铜箔复合体
阅读：472发布：2020-05-12
专利汇可以提供铜箔复合体专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供即使进行与加压加工等这样的单轴弯曲不同的苛刻（复杂）的 变形 ，也可以防止 铜 箔断裂且加工性优异的铜箔 复合体 。铜箔复合体，其叠层有铜箔和 树脂 层，且在将铜箔的厚度设为t2（mm）、拉伸应变4%时的铜箔的应 力 设为f2（MPa），树脂层的厚度设为t3（mm）、拉伸应变4%时的树脂层的 应力 设为f3（MPa）时，满足式1：（f3×t3）/（f2×t2）≥1，且，在将铜箔与树脂层的180°剥离粘接强度设为f1（N/mm）、铜箔复合体的拉伸应变30%时的强度设为F（MPa）、铜箔复合体的厚度设为T（mm）时，满足式2：1≤33f1/（F×T）。，下面是铜箔复合体专利的具体信息内容。
1.铜箔复合体，其是将铜箔和树脂层叠层了的铜箔复合体，其特征在于，在将所述铜箔的厚度设为t2（mm）、拉伸应变4%时的所述铜箔的应力设为f2（MPa）、所述树脂层的厚度设为t3（mm）、拉伸应变4%时的所述树脂层的应力设为f3（MPa）时，满足式一：（f3×t3）／（f2×t2）≥1，
并且，在将所述铜箔与所述树脂层的180°剥离粘接强度设为f1（N／mm）、所述铜箔复合体的拉伸应变30%时的强度设为F（MPa）、所述铜箔复合体的厚度设为T（mm）时，满足式二：1≤33f1／（F×T）。
2.根据权利要求1所述的铜箔复合体，其中，在低于所述树脂层的玻璃化转变温度的温度下，所述式一和式二成立。
3.根据权利要求1或2所述的铜箔复合体，其特征在于，所述铜箔复合体的拉伸断裂应变I与所述树脂层单体的拉伸断裂应变L之比I／L为0.7～1。
4.成形体，其将权利要求1～3中任一项所述的铜箔复合体进行加压加工而成。
5.成形体的制造方法，其中，将权利要求1～3中任一项所述的铜箔复合体进行加压加工。
铜箔复合体
技术领域
背景技术
[0002] 铜箔与树脂层叠层而成的铜箔复合体被应用于FPC（挠性印刷基板）、电磁波遮罩材料、RF－ID（无线IC标签）、面状发热体、散热体等中。例如，对于FPC的情况，在基底树脂层上形成铜箔的电路，且保护电路的覆盖膜将电路覆盖，而成为树脂层／铜箔／树脂层的叠层结构。
[0003] 然而，作为这种铜箔复合体的加工性，要求以MIT弯曲性为代表的弯折性、以IPC弯曲性为代表的高循环弯曲性，而提出了弯折性或弯曲性优异的铜箔复合体（例如专利文献1～3）。例如，FPC在便携电话的铰链部等可动部弯折，或为实现电路的小空间化而弯折使用，作为变形模式，为以上述的MIT弯曲试验或IPC弯曲试验为代表的单轴弯曲，并以不会形成苛刻的变形模式的方式进行设计。
[0004] 专利文献1：日本特开2010－100887号公报
[0005] 专利文献2：日本特开2009－111203号公报
[0006] 专利文献3：日本特开2007－207812号公报。
发明内容
[0007] 发明要解决的技术问题
[0008] 然而，若将上述铜箔复合体进行加压加工等，则由于形成与MIT弯曲试验或IPC弯曲试验不同的苛刻（复杂）的变形模式，因而存在铜箔断裂的问题。而且，若能够对铜箔复合体进行加压加工，则可使含有电路的结构体符合产品形状。
[0009] 因此，本发明的目的在于提供即使产生与加压加工等这样的单轴弯曲不同的苛刻（复杂）的变形，也可以防止铜箔断裂且加工性优异的铜箔复合体。
[0010] 解决问题的技术手段
[0011] 本发明人等发现，将树脂层的变形行为传达至铜箔，也使铜箔以与树脂层相同的方式发生变形，由此难以产生铜箔的收缩，提高延展性，可防止铜箔的断裂，从而完成本发明。即，以树脂层的变形行为传达至铜箔的方式，规定树脂层及铜箔的特性。
[0012] 即，本发明的铜箔复合体是将铜箔和树脂层叠层了的铜箔复合体，在将上述铜箔的厚度设为t2（mm）、拉伸应变4%时的上述铜箔的应力设为f2（MPa）、上述树脂层的厚度设为t3（mm）、拉伸应变4%时的上述树脂层的应力设为f3（MPa）时，满足式1：（f3×t3）／（f2×t2）≥1，且，在将上述铜箔与上述树脂层的180°剥离粘接强度设为f1（N／mm）、上述铜箔复合体的拉伸应变30%时的强度设为F（MPa）、上述铜箔复合体的厚度设为T（mm）时，满足式2：1≤33f1／（F×T）。
[0014] 优选上述铜箔复合体的拉伸断裂应变I与上述树脂层单体的拉伸断裂应变L的比I／L为0.7～1。
[0015] 发明效果
[0017] 图1是实验性表示f1与（F×T）的关系的图。
[0018] 图2是表示进行加工性评价的杯突试验装置的构成的图。
具体实施方式
[0019] 本发明的铜箔复合体通过将铜箔和树脂层叠层而构成。本发明的铜箔复合体可适用于例如FPC（挠性印刷基板）、电磁波屏蔽材料、RF－ID（无线IC标签）、面状发热体、散热体中，但并不限定于这些。
[0020] <铜箔>
[0021] 铜箔的厚度t2优选为0.004～0.05mm（4～50μm）。若t2小于0.004mm（4μm），则有铜箔的延展性明显下降，铜箔复合体的加工性不提高的情况。铜箔优选具有4%以上的拉伸断裂应变。若t2超过0.05mm（50μm），则有在制成铜箔复合体时，较大表现出铜箔单体的特性的影响，铜箔复合体的加工性不提高的情况。
[0022] 作为铜箔，可使用压延铜箔、电解铜箔、利用了金属化的铜箔等，优选为通过再结晶而使加工性优异并且可降低强度（f2）的压延铜箔。在铜箔表面形成有用于粘接、防锈的处理层的情况下，认为这些也包含在铜箔中。
[0023] <树脂层>
[0024] 作为树脂层没有特别限制，可在铜箔上涂布树脂材料而形成树脂层，但优选为能够贴附于铜箔上的树脂膜。作为树脂膜，可列举出：PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯 ）膜、PEN（聚萘二甲酸乙二醇酯）、PI（聚酰亚胺）膜、LCP（液晶聚合物）膜、PP（聚丙烯）膜。
[0025] 作为树脂膜与铜箔的叠层方法，可在树脂膜与铜箔之间使用粘接剂，也可将树脂膜热压接于铜箔上。另外，若粘接剂层的强度低，则难以提高铜箔复合体的加工性，因此优选粘接剂层的强度为树脂层的应力（f3）的1／3以上。其原因在于：在本发明中，技术思想为将树脂层的变形行为传达至铜箔而使铜箔也以与树脂层相同的方式发生变形，由此难以发生铜箔的收缩，从而提高延展性，若粘接剂层的强度低，则在粘接剂层中的变形会缓和而不能将树脂的行为传达至铜箔。
[0026] 另外，在使用粘接剂的情况下，下述树脂层的特性是将粘接剂层与树脂层一并而成的物质作为对象。
[0027] 树脂层的厚度t3优选为0.012～0.12mm（12～120μm）。若t3小于0.012mm（12μm)，则有时（f3×t3）／（f2×t2）＜1。若t3厚于0.12mm（120μm），则树脂层的柔软性（可挠性）下降而使刚性过强，从而使加工性劣化。树脂层优选具有40%以上的拉伸断裂应变。
[0028] <铜箔复合体>
[0029] 作为叠层了上述铜箔和树脂层的铜箔复合体的组合，可列举铜箔／树脂层的2层结构，或者树脂层／铜箔／树脂层、或铜箔／树脂层／铜箔的3层结构。在铜箔的两侧存在树脂层（树脂层／铜箔／树脂层）的情况下，整体的（f3×t3）的值为将分别针对2层树脂层所计算的各（f3×t3）的值进行相加而得到的值。在树脂层的两侧存在铜箔（铜箔／树脂层／铜箔）的情况下，整体的（f2×t2）的值为将分别针对2个铜箔所计算的各（f2×t2）的值进行相加而得到的值。
[0030] <180°剥离粘接强度>
[0031] 铜箔由于其厚度薄，因而在厚度方向容易产生收缩。由于产生收缩时铜箔断裂，因而延展性下降。另一方面，树脂层具有拉伸时难以产生收缩的特点（均匀应变的区域广）。因此，在铜箔与树脂层的复合体中，树脂层的变形行为传达至铜箔而使铜箔也以与树脂相同的方式发生变形，由此铜箔难以产生收缩，从而提高延展性。此时，若铜箔与树脂层的粘接强度低，则无法将树脂层的变形行为传达至铜箔，延展性不提高（剥离且铜断裂）。
[0033] 由此，本发明中使用180°剥离粘接强度f1的值。剪切粘接强度与180°剥离粘接强度的绝对值完全不同，但由于发现加工性或拉伸延展性与180°剥离粘接强度之间存在关联，因而将180°剥离粘接强度作为粘接强度的指标。
[0034] 此处，实际上认为“断裂时的强度＝剪切密合力”，认为例如在必需有30%以上的拉伸应变的情况下，“30%的流动应力≤剪切密合力”，在必需有50%以上的拉伸应变的情况下，“50%的流动应力≤剪切密合力”。并且，根据本发明人等的实验，若拉伸应变成为30%以上，则加工性变得良好，因而作为如下所述的铜箔复合体的强度F，采用拉伸应变30%时的强度。
[0035] 图1是实验性表示f1与（F×T）的关系的图，并将下述各实施例及比较例的f1与（F×T）的值作图。（F×T）为在拉伸应变30%时施加至铜箔复合体的力，若将其视为对提高加工性必需且最低限度的剪切粘接强度，则只要f1与（F×T）的绝对值相同，两者在斜率1处发现关联。
[0036] 但是，在图1中，未必所有数据的f1与（F×T）为相同关联，加工性较差的各比较例中，f1相对于（F×T）的相关系数（即，通过图1的原点且f1相对于（F×T）的斜率）小，相对应地180°剥离粘接强度较差。另一方面，各实施例的斜率大于各比较例的斜率，但由于斜率最小的实施例18（正好在应变30%时断裂的例子）的斜率为1／33，因而将该值视为对提高加工性所必需的最低限度的剪切粘接强度与180°剥离粘接强度之间的相关系数。即，将剪切粘接力视为180°剥离粘接强度f1的33倍。
[0037] 另外，在比较例3的情况下，虽然图1的斜率超过1／33，但由于下述式1：（f3×t3）／（f2×t2）小于1，因而加工性劣化。
[0038] 180°剥离粘接强度为每单位宽度的力（N／mm）。
[0039] 在铜箔复合体为3层结构且存在多个粘接面时，使用各粘接面中的180°剥离粘接强度最低的值。其原因在于：最弱的粘接面发生剥离。另外，铜箔通常具有S面、M面，但由于S面的密合性差，因而铜箔的S面与树脂的密合性减弱。因此，较多采用铜箔的S面的180°剥离粘接强度。
[0041] Cr氧化物层的厚度，以Cr重量计，可以为5～100μg／dm2。该厚度是由利用湿式分析得到的铬含量而计算出的。另外，Cr氧化物层的存在可通过利用X射线光电子光谱（XPS）能否检测出Cr来判定（Cr的峰值由于氧化而移动）。
[0042] Ni被覆量可为90～5000μg／dm2。若Ni被覆的附着量超过5000μg／dm（2 相当于Ni厚度56nm），则有时铜箔（以及铜箔复合体）的延展性下降。
[0043] 另外，可改变使铜箔与树脂层叠层复合时的压力或温度条件而提高粘接强度。在不损伤树脂层的范围内，可将叠层时的压力、温度一同增加。
[0044] <（f3×t3）／（f2×t2）>
[0045] 然后，对权利要求书的（（f3×t3）／（f2×t2））（以下称为“式1”）的含意进行说明。对于铜箔复合体，由于叠层有相同宽度（尺寸）的铜箔和树脂层，因而式1表示施加至构成铜箔复合体的铜箔与树脂层上的力的比。因此，该比为1以上表示更多的力施加至树脂层侧，而使树脂层侧的强度高于铜箔。并且，铜箔不发生断裂且显示良好的加工性。
[0046] 另一方面，若（f3×t3）／（f2×t2）＜1，则由于更多的力施加至铜箔侧，因而不会产生树脂层的变形行为传达至铜箔、并使铜箔以与树脂相同的方式发生变形的上述作用。
[0047] 此处，f2和f3只要为发生塑性变形后的相同应变量下的应力即可，但考虑到铜箔的拉伸断裂应变和树脂层（例如PET膜）的塑性变形开始的应变，而设为拉伸应变4%的应力。另外，f2及f3（以及f1）全部设为MD（Machine Direction，纵向）的值。
[0048] <33f1／(F×T)>
[0049] 然后，对权利要求书的（33f1／（F×T））（以下称为“式2”）的含意进行说明。如上所述，直接表示为了提高加工性所必需且最低限度的铜箔与树脂层的粘接强度的剪切粘接力，为180°剥离粘接强度f1的约33倍，因此33f1表示为了提高铜箔与树脂层的加工性所必需且最低限度的粘接强度。另一方面，由于（F×T）为施加至铜箔复合体的力，因而式2为铜箔与树脂层的粘接强度、与铜箔复合体的拉伸阻力的比。并且，若拉伸铜箔复合体，则在铜箔与树脂层的界面，由于将要发生局部变形的铜箔和将要发生拉伸均匀应变的树脂而导致进一步施加剪切应力。因此，由于该剪切应力导致粘接强度降低时，铜与树脂层会发生剥离，而变得无法将树脂层的变形行为传达至铜箔，铜箔的延展性不会提高。
[0050] 即，式2的比小于1时，粘接强度变得弱于施加至铜箔复合体的力，铜箔与树脂变得容易剥离，铜箔由于加压成形等加工而发生断裂。
[0051] 式2的比为1以上时，铜与树脂层可不发生剥离而将树脂层的变形行为传达至铜箔，铜箔的延展性提高。另外，式2的比越高越优选，但通常难以实现10以上的值，因而可将式2的上限设为10。
[0052] 另外，认为33f1／（F×T）越大加工性越提高，但树脂层的拉伸断裂应变L与33f1／（F×T）不成比例。其取决于（f3×t3）／（f2×t2）的大小、铜箔、树脂层单体的延展性的影响，但只要为满足33f1／（F×T）≥1、（f3×t3）／（f2×t2）≥1的铜箔与树脂层的组合，则可获得具有必需的加工性的复合体。
[0053] 此处，作为铜箔复合体的强度F，使用拉伸应变30%时的强度，其原因在于：如上所述，拉伸应变为30%以上时，加工性变得良好。另外，其原因在于：在进行铜箔复合体的拉伸试验后，结果是直至拉伸应变为30%时，由于应变而使流动应力产生较大的差，但在30%以后，即使由于拉伸应变，流动应力也不会产生较大的差（稍微加工硬化，但曲线的斜率变得相当小）。
[0054] 另外，铜箔复合体的拉伸应变小于30%的情况下，将铜箔复合体的拉伸强度设为F。
[0055] 如上所述，本发明的铜箔复合体，即使产生与加压加工等这样的单轴弯曲不同的苛刻（复杂）的变形，也可以防止铜箔断裂且加工性优异。特别是本发明适于加压加工这样的立体成形。通过将铜箔复合体立体成形，可将铜箔复合体成形为复杂的形状，或可提高铜箔复合体的强度，例如可将铜箔复合体本身制成各种电源电路的壳体，并可实现部件数或成本的降低。
[0056] ＜I／L＞
[0057] 铜箔复合体的拉伸断裂应变I与树脂层单体的拉伸断裂应变L的比I／L优选为0.7～1。
[0058] 通常，树脂层的拉伸断裂应变远远高于铜箔的拉伸断裂应变，同样地，树脂层单体的断裂应变远远高于铜箔复合体的拉伸断裂应变。另一方面，如上所述，在本发明中，将树脂层的变形行为传达至铜箔而使铜箔的延展性提高，伴随其可将铜箔复合体的拉伸断裂应变提高至树脂层单体的拉伸断裂应变的70～100%。并且，I／L的比为0.7以上时，加压成形性进一步提高。
[0059] 另外，铜箔复合体的拉伸断裂应变I为进行拉伸试验时的拉伸断裂应变，在树脂层与铜箔同时断裂时设为该值，在铜箔首先断裂时设为铜箔断裂的时间点的值。另外，对于树脂层单体的拉伸断裂应变L，在铜箔两面存在树脂层的情况下，对两者的树脂层分别进行拉伸试验，测定拉伸断裂应变，并将较大值的拉伸断裂应变设为L。在铜箔两面存在树脂层的情况下，对除去铜箔而产生的2层树脂层分别进行测定。
[0060] <树脂层的Tg>
[0061] 通常，由于树脂层在高温下强度下降或粘接力下降，因而在高温下变得难以满足（f3×t3）／（f2×t2）≥1或1≤33f1／（F×T）。例如，在树脂层的Tg（玻璃化转变温度）以上的温度下，有时难以维持树脂层的强度或粘接力，但如果在低于Tg的温度下，则有容易维持树脂层的强度或粘接力的倾向。即，如果在低于树脂层的Tg（玻璃化转变温度）的温度（例如5℃～215℃）下，则铜箔复合体容易满足（f3×t3）／（f2×t2）≥1及1≤33f1／（F×T）。另外，即使在低于Tg的温度下，也认为有温度较高时，树脂层的强度或密合力变小，而难以满足式1及式2的倾向（参照下述实施例20－22）。
[0062] 进而，在满足式l及式2的情况下，判明在低于树脂层的Tg的、相对较高的温度（例如40℃～215℃）下也可维持铜箔复合体的延展性。若在低于树脂层的Tg的、相对较高的温度下（例如40℃～215℃）也可维持铜箔复合体的延展性，则在温压等方法中也显示出优异的加工性，另外，对树脂层而言，温度高时，成形性好。另外，在加压后为了追踪形状（由于弹性变形而未恢复原形）而通过温压进行加压，因而就该方面而言，在低于树脂层的Tg的、相对较高的温度下（例如40℃～215℃），也可维持铜箔复合体的延展性，因而优选。
[0063] 另外，在铜箔复合体包含粘接剂层与树脂层的情况下、或如3层结构的铜箔复合体这样的存在多层树脂层的情况下，采用Tg（玻璃化转变温度）最低的树脂层的Tg。实施例
[0064] <铜箔复合体的制造>
[0065] 将由韧铜（Tough-Pitch Copper）构成的铸锭进行热压延，通过表面切割而除去氧化物后，反覆进行冷压延、退火与酸洗，使其薄至表1的厚度t（2 mm），最后进行退火，确保加工性，利用苯并三唑进行防锈处理，获得铜箔。以铜箔在宽度方向成为均匀组织的方式，使冷压延时的张力及压延材料的宽度方向的压下条件均匀。接下来的退火中，以在宽度方向成为均匀温度分布的方式，使用多个加热器进行温度管理，测定铜的温度并进行控制。
[0066] 进而，对所获得的铜箔表面进行表1所示的表面处理后，使用表1所示的树脂膜2
（树脂层），在（树脂层的Tg+50℃）以上的温度下通过真空加压（加压压力为200N／cm）叠层树脂膜，而制作表1所示的层结构的铜箔复合体。另外，在铜箔的两面叠层树脂膜的情况下，测定两面的f1，f1较小的（粘接强度较弱者）的面的铜箔的表面处理记载在表1中。
（树脂层），在（树脂层的Tg+50℃）以上的温度下通过真空加压（加压压力为200N／cm）叠层树脂膜，而制作表1所示的层结构的铜箔复合体。另外，在铜箔的两面叠层树脂膜的情况下，测定两面的f1，f1较小的（粘接强度较弱者）的面的铜箔的表面处理记载在表1中。
[0067] 另外，表1中，Cu表示铜箔，PI表示聚酰亚胺膜，PET表示聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。另外，PI、PET的Tg分别为220℃、70℃。
[0068] 另外，表面处理的条件如下所述。
[0071] 粗化处理：使用处理液（Cu：10～25g／L，H2SO4：20～100g／L），以温度20～2
40℃、电流密度30～70A／dm、电解时间1～5秒进行电解处理。然后，使用Ni－Co电镀液（Co离子浓度：5～20g／L，Ni离子浓度：5～20g／L，pH值：1.0～4.0），以温度
2
25～60℃、电流密度0.5～10A／dm 进行镀Ni－Co。
40℃、电流密度30～70A／dm、电解时间1～5秒进行电解处理。然后，使用Ni－Co电镀液（Co离子浓度：5～20g／L，Ni离子浓度：5～20g／L，pH值：1.0～4.0），以温度
2
25～60℃、电流密度0.5～10A／dm 进行镀Ni－Co。
[0072] <拉伸试验>
[0073] 由铜箔复合体制作多个宽度12.7mm的带状的拉伸试验片。关于铜箔及树脂膜的拉伸试验，将叠层前的铜箔单体及树脂膜单体制成12.7mm的带状。
[0074] 并且，利用拉伸试验机，按照JIS－Z2241，在与铜箔的压延方向平行的方向上进行拉伸试验。拉伸试验时的试验温度示于表1。
[0075] <180°剥离试验>
[0076] 进行180°剥离试验，测定180°剥离粘接强度f1。首先，由铜箔复合体制作多个宽度12.7mm的带状的剥离试验片。将试验片的铜箔面固定于SUS板，并沿180°方向剥离树脂层。关于树脂层存在于铜箔的两面的实施例，将树脂层+铜箔固定于SUS板，并沿180°方向剥离相反侧的树脂层。关于铜箔存在于树脂层的两面的实施例，除去单面的铜箔后，将相反面的铜箔侧固定于SUS板，并沿180°方向剥离树脂层。其他条件按照JIS－C5016。
[0077] 另外，在JIS的标准中是剥下铜箔层，但在实施例中剥下树脂层的原因在于：减少因铜箔的厚度、刚性所造成的影响。
[0078] <加工性的评价>
[0079] 使用图2所示的杯突试验装置10进行加工性的评价。杯突试验装置10具备基座4和打孔机2，基座4具有圆锥台状的斜面，圆锥台由上自下前端逐渐变细，圆锥台的斜面的角度为与水平面成60°。另外，在圆锥台的下侧连通有直径15mm且深度7mm的圆孔。另一方面，打孔机2的前端形成为直径14mm的半球状圆柱，能将打孔机2前端的半球部插入圆锥台的圆孔。
[0080] 另外，圆锥台的逐渐变细的前端与圆锥台的下侧的圆孔的连接部分附有半径（r）＝3mm的弧度。
[0081] 并且，将铜箔复合体打孔为直径30mm的圆板状试验片20，在基座4的圆锥台的斜面载置铜箔复合体，并从试验片20的上部压下打孔机2，插入基座4的圆孔。由此，试验片20成形为锥形杯状。
[0082] 另外，当仅在铜箔复合体的单面存在树脂层时，将树脂层作为上面载置于基座4上。另外，当在铜箔复合体的两面存在树脂层时，将与M面粘接的树脂层作为上面并载置于基座4上。在铜箔复合体的两面为Cu的情况下，可使任意一面为上面。
[0083] 以目视判定成形后的试验片20内有无铜箔的断裂，并根据以下基准进行加工性的评价。
[0084] ◎：铜箔未断裂且铜箔也无皱褶
[0085] ○：铜箔未断裂，但铜箔中存在稍许皱褶
[0086] ×：铜箔断裂
[0087] 所获得的结果示于表1、表2。另外，表1的试验温度表示F、f1、f2、f3以及进行加工性评价的温度。
[0088] [表1]
[0089]
[0090] [表2]
[0091]
[0092] 由表1、表2明确可知，各实施例的情况下，同时满足（f3×t3）／（f2×t2）≥1，及1≤33f1／（F×T），且加工性优异。
[0093] 另外，将使用了相同构成的铜箔叠层体的实施例6与实施例20进行比较，可知在室温（约25℃）下进行拉伸试验而测定F等的实施例6与实施例20相比，（f3×t3）／（f2×t2）的值较大，实施例20中由于试验温度上升而使树脂层减弱（f3小）。
[0094] 另一方面，未对铜箔进行表面处理而叠层了树脂膜的比较例1的情况下，粘接强度降低，33f1／（F×T）的值小于1，加工性劣化。2
[0095] 将叠层时的加压压力降低至100N／cm 的比较例2、5的情况下，粘接强度也下降，且33f1／（F×T）的值小于1，加工性劣化。
[0096] 将树脂膜的厚度变薄的比较例3的情况下，与铜箔相比，树脂膜的强度减弱，（f3×t3）／（f2×t2）的值小于1，加工性劣化。
[0097] 未将树脂膜与铜箔进行热熔接而利用粘接剂进行叠层的比较例4的情况下，粘接强度降低，33f1／（F×T）的值小于1，加工性劣化。
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