述有源矩阵有机发光二极体面板的上方或下方滚动。
[0030] 所述的退火方法，其中，所述高周波发射器所发射的高周波的图形与所述有源矩阵有机发光二极体面板上需要进行退火区域的图形相同。
[0031] 所述的退火方法，其中，所述高周波的频率大于100KHz。
[0032] 所述的退火方法，其中，采用500℃～550℃的
温度对所述有源矩阵有机发光二极体面板进行退火处理。
[0033] 矩阵有机发光二极体面板进行退火处理。
[0034] 上述技术方案具有如下优点或有益效果：
[0035] 本发明通过对退火装置的结构进行改进，采用筒状的主体结构，并在该主体结构上设置有纵向和横向分布的高频发射端，以符合玻璃基板的排版形状，使得使用本发明中的退火装置能够对大区域的玻璃基板中的应力集中区域进行快速的退火操作。将本发明的装置及方法应用于大批量的工业生产中，具有节约退火工艺时间、提高产能等有益效果。
附图说明
[0036] 参考所附附图，以更加充分的描述本发明的
实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
[0037] 图1是本发明实施例一中使用退火装置对有源矩阵有机发光二极体面板进行退火工艺时的侧视示意图；
[0038] 图2是本发明实施例一中的有源矩阵有机发光二极体面板在玻璃基板内的分布的俯视结构图；
[0039] 图3是本发明实施例一中的滚筒的侧面展开后的平面结构示意图；
[0040] 图4是本发明实施例二中使用退火装置对有源矩阵有机发光二极体面板进行退火工艺的侧视示意图。
具体实施方式
[0041] 本发明提供一种退火装置及退火方法，应用于有源矩阵有机发光二极体面板的封装工艺中。
[0042] 下面结合具体的实施例和附图对本发明的装置和方法进行详细的描述。
[0043] 实施例一：
[0044] 图1是使用本实施例中的退火装置对有源矩阵有机发光二极体面板进行退火工艺时的侧视示意图；如图1所示，该退火装置包括一高周波发射装置，该高周波发射装置用于对AMOLED（有源矩阵有机发光二极体面板）进行退火工艺。该高周波发射装置可以为板状的结构也可以为滚筒状的结构，当采用板状的结构时，可一次对整个有源矩阵有机发光二极体面板进行退火工艺，而采用滚筒状结构时，该高周波发射装置需要改变其相对于有源矩阵有机发光二极体面板的位置，以实现对整个有源矩阵有机发光二极体面板的退火工艺。由于，采用板状的结构适用于对小面积的面板进行退火，而滚筒装的结构则没有此限制，因此，优选的，在本实施例中的高周波发射装置采用滚筒状的结构。
[0045] 高周波发射装置包括一滚动装置和若干个高周波喷嘴，且该若干高周波喷嘴设置于滚动装置的表面上。在本实施例中，滚动装置呈圆柱体的滚筒结构，滚筒结构的表面上设置有若干个高周波喷嘴，该设置方式能够使滚筒结构在滚动的同时，带动设置于其表面上的高周波喷嘴一同滚动。其中，高周波喷嘴的设置可以多种结构形式设置于滚筒表面，如在滚筒表面进行镂空的方式或者以
凸块结构的方式设置于滚筒结构的表面等。其中，滚动装置还可以为其他形状的结构，如棱柱结构等。
[0046] 图2是本实施例中有源矩阵有机发光二极体面板在玻璃基板内的分布的俯视结构图。如图2所示，在玻璃基板内分布有8个AMOLED器件，分别对应区域A、区域B、区域C、区域D、区域E、区域F、区域G、区域H，该AMOLED器件为已经完成激光封装操作后待退火的器件，该8个AMOLED器件呈矩阵形式排列，在本实施例中呈2行4列的方式分布，并且，相邻的两个AMOLED器件之间的间隔都相等，该间隔小于3mm，由于相邻两个AMOLED器件之间的间隔过小，因此，在激光封装之后，每个AMOLED器件的边缘都会出现应力集中的区域，即需要进行退火工艺的区域，如图2中所示的阴影区域。
[0047] 下面对设置于滚动装置上的若干高周波喷嘴的形状以及分布情况进行详细说明。
[0048] 设置有若干个高周波喷嘴的滚筒结构表面展开后的平面图形中的每个高周波喷嘴区域都对应着一个有源矩阵有机发光二极体面板上的退火区域，且每个高周波喷嘴区域和其所对应的退火区域的平面形状相同。具体的，如图3所示，区域A’、区域B’、区域C’、区域D’、区域E’、区域F’、区域G’、区域H’分别为滚筒的表面上分布的高周波喷嘴，区域A’与区域A的边缘形状相同，即区域A’与区域A的退火区域形状相同，同样的，区域B’与区域B的退火区域形状相同，区域C’与区域C的退火区域形状相同，区域D’与区域D的退火区域形状相同，区域E’与区域E的退火区域形状相同,区域F’与区域F的退火区域形状相同，区域G’与区域G的退火区域形状相同，区域H’与区域H的退火区域形状相同。
[0049] 下面结合附图对本实施例中的退火方法进行具体阐述：
[0050] 当使用上述的退火装置对有源矩阵有机发光二极体面板进行退火时，可将高周波发射器置于玻璃基板的上方或下方，在本实施例中高周波发射器置于玻璃基板的上方。如图1所示，先将高周波发射器置于玻璃基板的上方，使位于高周波发射器的滚筒结构上的对应于玻璃基板区域A的高周波喷嘴所在的区域A’以及对应于玻璃基板区域B的高周波喷嘴所在的区域B’分别位于区域A和区域B的正上方，这时，位于区域A’和区域B’的两个高周波喷嘴发射高周波射向玻璃基板区域A和区域B的退火区域，并持续一段时间，待区域A和区域B的退火完成后，高周波发射器向右滚动，使区域C’和区域D’的两个高周波喷嘴分别位于区域C和区域D的正上方，同样的，这时区域C’和区域D’的喷嘴发射高周波射向玻璃基板区域C和区域D的退火区域，持续一段时间后，再重复上述的滚动和发射高周波的操作，直至高周波发射器滚动一周后，将玻璃基板上所有的退火区域都完成高周波照射，整个退火工艺完成。在退火工艺过程中，需要控制两个影响高频退火效果的关键因素，其一，是高周波的频率，高周波的频率应选择为100KHz以上，如100KHz、200KHz、300KHz、350KHz、450KHz等，在本发明中对于高周波的频率认为只要在100KHz以上都是可行的，故在此处不进行一一列举；其二，是高频退火时的
温度控制，对玻璃基板的加热温度应控制在
500～550℃，如500℃、510℃、520℃、540摄氏度、550℃等，同样的，对于加热温度只要控制在500～550℃之间都是可行的，故在此不再对温度可能的值进行一一列举。
[0051] 实施例二：
[0052] 本实施例子相较于实施例一的区别为：在本实施例中的滚动装置仅绕自身的轴心转动，不进行自身位置的移动，但同时对玻璃基板进行移动。
[0053] 本实施例中的退火装置结构和有源矩阵有机发光二极体面板上的退火区域均与实施例一中的相同，故在此处不再赘述。
[0054] 图4是本实施例中使用退火装置对玻璃基板进行退火工艺的侧视示意图。
[0055] 当使用退火装置对有源矩阵有机发光二极体面板进行退火时，可将高周波发射器置于玻璃基板的上方或下方，在本实施例中高周波发射器置于玻璃基板的上方。如图4所示，先将高周波发射器置于玻璃基板的上方，使位于高周波发射器的滚筒结构上的对应于玻璃基板区域A的高周波喷嘴所在的区域A’以及对应于玻璃基板区域B的高周波喷嘴所在的区域B’分别位于区域A和区域B的正上方，这时，区域A’和区域B’的喷嘴分别发射高周波射向玻璃基板区域A和区域B的退火区域，并持续一段时间，待区域A和区域B的退火完成后，高周波发射器进行顺
时针的转动，使位于其上的区域C’和区域D’的两个高周波喷嘴转动至正下方，在高周波发射器进行转动的同时，其下方的玻璃基板进行向左的平行移动，当区域C’和区域D’的两个高周波喷嘴分别位于区域C和区域D的正上方时，区域C’和区域D’的两个高周波喷嘴发射高周波射向玻璃基板区域C和区域D的退火区域，持续一段时间后，再重复上述的滚动和发射高周波的操作，直至高周波发射器转动一周后，将玻璃基板上所有的退火区域都完成高周波照射，整个退火工艺完成。
[0056] 在本实施例中的退火工艺中的高周波频率的控制与玻璃基板加热的温度范围与实施例一中的相同，故在此处不再进行赘述。
[0057] 另外，当高周波发射器置于玻璃基板的下方时，该高周波发射器在对有源矩阵有机发光二极体面板进行退火工艺中，高周波发射器也可设为逆时针旋转，相应的，当每个高周波喷嘴旋转至其对应的退火区域的正下方时，该高周波喷嘴发出高周波射向该退火区域。
[0058] 需要特别指出的是，无论高周波发射器置于玻璃基板的上方或是下方，位于该高周波发射器上的高周波喷嘴旋转至位于该高周波发射器与该玻璃基板之间（优选的，高周波喷嘴位于该高周波发射器和该玻璃基板正中间的位置）时，该高周波发射器开始发射高周波，且该高周波垂直作用于该玻璃基板的退火区域。
[0059] 综上所述，本发明中的退火装置中采用高周波制程和滚筒状的结构布局，并且设置在滚筒上的高周波喷嘴的形状和分布方式与需要被退火的退火区域的形状和布局方式相同，使得在进行退火工艺中，退火装置只需从有源矩阵有机发光二极体面板的一端滚动至另一端，就能够实现对整个面板的进行退火工艺，相比现有的采用激光头进行退火的工艺，具有节省时间的有益效果；另外，由于在退火过程中采用的是高周波，该加热方式能够使温度在面板上停留的时间短，不产生附加应力，相比传统的激光退火，退火的效果更好。
[0060] 因此，本发明的退火装置以及退火方法能够节省工艺时间，提高工艺
质量，从而在工业生产中既能够提高产量又能够提高产品质量。
[0061] 对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的
权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。
