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一种高功率 半导体的衬底结构

阅读：935发布：2023-03-03

专利汇可以提供一种高功率半导体的衬底结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种高功率半导体的衬底结构，包括介电层和基板载体，所述基板载体的下方焊接有支撑板，所述基板载体的两侧外表壁对称开设有连接槽，所述连接槽的底端内表壁等距开设有滑槽，且滑槽的内表壁粘贴有抗氧化膜，所述介电层的上表面且位于相邻晶体安装槽之间嵌设有导电层，所述三个晶体安装槽的一侧内表壁均开设有引脚插孔，且引脚插孔的内部填充有绝缘填充膜。本实用新型中，该衬底结构采用介电层和基板载体组合式的拼接方式，方便对衬底结构进行快速便捷的安装拆卸操作，从而能够在衬底结构某一部分元件损坏时，可以在第一时间对衬底结构进行拆分处理，进而进行快速的更换维修，提高了衬底结构的使用灵活性。，下面是一种高功率半导体的衬底结构专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种高功率半导体的衬底结构，包括介电层(1)和基板载体(3)，其特征在于，所述基板载体(3)的下方焊接有支撑板(31)，所述基板载体(3)的两侧外表壁对称开设有连接槽(6)，所述连接槽(6)的底端内表壁等距开设有滑槽(61)，且滑槽(61)的内表壁粘贴有抗氧化膜(62)，所述介电层(1)的上方设置有抗电镀层(9)，所述介电层(1)的上表面等距开设有三个晶体安装槽(8)，所述介电层(1)的上表面且位于相邻晶体安装槽(8)之间嵌设有导电层(7)，所述三个晶体安装槽(8)的一侧内表壁均开设有引脚插孔(11)，且引脚插孔(11)的内部填充有绝缘填充膜(111)。
2.根据权利要求1所述的一种高功率半导体的衬底结构，其特征在于，所述滑槽(61)共开设有若干个，且若干个滑槽(61)的侧视截面均呈半圆弧形结构。
3.根据权利要求1所述的一种高功率半导体的衬底结构，其特征在于，所述抗电镀层(9)的内部且位于引脚插孔(11)的下方设置有电极片(91)，且电极片(91)与引脚插孔(11)的下端开口处连接。
4.根据权利要求1所述的一种高功率半导体的衬底结构，其特征在于，所述介电层(1)的表面四周拐角处均开设有上位孔(10)。
5.根据权利要求1所述的一种高功率半导体的衬底结构，其特征在于，所述基板载体(3)的上表面四周拐角处均开设有下位孔(2)，且下位孔(2)与上位孔(10)的内径大小相等。
6.根据权利要求1所述的一种高功率半导体的衬底结构，其特征在于，所述介电层(1)的下表面两侧对称设置有卡块(4)，且卡块(4)与基板载体(3)上表面两侧开设的卡槽(5)卡接固定。

说明书全文

一种高功率半导体的衬底结构

技术领域

[0001] 本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高功率半导体的衬底结构。

背景技术

[0002] 晶体管和集成电路都是在半导体片子的表面上来制作的，这里的半导体片就是衬底结构，半导体衬底不仅起着电气性能的作用，而且也起着机械支撑的作用，在半导体重要的组成元件。

[0003] 然而现有的高功率半导体的衬底结构通常采用一体式的组装结构，衬底结构的组成元件无法进行拆卸操作，当衬底结构某一部分的元件损坏时，无法对损坏部位的元件进行拆卸维修更换处理，只能选择更换整体衬底结构的方式，从而增加了衬底结构的使用成本，不利于大范围的推广使用。实用新型内容

[0004] 本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种高功率半导体的衬底结构。

[0005] 为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种高功率半导体的衬底结构，包括介电层和基板载体，所述基板载体的下方焊接有支撑板，所述基板载体的两侧外表壁对称开设有连接槽，所述连接槽的底端内表壁等距开设有滑槽，且滑槽的内表壁粘贴有抗氧化膜，所述介电层的上方设置有抗电镀层，所述介电层的上表面等距开设有三个晶体安装槽，所述介电层的上表面且位于相邻晶体安装槽之间嵌设有导电层，所述三个晶体安装槽的一侧内表壁均开设有引脚插孔，且引脚插孔的内部填充有绝缘填充膜。

[0006] 所述作为上述技术方案的进一步描述：

[0007] 所述滑槽共开设有若干个，且若干个滑槽的侧视截面均呈半圆弧形结构。

[0008] 作为上述技术方案的进一步描述：

[0009] 所述抗电镀层的内部且位于引脚插孔的下方设置有电极片，且电极片与引脚插孔的下端开口处连接。

[0010] 作为上述技术方案的进一步描述：

[0011] 所述介电层的表面四周拐角处均开设有上位孔。

[0012] 作为上述技术方案的进一步描述：

[0013] 所述基板载体的上表面四周拐角处均开设有下位孔，且下位孔与上位孔的内径大小相等。

[0014] 作为上述技术方案的进一步描述：

[0015] 所述介电层的下表面两侧对称设置有卡块，且卡块与基板载体上表面两侧开设的卡槽卡接固定。

[0016] 有益效果

[0017] 本实用新型提供了一种高功率半导体的衬底结构。具备以下有益效果：

[0018] （1）：该衬底结构采用介电层和基板载体组合式的拼接方式，方便了对衬底结构进行快速便捷的安装拆卸操作，从而能够在衬底结构某一部分元件损坏时，可以在第一时间对衬底结构进行拆分处理，进而进行更加快速的更换维修，提高了衬底结构的使用灵活性。

[0019] （2）：该衬底结构通过设置的连接槽，一方面能够在基板载体起到稳定的连接夹持作用，确保基板载体位置的稳固性，另一方面配合弧形的滑槽结构，能够在连接槽卡接时，进一步的确保了连接槽卡接位置的准确性，实现对衬底结构全面完善的加固保护效果。附图说明

[0020] 图1为本实用新型提出的一种高功率半导体的衬底结构的整体结构示意图；

[0021] 图2为本实用新型中基板载体的侧视结构示意图；

[0022] 图3为本实用新型中引脚插孔的内部结构示意图。

[0023] 图例说明：

[0024] 1、介电层；2、下位孔；3、基板载体；31、支撑板；4、卡块；5、卡槽；6、连接槽；61、滑槽；62、抗氧化膜；7、导电层；8、晶体安装槽；9、抗电镀层；91、电极片；10、上位孔；11、引脚插孔；111、绝缘填充膜。

具体实施方式

[0025] 下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

[0026] 参照图1-3，一种高功率半导体的衬底结构，包括介电层1和基板载体3，基板载体3的下方焊接有支撑板31，基板载体3的两侧外表壁对称开设有连接槽6，连接槽6的底端内表壁等距开设有滑槽61，且滑槽61的内表壁粘贴有抗氧化膜62，介电层1的上方设置有抗电镀层9，介电层1的上表面等距开设有三个晶体安装槽8，介电层1的上表面且位于相邻晶体安装槽8之间嵌设有导电层7，三个晶体安装槽8的一侧内表壁均开设有引脚插孔11，且引脚插孔11的内部填充有绝缘填充膜111。

[0027] 滑槽61共开设有若干个，且若干个滑槽61的侧视截面均呈半圆弧形结构，使得滑槽61能够与外接连接机构的滑块一一对应滑动连接，从而确保连接槽6的连接准确性，抗电镀层9的内部且位于引脚插孔11的下方设置有电极片91，且电极片91与引脚插孔11的下端开口处连接，介电层1的表面四周拐角处均开设有上位孔10，基板载体3的上表面四周拐角处均开设有下位孔2，且下位孔2与上位孔10的内径大小相等，介电层1的下表面两侧对称设置有卡块4，且卡块4与基板载体3上表面两侧开设的卡槽5卡接固定，当卡块4嵌入卡槽5内部后，上位孔10也会与下位孔2的位置重合，此时通过外接连接件使其贯穿上位孔10和下位孔2，达到对衬底结构的全面固定的作用。

[0028] 工作原理：使用时，对准卡块4和卡槽5的位置，将介电层1向下按压使得卡块4嵌入卡槽5内，从而将介电层1和基板载体3进行安装，然后将连接件贯穿上位孔10后进入下位孔2内，从而实现衬底结构的全面固定效果，晶体管嵌入晶体安装槽8内，引脚插入引脚插孔11内限位，使得引脚的底部与电极91片连接，从而实现电子元件之间的相互导通作用，确保衬底结构自身的电气性能，当衬底结构安装完成后，配合连接槽6的结构，将基板载体3与外接连接机构进行卡接固定，而在连接槽6连接时，半圆弧形结构的滑槽61能够对连接槽6的具体连接位置起到夹持限位的作用，确保连接槽6连接的准确性，则该衬底结构完整使用。

[0029] 在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料过着特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

[0030] 以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

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