本实用新型涉及一种发光二极管封装结构，尤其涉及一种用于增加导电 及散热面积的晶片级发光二极管封装结构。

请参阅图l所示，其为公知发光二极管封装结构的结构示意图。由上述 图中可知，公知发光二极管封装结构包括： 一发光本体1，两个分别设置于 该发光本体1上的正极导电层P及负极导电层N、 一设置于该发光本体1的
底部的反射层2、及一用于包覆该发光本体l的透明封装胶体3。
再者，该发光二极管封装结构设置于一电路板p上，并且通过两条导线
w以分别将该正极导电层P及该负极导电层N电性连接于该电路板。此外，
该发光本体1产生的一部分光束直接产生向上投射的效果，并且该发光本体 1所产生的另一部分光束L通过该反射层2的反射以产生向上投射的效果。 然而，上述公知发光二极管封装结构具有下列缺点存在：
1、 上述该正极导电层P及该负极导电层N只裸露出一部分的面积，因 此该正极导电层P及该负极导电层N无法提供较大的导电面积（无法提供较 大的电源功率）及散热面积（无法提供较佳的散热效率）。
2、 由于该透明封装胶体3将该发光本体1包覆住，所以该发光本体1 所产生的热因受到该透明封装胶体3的阻碍而无法进行散热，因此公知发光 二极管封装结构的散热效果非常不好。
3、 该反射层2、该透明封装胶体3、及上述两条导线w皆为公知发光二 极管封装结构在制作时必要的结构特征，因此公知发光二极管封装结构在制 作时不仅较费时，也产生较高的制作成本。
是以，由上可知，上述公知的发光二极管封装结构，在实际使用上，显 然具有不便与技术缺陷存在。
因此，本发明人有感于上述技术缺陷的可改善，且依据多年来从事此方面的相关经验，悉心观察且研究，并配合学理的运用，而提出一种设计合理 且有效改善上述技术缺陷的本实用新型。

本实用新型所要解决的技术问题，在于提供一种用于增加导电及散热面 积的晶片级发光二极管封装结构。本实用新型通过大面积的一第二正极导电 结构及一第二负极导电结构的使用，以提供较大的导电面积（能提供较大的 电源功率）及散热面积（能提供较佳的散热效率）。
为了解决上述技术问题，根据本实用新型的其中一种方案，提供一种用 于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其包括： 一发光单元、 一第一导电单元、 一第二导电单元及一绝缘单元。其中，该发光单元具有一 发光本体、 一成形于该发光本体上的正极导电层、 一成形于该发光本体上的 负极导电层、 一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的第一绝缘层、及 一成形于该发光本体内的发光区域。该第一导电单元具有一成形于该正极导 电层上的第一正极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层。该 第二导电单元具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一 成形于该第一负极导电层上的第二负极导电结构。该绝缘单元具有一成形在 该第一绝缘层上并且位于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构之间 的第二绝缘层。
再者，本实用新型用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结 构还进一步包括： 一成形于该发光单元底部的荧光层或一成形于该发光单元 底部及周围的荧光层。
因此，本实用新型用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结 构的特点在于：
1、因为第二导电单元具有一成形于该相对应第一正极导电层上的第二 正极导电结构及一成形于该相对应第一负极导电层上的第二负极导电结构， 并且每一个第二绝缘层成形于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构 之间，所以该第二正极导电结构及该第二负极导电结构能提供较大的面积以 提供导电及散热。借此，本实用新型所制作的晶片级发光二极管封装结构能 提供较大的导电面积（能提供较大的电源功率）及散热面积（能提供较佳的散热效率）。
2、 以上述第一实施例而言，该荧光层可成形于该发光单元的氧化铝基 板的底部，以配合该发光区域所产生的光束来提供白色光源。以上述第二实 施例而言，该荧光层成形于该发光单元的底部及周围，以配合该发光区域所 产生的光束来提供白色光源。
3、 本实用新型不需要使用像上述公知一样的导线、反射层及封装胶体， 因此本实用新型用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构在 制作时可大大降低制作时间及成本。
为了能更进一步了解本实用新型为达成预定目的所采取的技术、手段及 功效，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，相信本实用新型的目 的、特征与特点，当可由此得一深入且具体的了解，然而附图仅提供参考与 说明用，并非用来对本实用新型加以限制。

图1为公知发光二极管封装结构的结构示意图；
图2A至图2K分别为本实用新型用于增加导电及散热面积的晶片级发 光二极管封装结构的制作方法的第一实施例的制作流程示意图；
图2L为本发明第一实施例的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二 极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上；
图3A至图3C分别为本实用新型用于增加导电及散热面积的晶片级发光 二极管封装结构的制作方法的第二实施例的部分制作流程示意图；以及
图3D为本发明第二实施例的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二 极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上。
其中，附图标记说明如下：
[公知]
1 发光本体
P 正极导电层 N 负极导电层
2 反射层
3 透明封装胶体
6W
L 光束
[第一实施例] W 晶片
1 a 发光单元
M a R a R a
2 a
S a
3 8
4 a
S P
第一导电层 光致抗蚀剂 光致抗蚀剂 第一导电单元
绝缘材料层 第二绝缘层 第二导电单元
荧光层 荧光层 高分子基板 电路板
Z a 发光二极管封装结构
10 a 发光本体
A a 发光区域 100 a 氧化铝基板 101a 氮化镓负电极层 102 a 氮化镓正电极层 11a 第一绝缘层 P a 正极导电层 PI a 正极导电区域 N a 负极导电层
Nla 负极导电区域
Ma' 第一导电层
Rla 盲孔
2P a 第一正极导电层
2Na 第一负极导电层
4P a 第二正极导电结构 4Na 第二负极导电结构 Cu 铜层 Ni
Au/ SnB a 锡球 B a ' 锡膏 La 光束
[第二实施例] W 晶片
5b 荧光层
5 b ' 荧光层
S 高分子基板
P 电路板
B b 锡球
B b ' 锡膏
Lb 光束

请参阅图2A至图2K所示，本实用新型第一实施例提供一种用于增加 导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其包括下列步 骤：
步骤S100为：请配合图2A所示，提供一具有多个发光单元la的晶片 W (图式中只显示出该晶片W上的其中一个发光单元la)，其中每一个发 光单元1 a具有一发光本体10 a 、 一成形于该发光本体10 a上的正极导电层 P a (例如P型半导体材料层）、 一成形于该发光本体10a上的负极导电层 Na (例如N型半导体材料层）、 一成形于该正极导电层P a及该负极导电 层Na之间的第一绝缘层11 a 、及一成形于该发光本体lOa内的发光区域 A a ，其中该第一绝缘层11 a可为一高分子材料层（polymer layer)或一陶 瓷材茅斗层(ceramic layer)。
此外，该发光本体10 a具有一氧化铝基板100 a 、 一成形于该氧化铝基 板100 a上的氮化镓负电极层101 a 、及一成形于该氮化镓负电极层101 a上
Z b 发光二极管封装结构
1 b 发光单元
A b 发光区域
C 凹槽的氮化镓正电极层102 a ，此外该正极导电层P a成形于该氮化镓正电极层 102 a上，该负极导电层N a成形于该氮化镓负电极层101 a上，另外该第一 绝缘层11 a成形于该氮化镓负电极层101 a上并且位于该正极导电层P a 、 该负极导电层N a及该氮化镓正电极层102a之间。另外，该正极导电层P a的上表面具有一正极导电区域Pl a ，该负极导电层N a的上表面具有一 负极导电区域Nl a ,并且该第一绝缘层11 a覆盖于该正极导电层P a的一 部分正极导电区域P1 a上及覆盖于该负极导电层N a的一部分负极导电区 域N1 a上。
步骤S102为：请配合图2B所示，成形一第一导电层Ma于每一个发光 单元1 a的该正极导电层P a 、该负极导电层N a及该第一绝缘层11 a上， 其中该第一导电层Ma为一层通过无电镀的方式（例如：物理蒸镀、化学蒸 镀或溅镀等方法）以成形于每一个发光单元1 a的该正极导电层P a 、该负 极导电层N a及该第一绝缘层11 a上的导电金属层。
步骤S104为：请配合图2C所示，成形一光致抗蚀剂R a于该第一导电 层M a上。
步骤S106为：请配合图2D所示，移除一部分的光致抗蚀剂R a以形成 多个盲孔R1 a ，其中每一个盲孔R1 a用以暴露出位于每一个发光单元1 a 的第一绝缘层11 a上的部分第一导电层M a ，其中上述一部分的光致抗蚀剂 R a通过曝光与显影相互配搭的方式来移除，以形成一被移除后的光致抗蚀 剂R a '。
步骤S108为：请配合图2E所示，移除位于所述多个盲孔Rla内的部 分第一导电层M a ，其中上述部分第一导电层M a通过蚀刻的方式来移除， 以形成一被移除后的第一导电层Ma '。
步骤S110为：请配合图2F所示，移除图2E中其余的光致抗蚀剂Ra '，以形成位于每一个发光单元la上的一第一正极导电层2P a及一第一 负极导电层2N a 。此外，该第一正极导电层2P a及该第一负极导电层2 N a可由任何导电金属所制成，例如：钛钨（TiW)合金或镍钒（NiV)合 金等。
换言之，由上述步骤S102至步骤S110可知，于步骤S100之后，则分 别成形多个第一导电单元2a (第一导电层Ma ')于所述多个发光单元1a上，其中每一个第一导电单元2a (第一导电层Ma')具有一成形于该 相对应正极导电层P a上的第一正极导电层2P a及一成形于该相对应负极 导电层N a上的第一负极导电层2N a 。此外，该第一正极导电层2P a与 该第一负极导电层2N a彼此绝缘，并且该第一正极导电层2P a成形于其 余的正极导电区域Pla上及一部分第一绝缘层lla上，该第一负极导电层 2N a成形于其余的负极导电区域N1 a及一部分第一绝缘层11 a上。
步骤S112为：请配合图2G所示，成形一绝缘材料层S a于每一个发光 单元1 a的一部分第一绝缘层11 a上及位于每一个发光单元1 a上端的第一 正极导电层2P a及第一负极导电层2N a上。
步骤S114为：请配合图2H所示，移除上述位于所述多个第一正极导电 层2P a及所述多个第一负极导电层2N a上端的部分绝缘材料层S a ，以 分别成形多个第二绝缘层3 a于所述多个第一绝缘层11 a上，其中该第二绝 缘层3a可为一高分子材料层（polymer layer)或一陶瓷材料层（ceramic layer)。
步骤S116为：请配合图2I所示，分别成形多个第二导电单元4a于所 述多个第一导电单元2a上，其中每一个第二导电单元4a具有一成形于该 相对应第一正极导电层2P a上的第二正极导电结构4P a及一成形于该相 对应第一负极导电层2N a上的第二负极导电结构4N a ，并且每一个第二 绝缘层3 a成形于该第二正极导电结构4P a及该第二负极导电结构4N a之 间，此外每一个第二绝缘层3a与该第二正极导电结构4P a及该第二负极 导电结构4Na分别分离一预定距离。另外，以第一实施例而言，该第二正 极导电结构4P a由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成， 并且该第二负极导电结构4N a由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互 堆叠所组成，其中上述至少三层导电金属层为一铜层Cu、 一镍层Ni及一金 层或锡层Au/Sn，该镍层Ni成形于该铜层Cu上，并且该金层或锡层Au/ Sn成形于该镍层Ni上。
另外，依据不同的设计设求，该第二正极导电结构4P a也可由至少两 层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构4 N a也可由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，其中上述 至少两层导电金属层为一镍层Ni及一金层或锡层Au / Sn，并且该金层或锡
10层Au/Sn成形于该镍层Ni上。换言之，只要是由两层以上的导电金属层相 互堆叠的第二正极导电结构4P a及由两层以上的导电金属层相互堆叠的第 二负极导电结构4N a ，皆为本实用新型所保护的范畴。
步骤S118为：请配合图2J所示，将该晶片W翻转，并置于一耐热的高 分子基板S上。
步骤S120为：请配合图2J所示，成形一荧光层5 a于每一个发光单元 la的底端。换言之，通过将该晶片W翻转的方式，以将该荧光层5a成形于 该氧化铝基板100a的底面。此外，上述的荧光层5a可依据不同的使用 需求，而选择为：由一硅胶（silicon )与 一 荧光粉（fluorescent powder) 所混合形成的荧光胶体（fluorescent resin )、或由 一 环氧树脂（epoxy) 与 一 荧光粉（fluorescent powder )所混合形成的荧光胶体 (fluorescent resin)。
步骤S122为：请配合图2K所示，沿着图2J的X — X线以进行切割过 程，以将该晶片W切割成多个覆盖有荧光层5a '的发光二极管封装结构Z a ，并且通过至少两个锡球B a以将每一个发光二极管封装结构Z a电性连 接于一电路板P上，其中每一个发光二极管封装结构Z a从该发光区域A a 产生通过该荧光层5a'的光束La，以进行照明的需求。此外，有一部分 从该发光区域Aa所产生的光束（图未示）投向下方，并且所述多个投向下 方的光束受到该正极导电层P a及该负极导电层N a的反射而产生向上投 光效果。
借此，由上述图2K可知，本实用新型第一实施例提供一种用于增加导 电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其包括： 一发光单元la、 一 第一导电单元2a、 一第二导电单元4a、 一绝缘单元（一第二绝缘层3a) 及一荧光层5a'。
其中，该发光单元la具有一发光本体10a、 一成形于该发光本体10 a上的正极导电层P a、 一成形于该发光本体10a上的负极导电层Na、 一 成形于该正极导电层P a及该负极导电层N a之间的第一绝缘层11 a 、及一 成形于该发光本体10a内的发光区域Aa。该发光本体10a具有一氧化铝 基板100 a 、 一成形于该氧化铝基板100 a上的氮化镓负电极层101 a 、及一 成形于该氮化镓负电极层101a上的氮化镓正电极层102 a ，此外该正极导电层P a成形于该氮化镓正电极层102a上，该负极导电层N a成形于该氮 化镓负电极层101 a上，另外该第一绝缘层11 a成形于该氮化镓负电极层101 a上并且位于该正极导电层P a 、该负极导电层N a及该氮化镓正电极层 102a之间。另外，该正极导电层P a的上表面具有一正极导电区域Pla， 该负极导电层N a的上表面具有一负极导电区域N1 a ，并且该第一绝缘层 11 a覆盖于该正极导电层P a的一部分正极导电区域P1 a上及该负极导电 层N a的一部分负极导电区域Nl a上。
此外，该第一导电单元2a具有一成形于该相对应正极导电层P a上的 第一正极导电层2P a及一成形于该相对应负极导电层N a上的第一负极导 电层2N a 。此外，该第一正极导电层2P a与该第一负极导电层2N a彼此 绝缘，并且该第一正极导电层2P a成形于其余的正极导电区域Pl a上及一 部分第一绝缘层11 a上，该第一负极导电层2N a成形于其余的负极导电区 域N 1 a及一部分第一绝缘层11 a上。
另外，第二导电单元4a具有一成形于该相对应第一正极导电层2P a 上的第二正极导电结构4P a及一成形于该相对应第一负极导电层2N a上 的第二负极导电结构4N a ，并且每一个第二绝缘层3 a成形于该第二正极 导电结构4P a及该第二负极导电结构4N a之间，此外每一个第二绝缘层3 a与该第二正极导电结构4P a及该第二负极导电结构4N a分别分离一预 定距离。另外，以第一实施例而言，该第二正极导电结构4P a由至少三层 导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构4N a由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，其中上述至少三 层导电金属层为一铜层Cu、 一镍层Ni及一金层Au或锡层Sn，该镍层Ni 成形于该铜层Cu上，并且该金层Au或锡层Sn成形于该镍层Ni上。
再者，该第二绝缘层3 a成形在该第一绝缘层11 a上并且位于该第二正 极导电结构4P a及该第二负极导电结构4N a之间。此外，该荧光层5 a ' 成形于该发光单元1 a的氧化铝基板100 a的底部，以配合该发光区域A a 所产生的光束L a来提供白色光源。
请参阅图2L所示，其为本发明第一实施例的用于增加导电及散热面积 的晶片级发光二极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上。由上 述图中可知，通过至少两层锡膏Ba'的涂布以将每一个发光二极管封装结
12构Z a电性连接于一电路板P上。
请参阅图3A至图3C所示，本实用新型第二实施例与第一实施例最大的
差别在于：在第二实施例中，于"将该晶片W翻转，并置于一耐热的高分子 基板S上"的步骤后，还进一步包括：
步骤S200为：请配合图3A所示，进行第一次切割过程，以将该晶片W 切割成多个形成于多个发光单元1 b之间的凹槽C 。
步骤S202为：请配合图3B所示，填充荧光材料（图未示）于所述多个
凹槽C内。此外，上述的荧光材料可依据不同的使用需求，而选择为：
由一硅胶（silicon)与一荧光粉（fluorescent powder)所混合形成 的荧光胶体（fluorescent resin)、或由一环氧^1"脂（epoxy)与一荧 光粉（fluorescent powder)所混合形成的荧光胶体（fluorescent resirO 。
步骤S204为：请配合图3B所示，固化该荧光材料，以形成一荧光层5 b于每一个发光单元1 b的底端及周围。
步骤S206为：请配合图3C所示，沿着图3B的Y — Y线以进行第二次 切割过程，以将该晶片W切割成多个覆盖有荧光层5b '的发光二极管封装 结构Z b ，并且通过至少两个锡球B b以将每一个发光二极管封装结构Z b 电性连接于一电路板P上，其中每一个发光二极管封装结构Z b从该发光区 域Ab产生通过该荧光层5b'的光束Lb，以进行照明的需求。
借此，由上述图3C可知，本实用新型第二实施例提供一种用于增加导 电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，并且本实用新型第二实施例与 第一实施例最大的差别在于：该荧光层5b'成形于该发光单元lb的底部 及周围，以配合该发光区域Ab所产生的光束L b来提供白色光源。
请参阅图3D所示，其为本发明第二实施例的用于增加导电及散热面积 的晶片级发光二极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上。由上 述图中可知，通过至少两层锡膏Bb'的涂布以将每一个发光二极管封装结 构Z b电性连接于一电路板P上。
综上所述，本实用新型用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封 装结构的特点在于：
1、以第一实施例而言，因为第二导电单元4a具有一成形于该相对应第一正极导电层2P a上的第二正极导电结构4P a及一成形于该相对应第一 负极导电层2N a上的第二负极导电结构4N a ，并且每一个第二绝缘层3 a成形于该第二正极导电结构4P a及该第二负极导电结构4N a之间，所 以该第二正极导电结构4P a及该第二负极导电结构4N a能提供较大的面 积以提供导电及散热。借此，本实用新型所制作的晶片级发光二极管封装结 构能提供较大的导电面积（能提供较大的电源功率）及散热面积（能提供较 佳的散热效率）。
2、 以第一实施例而言，该荧光层5 a '可成形于该发光单元1 a的氧化 铝基板100 a的底部，以配合该发光区域A a所产生的光束L a来提供白色 光源。以第二实施例而言，该荧光层5b'成形于该发光单元lb的底部及 周围，以配合该发光区域Ab所产生的光束L b来提供白色光源。
3、 本实用新型不需使用像上述公知一样的导线、反射层及封装胶体， 因此本实用新型用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构在 制作时可大大降低制作时间及成本。
以上所述，仅为本实用新型最佳的一个具体实施例的详细说明与附图， 但是本实用新型的特征并不局限于此，并非用以限制本实用新型，本实用新 型的所有范围应以下述的权利要求书为准，凡合于本实用新型权利要求书的 精神与其类似变化的实施例，皆应包含于本实用新型的范畴中，任何本领域
普通技术人员在本实用新型的领域内，可轻易思及的变化或修饰皆可涵盖在 以下本实用新型的权利要求书的范围内。