质量阻尼复合结构的ATMD减振装置
专利汇可以提供质量阻尼复合结构的ATMD减振装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 质量 阻尼复合结构的ATMD减振装置，包括质量 块 ， 磁流变液 阻尼单元，2个发电单元，滑动 导轨 ；所述质量块的中心部位嵌套在滑动导轨的中心横梁；所述质量块的滚轮轮缘中凹外凸，与滑动导轨的凸缘相配合，在辅助限位的同时使质量块沿滑动导轨作往复运动；所述滑动导轨的一端设有第一 挡板 ；另一端设有第二挡板，第二挡板通过 螺栓 固定在高耸塔设备上；所述的2个发电单元的两端分别固定在第二挡板和质量块之上。本发明根据高塔设备振动 频率 的不同，压电晶片产生的电量也不一样，从而影响线圈产生的 磁场 强弱，最终直接导致磁流变液的阻尼大小，达到主动调节ATMD振动频率至被控结构的自振频率区域内，达到有效的减振效果。，下面是质量阻尼复合结构的ATMD减振装置专利的具体信息内容。
1.一种质量阻尼复合结构的ATMD减振装置，包括质量块（1），磁流变液阻尼单元（2），2个发电单元（3），滑动导轨（4）；其特征在于：所述质量块（1）的中心部位嵌套在滑动导轨（4）的中心横梁（41）；所述质量块（1）的滚轮（11）轮缘中凹外凸，与滑动导轨（4）的凸缘（42）相配合，在辅助限位的同时使质量块（1）沿滑动导轨（4）作往复运动；所述滑动导轨（4）的一端设有第一挡板（43）；另一端设有第二挡板（44），第二挡板（44）通过螺栓固定在高耸塔设备（5）上；所述的2个发电单元（3）的两端分别固定在第二挡板（44）和质量块（1）之上。
2.如权利要求1所述的质量阻尼复合结构的ATMD减振装置，其特征在于：所述磁流变液阻尼单元（2）置于质量块（1）内部，包括2块T字绕线板（21），磁流变液腔体（22）；所述T字绕线板（21）的凹坑内缠绕有电磁线圈（211），并通过第一螺栓（212）与质量块（1）相连接；磁流变液腔体（22）嵌套在质量块（1）和T字绕线板（21）之间，并由质量块（1）上的第二螺栓（222）加以固定；磁流变液腔体（22）的液腔（23）设置于磁流变液腔体（22）与滑动导轨中心横梁（41）之间，液腔（23）上部有一个注液通道（24），与第二螺栓（222）的内螺纹段相互贯通；磁流变液腔体（22）与滑动导轨（4）接触部位均设置有弹性密封条（25）。
3.如权利要求1或2所述的质量阻尼复合结构的ATMD减振装置，其特征在于：所述发电单元（3）的外部由壳体（31），第一盖板（32），第二盖板（33）组成，壳体（31）与第一盖板（32），第二盖板（33）均由螺栓相连接；第一盖板（3）1中心开有一通孔（311），对侧开有走线槽（323），并分布有两个连接座（322），每个连接座（322）通过销固定有两块凹凸间隔的金属基板（33）；金属基板（33）上粘接有压电晶片（34），两个金属基板（33）的内凹处通过铆钉（331）相互连接，金属基板（33）的另一端则固定在固定块（35）上。
4.如权利要求3所述的质量阻尼复合结构的ATMD减振装置，其特征在于：还具有第一连杆（36）和第二连杆（38），所述第一连杆（36）的杆体与第一盖板的通孔（311）间隙配合，第一连杆的凸台（361）与固定块（35）用螺栓相连接；固定块（35）另一侧通过弹簧（37）与第二盖板（33）相连接；第二连杆（38）通过螺栓与第二盖板（33）固定相连；压电晶片（34）之间通过导线相连，并由第一盖板的走线槽（323）处接出，与磁流变液阻尼单元（2）的电磁线圈（211）相连。
5.如权利要求4所述的质量阻尼复合结构的ATMD减振装置，其特征在于：高塔设备（5）因风载产生振动；当振动量较小时，质量块（1）启动较慢，此时由主动调谐质量阻尼器ATMD控制减振；当振动量较大时，ATMD补偿装置的质量块（1）开始运动，带动第一连杆（36）产生位移，发电单元（3）内的压电振子产生弯曲形变从而生成电荷，使机械能转换成电能；所生成的电能经导线传输到磁流变液阻尼的电磁线圈（211），在磁场的作用下，磁流变液瞬时粘度变高，起到可变阻尼作用。
质量阻尼复合结构的ATMD减振装置
技术领域
背景技术
发明内容
图3是磁流变液阻尼单元示意图；
图4是磁流变液阻尼单元与导轨配合示意图；
图5是本发明的质量阻尼复合结构的ATMD减振装置安装方式示意图。
具体实施方式
25。
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