一种等离子体增强化学气相沉积的控制系统
阅读：376发布：2021-03-19
专利汇可以提供一种等离子体增强化学气相沉积的控制系统专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型 实施例 公开了一种 等离子体 增强 化学气相沉积 的控制系统，包括：用于远程监控和数据记录查询的第一监控设备组、用于 数据处理 及参数配置的第二监控设备组、以太网交换机、用于控制工艺操作的第一控制设备组和用于执行工艺操作的第二控制设备组；所述第一监控设备组和所述第二监控设备组分别通过以太网交换机，与所述第一控制设备组连接，所述第一控制设备组与所述第二控制设备组连接；第二控制设备组包括用于样品传输的装载室和用于工艺操作的反应室。采用本实用新型，可满足实时监控工艺操作工程，执行 大数据 处理。，下面是一种等离子体增强化学气相沉积的控制系统专利的具体信息内容。
1.一种等离子体增强化学气相沉积的控制系统，其特征在于，包括用于远程监控和数据记录查询的第一监控设备组、用于数据处理及参数配置的第二监控设备组、以太网交换机、用于控制工艺操作的第一控制设备组和用于执行工艺操作的第二控制设备组；
所述第一监控设备组和所述第二监控设备组分别通过以太网交换机，与所述第一控制设备组连接，所述第一控制设备组与所述第二控制设备组连接；
其中，所述第一控制设备组包括可编程控制器组、分布式输入输出端口组和智能设备组；第二控制设备组包括用于样品传输的装载室和用于工艺操作的反应室。
2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一监控设备组包括用于远程监控及程序修改的第一计算机和用于远程数据记录查询的第二计算机。
3.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第二监控设备组包括用于本地数据处理、程序控制及参数配置的第三计算机，和用于记录工艺数据及历史查询的第四计算机。
4.如权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括：
所述第一监控设备组通过以太网或无线Wifi方式，与所述第二监控设备组连接。
5.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述分布式输入输出端口组包括标准输入输出端口和具有安全性能的安全输入输出端口。
6.如权利要求5所述的系统，其特征在于，所述可编程控制器组包括：
用于所述智能设备组、所述标准输入输出端口和所述安全输入输出端口的数据采集及输出信号控制的主站可编程控制器；
用于标准输入输出端口和所述智能设备组的数据采集控制的从站可编程控制器；
用于所述安全输入输出端口的信号采集与输出信号控制的安全可编程控制器。
7.如权利要求6所述的系统，其特征在于，还包括：
所述标准输入输出端口通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述从站可编程控制器连接；
所述安全输入输出端口通过安全开放式现场总线Safetybusp方式与所述安全可编程控制器连接；
所述安全可编程控制器通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述主站可编程控制器连接。
8.如权利要求7所述的系统，其特征在于，所述智能设备包括温控仪、工艺电源、第一真空泵、第二真空泵、第一伺服控制器、第二伺服控制器和真空规管。
9.如权利要求8所述的系统，其特征在于，还包括：
用于所述反应室加热控制的所述温控仪，通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述从站可编程控制器连接；
用于控制等离子体产生的所述工艺电源通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述从站可编程控制器连接；
用于为所述装载室提供真空的所述第一真空泵通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述主站可编程控制器连接；
用于为所述反应室提供真空的所述第二真空泵通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述从站可编程控制器连接；
所述第一伺服控制器和所述第二伺服控制器通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述主从站可编程控制器连接，其中，用于控制样品传输的第一伺服控制器安装于所述装载室，用于控制样品升降动作的所述第二伺服控制器安装于所述反应室；
用于所述反应室压力控制的所述真空规管通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述从站可编程控制器连接。
10.如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述工艺电源为射频电源、中频电源或直流电源。
11.如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述第一真空泵和所述第二真空泵为干泵、分子泵和低温泵中的任一种或者其组合。
一种等离子体增强化学气相沉积的控制系统
技术领域
背景技术
[0002] 等 离 子 体 增 强 化 学 气 相 沉 积 法（Plama Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD）是真空处理技术中最常用的方法之一，随着超大规模集成电路中微电子加工工艺技术和高质量薄膜技术的发展，PECVD的工艺参数多且复杂，急需一种对设备和工艺参数进行严格控制的控制系统。
[0005] 为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种等离子体增强化学气相沉积的控制系统，包括：
[0006] 用于远程监控和数据记录查询的第一监控设备组、用于数据处理及参数配置的第二监控设备组、以太网交换机、用于控制工艺操作的第一控制设备组和用于执行工艺操作的第二控制设备组；
[0007] 所述第一监控设备组和所述第二监控设备组分别通过以太网交换机，与所述第一控制设备组连接，所述第一控制设备组与所述第二控制设备组连接；
[0008] 其中，所述第一控制设备组包括可编程控制器组、分布式输入输出端口组和智能设备组；第二控制设备组包括用于样品传输的装载室和用于工艺操作的反应室。
[0010] 其中，所述第二监控设备组包括用于本地数据处理、程序控制及参数配置的第三计算机，和用于记录工艺数据及历史查询的第四计算机。
[0011] 其中，还包括：
[0012] 所述第一监控设备组通过以太网或无线Wifi方式，与所述第二监控设备组连接。
[0013] 其中，所述分布式输入输出端口组包括标准输入输出端口和具有安全性能的安全输入输出端口。
[0014] 其中，所述可编程控制器组包括：
[0016] 用于标准输入输出端口和所述智能设备组的数据采集控制的从站可编程控制器；
[0017] 用于所述安全输入输出端口的信号采集与输出信号控制的安全可编程控制器。
[0018] 其中，还包括：
[0019] 所述标准输入输出端口通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述从站可编程控制器连接；
[0020] 所述安全输入输出端口通过安全开放式现场总线Safetybusp方式与所述安全可编程控制器连接；
[0021] 所述安全可编程控制器通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述主站可编程控制器连接。
[0023] 其中，还包括：
[0024] 用于所述反应室加热控制的所述温控仪，通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述从站可编程控制器连接；
[0025] 用于控制等离子体产生的所述工艺电源通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述从站可编程控制器连接；
[0026] 用于为所述装载室提供真空的所述第一真空泵通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述主站可编程控制器连接；
[0027] 用于为所述反应室提供真空的所述第二真空泵通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述从站可编程控制器连接；
[0028] 所述第一伺服控制器和所述第二伺服控制器通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述主从站可编程控制器连接，其中，用于控制样品传输的第一伺服控制器安装于所述装载室，用于控制样品升降动作的所述第二伺服控制器安装于所述反应室；
[0029] 用于所述反应室压力控制的所述真空规管通过过程现场总线标准Profibus-DP方式与所述从站可编程控制器连接；
[0030] 其中，所述工艺电源为射频电源、中频电源或直流电源。
[0031] 其中，所述第一真空泵和所述第二真空泵为干泵、分子泵和低温泵中的任一种或者其组合。
[0032] 实施本实用新型实施例，具有如下有益效果：
[0033] 本实用新型实施例通过所述监控模块对所述工艺操作模块的监控，以及所述控制模块通过采集所述工艺操作模块的状态并发送相应的工艺操作命令，可实现智能监控、实时控制，稳定可靠的对样品进行工艺处理。附图说明
[0034] 为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035] 图1为本实用新型实施例的一种等离子体增强化学气相沉积的控制系统结构图；
[0036] 图2为本实用新型实施例的另一种等离子体增强化学气相沉积的控制系统结构图；
[0037] 图3为图1中第一监控设备组的具体组成图；
[0038] 图4为图1中第二监控设备组的具体组成图；
[0039] 图5为图1中分布式输入输出端口组的具体组成图；
[0040] 图6为图1中可编程控制器组的具体组成图；
[0041] 图7为图1中智能设备组的具体组成图；
[0042] 图8为本实用新型实施例的一种等离子体增强化学气相沉积的控制系统的具体结构图；
[0043] 图9为本实用新型实施例的一种等离子体增强化学气相沉积的控制方法流程图。
具体实施方式
[0044] 下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0045] 实施例一：
[0046] 请参见图1，为本实用新型实施例的一种等离子体增强化学气相沉积的控制系统结构图，其中，所述系统包括：
[0047] 用于远程监控和数据记录查询的第一监控设备组1、用于数据处理及参数配置的第二监控设备组2、以太网交换机3、用于控制工艺操作的第一控制设备组4和用于执行工艺操作的第二控制设备组5；
[0048] 所述第一监控设备组1和所述第二监控设备组2分别通过以太网交换机3，与所述第一控制设备组4连接，所述第一控制设备组4与所述第二控制设备组5连接；
[0049] 其中，所述第一控制设备组4包括可编程控制器组41、分布式输入输出端口组42和智能设备组43；第二控制设备组5包括用于样品传输的装载室51和用于工艺操作的反应室52。
[0051] 所述智能设备组43用于对工艺过程的数据采集及控制，具体包括温控仪、工艺电源、第一真空泵、第二真空泵、第一伺服控制器、第二伺服控制器和真空规管。
[0052] 本实用新型实施例通过所述监控模块对所述工艺操作模块的监控，以及所述控制模块通过采集所述工艺操作模块的状态并发送相应的工艺操作命令，可实现智能监控、实时控制，稳定可靠的对样品进行工艺处理。
[0053] 实施例二：
[0054] 请参见图2，为本实用新型实施例的另一种等离子体增强化学气相沉积的控制系统结构图，其中，所述系统除包括第一监控设备组1、第二监控设备组2、以太网交换机3、第一控制设备组4和第二控制设备组5外，还包括：
[0055] 所述第一监控设备组1通过以太网或无线Wifi方式，与所述第二监控设备组2连接。
[0056] 其中，如图3所示，所述第一监控设备组1包括用于远程监控及程序修改的第一计算机11和用于远程数据记录查询的第二计算机12。
[0057] 具体地，第一计算机11和第二计算机12可统称为工程师站，即由工程师通过所述工程师站监控和控制工艺过程。
[0058] 其中，如图4所示，所述第二监控设备组2包括用于本地数据处理、程序控制及参数配置的第三计算机21，和用于记录工艺数据及历史查询的第四计算机22。
[0059] 具体地，所述第三计算机21和所述第四计算机22采用工业计算机，通过组态软件编写程序控制工艺过程；所述工艺操作模块中各设备的参数和状态显示；工艺参数的设置、修改及保存；工艺数据的自动记录、存储，并保存为EXCEL文档；在工艺过程中对监测信号接收和处理，并根据设定的程序和参数对可编程控制器、温制仪、工艺电源、真空泵、伺服控制器、真空规等元件发送相应动作命令，控制其运行和关闭。
[0060] 如图5所示，所述分布式输入输出端口组42包括标准输入输出端口421和具有安全性能的安全输入输出端口422。
[0061] 其中，所述标准输入输出端口421即一般的端口，对安全性没有特别要求，而安全输入输出端口422与具有安全要求的设备的输入输出端口连接。
[0062] 具体地，如图6所示，所述可编程控制器组41包括主站可编程控制器411、从站可编程控制器412和安全可编程控制器413。
[0063] 用于所述智能设备组43、所述标准输入输出端口421和所述安全输入输出端口422的数据采集及输出信号控制的主站可编程控制器411；用于标准输入输出端口421和所述智能设备组43的数据采集控制的从站可编程控制器412；用于所述安全输入输出端口
422的信号采集与输出信号控制的安全可编程控制器413。
422的信号采集与输出信号控制的安全可编程控制器413。
[0064] 其中，可编程控制器是指可通过编程或软件配置改变控制对策的控制器，标准可编程控制器是指具有一般功能的普通控制器，而安全可编程控制器是指具有安全互锁和误操作保护功能模块的可编程控制器。
[0065] 具体地，所述标准输入输出端口421通过Profibus-DP方式与所述从站可编程控制器412连接；其中，所述PROFIBUS-DP的DP即Decentralized Periphery，过程现场总线标准，它具有高速低成本，用于设备级控制系统与分散式I/O的通信，所述PROFIBUS-DP协议明确规定了用户数据怎样在总线各站之间传递。
[0066] 所述安全输入输出端口422通过安全开放式现场总线Safetybusp方式与所述安全可编程控制器连接；其中，Safetybusp方式即安全开放式现场总线标准，可以直接或通过分散式输入输出模块安全地对传感器和执行器进行分布式联网。
[0067] 所述安全可编程控制器413通过Profibus-DP与所述主站可编程控制器411连接。
[0068] 其中，如图7所示，所述智能设备组43包括温控仪431、工艺电源432、第一真空泵433、第二真空泵434、第一伺服控制器435、第二伺服控制器436和真空规管437。其中，所述温控仪431是指调控一体化智能温度控制仪表，它采用了全数字化集成设计，具有温度曲线可编程或定点恒温控制、多重PID调节、输出功率限幅曲线编程、手动/自动切换、软启动、报警开关量输出、实时数据查询、与计算机通讯等功能，将数显温度仪表和ZK晶闸管电压调整器合二为一，集温度测量、调节、驱动于一体，仪表直接输出晶闸管触发信号，可驱动各类晶闸管负载。所述真空泵是一种旋转式变容真空泵须有前级泵配合方可使用在较宽的压力范围内有较大的抽速对被抽除气体中含有灰尘和水蒸汽不敏感广泛用于冶金、化工、食品、电子镀膜等行业。所述伺服控制器是指伺服驱动器又称为“伺服控制器”、“伺服放大器”，是用来控制伺服电机的一种控制器，其作用类似于变频器作用于普通交流马达，属于伺服系统的一部分，主要应用于高精度的定位系统。所述真空规管437就是测量真空度的传感器，真空规管测量出来的信号传输到真空计上经过放大处理就可以显示出被测真空环境的真空度。所述工艺电源432为射频电源、中频电源或直流电源中的一种。
[0069] 具体地，用于所述反应室52加热控制的所述温控仪，通过Profibus-DP与所述从站可编程控制器连接；用于控制等离子体产生的所述工艺电源通过Profibus-DP与所述从站可编程控制器连接；用于为所述反应室52提供真空的所述第二真空泵通过Profibus-DP与所述从站可编程控制器连接；用于为所述装载室51提供真空的所述第一真空泵通过Profibus-DP与所述主站可编程控制器连接；所述第一伺服控制器和所述第二伺服控制器通过Profibus-DP与所述主从站可编程控制器连接，其中，用于控制样品传输的第一伺服控制器安装于所述装载室，用于控制样品升降动作的所述第二伺服控制器安装于所述反应室；用于所述反应室压力控制的所述真空规管通过Profibus-DP与所述从站可编程控制器连接；其中，所述工艺电源为射频电源、中频电源或直流电源。其中，所述第一真空泵433和所述第二真空泵434为干泵、分子泵和低温泵中的任一种或者其组合。
[0070] 本实用新型实施例采用性能完善的工业计算机作为监控控制的核心，可以将工艺过程的工艺参数或状态实时的处理后反馈给监控设备组，同时还将相应的控制命令处理为具体的执行命令下发到所述控制设备组的智能设备组，有效地提高了等离子体增强化学气相沉积的控制系统的数据处理能力，提高了控制精度。
[0071] 实施例三：
[0073] 其中，所述工艺运行程序控制的主程序作用是实现工艺过程的自动控制，通过可编程控制器PLC对分布式输入输出端口I/O完成各个真空阀门、电磁阀、流量计、压力计、尾气处理、报警灯等控制；样品的传输和升降动作由伺服控制器控制；反应室的温度由温控仪控制；装载室、反应室的压力由真空泵和真空规自动控制，工艺电源自动控制反应室内的等离子体。
[0074] 安全互锁和误操作保护功能子程序，用于各外围设备启动后的安全互锁，如冷却水与真空泵、工艺电源的互锁；伺服控制器与部分真空阀门、电磁阀的互锁，当某一个外围设备、环节出现问题时，则相关的设备自动关闭或停止启动，可防止人员、设备及工艺事故的发生，也可避免程序的紊乱和操作顺序错误。同时，当输入错误的工艺文件时，该子系统将自动拒绝执行，对工艺进行自动保护。
[0075] 故障安全处理及报警功能的子程序对工艺过程各种故障进行监测、处理和报警，使任何细微的异常都在系统的监控中，以保证工艺过程的正常运行。在系统异常时，能够准确判断故障部位，并通过报警界面提示操作人员及时处理。同时，在工艺过程中，一旦出现故障，该子系统能够快速、准确地做出安全处理，发出相应命令，关闭相关设备，退出工艺制程，并在工艺中断时，将相关的运行信息、数据及时存储，为故障的分析和处理提供依据，由此保护外围设备安全，避免设备和人员发生严重事故。
[0077] 其中，所述人机监控界面包括：
[0078] 监控级的主监控界面，用于设备的控制操作、运行参数显示、各部件运行状态和运行进度显示，其上部为各监控子界面命令按钮，用于进入下一级子界面，中部为上述实施例各设备的模拟图，用于实时显示各设备的工作状态，右上部为设备控制的快捷按键，右下部为设备运行命令快捷按键，用于设备的工艺控制操作。
[0079] 工艺配方界面，用于工艺参数的设置和修改操作，充分利用EXCEL的功能，将工艺参数整合到其数据库中，达到参数变更的快速、便捷。
[0080] 异常报警界面，用于显示所有报警信息，并自动存储，可以实时查询所有当前或历史记录，通过时间或类别过滤器快速查找故障报警信息。
[0081] 设备参数设定界面，用于设定设备的运行参数和安全互锁参数，如温度的上升速率、真空阀门和电磁阀动作延迟时间、故障报警值等。
[0082] 设备报告界面，用于记录设备运行过程中，各部件任一时间点的实际状态，并且可查询此时执行该状态命令的操作者。
[0083] 设备服务界面，用于设备维护时进行手动的操作，维护后进行相应的各功能测试，如加热测试、漏率测试等。
[0084] 用户管理界面，用于界定使用者的操作权限，根据不同的权限来操作设备以及修改设备各参数。所述权限具体包括操作、工艺、保养、维修和系统五个权限，不同的权限开放相对应的设备操作程度。
[0085] 本实用新型实施例通过软件程序控制使其自动化程度高、运行速度快、稳定、可靠，可远程监控/维护；采用分布式输入输出模块，解决现场控制点多，工艺要求特殊，控制复杂等问题；监控界面直观、形象，操作方便，实现样品运输和工艺参数的精确控制；实现了各种数据的存储及历史运行数据查询。
[0086] 实施例四：
[0087] 请参见图8，为本实用新型实施例提供的一种具体的等离子体增强化学气相沉积的控制系统的具体结构图，具体为：
[0088] 上述实施例中的第一监控设备组的第一计算机和第二计算机分别采用网思公司全球领先的型号为V90L的客户终端机，并分别命名为第一工程师站和第二工程师站；所述第二监控设备组中的第三计算机和第四计算机分别采用欧瑞斯塔公司型号为RS500AT-Q351（ARISTA RS500AT-Q351）工业计算机并分别命名为第一工业计算机和第二工业计算机，其中，所述第一工业计算机和第二工业计算机的操作系统采用微软视窗XP操作系统（Microsoft Windows XP）,开发所需的组态软件采用爱康诺公司型号为GENESIS32软件（ICONICS GENESIS32）。
[0089] 所述以太网交换机采用赫思曼公司，型号为RS40（HIRSCHMANN RS40）,所述交换机具有9个以太网端口，多端口方便后续所述控制系统的升级。所述主站可编程控制器和所述从站可编程控制器采用三菱公司型号为Q25HCPU(MITSUBISHI Q25HCPU),其电源模块采用三菱公司型号为Q64PN的电源（MITSUBISHI Q64PN）。所述主站可编程控制器和所述从站可编程控制器通过以太网通讯模块进行交互，其中，所述以太网通讯模块采用三菱公司的型号为QJ71E71-100的模块（MITSUBISHI QJ71E71-100）。所述标准输入输出端口、伺服控制器、真空泵、温控仪、工艺电源和真空规管等设备分别通过过程现场总线标准（Profibus-DP）方式与所述主站可编程控制器或所述从站可编程控制器连接，其中所述Profibus-DP通讯模块采用三菱公司型号为QJ71PB92D的模块（MITSUBISHI QJ71PB92D）。所述安全可编程控制器采用皮尔磁公司，型号为PSS SB3006-3ETH-2DP-S的可编程控制器（PILZ PSS SB3006-3ETH-2DP-S）。所述标准输入输出模块采用皮尔磁公司型号为PS Su ES系列，如标准数字量输入模块PILZ PS Su ES4DI；安全输入输出端口即安全输入输出模块采用皮尔磁公司型号为PS Su EF系列，如继电器型安全数字量输出模块PILZ PS Su EF2DOR8。
所述温控仪采用欧陆公司，型号为MINI8_16LP(Eurotherm Invensys MINI8_16LP）,其为8路PID计算的控制器。所述伺服控制器采用科尔摩根公司，型号为SERVOSTAR-341（KOLLMORGEN SERVOSTAR-341）。所述真空泵采用莱宝公司，型号为DRYVAC5000RS(LEYBOLD DRYVAC5000RS)，其为干式变频真空泵，可以有效防止反应室工艺时外界的污染。所述真空规管用万机仪器公司，型号为613B(MKS631B)。所述压力计采用英福康公司，型号为TPR280(INFICON TPR280)。所述流量计采用AE公司，型号为FC-R7710CD(Aera FC-R7710CD)。所述真空阀门采用徽拓公司，型号为12144(VAT12144)。
所述温控仪采用欧陆公司，型号为MINI8_16LP(Eurotherm Invensys MINI8_16LP）,其为8路PID计算的控制器。所述伺服控制器采用科尔摩根公司，型号为SERVOSTAR-341（KOLLMORGEN SERVOSTAR-341）。所述真空泵采用莱宝公司，型号为DRYVAC5000RS(LEYBOLD DRYVAC5000RS)，其为干式变频真空泵，可以有效防止反应室工艺时外界的污染。所述真空规管用万机仪器公司，型号为613B(MKS631B)。所述压力计采用英福康公司，型号为TPR280(INFICON TPR280)。所述流量计采用AE公司，型号为FC-R7710CD(Aera FC-R7710CD)。所述真空阀门采用徽拓公司，型号为12144(VAT12144)。
[0090] 其中，所述第一工程师站、第二工程师站与第一工业计算机、第二工业计算机分别通过以太网通讯，主站可编程控制器与安全可编程控制器通过过程现场总线标准(PROFIBUS-DP)通讯；所述标准输入输出端口、所述真空泵、温控仪、伺服控制器、真空规管、工艺电源与主从站可编程控制器通过PROFIBUS-DP通讯，用于数据的传输处理；安全可编程控制器与安全输入输出端口中的通讯模块通过Safetybusp通讯，用于数据的传输处理。
[0091] 采用本实用新型实施例所述的控制系统，可以将所述第一工业计算机和第三工业计算机设置的参数或命令通过主从站可编程控制器以所述标准输入输出端口传输给所述真空处理装置的所述压力开关、流量开关、真空阀门、电磁阀、报警灯、蜂鸣器、尾气处理、压力计、流量计等执行部件，来实时控制样品在真空处理装置的操作；其次，所述执行部件还可以实时将反应过程中的状态参数传输给所述第一监控设备组中的第一工程师站和第二工程师站，以及第二监控设备组的第一工业计算机和第二工业计算机。
[0092] 本实用新型实施例安全可编程控制器有效避免标准可编程控制器当其输入或输出触点出现烧坏粘合时，产生错误的输出信号；通过单独的安全总线（SafetyBUS p），保证在系统出现安全问题时，标准总线部分仍能正常工作；在软件程序设计时加入应有的安全程序，使系统具有硬件和软件上的双层保护。
[0093] 实施例五：
[0094] 请参见图9，为本实用新型实施例的一种等离子体增强化学气相沉积的控制方法流程图，包括：
[0095] S101：打开控制系统总电源，并打开压缩空气系统、冷却水系统和尾气处理系统，及设定所述系统相应的工作值；
[0096] S102：执行系统自检程序；
[0097] S103：启动所述控制系统中的第二监控设备组和所述第一控制设备组，设定工艺参数和故障报警参数，并确定工艺编号，其中所述工艺参数包括制备薄膜的温度、气体流量、工艺压力、工艺电源的功率、工艺时间等，所述故障报警参数包括真空压力、温度上升斜率、阀门动作延时间隔等；
[0098] S104：抽真空和升温以达到已设定的工艺参数使所述工业计算机控制样品放入反应室进行相应的工艺操作；
[0099] S105：当样品传输完成后，所述第二监控设备组控制通入工艺气体、调节工艺压力和打开工艺电源以执行工艺操作；
[0100] S106：在工艺操作过程中，所述第二监控设备组实时对工艺操作的各设备进行数据采集和分析，如果出现异常，将进行声光报警并进行报警处理以继续执行工艺操作；
[0101] S107：当所述样品达到所述已配置的工艺参数要求时，所述第二监控设备组控制取出所述样品；
[0102] S108：若要继续下一工艺将循环从S103执行，否则由控制系统控制关闭工艺设备。
[0103] 本实用新型实施例采用上述实施例所述的控制系统，利用工业计算机和安全可编程控制器PLC，通过组态软件，采用以太网、PROFIBUS-DP和Safetybusp通讯，并采用真空监控、PID加热、工艺电源自动匹配、等离子体光谱监控、异常报警、远程监控等监测控制技术，使复杂的PECVD工艺实现了自动化控制，从而使整个PECVD系统的运行得到可靠的保证，物质的刻蚀和薄膜的制备精确稳定。
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