1.一种用于将至少一个涂层施加到至少一个基板上的设备，所述设备包括：
沉积室；
至少一个蒸发剂源；
用于撞击所述至少一个蒸发剂源形成蒸气羽的至少一个高能束；
至少一个阳极，其被放置在所述蒸发剂源附近用于在所述至少一个阳极和所述至少一个蒸发剂源之间形成电弧放电；以及
形成至少一个射流用于所述蒸气羽朝向基板的横向受限的输运的至少一个载运气体。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个蒸发剂源是固体。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个载运气体射流至少部分地辅助将所述蒸气羽定形并输运到所述至少一个基板。
4.根据权利要求3所述的设备，其中用于发射所述载运气体射流的装置包括下述中的至少一个：管道、导管、管子、沟槽、软管、柄、孔道、入口、凹槽、通路和通道。
5.根据权利要求3所述的设备，其中借助所述载运气体射流对所述蒸气羽的所述定形和输运至少部分地通过所述蒸气羽和所述载运气体射流的构成之间的物理和/或静电相互作用来实现。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个载运气体射流至少基本上防护所述至少一个阳极不与所述蒸气羽接触，用于减少蒸发剂在所述至少一个阳极上的积累。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个载运气体射流被放置成至少基本上与所述至少一个蒸发剂源共轴。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述至少一个载运气体射流至少部分地辅助将所述蒸气羽定形并输运到所述基板。
9.根据权利要求7所述的设备，其中在所述至少一个载运气体射流被电离时，所述至少一个被电离的载运气体射流具有能够被电磁力控制的动量。
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述被控制的至少一个被电离的载运气体射流提供对所述至少一个基板的所述至少一个涂层的表面形貌和内相、结构和应力的操纵。
11.根据权利要求1所述的设备，其中所述高能束将所述蒸气羽电离，形成等离子体。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述电弧放电增加了所述等离子体的电离以提供密集等离子体区域。
13.根据权利要求1所述的设备，进一步包括用于冷却所述至少一个蒸发剂源的至少一个冷却装置。
14.根据权利要求13所述的设备，其中所述冷却装置包括坩埚。
15.根据权利要求11所述的设备，其中所述至少一个载运气体射流的方向和/或强度可以被控制用于所述等离子体或所述蒸气羽或者两者的定形和/或定向。
16.根据权利要求15所述的设备，其中通过控制所述至少一个载运气体射流的压强或控制所述至少一个载运气体射流的气体流速来完成所述定形和/或定向。
17.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个载运气体射流以环形配置被放置在所述至少一个蒸发剂源周围，其中所述蒸发剂源至少基本上共轴地被整合在所述环形配置内部。
18.根据权利要求17所述的设备，其中所述环形配置提供排列。
19.根据权利要求17所述的设备，其中所述至少一个载运气体射流的方向和/或强度可以被控制用于所述等离子体或所述蒸气羽或者两者的定形和/或定向。
20.根据权利要求19所述的设备，其中通过一个一个单独地控制每个载运气体射流中的压强或一个一个单独地控制每个载运气体射流中的气体流速来完成所述定形和定向。
21.根据权利要求20所述的设备，其中所述载运气体射流的相对压强和/或气体流速可以被一个一个单独地控制用于从一边到另一边定向扫描所述等离子体或所述蒸气羽中的任一个、或者两者。
22.根据权利要求1所述的设备，其中所述高能束由电子束枪或激光源产生。
23.根据权利要求1所述的设备，其中所述高能束源进一步包括用于改变所述至少一个蒸发剂源中的束撞击点的装置。
24.根据权利要求1所述的设备，进一步包括被施加到所述基板用于朝向所述基板加速离子的偏置电压。
25.根据权利要求24所述的设备，其中：
所述高能束将所述蒸气羽电离，形成等离子体；以及
所述偏置电压朝向所述至少一个基板静电加速所述等离子体中的离子，由此提供额外的动量，并且该动量有助于将所述蒸气羽输运到所述至少一个基板。
26.根据权利要求24所述的设备，其中所述偏置电压是DC、AC或脉冲电压。
27.根据权利要求26所述的设备，其中所述脉冲偏置电压被控制以改变在所述至少一个基板上的沉积位置以控制所述至少一个基板上的厚度、结构、成分、残余应力和/或其他涂层特性。
28.根据权利要求1所述的设备，其中所述载运气体射流引入反应气体。
29.根据权利要求28所述的设备，其中所述反应气体在输运期间与所述蒸气羽在所述载运气体射流中同时以气相形式形成化合物。
30.根据权利要求28所述的设备，其中所述反应气体通过在所述至少一个基板的沉积表面上的化学反应形成化合物。
31.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个载运气体射流帮助将所述蒸气羽定形，并且其动量辅助朝向所述至少一个基板输运所述蒸气羽。
32.根据权利要求1所述的设备，其中所述阳极是环形的。
33.根据权利要求32所述的设备，其中所述阳极被放置成至少基本上与所述至少一个载运气体射流共轴。
34.根据权利要求32所述的设备，其中所述阳极被分段以形成两个或更多个阳极段。
35.根据权利要求32所述的设备，其中所述阳极进一步包括这样的装置，该装置用于建立磁场并且用于引导磁通量使得在所述阳极前面的磁场线基本上平行于其表面并且被径向定向，由此沿基本上平行于所述阳极的表面的圆周方向形成闭合电子漂移径迹。
36.根据权利要求35所述的设备，其中所述磁场促进用于朝向所述基板加速正离子的轴向电势梯度。
37.根据权利要求1所述的设备，进一步包括被共轴地和/或至少部分地放置成接近所述蒸发剂源的螺线管。
38.根据权利要求37所述的设备，其中所述螺线管能够至少部分地使所述高能束弯曲。
39.根据权利要求37所述的设备，其中所述螺线管被这样放置和加电以致磁性地增强所述阳极的效率。
40.根据权利要求37所述的设备，其中所述螺线管至少部分地增大等离子体密度并且促进用于朝向所述基板加速正离子的轴向电势梯度。
41.根据权利要求1所述的设备，其中所述阳极被放置在所述蒸发剂源之上升高的位置中。
42.根据权利要求1所述的设备，其中所述阳极被放置在所述基板之上。
43.一种用于将至少一个涂层施加到至少一个基板上的方法，所述方法包括：
提供所述至少一个基板；
提供沉积室；
提供至少一个蒸发剂源；
利用至少一个高能束撞击所述至少一个蒸发剂源以产生蒸气羽；
在至少一个阳极和所述至少一个蒸发剂源之间形成电弧放电；以及
发射至少一个载运气体，沿至少基本上与所述蒸气羽对齐的方向形成至少一个射流用于所述蒸气羽朝向所述基板的横向受限的输运。
44.根据权利要求43所述的方法，其中所述至少一个蒸发剂源是固体。
45.根据权利要求43所述的方法，其中所述至少一个载运气体射流至少部分地辅助将所述蒸气羽定形并输运到所述至少一个基板。
46.根据权利要求45所述的方法，其中用于发射所述载运气体射流的装置包括下述中的至少一个：管道、导管、管子、沟槽、软管、柄、孔道、入口、凹槽、通路和通道。
47.根据权利要求45所述的方法，其中借助所述载运气体射流对所述蒸气羽的所述定形和输运至少部分地通过所述蒸气羽和所述载运气体射流的构成之间的物理和/或静电相互作用来实现。
48.根据权利要求45所述的方法，其中所述至少一个载运气体射流至少基本上防护所述至少一个阳极不与所述蒸气羽接触。
49.根据权利要求43所述的方法，其中所述至少一个载运气体射流被放置成至少基本上与所述至少一个蒸发剂源共轴。
50.根据权利要求49所述的方法，其中所述至少一个载运气体射流至少部分地辅助将所述蒸气羽定形并输运到所述基板。
51.根据权利要求49所述的方法，其中在所述至少一个载运气体射流被电离时，所述方法包括通过电磁力控制所述至少一个被电离的载运气体射流的动量。
52.根据权利要求51所述的方法，进一步包括使用所述被控制的至少一个被电离的载运气体射流来操纵所述至少一个基板的涂层的表面形貌和内相、结构和应力。
53.根据权利要求43所述的方法，其中所述高能束将所述蒸气羽电离，形成等离子体。
54.根据权利要求53所述的方法，进一步包括改变所述电弧放电的电流以调整或控制所述等离子体的密度。
55.根据权利要求43所述的方法，进一步包括提供用于冷却所述至少一个蒸发剂源的至少一个冷却装置。
56.根据权利要求55所述的方法，其中所述冷却源包括坩埚。
57.根据权利要求53所述的方法，控制所述至少一个载运气体射流的方向和/或强度用于所述等离子体或所述蒸气羽或者两者的定形和/或定向。
58.根据权利要求57所述的方法，其中通过控制所述至少一个载运气体射流的压强或控制所述至少一个载运气体射流的气体流速来完成所述定形和/或定向。
59.根据权利要求43所述的方法，其中所述至少一个载运气体射流以环形配置被放置在所述至少一个蒸发剂源周围，其中所述蒸发剂源至少基本上共轴地被整合在所述环形配置内部。
60.根据权利要求59所述的方法，其中所述环形配置提供排列。
61.根据权利要求59所述的方法，进一步包括控制所述至少一个载运气体射流的方向和/或强度用于所述等离子体或所述蒸气羽或者两者的定形和/或定向。
62.根据权利要求61所述的方法，其中通过一个一个单独地控制每个载运气体射流中的压强或一个一个单独地控制每个载运气体射流中的气体流速来完成所述定形和定向。
63.根据权利要求62所述的方法，进一步包括控制所述载运气体射流的所述相对压强和/或气体流速用于从一边到另一边定向扫描所述等离子体或所述蒸气羽中的任一个、或者两者。
64.根据权利要求43所述的方法，进一步包括改变所述至少一个蒸发剂源中的束撞击点。
65.根据权利要求64所述的方法，其中所述用于改变束撞击点的装置包括至少一个偏转线圈。
66.根据权利要求43所述的方法，进一步包括将偏置电压施加到所述基板用于朝向所述基板加速离子。
67.根据权利要求66所述的方法，其中：
所述高能束将所述蒸气羽电离，形成等离子体；以及
所述偏置电压朝向所述至少一个基板静电加速所述等离子体中的离子，由此提供额外的动量，并且该动量有助于将所述蒸气羽输运到所述至少一个基板。
68.根据权利要求66所述的方法，其中所述偏置电压是DC、AC或脉冲电压。
69.根据权利要求68所述的方法，进一步包括控制所述脉冲偏置电压的频率以改变在所述至少一个基板上的沉积位置以控制所述至少一个基板上的厚度、结构、成分、残余应力和/或其他涂层特性。
70.根据权利要求43所述的方法，其中所述载运气体射流引入反应气体。
71.根据权利要求70所述的方法，其中所述反应气体在输运期间与所述蒸气羽在所述载运气体射流中同时以气相形式形成化合物。
72.根据权利要求70所述的方法，其中所述反应气体通过在所述至少一个基板的沉积表面上的化学反应形成化合物。
73.根据权利要求43所述的方法，其中所述载运气体射流帮助将所述蒸气羽定形，并且其动量辅助朝向所述至少一个基板输运所述蒸气羽。
74.根据权利要求43所述的方法，其中所述阳极是环形的。
75.根据权利要求74所述的方法，其中所述阳极被放置成至少基本上与所述至少一个载运气体射流共轴。
76.根据权利要求74所述的方法，其中所述阳极被分段以形成两个或更多个阳极段。
77.根据权利要求74所述的方法，进一步包括建立磁场并且用于引导磁通量使得在所述阳极前面的磁场线基本上平行于其表面并且被径向定向，由此沿基本上平行于所述阳极的表面的圆周方向形成闭合电子漂移径迹。
78.根据权利要求77所述的方法，其中所述磁场促进用于朝向所述基板加速正离子的轴向电势梯度。
79.根据权利要求43所述的方法，进一步包括将螺线管共轴地和/或至少部分地放置成接近所述蒸发剂源。
80.根据权利要求43所述的方法，进一步包括提供用于使所述高能束弯曲的螺线管。
81.根据权利要求79所述的方法，其中所述螺线管被这样放置和加电以致磁性地增强所述阳极的效率。
82.根据权利要求79所述的方法，其中所述螺线管至少部分地增大等离子体密度并且促进用于朝向所述基板加速正离子的轴向电势梯度。
83.根据权利要求43所述的方法，其中所述阳极被放置在所述蒸发剂源之上升高的位置中。
84.根据权利要求43所述的方法，其中所述阳极被放置在所述基板之上。
85.根据权利要求27所述的设备，其中所述高能束被控制以改变在所述至少一个基板上的沉积位置以控制所述至少一个基板上的厚度、结构、成分、残余应力和/或其他涂层特性。
86.根据权利要求1所述的设备，其中所述高能束被控制以改变在所述至少一个基板上的沉积位置以控制所述至少一个基板上的厚度、结构、成分、残余应力和/或其他涂层特性。
87.根据权利要求86所述的设备，其中所述对所述高能束的控制提供了到达所述至少一个基板的蒸气羽的有限长度的建立，由此所述蒸气羽的有限长度限定缓动物。
88.根据权利要求87所述的设备，其中所述缓动物的所述到达受所述载运气体射流的强度控制。
89.根据权利要求69所述的方法，进一步包括控制所述高能束以改变在所述至少一个基板上的沉积位置以控制所述至少一个基板上的厚度、结构、成分、残余应力和/或其他涂层特性。
90.根据权利要求43所述的方法，进一步包括控制所述高能束以改变在所述至少一个基板上的沉积位置以控制所述至少一个基板上的厚度、结构、成分、残余应力和/或其他涂层特性。
91.根据权利要求90所述的方法，其中所述对所述高能束的控制提供了到达所述至少一个基板的蒸气羽的有限长度的建立，由此所述蒸气羽的有限长度限定缓动物。
92.根据权利要求91所述的方法，其中所述缓动物的所述到达受所述载运气体射流的强度控制。