专利汇可以提供自供电质量阻尼复合结构的ATMD减振装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种自供电 质量 阻尼复合结构的ATMD减振装置,包括质量 块 , 磁流变液 阻尼单元,2个发电单元,滑动 导轨 ;所述质量块的凹槽嵌于滑动导轨的中心凸台;所述质量块的滚轮轮缘中凹外凸,与滑动导轨的凸缘相配合,在辅助限位的同时使质量块沿导轨作往复运动;所述滑动导轨的一端设有第一 挡板 ,另一端设有第二挡板;所述的2个发电单元的两端 水 平固定在第二挡板和质量块之上。本发明根据高塔设备振动 频率 的不同,压电晶片产生的电量也不一样,从而影响线圈产生的 磁场 强弱,最终直接导致磁流变液的阻尼大小,达到主动调节TMD振动频率至被控结构的自振频率区域内,达到有效的减振效果。,下面是自供电质量阻尼复合结构的ATMD减振装置专利的具体信息内容。
1.一种自供电质量阻尼复合结构的ATMD减振装置,包括质量块(1),磁流变液阻尼单元(2),2个发电单元(3),滑动导轨(4);其特征在于:所述质量块(1)的凹槽(11)嵌于滑动导轨的中心凸台(41);所述质量块(1)的滚轮(12)轮缘中凹外凸,与滑动导轨的凸缘(42)相配合,在辅助限位的同时使质量块(1)沿导轨作往复运动;所述滑动导轨(4)的一端设有第一挡板(43),另一端设有第二挡板(44);所述的2个发电单元(3)的两端水平固定在第二挡板(44)和质量块(1)之上。
2.如权利要求1所述的自供电质量阻尼复合结构的ATMD减振装置,其特征在于:所述磁流变液阻尼单元(2)置于质量块(1)内部,质量块(1)内部连接有一螺栓(21),内螺纹与下方通孔(22)贯通;绕线板(23)为一矩形块,由螺栓(24)与质量块1相连接,线圈(231)缠绕在绕线板(23)的凹槽内;绕线板(23)中心有一通孔(232),与质量块(1)内部通孔(22),以及正下方磁流变液腔体(25)相连,作为磁流变液的引流通道用以灌注磁流变液;磁流变液腔体(25)与滑动导轨接触部位均设置有弹性密封条(26)。
3.如权利要求1或2所述的自供电质量阻尼复合结构的ATMD减振装置,其特征在于:所述发电单元的外部由壳体(31),第一盖板(32),第二盖板(33)组成,壳体(31)与第一盖板(32),第二盖板(33)均由螺栓相连接;第一盖板(32)中心设置有一通孔(321),与第一连杆(34)间隙配合;固定板(36)与壳体(31)、金属基板(37)的一端通过螺栓固定相连,并与第一连杆(34)间隙配合;第一连杆(34)一端与质量块(1)固定相连;金属基板(37)在装配前是平直结构,通过粘接压电晶片(38)组成压电振子;压电晶片(38)相间处的金属基板(37),通过螺栓与压头(39)和轴套(310)相连;压电振子在装配后形成了弯曲的结构,此结构通过压电晶片(38)的形变收集电能。
4.如权利要求3所述的自供电质量阻尼复合结构的ATMD减振装置,其特征在于:所述发电单元还包括轴套(310),轴套(310)内部嵌有电磁线圈(311),第一连杆上间隔布置有一定数量的永磁铁(312);第一连杆(34)的凸台(341)通过螺栓与压头(39)和金属基板(37)相固定,并通过弹簧(313)与第二连杆(35)的凸台(351)相连接;第二连杆(35)嵌套在第二盖板(33)的中心孔(331)内,并通过螺栓固定相连;第二连杆(35)的末端与滑动导轨的第二挡板(44)相连。
5.如权利要求4所述的自供电质量阻尼复合结构的ATMD减振装置,其特征在于:高塔设备(5)因风载产生振动;当振动量较小时,质量块(1)启动较慢,此时由主动调谐质量阻尼器控制减振;当振动量较大时,ATMD补偿装置的质量块(1)开始运动,带动第一连杆(34)产生位移,第一连杆(34)上的永磁铁(312)和轴套内的电磁线圈(311)产生相对位移从而产生电能,发电单元内的压电振子(38)产生弯曲形变从而产生电能;两种模式所生成的电能经导线传输到磁流变液阻尼的电磁线圈(231),在磁场的作用下,磁流变液瞬时粘度变高,起到可变阻尼作用。
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