自屏蔽梯度线圈
专利汇可以提供自屏蔽梯度线圈专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及用于 水 平 磁共振成像 系统(MRI)的 梯度线圈 组件及其制造方法。一些 实施例 可以用于开放式MRI并且可以用于放置在MRI的间隙中的仪器。一般地，导体或径向定向导体的集中可以移动远离MRI的间隙，从而减小可能在间隙内放置的任何仪器中感生的涡 电流 。用于直接冷却初级梯度线圈和屏蔽线圈的系统可以被使用并且各种线圈 支撑 结构可以用于帮助线圈对准或便于MRI间隙中的仪器的使用。，下面是自屏蔽梯度线圈专利的具体信息内容。
1.一种自屏蔽梯度线圈组件，用于与仪器结合使用的水平开放式磁共振成像系统，所述磁共振成像系统具有纵向轴以及由间隙分离的第一磁体和第二磁体，所述仪器位于所述间隙的一部分内，所述梯度线圈组件包括：
具有第一支撑结构部分和第二支撑结构部分的支撑结构，第一支撑结构部分安装在第一磁体的内部，且第二支撑结构部分安装在第二磁体的内部；
布置在每个支撑结构部分内的多个屏蔽线圈；
在所述多个屏蔽线圈和所述纵向轴之间布置在每个支撑结构部分内的多个初级梯度线圈；以及
在所述多个初级梯度线圈和所述多个屏蔽线圈之间的电连接，所述电连接被布置成使得所述电连接位于离所述间隙第一距离处以减小在所述仪器中感生的涡电流。
2.根据权利要求1所述的梯度线圈组件，其中所述第一距离是离所述间隙的至少5厘米。
3.根据权利要求1所述的梯度线圈组件，其中所述初级梯度线圈的每一个形成为围绕所述纵向轴的圆柱形导体。
4.根据权利要求1所述的梯度线圈组件，其中所述初级梯度线圈的每一个直接被冷却。
5.根据权利要求4所述的梯度线圈组件，其中所述初级梯度线圈的每一个包括空心导体。
6.根据权利要求5所述的梯度线圈组件，其还包括两个冷却单元。
7.根据权利要求1所述的梯度线圈组件，其中所述磁共振成像系统具有外端部并且在所述多个初级梯度线圈和所述多个屏蔽线圈之间的所述电连接位于所述磁共振成像系统的所述外端部。
8.根据权利要求1所述的梯度线圈组件，其中所述磁共振成像系统具有外端部和面对间隙的端部并且其中每个支撑结构部分安装在所述磁共振成像系统的外端部和所述面对间隙的端部。
9.一种自屏蔽梯度线圈组件，用于水平开放式磁共振成像系统，所述磁共振成像系统具有纵向轴以及由间隙分离的第一磁体和第二磁体，所述梯度线圈组件包括：
具有第一支撑结构部分和第二支撑结构部分的支撑结构，第一支撑结构部分安装在所述第一磁体的内部，且第二支撑结构部分安装在所述第二磁体的内部；
布置在每个支撑结构部分内的多个屏蔽线圈，所述多个屏蔽线圈形成为围绕所述纵向轴的圆柱形导体；
在所述多个屏蔽线圈和所述纵向轴之间布置在每个支撑结构部分内的多个初级梯度线圈，所述多个初级梯度线圈形成为围绕所述纵向轴的圆柱形导体；
在所述多个初级梯度线圈和所述多个屏蔽线圈之间的连接导体，
其中所述连接导体被布置成，相对于所述纵向轴以径向方向定向的所述连接导体的集中位于离所述间隙第一距离处，以减小在位于所述间隙一部分中的仪器中感生的涡电流，以及
其中所述第一距离为至少5厘米。
10.根据权利要求9所述的梯度线圈组件，其中所述初级梯度线圈的每一个包括直接冷却式空心导体。
11.根据权利要求9所述的梯度线圈组件，其中所述磁共振成像系统具有外端部并且在所述多个初级梯度线圈和所述多个屏蔽线圈之间的所述连接导体位于所述磁共振成像系统的所述外端部。
12.根据权利要求9所述的梯度线圈组件，其中所述磁共振成像系统具有外端部和面对间隙的端部并且其中每个支撑结构部分安装在所述磁共振成像系统的外端部和所述面对间隙的端部。
13.一种自屏蔽梯度线圈组件，用于水平开放式磁共振成像系统，所述磁共振成像系统具有纵向轴以及由间隙分离的第一磁体和第二磁体，所述梯度线圈组件包括：
具有第一支撑结构部分和第二支撑结构部分的支撑结构，第一支撑结构部分安装在第一磁体的内部，且第二支撑结构部分安装在第二磁体的内部；
布置在每个支撑结构部分内的多个屏蔽线圈；
在所述多个屏蔽线圈和所述纵向轴之间布置在每个支撑结构部分内的多个初级梯度线圈；以及
在所述多个初级梯度线圈和所述多个屏蔽线圈之间的电连接，所述电连接位于离所述间隙第一距离处，以减小在位于所述间隙一部分中的仪器中感生的涡电流，其中第一距离为至少5厘米，以及
其中所述初级梯度线圈的每一个包括直接冷却式空心导体。
14.一种梯度线圈组件，用于水平开放式磁共振成像系统，所磁共振成像系统具有纵向轴以及由间隙分离的第一磁体和第二磁体，所述梯度线圈组件包括：
位于所述第一磁体和所述纵向轴之间的第一多个屏蔽线圈；
位于所述第二磁体和所述纵向轴之间的第二多个屏蔽线圈；
位于所述第一多个屏蔽线圈和所述纵向轴之间的第一多个初级梯度线圈；
位于所述第二多个屏蔽线圈和所述纵向轴之间的第二多个初级梯度线圈；
在第一多个初级梯度线圈和第一多个屏蔽线圈之间的第一组电连接；
在第二多个初级梯度线圈和第二多个屏蔽线圈之间的第二组电连接；
包含所有所述第一多个屏蔽线圈和第二多个屏蔽线圈以及所述第一多个初级梯度线圈和第二多个初级梯度线圈的支撑结构，
其中所述支撑结构包括横越所述间隙的部分，以便于所述第一多个屏蔽线圈和第二多个屏蔽线圈之间以及第一多个初级梯度线圈和第二多个初级梯度线圈之间的对准，以及其中所述第一组电连接和所述第二组电连接布置在离所述间隙第一距离处，以减小在位于所述间隙一部分中的仪器中感生的涡电流。
15.根据权利要求14所述的梯度线圈组件，其中横越所述间隙的所述支撑结构的部分包括内部线圈架。
16.根据权利要求14所述的梯度线圈组件，其中横越所述间隙的所述支撑结构的部分具有在所述结构上均匀的放射衰减值。
17.根据权利要求16所述的梯度线圈组件，其中对于钴60伽马放射束所述放射衰减值小于百分之五。
18.一种梯度线圈组件，用于水平开放式磁共振成像系统和仪器，其中所述磁共振成像系统具有纵向轴以及由间隙分离的磁体，并且所述仪器包括放射装置，所述放射装置产生正交瞄准于所述纵向轴并且通过所述间隙的放射束，所述梯度线圈组件包括：
至少部分位于所述磁体和所述纵向轴之间的多个屏蔽线圈；
至少部分位于所述多个屏蔽线圈和所述纵向轴之间的多个初级梯度线圈，其中所述初级梯度线圈中的至少一个横越所述磁共振成像系统的所述间隙并且具有第一放射衰减值；以及
支撑结构，包含所述多个屏蔽线圈和所述多个初级梯度线圈，所述支撑结构具有横越所述间隙的支撑结构部分并且具有等于所述第一放射衰减值的第二放射衰减值，使得当放射束穿过所述支撑结构部分和横越所述间隙的所述至少一个初级梯度线圈时放射束的衰减将是均匀的。
19.根据权利要求18所述的梯度线圈组件，其中横越所述间隙的所述至少一个初级梯度线圈是铝。
20.根据权利要求19所述的梯度线圈组件，其中横越所述间隙的所述支撑结构部分含有氧化铝。
21.根据权利要求1所述的梯度线圈组件，其中所述多个屏蔽线圈和所述多个初级梯度线圈被布置成使得靠近所述间隙的第一部分中的所述多个屏蔽线圈和所述多个初级梯度线圈的第一集中小于第二部分中的所述多个屏蔽线圈和所述多个初级梯度线圈的第二集中，以及
其中所述第一部分布置在所述间隙和所述第二部分之间。
自屏蔽梯度线圈
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
1中被显示为仪器104，但是一些实施例可以包括与仪器104关联的多个组件。例如，一些实施例可以包括安装在间隙102中、围绕Z轴分布并且在机架102上围绕Z轴可旋转的三个放射头组件(未在图1中显示)。尽管本文中所公开的实施例的一些方面关于Dempsey‘564所公开的ViewRay系统进行了描述，但是这样的方面不需要用于所公开的梯度线圈组件。
可以预料本文中所公开的梯度线圈组件可以用于任何类型的MRI中，使用或不使用关联的仪器104。此外，对于利用仪器104的系统，这样的仪器不限于放射治疗装置，例如放射源或LINAC，而是可以包括用于MRI的任何类型的仪器。
场(由主磁体200a，b生成)的情况下梯度线圈组件204中的电流产生扭矩、力和振动，这会在主磁体200a，b中产生振动和热并且增加蒸发损耗。在主磁体200a，b的外端部和间隙端包括底座212可以提供改善的振动隔离并且减小梯度线圈组件204的无支撑跨度。
302连接到Y初级线圈308，并且Z屏蔽线圈304连接到Z初级线圈306)。线圈300-310布置在支撑结构314内，所述支撑结构可以由诸如环氧树脂的材料制造。
200mm的宽度并且其中梯度线圈组件204的外端部之间的长度为大约2190mm。这些尺寸仅仅作为例子被提供并且不应当被视为限制，原因是尺寸可以变化。
204的安装之后被去除。
400可以包括环氧细丝缠绕管，例如具有玻璃或碳细丝和线圈之间的适当填充物(例如氧化铝)。该备选设计的均匀衰减将便于精确的放射传递和剂量计算。
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