专利汇可以提供一种改善烧结钕铁硼磁体晶界的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种改善 烧结 钕 铁 硼 磁体 晶界 的方法。它具体操作方法如下:(1)以常规方法制备钕铁硼粉末;(2)取一种金属或者 合金 粉末M,将粉末M进行表面氟化处理;(3)通过双合金法将表面氟化后的粉末掺入到钕铁硼粉末中;(4)混合均匀后的粉末经成型压制后进行烧结,烧结后的样品再经过 退火 处理,得到烧结钕铁硼磁体。本发明的有益效果是:首先,在晶界中适当地添加F元素,可以由此生成有序NdOF相,从而提升磁体的 矫顽 力 ;其次,另一方面,添加F元素削弱晶体之间的交换耦合作用;再次,F元素的添加可以有效减弱晶格畸变厚度,同样可以有效提升磁体的矫顽力。,下面是一种改善烧结钕铁硼磁体晶界的方法专利的具体信息内容。
1.一种改善烧结钕铁硼磁体晶界的方法,其特征是,具体操作方法如下:
(1)以常规方法制备钕铁硼粉末;
(2)取一种金属或者合金粉末M,将粉末M进行表面氟化处理;
(3)通过双合金法将表面氟化后的粉末掺入到钕铁硼粉末中;
(4)混合均匀后的粉末经成型压制后进行烧结,烧结后的样品再经过退火处理,得到烧结钕铁硼磁体。
2.根据权利要求1所述的一种改善烧结钕铁硼磁体晶界的方法,其特征是,在步骤(2)中,所述金属或者合金粉末M,含有Pr、Nd、Gd、Dy、Tb、Ho、Fe、Co、Ni、Cu、Zr、Nb、Mg、Al、Sn、Zn元素中的一种或几种。
3.根据权利要求1或2所述的一种改善烧结钕铁硼磁体晶界的方法,其特征是,在步骤(2)中,所述金属或者合金粉末M的粒径范围在0.001-100μm。
4.根据权利要求3所述的一种改善烧结钕铁硼磁体晶界的方法,其特征是,表面氟化处理的具体操作方法如下,在含氟的环境中静置一段时间,使粉末M的表面发生氟化,而粉末M的内部仍为金属态,粉末M的表面氟化层厚度为0.001-40μm。
5.根据权利要求4所述的一种改善烧结钕铁硼磁体晶界的方法,其特征是,在含氟的环境中静置时间的范围为1分钟到1天,温度为0-500℃之间。
6.根据权利要求1所述的一种改善烧结钕铁硼磁体晶界的方法,其特征是,在步骤(3)中,表面氧化后的粉末M掺入量为0.01%wt-5%wt之间。
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