平板探测器基板及其制备方法、平板探测器
阅读：633发布：2020-05-13
专利汇可以提供平板探测器基板及其制备方法、平板探测器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 平板探测器 基板 及其制备方法、平板探测器，属于 传感器 制造技术领域，其可解决现有的 X射线 平板探测器的阵列基板制备过程中， 刻蚀 半导体 层时容易对光电 二极管 的第一极造成过刻的问题。本发明的平板探测器基板的制备方法包括：通过构图工艺在基底上形成，包括 光电二极管 的第一极的图形；在所述基底上依次沉积刻蚀阻挡材料层，以及半导体材料层，并通过构图工艺形成，包括刻蚀阻挡层、以及所述光电二极管的半导体层的图形；其中，所述刻蚀阻挡层的材料包括金属 氧 化物。，下面是平板探测器基板及其制备方法、平板探测器专利的具体信息内容。
1.一种平板探测器基板的制备方法，其特征在于，包括：
通过构图工艺在基底上形成，包括光电二极管的第一极的图形；
在所述基底上依次沉积刻蚀阻挡材料层，以及半导体材料层；
在沉积有半导体材料层的基底上，通过构图工艺形成包括所述光电二极管的半导体层的图形；通过构图工艺形成包括刻蚀阻挡层的图形；其中，所述刻蚀阻挡层的材料包括金属氧化物；
在所述通过构图工艺在基底上形成，包括光电二极管的第一极的图形的步骤之前，还包括：
在形成有薄膜晶体管的源极和漏极的基底上形成钝化层，并在所述钝化层与所述漏极对应的位置形成第一过孔；
所述光电二极管的第一极通过所述第一过孔与所述漏极连接。
2.根据权利要求1所述的平板探测器基板的制备方法，其特征在于，所述平板探测器基板包括光电二极管区；形成所述刻蚀阻挡层和所述光电二极管的半导体层的步骤具体包括：
在所述基底上依次沉积刻蚀阻挡材料层，以及半导体材料层；
通过干法刻蚀工艺，去除所述光电二极管区以外的半导体材料层，以形成所述半导体层；
通过湿法刻蚀工艺，去除裸露的所述刻蚀阻挡材料层，以形成所述刻蚀阻挡层。
3.根据权利要求1所述的平板探测器基板的制备方法，其特征在于，
所述金属氧化物包括氧化铟锡和氧化铟镓锌中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的平板探测器基板的制备方法，其特征在于，在所述通过构图工艺形成，包括刻蚀阻挡层、以及所述光电二极管的半导体层的图形的步骤之后，还包括：
在形成有刻蚀阻挡层、以及所述光电二极管的半导体层的基底上形成层间绝缘层，并在所述层间绝缘层与所述半导体层对应的位置形成第二过孔；
通过构图工艺形成包括光电二极管的第二极的图形，所述光电二极管的第二极通过所述第二过孔与所述半导体层连接。
5.一种平板探测器基板，其特征在于，包括：
基底；
依次设置于基底上的光电二极管的第一极和半导体层；
所述平板探测器基板还包括设置于所述第一极与所述半导体层之间的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层在所述基底上的正投影至少覆盖所述光电二极管的半导体层在所述基底上的正投影；且所述刻蚀阻挡层的材料包括金属氧化物；所述平板探测器基板还包括：
设置在所述基底上的薄膜晶体管；
设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层上方的钝化层；其中，
在所述钝化层与所述漏极对应的位置设置有第一过孔；所述光电二极管位于所述钝化层上方，且所述光电二极管的第一极通过所述第一过孔与所述漏极连接。
6.一种平板探测器，其特征在于，包括权利要求5中所述的平板探测器基板。
平板探测器基板及其制备方法、平板探测器
技术领域
背景技术
[0002] X射线平板探测器包括阵列基板，阵列基板上包括多个感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管和光电二极管。具体的，以薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管、光电二极管为PIN型光电二极管为例，现有技术中，X射线平板探测器的阵列基板的制备工艺主要包括以下步骤：
[0003] S01、通过构图(Mask)工艺在衬底基板上依次形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层以及源极和漏极；
[0005] S03、通过构图工艺形成光电二极管的第一极，该第一极通过过孔与薄膜晶体管的漏极连接；
[0007] S05、在完成上述步骤的衬底基板上沉积形成层间绝缘层，并通过构图工艺形成过孔；
[0008] S06、通过构图工艺形成光电二极管的第二极，该第二极通过层间绝缘层上的过孔与半导体层连接。
[0009] 其中，由于半导体层非常厚，且半导体层的刻蚀均一性较差，导致在对半导体层进行刻蚀时，容易造成对光电二极管的第一极以及钝化层的过刻，从而导致X射线平板探测器出现灰度不均，光电二极管的漏电流偏大等问题，严重影响产品的特性及性能。
发明内容
[0010] 本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种能够有效防止在刻蚀半导体材料层时对第一极造成过刻的平板探测器基板的制备方法。
[0011] 解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种平板探测器基板的制备方法，包括：
[0012] 通过构图工艺在基底上形成，包括光电二极管的第一极的图形；
[0014] 优选的，所述平板探测器基板包括光电二极管区；形成所述刻蚀阻挡层和所述光电二极管的半导体层的步骤具体包括：
[0015] 在所述基底上依次沉积刻蚀阻挡材料层，以及半导体材料层；
[0017] 通过湿法刻蚀工艺，去除裸露的所述刻蚀阻挡材料层，以形成所述刻蚀阻挡层。
[0018] 优选的，所述金属氧化物包括氧化铟锡和氧化铟镓锌中的至少一种。
[0019] 优选的，在所述通过构图工艺在基底上形成，包括光电二极管的第一极的图形的步骤之前，还包括：
[0020] 在形成有薄膜晶体管的源极和漏极的基底上形成钝化层，并在所述钝化层与所述漏极对应的位置形成第一过孔；
[0021] 所述光电二极管的第一极通过所述第一过孔与所述漏极连接。
[0022] 优选的，在形成所述光电二极管的第一极的同时，还形成有薄膜晶体管的源极和漏极；其中，所述漏极与所述光电二极管的第一极一体成型。
[0023] 优选的，在所述通过构图工艺形成，包括刻蚀阻挡层、以及所述光电二极管的半导体层的图形的步骤之后，还包括：
[0024] 在形成有刻蚀阻挡层、以及所述光电二极管的半导体层的基底上形成层间绝缘层，并在所述层间绝缘层与所述半导体层对应的位置形成第二过孔；
[0025] 通过构图工艺形成包括光电二极管的第二极的图形，所述光电二极管的第二极通过所述第二过孔与所述半导体层连接。
[0026] 解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种平板探测器基板，包括：
[0027] 基底；
[0028] 依次设置于基底上的光电二极管的第一极、刻蚀阻挡层以及所述光电二极管的半导体层；其中，所述刻蚀阻挡层在所述基底上的正投影至少覆盖所述光电二极管的半导体层在所述基底上的正投影；且所述刻蚀阻挡层的材料包括金属氧化物。
[0029] 优选的，所述平板探测器基板还包括：
[0030] 设置在所述基底上的薄膜晶体管；
[0031] 设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层上方的钝化层；其中，
[0032] 在所述钝化层与所述漏极对应的位置设置有第一过孔；所述光电二极管位于所述钝化层上方，且所述光电二极管的第一极通过所述第一过孔与所述漏极连接。
[0033] 优选的，所述平板探测器基板还包括：
[0034] 设置在所述基底上的薄膜晶体管；
[0035] 所述光电二极管的第一极与所述薄膜晶体管的漏极为一体成型结构。
[0036] 解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种平板探测器，包括上述任意一种平板探测器基板。
[0037] 本发明的平板探测器基板的制备方法中，首先在形成有第一极的基底上先后沉积刻蚀阻挡材料层和半导体材料层。接着，先对半导体材料层进行刻蚀，以形成半导体层。而此时，刻蚀阻挡材料层覆盖光电二极管的第一极，故其可对光电二极管的第一极起到保护作用，从而避免了在刻蚀形成半导体层时对光电二极管的第一极的过刻。同时，由于刻蚀阻挡材料层包括金属氧化物，故在对其进行刻蚀形成刻蚀阻挡层时，也不会对由金属材料构成的光电二极管的第一极产生影响。
[0039] 图1为本发明的实施例中的平板探测器基板的剖视图；
[0040] 图2为本发明的实施例中形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层以及源极和漏极的剖视图；
[0041] 图3为本发明的实施例中形成钝化层的剖视图；
[0042] 图4为本发明的实施例中形成光电二极管的第一极的剖视图；
[0043] 图5为本发明的实施例中形成包括光电二极管的半导体层的图形的剖视图；
[0044] 图6为本发明的实施例中形成包括刻蚀阻挡层的图形的剖视图；
[0045] 图7为本发明的实施例中形成层间绝缘层的剖视图；
[0046] 图8为本发明的实施例中形成光电二极管的第二极的剖视图；
[0047] 其中附图标记为：1、基底；21、栅极；22、栅绝缘层；23、有源层；24、欧姆接触层；25、源极；26、漏极；3、钝化层；4、第一极；5、刻蚀阻挡层；6、半导体层；61、N型半导体层；62、I型半导体层；63、P型半导体层；7、层间绝缘层；71、第一层间绝缘层；72、第二层间绝缘层；73、第三层间绝缘层；8、第二极；9、透明电极。
具体实施方式
[0048] 为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
[0049] 在以下实施例中“构图工艺”是指通过将完整材料层中的一部分除去，从而使该层剩余部分形成所需结构的技术，其通常包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步。
[0050] 实施例1：
[0051] 本实施例提供一种平板探测器基板的制备方法，其中，该平板探测基板可用于平板探测器，例如X射线平板探测器。该制备方法包括：
[0052] S11、通过构图工艺在基底上形成，包括光电二极管的第一极的图形。
[0053] 具体的，本步骤中，在基底上沉积形成第一金属膜层。然后通过构图工艺形成光电二极管的第一极的图形。其中，第一极金属膜层材料可采用金属、金属合金，如：钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛或铜等导电材料。
[0054] S12、在基底上依次沉积刻蚀阻挡材料层，以及半导体材料层，并通过构图工艺形成，包括刻蚀阻挡层、以及光电二极管的半导体层的图形。
[0055] 其中，刻蚀阻挡材料层可包括金属氧化物，具体金属氧化物包括氧化铟锡(Indium tin oxide；ITO)和氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide；IGZO)中的至少一种。半导体材料层的厚度约为 具体的，当光电二极管为PIN型光电二极管时，半导体材料层具体可包括N型半导体材料层、I型半导体材料层和P型半导体材料层。
[0056] 本步骤中，首先在形成有第一极的基底上先后沉积刻蚀阻挡材料层和半导体材料层。接着，先对半导体材料层进行刻蚀，以形成半导体层。而此时，刻蚀阻挡材料层覆盖光电二极管的第一极，故其可对光电二极管的第一极起到保护作用，从而避免了在刻蚀形成半导体层时对光电二极管的第一极的过刻。同时，由于刻蚀阻挡材料层包括金属氧化物，故在对其进行刻蚀形成刻蚀阻挡层时，也不会对由金属材料构成的光电二极管的第一极产生影响。
[0057] 综上，本实施例提供的平板探测器基板的制备方法中，通过在光电二极管的第一极上方形成刻蚀阻挡材料层，有效防止在刻蚀半导体材料层时对第一极造成过刻，从而有效减缓平板探测器基板制备工艺对产品性能的影响，进而提高产品良率。
[0058] 实施例2：
[0059] 如图2至图8所示，本实施例提供一种平板探测器基板的制备方法，其中，该平板探测基板可用于平板探测器，例如X射线平板探测器。
[0060] 本实施例中，平板探测器基板可包括多个感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管和光电二极管。其中，薄膜晶体管可以为底栅型薄膜晶体管或者顶栅型薄膜晶体管；光电二极管可包括PIN型光电二极管。下面以薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，光电二极管为PIN型光电二极管为例对本实施例进行具体说明。
[0061] 该平板探测器基板的制备方法具体包括：
[0062] S21、如图2所示，通过构图工艺在基底1上依次形成薄膜晶体管的栅极21、栅绝缘层22、有源层23、欧姆接触层24以及源极25和漏极26。
[0063] 本实施例中，基板可采用玻璃等透明材料制成，且经过预先清洗。具体的，首先，在基底1上采用溅射方式、热蒸发方式、等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Vapor Deposition；PECVD)方式、低压化学气相沉积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition；LPCVD)方式、大气压化学气相沉积(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition；APCVD)方式或电子回旋谐振化学气相沉积(Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition；ECR-CVD)方式形成栅金属膜层。然后采用半色调掩模(Half Tone Mask；HTM)或灰色调掩模(Gray Tone Mask；GTM)，通过构图工艺(成膜、曝光、显影、湿法刻蚀或干法刻蚀)形成栅极21的图形。其中，栅极21可采用金属、金属合金，如：钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛或铜等导电材料形成。
[0066] 再下来通过等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式或大气压化学气相沉积方式在形成有有源层23的基底1上形成欧姆接触材料层，并通过构图工艺形成欧姆接触层24的图形。
[0067] 最后通过等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式或溅射方式形成源漏金属膜层，并通过一次构图工艺同时形成包括源极25和漏极26的图形。
[0068] S22、如图3所示，通过构图工艺形成钝化层3，并在钝化层3与漏极26对应的位置形成第一过孔。
[0069] 具体的，本步骤中，可采用等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式沉积形成钝化膜层，并经过掩膜、干法刻蚀等构图工艺形成第一过孔。其中，钝化膜层的材料可以包括氮化硅、氧化硅等材料。
[0070] S23、如图4所示，通过构图工艺形成包括光电二极管的第一极4的图形，且其通过第一过孔与薄膜晶体管的漏极26连接。
[0071] 与形成薄膜晶体管的源极25、漏极26工艺相似的，本步骤中，可通过等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式或溅射方式在钝化层3上方沉积第一金属膜层，并经过掩膜、湿法刻蚀等构图工艺形成光电二极管的第一极4的图形。
[0072] 其中，第一金属膜层材料可采用金属、金属合金，如：钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛或铜等导电材料。
[0073] S24、如图5和图6所示，在基底1上依次沉积刻蚀阻挡材料层，以及半导体材料层，通过构图工艺形成，包括刻蚀阻挡层5、以及光电二极管的半导体层6的图形。
[0074] 本实施例中，平板探测器基板包括光电二极管区，半导体层6位于基底1对应光电二极管区的位置。刻蚀阻挡材料层包括金属氧化物，具体可包括氧化铟锡(Indium tin oxide；ITO)和氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide；IGZO)中的至少一种。半导体材料层的厚度约为 其具体可包括N型半导体材料层、I型半导体材料层和P型半导体材料层。
[0075] 具体的，步骤S24可包括以下步骤：
[0076] S241、在形成有第一极4的基底1上通过溅射方式、热蒸发方式或等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式沉积刻蚀阻挡材料层；通过等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式在刻蚀阻挡材料层上方沉积半导体材料层。
[0077] S242、通过等离子体刻蚀(Plasma Etching；PE)、反应粒子刻蚀(Reactive Ion Etching；RIE)、增强电容耦合等离子体刻蚀(Enhanced Capacitive Coupled Plasma Etching；ECCP)和感应耦合等离子体刻蚀(Inductively Coupled Plasma Etching；ICP)等干法刻蚀工艺，去除光电二极管区以外的半导体材料层，以形成半导体层6(如图5所示，具体包括N型半导体层61、I型半导体层62和P型半导体层63)。
[0078] S243、通过喷淋法(Spraying)、浸入法(Dipping)等湿法刻蚀工艺，去除裸露的刻蚀阻挡材料层，以形成刻蚀阻挡层5。
[0079] 优选的，在步骤S24中，为了使得光电二极管的半导体层6与待形成的光电二极管的第二极8良好的欧姆接触，可以在形成完半导体材料层之后，在该半导体材料层上形成透明导电层；之后，先对透明导电层进行刻蚀，以形成透明电极9；最后按照上述的步骤S252、S253形成半导体层6和刻蚀阻挡层5。其中，透明电极9层的材料可以为ITO、IGZO等。
[0080] 可以理解的是，本实施例中，为了避免光电二极管的性能产生影响，刻蚀阻挡层5应由导电材料构成。为了避免刻蚀阻挡材料层对薄膜晶体管中的金属膜层结构重叠形成耦合电容，影响平板探测器基板的性能，本实施例中优选将裸露的刻蚀阻挡材料层(即除半导体层6下方以外的刻蚀阻挡材料层)完全去除。当然，也可以通过刻蚀以使刻蚀阻挡层5与光电二极管的第一极4完全重合。
[0081] 综上，本实施例中的刻蚀阻挡层5和光电二极管的半导体层6是采用一次构图工艺形成的，即二者是采用一次掩膜工艺，通过不同的刻蚀方法去除，因此，并没有增加制备工艺的复杂程度。
[0082] S25、如图7所示，在形成有刻蚀阻挡层5、以及光电二极管的半导体层6的基底1上形成层间绝缘层7，并在层间绝缘层7与半导体层6对应的位置形成第二过孔。
[0083] 其中，层间绝缘层7的材料包括树脂，且其厚度较大，以起到对平板探测器基板的平坦化作用。具体的，与形成钝化层3相似的，本步骤中，可采用等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式沉积形成层间绝缘材料膜层层，并经过掩膜、刻蚀等构图工艺在与半导体层6对应的位置形成第二过孔。
[0084] 进一步的，由于单层树脂材料层间绝缘层7厚度较大，易脱落，故为了进一步保证产品的性能，层间绝缘层7优选包括依次设置的第一层间绝缘层71、第二层间绝缘层72和第三层间绝缘层73。其中，第一层间绝缘层71和第三层间绝缘层73的材料可包括氮化硅、氧化硅层材料，第二层间绝缘层72的材料包括树脂。且如图7所示，第二层间绝缘层72的厚度相对第一层间绝缘层71以及第三层间绝缘层73的厚度更大。
[0085] S26、如图8所示，通过构图工艺形成包括光电二极管的第二极8的图形，光电二极管的第二极8通过第二过孔与半导体层6连接。
[0086] 本步骤中，可通过等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式或溅射方式在层间绝缘层7上方沉积第二金属膜层，并经过掩膜、湿法刻蚀等构图工艺形成光电二极管的第二极8(偏压电极)的图形。其中，第二金属膜层材料可采用金属、金属合金，如：钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛或铜等导电材料。
[0087] 也即，基底1上依次设置的第一极4、半导体层6和第二极8构成光电二极管。且通过光电二极管的第一极4与薄膜晶体管的漏极26连接，实现光电二极管与薄膜晶体管的连接，从而通过控制薄膜晶体管的导通状态，实现对光电二极管的所采集的光信号的检测。
[0088] 至此完成平板探测器基板中薄膜晶体管和光电二极管的制备。
[0089] 在此需要说明的是，本实施例中的光电二极管的第一极4可以是与薄膜晶体管的漏极26直接连接的，因此上述步骤S21中可以具体包括：
[0090] 通过构图工艺在基底1上依次形成薄膜晶体管的栅极21、栅绝缘层22、有源层23、欧姆接触层24以及源极25、漏极26和光电二极管的第一极4。
[0091] 其中，薄膜晶体管的栅极21、栅绝缘层22、有源层23、欧姆接触层24与上述内容中的制备工艺无异，在此不再赘述。而在形成源极25和漏极26时，通过一次构图工艺同时形成源极25、漏极26和光电二极管的第一极4的图形。其中，漏极26和光电二极管的第一极4为一体成型结构，即可用漏极26的延长部分作为光电二极管的第一极4。
[0092] 在步骤S21之后，按照步骤S24、S25、S26依次形成刻蚀阻挡层5、半导体层6、层间绝缘层7、光电二极管的第二极8等结构即可，在此不再赘述。
[0093] 综上，本实施例中，在制备光电二极管的半导体层6之前，先在基底1上形成一层刻蚀阻挡材料层，以覆盖已形成的光电二极管的第一极4以及裸露的钝化层3，从而避免在刻蚀形成半导体层6的过程中对上述二者造成过刻。同时，在去除刻蚀阻挡层5时也不会对光电二极管的第一极4和钝化层3产生影响。故本实施例中，利用刻蚀阻挡层5可以提高半导体层6的刻蚀均一性，避免光电二极管制备过程中对第一极4以及钝化层3的过刻，从而有效减缓制备工艺对产品性能的影响，降低污渍以及产品特性异常的风险，提高产品良率。
[0094] 实施例3：
[0095] 如图1所示，本实施例提供一种平板探测器基板，其可由实施例1或者实施例2中提供的平板探测器基板的制备方法制备而成。
[0096] 该平板探测器基板包括：基底1；依次设置于基底1上的光电二极管的第一极4、刻蚀阻挡层5以及光电二极管的半导体层6；其中，刻蚀阻挡层5在基底1上的正投影至少覆盖光电二极管的半导体层6在基底1上的正投影；且刻蚀阻挡层5的材料包括金属氧化物。
[0097] 也即，本实施例的平板探测器基板中，光电二极管的半导体层6与第一极4之间被刻蚀阻挡层5隔开。从而在制备该平板探测器基板的过程中，先对半导体材料层进行刻蚀，以形成半导体层6。与此同时刻蚀阻挡材料层覆盖光电二极管的第一极4，从而通过刻蚀阻挡材料层对光电二极管的第一极4起到保护作用，避免在刻蚀形成半导体层6时对光电二极管的第一极4的过刻。并且，由于刻蚀阻挡材料层包括金属氧化物，故在对其进行刻蚀形成刻蚀阻挡层5时，也不会对由金属材料构成的光电二极管的第一极4产生影响。
[0098] 其中，为了避免光电二极管的性能产生影响，刻蚀阻挡层5应由导电材料构成。同时，为了避免在实际应用中刻蚀阻挡材料层对薄膜晶体管中的金属膜层结构重叠形成耦合电容，影响平板探测器基板的性能，优选的，本实施例中刻蚀阻挡层5在基底1上的正投影覆盖光电二极管的半导体层6在基底1上的正投影。当然，也可以刻蚀阻挡层5也可与光电二极管的第一极4完全重合。
[0099] 优选的，半导体层6上方还设置有层间绝缘层7以及第二极8(偏压电极)。其中，层间绝缘层7中设置有第二过孔，第二极8通过该第二过孔与半导体层6连接。第一极4、半导体层6以及第二极8构成光电二极管。进一步的，为了使得光电二极管的半导体层6与第二极8良好的欧姆接触，半导体层6上方还形成有透明电极9，该透明电极9通过第二过孔与光电二极管的第二极8连接。
[0100] 优选的，本实施例中的平板探测器基板还包括：设置在基底1上的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管的源极25和漏极26所在层上方的钝化层3；其中，在钝化层3与漏极26对应的位置设置有第一过孔；光电二极管位于钝化层3上方，且光电二极管的第一极4通过第一过孔与漏极26连接。
[0101] 本实施例中，光电二极管的第一极4可以是与薄膜晶体管的漏极26直接连接的，即漏极26和光电二极管的第一极4可为一体成型结构，从而薄膜晶体管的源极25、漏极26以及光电二极管的第一极4可以通过一次构图工艺形成。
[0102] 本实施例的平板探测器基板中，利用刻蚀阻挡层5提高了半导体层6的刻蚀均一性，避免光电二极管制备过程中对第一极4以及钝化层3的过刻，从而有效减缓制备工艺对产品性能的影响，降低污渍以及产品特性异常的风险，提高产品良率。
[0103] 实施例4：
[0104] 本实施例提供一种平板探测器，其可以为X射线平板探测器。具体的，本实施例中的平板探测器包括实施例3中提供的平板探测器基板。
[0105] 由于平板探测器基板中，半导体层的刻蚀均一性较高，平板探测器基板的性能较好，故本实施例中的平板探测器的良率较高。
[0106] 可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
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