1.一种用于产生三维物体的方法，其包括：
(a)(i)在第一时间(t1)处将第一粉末材料层提供到外壳中，及(ii)在t1之后的第二时间(t2)处将第二粉末材料层提供到所述外壳中，其中所述第二粉末材料层经提供与所述第一粉末材料层相邻，其中所述第一粉末材料层和第二粉末材料层形成粉末床，且其中所述粉末材料包括元素尽速、金属合金、陶瓷或元素碳的同素异形体；
(b)转换所述第二层中的所述粉末材料的至少一部分以形成经转换材料；及(c)在从t2到第三时间(t3)的时间间隔处使用与所述第一层或所述第二层相邻的冷却构件从所述第二层移除热能，
其中所述热能沿所述粉末床上方的方向移除，以及
其中在移除热能之后，所述经转换材料固化以形成所述三维物体的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在从t2到t3的所述时间间隔期间，所述第二层中的点的平均温度维持小于或等于约250℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在(b)中，所述转换是借助于具有单位面积第一能量(S1)的能量束，且其中在(c)中，在从t2到t3的所述时间间隔期间，热能以为至少约0.3倍S1的单位面积第二能量(S2)移除。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述单位面积第二能量(S2)为至少约0.5倍S1。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述热能从所述粉末床的顶表面移除。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述转换包括熔融所述粉末材料的单个颗粒。
7.一种用于产生三维物体的系统，其包括：
外壳，其在第一时间(t1)接受第一粉末材料层及在t1之后的第二时间(t2)接受第二粉末材料层从而形成粉末床，其中所述第二粉末材料层与所述第一粉末材料层相邻，且其中所述粉末材料包括元素金属、金属合金、陶瓷或元素碳的同素异形体；
冷却构件，其与所述第一层或所述第二层相邻，其中所述冷却构件从所述第二层移除热能；以及
控制器，其以可操作方式耦接到所述冷却构件且经编程以(i)转换所述第二层中的所述粉末材料的至少一部分以形成经转换材料，及(ii)在从t2到第三时间(t3)的时间间隔处使用所述冷却构件从所述第二层移除热能，其中所述热能沿所述粉末床上方的方向移除，且其中在移除热能之后，所述经转换材料固化以形成所述三维物体的至少一部分。
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述冷却构件并未安置于所述粉末材料内。
9.根据权利要求7所述的系统，其进一步包括将能量束提供到所述第二层的至少一部分的能量源。
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述控制器以可操作方式耦接到所述能量源且经编程以将所述能量束引导至所述第二层的至少所述部分。
11.根据权利要求7所述的系统，其中所述控制器经编程以使用所述冷却构件从所述粉末床的顶表面移除所述热能。
12.根据权利要求7所述的系统，其中冷却构件与所述粉末床分开一间隙。
13.根据权利要求12所述的系统，其中所述间隙处于所述冷却构件与所述粉末床之间的可调节间距，且其中所述控制器经编程以调控所述可调节间距。
14.根据权利要求7所述的系统，其中所述冷却构件包括具有至少约每开氏度每米20瓦特(W/mK)的热导率的材料。
15.一种用于形成三维物体的设备，其包括控制器，所述控制器经编程以：
(a)将粉末材料从粉末分配构件提供到以可操作方式耦接到所述粉末分配构件的粉末床，其中粉末材料的所述提供包括(i)在第一时间(t1)处在外壳中提供第一粉末材料层，及(ii)在t1之后的第二时间(t2)处在所述外壳中提供第二粉末材料层，其中所述第二材料层经提供与所述第一粉末材料层相邻；
(b)将来自能量源的能量束引导至所述粉末床，从而将所述粉末材料的至少一部分转换为随后硬化以产出所述三维物体的经转换材料；
(c)引导与所述第一层或所述第二层相邻的冷却构件在从t2到第三时间(t3)的时间间隔处从所述第二层移除热能，其中所述热能沿所述粉末床上方的方向移除，且其中在移除热能之后，所述经转换材料固化以形成所述三维物体的至少一部分。
16.一种用于产生三维物体的方法，其包括：
(a)在外壳中提供粉末床，其中所述粉末床包括具有元素金属、金属合金、陶瓷或元素碳的同素异形体的粉末材料；
(b)沿一路径将能量束引向所述粉末材料以转换所述粉末材料的至少一部分，从而形成经转换材料，所述经转换材料硬化为作为所述三维物体的部分的硬化材料；以及(c)带入散热片与所述粉末床的暴露表面相邻以从所述粉末床移除热能，其中在从所述粉末床移除热能期间，所述散热片与所述暴露表面分开一间隙，且其中所述粉末床的所述暴露表面为所述粉末床的顶表面。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述间隙处于所述散热片与所述顶表面之间的小于或等于约50毫米的间距。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述路径是根据所述三维物体的模型产生。
19.根据权利要求16所述的方法，其中转换包括熔融所述粉末材料的单个颗粒。
20.根据权利要求19所述的方法，其中熔融包括烧结、熔化或粘结所述单个颗粒。
21.一种用于产生三维物体的系统，其包括：
外壳，其容纳粉末床，其中所述粉末床包括具有元素金属、金属合金、陶瓷或元素碳的同素异形体的粉末材料；
能量源，其将能量束提供到所述粉末床中的所述粉末材料；
散热片，其从所述粉末床移除热能，其中在从所述粉末床移除热能期间，所述散热片与所述粉末床的暴露表面分开一间隙，且其中所述粉末床的所述暴露表面为所述粉末床的顶表面；及
控制器，其以可操作方式耦接到所述能量源及所述散热片，且经编程以(i)沿一路径将所述能量束引向所述粉末材料以转换所述粉末材料的至少一部分从而形成经转换材料，所述经转换材料硬化成作为所述三维物体的至少一部分的硬化材料，及(ii)带入与所述粉末床的暴露表面相邻的散热片以从所述粉末床移除热能。
22.根据权利要求21所述的系统，其中所述能量束包括电磁束、带电粒子束或不带电粒子束。
23.根据权利要求21所述的系统，其中所述能量束包括激光束。
24.根据权利要求21所述的系统，其中所述散热片安置于从所述能量源延伸到所述粉末材料的所述能量束的路径内。
25.根据权利要求21或24所述的系统，其中所述散热片包括至少一个开口，且其中在使用期间，所述能量束通过所述至少一个开口从所述能量源引向所述粉末材料。
26.根据权利要求21所述的系统，其中所述外壳为真空腔室。
27.根据权利要求21或26所述的系统，其中所述外壳具有至少约10-6托的压力。
28.根据权利要求21所述的系统，其中所述散热片通过所述间隙热耦合到所述粉末材料。
29.根据权利要求21所述的系统，其中所述间隙包括气体。
30.根据权利要求21所述的系统，其中所述间隙处于所述散热片与所述暴露表面之间的可调节间距，且其中所述控制器经编程以调控所述间距。
31.根据权利要求30所述的系统，其中所述控制器经编程以通过使用足以转换所述材料的所述至少一部分的单位面积能量来调控间距。
32.根据权利要求30所述的系统，其中所述控制器经编程以调控所述间距和所述能量源中的至少一者以提供足够以与所述三维物体的模型的小于或等于约25微米及所述三维物体的基本长度尺度的千分之一的总和的偏差形成所述三维物体的每单位面积能量。
33.根据权利要求21所述的系统，其中所述散热片经由对流传热促进热能从所述粉末材料的所述传输。
34.根据权利要求21所述的系统，其中所述散热片包括具有至少约每开氏度每米20瓦特(W/mK)的热导率的材料。
35.根据权利要求21所述的系统，其中所述散热片进一步包括将所述粉末材料或残屑从所述散热片的表面移除的清洁构件。
36.据权利要求21所述的系统，其进一步包括收集来自所述散热片或所述粉末床的所述粉末材料的剩余者或残屑的收集构件。
37.据权利要求36所述的系统，其中用于收集剩余粉末及残屑中的至少一者的所述机构包括一个或多个真空抽吸口。
38.据权利要求36所述的系统，其中用于收集剩余粉末及碎片中的至少一者的所述机构经耦接到所述散热片。
39.据权利要求36所述的系统，其中所述收集构件包括一个或多个负压力源。
40.据权利要求36所述的系统，其中所述收集构件以可操作方式耦接到所述散热片。
41.一种用于形成三维物体的设备，其包括控制器，所述控制器经编程以：
(a)将材料层从材料分配构件提供到以可操作方式耦接到所述材料分配构件的材料床；
(b)将能量束从能量源引向所述粉末床以将所述粉末材料的至少一部分转换为随后硬化以产出所述三维物体的经转换材料；以及
(c)引导冷却构件从所述材料床移除能量，其中所述冷却构件经安置与所述材料床的暴露表面相邻，其中在热能从所述材料床的所述移除期间，所述散热片与所述暴露表面分开一间隙，且其中所述材料床的所述暴露表面为所述粉末床的顶表面。
42.一种通过三维打印过程形成的三维物体，其包括：
分层结构，其包括材料的连续固化熔化池，所述材料包括元素金属、金属合金、陶瓷或元素碳的同素异形体，
其中所述三维物体(i)缺乏指示在所述三维打印过程期间或之后的层移除的表面特征件，(ii)具有暴露层表面，所述暴露层表面具有至少约一平方厘米(cm2)的表面积，及(iii)缺乏指示所述辅助支承特征件的存在或移除的辅助支承特征件或辅助支承特征件标志，及其中所述分层结构的给定层缺乏形成共晶合金的至少两种金属。
43.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述表面积为约两平方厘米(cm2)或更多。
44.根据权利要求42所述的三维物体，其中元素碳的所述同素异形体选自由非晶碳、石墨、石墨烯、富勒烯和金刚石组成的群。
45.根据权利要求44所述的三维物体，其中所述富勒烯选自由球形的、椭圆的、线型的及管形的组成的群。
46.根据权利要求44所述的三维物体，其中所述富勒烯选自由巴基球和碳纳米管组成的群。
47.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述辅助支承特征件包括凸缘、柱、鳍片、销、刀片或支架。
48.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述辅助支承特征件包括烧结的粉末支架。
49.根据权利要求48所述的三维物体，其中所述烧结的粉末支架由所述材料形成。
50.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述辅助支承特征件标志包括嵌于所述三维物体上的模具的标志。
51.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述辅助支承特征件标志包括连续固化熔化池中的一者或多者的几何变形，所述变形与所述辅助支承特征件互补。
52.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述分层结构的给定层包括多个固化材料熔化池。
53.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述三维物体缺乏指示形成所述三维物体期间的修剪过程的所述使用的表面特征件。
54.根据权利要求53所述的三维物体，其中所述修剪包括抛光或打磨。
55.根据权利要求54所述的三维物体，其中所述打磨包括固体打磨、气体打磨或液体打磨。
56.根据权利要求55所述的三维物体，其中所述固体打磨包括喷砂打磨。
57.根据权利要求54所述的三维物体，其中所述打磨包括机械打磨。
58.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述分层结构为基本重复的分层结构。
59.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述分层结构的每一层具有大于或等于约5微米(μm)的平均层厚度。
60.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述分层结构的每一层具有小于或等于约
1000微米(μm)的平均层厚度。
61.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述分层结构包括所述连续固化熔化池的单层。
62.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述连续固化熔化池的给定者包括选自由以下各者组成的群的基本重复材料变化：晶粒取向的变化、材料密度的变化、晶粒边界的化合偏聚度的变化、晶粒边界的元素偏聚度的变化、材料相的变化、冶金相的变化、材料孔隙度的变化、结晶相的变化和晶体结构的变化。
63.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述连续固化熔化池的给定者包括晶体。
64.根据权利要求63所述的三维物体，其中所述晶体包括单晶体。
65.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述分层结构包括在所述三维打印过程期间指示熔化池的固化的一个或多个特征件。
66.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述分层结构包括指示所述三维打印过程的所述使用的特征件。
67.根据权利要求42或66所述的三维物体，其中所述三维打印过程包括选择性激光熔化(SLM)、选择性激光烧结(SLS)、直接金属激光烧结(DMLS)或熔融沉积成型(FDM)。
68.根据权利要求42或66所述的三维物体，其中所述三维打印过程包括选择性激光熔化。
69.根据权利要求42所述的三维物体，其中所述三维物体的基本长度尺度为至少约120微米。
70.一种用于产生三维物体的设备，其包括：
外壳，其容纳包括所述粉末材料的粉末床，所述粉末材料包括元素金属、金属合金、陶瓷或元素碳的同素异形体；以及
能量源，其将能量束提供到所述粉末床中的所述粉末材料以形成三维物体的至少一部分，其中在形成之后，所述三维物体(i)缺乏指示在所述三维打印过程期间或之后的层移除的表面特征件，(ii)具有暴露层表面，所述暴露层表面具有约一平方厘米(cm2)或更大的表面积，及(iii)缺乏指示所述辅助支承特征件的存在或移除的辅助支承特征件或辅助支承特征标志，及
其中所述分层结构的给定层缺乏形成共晶合金的至少两种金属。
71.一种用于形成三维物体的设备，其包括控制器，所述控制器经编程以：
(a)将粉末材料层从粉末分配构件提供到以可操作方式耦接到所述粉末分配构件的粉末床，其中所述粉末材料包括元素金属、金属合金、陶瓷或元素碳的同素异形体；及(b)将能量束从能量源引向所述粉末床以将所述粉末材料的至少一部分转换为随后硬化以产出所述三维物体的经转换材料，所述三维物体(i)缺乏指示在所述三维打印过程期间或之后的层移除的表面特征件，(ii)具有暴露层表面，所述暴露层表面具有约一平方厘米(cm2)或更大的表面积，及(iii)缺乏指示所述辅助支承特征件的存在或移除的辅助支承特征件或辅助支承特征件标志，且其中所述分层结构的给定层缺乏形成共晶合金的至少两种金属。
72.一种通过三维打印过程形成的三维物体，其包括：
分层结构，其包括材料的连续固化熔化池，所述材料包括元素金属、金属合金、陶瓷或元素碳的同素异形体，
其中所述三维物体(i)缺乏指示所述辅助支承特征件的存在或移除的辅助支承特征件或辅助支承特征件标志，(ii)缺乏指示在所述三维打印过程期间或之后的层移除的表面特
2
征件，及(iii)具有暴露层表面，所述暴露层表面具有至少约一平方厘米(cm)的表面积，且其中所述三维物体的所述分层结构的每一层包括最多基本上单元素金属合成物。
73.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述表面积为至少两平方厘米(cm2)。
74.根据权利要求72所述的三维物体，其中元素碳的所述同素异形体选自由非晶碳、石墨、石墨烯、富勒烯和金刚石组成的群。
75.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述三维物体的每一层包括最多与单金属合金复合物偏差约2％或更小的单金属合金合成物。
76.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述三维物体的每一层包括最多基本上单金属合金合成物。
77.根据权利要求76所述的三维物体，其中基本上包括与单金属合金复合物偏差约2％或更小的合成物。
78.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述辅助支承特征件包括线性结构。
79.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述辅助支承特征件包括非线性结构。
80.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述辅助支承特征件包括凸缘、柱、鳍片、销、刀片或支架。
81.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述辅助支承特征件包括烧结的粉末支架。
82.根据权利要求81所述的三维物体，其中所述烧结的粉末支架由所述材料形成。
83.根据权利要求72所述的三维物体，其中辅助支承特征件标志包括嵌于所述三维物体上的模具的标志。
84.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述辅助支承特征件标志包括所述连续固化熔化池中的一者或多者的几何变形，所述变形与所述辅助支承特征件互补。
85.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述分层结构的给定层包括多个固化材料熔化池。
86.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述三维物体缺乏指示在所述形成所述三维物体期间或之后的修剪过程的所述使用的一个或多个表面特征件。
87.根据权利要求86所述的三维物体，其中所述修剪包括抛光或打磨。
88.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述分层结构为基本重复的分层结构。
89.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述分层结构的每一层具有大于或等于约5微米((μm)的平均层厚度。
90.根据权利要求72或89所述的三维物体，其中所述分层结构的每一层具有小于或等于约1000微米((μm)的平均层厚度。
91.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述分层结构包括所述连续固化熔化池的单层。
92.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述连续固化熔化池的给定者包括选自由以下各者组成的群的基本重复材料变化：晶粒取向的变化、材料密度的变化、晶粒边界的化合偏聚度的变化、晶粒边界的元素偏聚度的变化、材料相的变化、冶金相的变化、材料孔隙度的变化、结晶相的变化和晶体结构的变化。
93.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述三维物体的基本长度尺度为至少约120微米。
94.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述分层结构包括在所述三维打印过程期间指示熔化池的固化的一个或多个特征件。
95.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述分层结构包括指示所述三维打印过程的所述使用的特征件。
96.根据权利要求72所述的三维物体，其中所述三维打印过程包括选择性激光熔化。
97.一种通过三维打印过程形成的三维物体，其包括：
分层结构，其包括材料的连续固化熔化池，所述材料包括元素金属、金属合金、陶瓷或元素碳的同素异形体，
其中所述三维物体(i)缺乏指示在所述三维打印过程期间或之后的层移除的表面特征件，(ii)具有暴露层表面，所述暴露层表面具有至少约一平方厘米(cm2)的表面积，及(iii)缺乏指示所述辅助支承特征件的存在或移除的辅助支承特征件或辅助支承特征件标志，其中所述分层结构的给定层具有如由光学显微镜测量的至少约50厘米的曲率半径。
98.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述表面积为至少约两平方厘米(cm2)。
99.根据权利要求97所述的三维物体，其中元素碳的所述同素异形体选自由非晶碳、石墨、石墨烯、富勒烯和金刚石组成的群。
100.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述粉末材料经提供与定位于所述外壳内的底座相邻，且其中在形成至少一个硬化材料层之后，所述三维物体不与所述底座接触。
101.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述给定层为最先产生的层。
102.根据权利要求97或101所述的三维物体，其中所述曲率半径为如由光学显微镜所测量的至少约100厘米(cm)。
103.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述分层结构的多个层具有如由光学显微镜测量的至少约50厘米(cm)的曲率半径。
104.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述辅助支承特征件包括凸缘、柱、鳍片、销、刀片或支架。
105.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述辅助支承特征件包括烧结的粉末支架。
106.根据权利要求105所述的三维物体，其中所述烧结的粉末支架由所述材料形成。
107.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述辅助支承特征件标志包括嵌于所述三维物体上的模具的标志。
108.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述辅助支承特征件标志包括与所述辅助支承特征件互补的几何变形。
109.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述分层结构的给定层包括多个固化材料熔化池。
110.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述三维物体缺乏指示在所述形成所述三维物体期间或之后的修剪过程的所述使用的表面特征件。
111.根据权利要求110所述的三维物体，其中所述修剪包括抛光或打磨。
112.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述分层结构为基本重复的分层结构。
113.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述分层结构的每一层具有大于或等于约
5微米(μm)的平均层厚度。
114.根据权利要求97或113所述的三维物体，其中所述分层结构的每一层具有小于或等于约1000微米(μm)的平均层厚度。
115.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述分层结构包括所述连续固化熔化池的单层。
116.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述连续固化熔化池的给定者包括选自由以下各者组成的群的基本重复材料变化：晶粒取向的变化、材料密度的变化、晶粒边界的化合偏聚度的变化、晶粒边界的元素偏聚度的变化、材料相的变化、冶金相的变化、材料孔隙度的变化、结晶相的变化和晶体结构的变化。
117.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述三维物体的基本长度尺度为至少约
120微米。
118.根据权利要求97所述的三维物体，其中所述分层结构包括指示所述三维打印过程的所述使用的特征件。
119.根据权利要求97或118所述的三维物体，其中所述三维打印过程包括选择性激光熔化。
120.一种用于产生三维物体的系统，其包括：
外壳，其容纳粉末床，其中所述粉末床包括粉末材料，所述粉末材料包括元素金属、金属合金、陶瓷或元素碳的同素异形体；
能量源，其将能量束提供到所述粉末床中的所述粉末材料；
经安置与所述粉末床相邻的底座，其中所述底座包括交替阻塞或未阻塞的可阻塞网格，其中(i)当所述可阻塞网格阻塞时，所述粉末材料不流动穿过所述网格，及(ii)当所述可阻塞网格未阻塞时，所述粉末材料的至少部分流动穿过所述网格同时防止所述三维物体流动穿过所述网格；以及
控制器，其以可操作方式耦接到所述能量源且经编程以(i)接收产生所述三维物体的至少部分的指令，(ii)根据所述指令沿一路径引导所述能量束以将所述粉末材料的一部分转换为硬化以形成作为所述三维物体的部分的至少一个硬化材料层的经转换材料，及(iii)引导网格阻塞装置不阻塞所述网格。
121.根据权利要求120所述的设备，其中通过改变所述可阻塞网格或与所述可阻塞网格相邻的网格阻塞装置的位置而解阻所述可阻塞网格。
122.根据权利要求121所述的设备，所述网格阻塞装置为在阻塞所述可阻塞网格的垂直位置与解阻所述可阻塞网格的垂直位置之间交替的可移动平面。
123.根据权利要求120所述的设备，其中所述底座在阻塞所述可阻塞网格的垂直位置与解阻所述可阻塞网格的另一垂直位置之间交替。
124.一种用于产生三维物体的方法，其包括：
(a)分配粉末材料层与底座相邻，其中所述底座包括当网格未阻塞时允许所述粉末的至少一部分流动穿过的所述网格；
(b)将所述粉末材料的一部分转换成经转换材料；
(c)硬化经转换材料以提供为所述三维物体的至少一部分的硬化材料；及(d)解阻所述网格以从未形成所述三维物体的至少所述部分的所述粉末材料的剩余者取回所述硬化材料。
125.根据权利要求124所述的方法，其中在取回所述硬化材料之后，所述硬化材料停留于安置在所述底座下方的基板上。
126.根据权利要求124所述的方法，其中在取回所述硬化材料之后，从所述硬化材料移除所述剩余者。
127.根据权利要求124所述的方法，其中所述解阻包括相对于所述粉末材料移动所述网格。
128.根据权利要求124所述的方法，其中所述网格的表面通过推动连接到所述表面的一个或多个立柱相对于所述粉末材料移动。
129.根据权利要求128所述的方法，其中所述一个或多个立柱可通过螺纹连接从所述底座的边缘移除。
130.根据权利要求124所述的方法，其中所述硬化包括将冷却气体引向所述经转换材料以冷却所述经转换材料并产出所述硬化材料。
131.一种用于由粉末材料产生三维物体的方法，其包括：
(a)将粉末材料分配到外壳中以提供粉末床，其中所述粉末床包括顶表面；
(b)使用来自能量源的能量束，将所述粉末材料转换成随后形成硬化材料的经转换材料，其中所述硬化材料从所述粉末床的所述顶表面突出，其中所述硬化材料在所述粉末床内为可移动的；及
(c)将粉末材料层分配于所述粉末床的所述顶表面上，使得所述硬化材料移位约300微米或更少，其中在分配所述粉末材料层之后，所述粉末床的所述顶表面为基本上平面的。
132.根据权利要求131所述的方法，其中所述粉末材料包括元素金属、金属合金、陶瓷或元素碳的同素异形体。
133.根据权利要求131所述的方法，其中所述硬化材料为所述三维物体的至少一部分。
134.根据权利要求133所述的方法，其中所述三维物体的至少所述部分包括翘曲、屈曲、凸出、卷曲、弯曲或成球。
135.根据权利要求131所述的方法，其中(c)中的所述分配进一步包括使用粉末分配构件将所述粉末材料层沉积于所述粉末床的所述顶表面上。
136.根据权利要求131所述的方法，其中(c)中的所述分配进一步包括使用粉末平整构件通过剪切过剩的所述粉末材料而平整粉末床的所述顶表面。
137.根据权利要求131所述的方法，其中(c)中的所述分配进一步包括使用粉末移除构件移除过剩粉末材料而不接触所述粉末材料层。
138.根据权利要求131所述的方法，其中所述三维物体悬于所述粉末床中。
139.根据权利要求131所述的方法，其中所述三维物体缺乏辅助支承特征件。
140.根据权利要求139所述的方法，其中所述辅助支承特征件包括基本上封闭所述三维物体的支架。
141.根据权利要求131所述的方法，其中所述三维物体包括悬于所述粉末床中的辅助支承特征件。
142.根据权利要求131所述的方法，其中所述粉末材料缺乏以形成共晶合金的比率存在的至少两种金属。
143.一种用于产生三维物体的系统，其包括：
外壳，其容纳包括粉末材料的粉末床，其中所述粉末床包括顶表面；
能量源，其将能量束提供到所述粉末床中的所述粉末材料；
层分配机构，其将所述粉末材料提供于所述外壳中或所述粉末床的所述顶表面上；及控制器，其以可操作方式耦接到所述能量源及所述层分配机构且经编程以(i)接收产生所述三维物体的指令，(ii)根据所述指令使用所述能量束将所述粉末材料转换成随后形成硬化材料的经转换材料，其中所述硬化材料从所述粉末床的所述顶表面突出，且其中所述硬化材料在所述粉末床内为可移动的，及(iii)引导层分配机构将粉末材料层分配到所述粉末床的所述顶表面上，使得所述硬化材料移位约300微米或更少，其中所述经分配粉末材料层的所述顶表面为基本上平面的。
144.根据权利要求143所述的系统，其中所述硬化材料为所述三维物体的至少一部分。
145.根据权利要求143所述的系统，其中所述层分配机构包括提供所述粉末材料的粉末分配构件，且其中所述控制器以可操作方式耦接到所述粉末分配构件且经编程以引导所述粉末分配构件将所述粉末材料层分配到所述外壳中的所述粉末床的所述顶表面上。
146.根据权利要求145所述的系统，其中所述粉末分配构件经安置与所述粉末床相邻，且其中所述粉末分配构件包括出口开口，所述出口开口位于与所述粉末分配构件的面对所述粉末床的所述顶表面的所述底部不同的位置。
147.根据权利要求146所述的系统，其中所述出口开口位于所述粉末分配机构的侧部，且其中侧面为所述粉末分配机构的既不面对所述粉末床的所述顶表面也不面对与所述粉末床的所述顶表面相反的方向的部分。
148.根据权利要求145所述的系统，其中所述控制器调控由所述粉末分配构件分配的所述粉末材料的量。
149.根据权利要求145所述的系统，其中所述粉末分配构件经定位与所述粉末床的所述顶表面相邻且以与所述粉末床的所述顶表面分开一间隙。
150.根据权利要求143所述的系统，其中所述层分配机构包括平整所述粉末床的所述顶表面平整而不接触所述粉末床的所述顶表面的粉末平整构件，且其中所述控制器以可操作方式耦接到所述粉末平整构件且经编程以引导所述粉末平整构件平整所述粉末床的所述顶表面。
151.根据权利要求143所述的系统，其中所述粉末平整构件从所述粉末床的所述顶表面剪切过剩的所述粉末材料。
152.根据权利要求143所述的系统，其中所述粉末平整构件从所述粉末床的所述顶表面平整过剩粉末材料而不将所述过剩粉末材料移位到所述粉末床中的另一位置。
153.根据权利要求143所述的系统，其中所述粉末平整构件包括剪切过剩粉末材料的刀。
154.根据权利要求143所述的系统，其中所述层分配机构包括从所述粉末床的所述顶表面移除过剩粉末材料而不接触所述粉末床的所述顶表面的粉末移除构件，且其中所述控制器以可操作方式耦接到所述粉末移除构件且经编程以引导所述粉末移除构件从所述顶部表面移除所述过剩粉末材料。
155.根据权利要求154所述的系统，其中所述粉末移除构件包括真空源、磁力产生器、静电力产生器、电力产生器或物理力产生器。
156.根据权利要求154所述的系统，其中粉末平整构件经耦接到所述粉末移除构件。
157.根据权利要求154所述的系统，其中所述粉末移除构件经耦接到粉末分配构件。
158.根据权利要求157所述的系统，其中所述过剩粉末材料可由所述粉末分配构件再使用。
159.一种用于产生三维物体的方法，其包括：
(a)使用粉末分配机构分配粉末材料层以提供粉末床，所述粉末分配机构包括：
(i)粉末储存器，其容纳粉末材料；
(ii)出口开口，所述粉末材料可通过所述出口开口离开所述设备进入所述粉末床，其中所述设备使用重力促进所述粉末材料的自由下落，其中所述设备悬于所述粉末床上方且以与所述粉末床的所述暴露表面分开一间隙，其中所述出口开口位于所述设备的与所述设备的底部不同的装置的一面上；
(iii)平移构件，其耦接到储存器，其中所述平移构件沿水平及/或垂直路径平移所述粉末分配器，其中所述水平路径包括所述粉末床的水平横截面内的路径，其中所述垂直路径包括所述间隙内的路径；及
(iv)障碍，其位于所述出口开口内，其中所述障碍调控通过所述出口开口分配的粉末量；
(b)平整所述粉末床的所述暴露表面；及
(c)从所述粉末材料的至少一部分产生所述三维物体的至少一部分。
160.一种用于产生三维物体的系统，其包括：
外壳，其容纳粉末床；
能量源，其将能量束提供到所述粉末材料，且因此将所述粉末材料转换成随后硬化以形成经硬化材料的经转换材料，其中所述硬化材料可形成所述三维物体的至少一部分；
粉末分配构件，其将所述粉末材料分配到所述粉末床中，所述粉末分配构件包括：
(i)粉末储存器，其容纳粉末材料；
(ii)出口开口，所述粉末材料可通过所述出口开口离开所述设备进入所述粉末床，其中所述设备使用重力促进所述粉末材料的自由下落，其中所述设备悬于所述粉末床上方且以与所述粉末床的所述暴露表面分开一间隙，其中所述出口开口位于所述设备的与所述设备的底部不同的装置的一面上；
(iii)平移构件，其耦接到储存器，其中所述平移构件沿水平及/或垂直路径平移所述粉末分配器，其中所述水平路径包括所述粉末床的水平横截面内的路径，其中所述垂直路径包括所述间隙内的路径；及
(iv)障碍，其位于所述出口开口内，其中所述障碍调控通过所述出口开口分配的粉末量；
粉末平整构件，其平整所述粉末床的暴露表面；及
控制器，其以可操作方式耦接到所述能量源、所述粉末分配构件、所述粉末平整构件及所述粉末移除构件，且经编程以：
(i)引导所述粉末分配器将具有第一顶表面的所述第一粉末材料层分配到所述粉末床中，
(ii)接收产生所述三维物体的至少部分的指令，
(iii)根据所述指令从所述粉末材料的一部分产生所述三维物体的所述至少部分，(iv)引导所述粉末分配器分配具有与所述第一顶表面相邻的第二顶表面的第二粉末材料层，及
(v)引导所述粉末平整构件将所述第二顶表面平整到在所述第二顶表面的最低点处或下方的第一平面表面。
161.一种用于产生三维物体的方法，其包括：
(a)将第一粉末材料层分配到外壳中以提供具有第一顶表面的粉末床；
(b)将能量束引向所述第一粉末材料层以从所述第一层的至少一部分产生所述三维物体的至少一部分；
(c)在产生所述三维物体的至少所述部分之后，将第二粉末材料层分配到所述外壳中，其中所述第二粉末材料层包括第二顶表面；
(d)剪切所述第二粉末材料层以形成第一平面表面，其中所述第一平面表面在所述第二顶表面的最低点处或下方；及
(e)从所述第二粉末材料层移除第二平面表面上方的基本上所有粉末材料，其中所述第二平面表面位于所述第一平面表面之下，且其中所述移除在不存在接触所述粉末床的情况下发生。
162.根据权利要求161所述的方法，其中所述粉末材料包括元素金属、金属合金、陶瓷或元素碳的同素异形体。
163.根据权利要求161所述的方法，其中所述产生包括转换所述粉末材料以产生随后硬化以形成经硬化材料的经转换材料，其中所述硬化材料的至少一部分从所述第一顶表面突出，因此形成突出部。
164.根据权利要求163所述的方法，其中所述突出部为所述三维物体的至少一部分。
165.根据权利要求163所述的方法，其中所述突出包括所述硬化材料的翘曲、弯曲、凸出、卷曲、卷起或成球。
166.根据权利要求163所述的方法，其中所述突出部包括并非所述三维物体的一部分的硬化材料。
167.根据权利要求163所述的方法，其中所述突出部相对于所述第一顶表面具有约10微米到约500微米的高度。
168.根据权利要求161所述的方法，其中从所述第一顶表面到所述第二平面表面的平均垂直距离为从约5微米到约1000微米。
169.根据权利要求161所述的方法，其中所述移除包括真空抽吸。
170.根据权利要求161所述的方法，其进一步包括再使用来自所述第一层和/或所述第二层的过剩粉末材料。
171.根据权利要求161所述的方法，其中所述第二平面表面位于所述第一顶表面上方。
172.根据权利要求161所述的方法，其中使用重力分配所述第一粉末材料层。
173.根据权利要求161所述的方法，其中使用移位所述粉末材料的气流来分配所述第一粉末材料层。
174.根据权利要求161所述的方法，其中在剪切所述第二粉末材料层以形成所述第一平面表面之后，所述三维物体的至少所述部分移位约300微米或更少。
175.一种用于产生三维物体的系统，其包括：
外壳，其容纳包括粉末材料的粉末床；
能量源，其将能量束提供到所述粉末床中的所述粉末材料；
粉末分配构件，其将所述粉末材料分配到所述外壳中以提供所述粉末床；
粉末平整构件，其平整所述粉末床的顶表面；
粉末移除构件，其从所述粉末床的所述顶表面移除粉末材料而不接触所述顶表面；及控制器，其以可操作方式耦接到所述能量源、所述粉末分配构件、所述粉末平整构件及所述粉末移除构件，其中所述控制器经编程以：
(i)引导所述粉末分配构件将第一粉末材料层分配到所述外壳中以提供具有第一顶表面的所述粉末床，
(ii)将来自所述能量源的所述能量束引向所述第一粉末材料层以从所述第一层的一部分产生所述三维物体的至少一部分，
(iii)引导所述粉末分配构件将第二粉末材料层分配到所述外壳中，其中所述第二粉末材料层包括第二顶表面，
(iv)引导所述粉末平整构件剪切所述第二粉末材料层以形成第一平面表面，其中所述第一平面表面在所述第二顶表面的最低点处或下方，及
(v)引导所述粉末移除构件从所述第二粉末材料层移除第二平面表面上方的基本上所有粉末材料，其中所述第二平面表面位于所述第一平面表面下方。
176.根据权利要求175所述的系统，其中所述能量源将能量束提供到所述粉末材料且因此将所述粉末材料转换成随后硬化以形成经硬化材料的经转换材料，其中所述硬化材料可形成所述三维物体的至少一部分。
177.根据权利要求175所述的系统，其中所述第二平面表面位于所述第一顶表面上方。
178.根据权利要求175所述的系统，其中在所述粉末平整构件剪切所述第二粉末材料层以形成所述第一平面表面之后，所述三维物体的至少所述部分移位约300微米或更少。
179.根据权利要求175所述的系统，其中所述粉末分配构件与所述粉末床的所述暴露表面分开一间隙。
180.根据权利要求179所述的系统，其中所述间隙具有从约10微米到约50毫米的分隔距离。
181.根据权利要求175所述的系统，其中随着所述粉末材料离开所述粉末分配构件进入所述外壳的环境并在所述粉末床的所述方向上行进，其遇到至少一个障碍。
182.根据权利要求175所述的系统，其中在操作期间，所述粉末分配构件沿包含至少一个障碍的路径与所述粉末床连通。
183.根据权利要求181或182所述的系统，其中所述障碍包括粗糙表面。
184.根据权利要求181或182所述的系统，其中所述障碍包括与所述粉末床的所述顶表面形成角度的倾斜表面。
185.根据权利要求175所述的系统，其中所述粉末移除构件与所述粉末分配构件集成为粉末分配-移除构件。
186.根据权利要求185所述的系统，其中所述粉末分配-移除构件包括一个或多个粉末出口端口及一个或多个真空入口端口。
187.根据权利要求175所述的系统，其中所述粉末移除构件包括真空喷嘴。
188.一种用于形成三维物体的设备，其包括控制器，所述控制器经编程以：
(a)将第一粉末材料层从粉末分配构件提供到以可操作方式耦接到所述粉末分配构件的粉末床，其中所述第一层包括第一顶表面；
(b)将能量束从能量源引向所述粉末床以将所述粉末材料的至少一部分转换为随后硬化以产出所述三维物体的至少一部分的经转换材料；
(c)在产出所述三维物体的至少所述部分之后，将第二粉末材料层从粉末分配构件提供到以可操作方式耦接到所述粉末分配构件的所述粉末床，其中所述第二粉末材料层包括第二顶表面；及
(d)引导以可操作方式耦接到所述粉末平整构件的粉末移除构件，以从所述第二粉末材料层移除第二平面表面上方的基本上所有粉末材料，其中所述第二平面表面位于所述第一平面表面下方，且其中所述移除在不存在接触所述粉末床的情况下发生。