极性不敏感霍尔效应传感器
专利汇可以提供极性不敏感霍尔效应传感器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及极性不敏感霍尔效应 传感器 。非 接触 式 位置 传感器 是理想的，因为它们具有比传统电位计低的故障率。然而，将 霍尔效应传感器 用作非接触式 位置传感器 需要特定的输入极性。在实施方式中，极性不敏感霍尔效应传感器包括配置成响应于输入产生输出的转换传感器。传感器还包括 半导体 整流器 ，其设置成给第一转换传感器和第二转换传感器供应具有给定极性的电 力 ，而不管输入是具有正极性还是负极性。传感器还包括半导体多路复用器 电路 ，其设置成，如果输入具有正极性则将第一输出引导到公共输出端口以及如果输入具有负极性则将第二输出引导到公共输出端口。极性不敏感霍尔效应传感器提供表示位置的输出而不要求输入极性。，下面是极性不敏感霍尔效应传感器专利的具体信息内容。
1.一种线性传感器或旋转传感器，包括：
第一转换传感器，其配置成响应于给定输入产生第一输出；
第二转换传感器，其配置成响应于所述给定输入产生第二输出，所述第一输出和所述第二输出的和是恒定的，而不管所述给定输入是具有正极性还是负极性；
半导体整流器，其设置成给所述第一转换传感器和所述第二转换传感器供应具有给定极性的电力，而不管所述给定输入是具有正极性还是负极性；以及
半导体多路复用器电路，其设置成，如果所述给定输入具有正极性则将所述第一输出引导到公共输出端口以及如果所述给定输入具有负极性则将所述第二输出引导到所述公共输出端口。
2.如权利要求1所述的传感器，其中所述第一转换传感器是霍尔效应传感器，且所述第二转换传感器是霍尔效应传感器。
3.如权利要求1所述的传感器，其中所述半导体多路复用器包含：
第一通道，其将所述第一输出引导到所述公共输出端口，所述第一通道包含串联连接的第一组n型MOSFET半导体和串联连接的第二组p型MOSFET半导体，所述第一组和所述第二组并联连接；以及
第二通道，其将所述第二输出引导到所述公共输出端口，所述第二通道包含串联连接的第三组n型MOSFET半导体和串联连接的第四组p型MOSFET半导体，所述第三组和所述第四组并联连接。
4.如权利要求3所述的传感器，其中：
在相应的第一组半导体、第二组半导体、第三组半导体和第四组半导体内的MOSFET的相应源极被直接连接，所述第一组半导体、第二组半导体、第三组半导体和第四组半导体的MOSFET的相应栅极被直接连接，
所述第一组的漏极中的第一个和所述第二组的漏极中的第一个被耦合以接收所述第一输出，
所述第一组和所述第四组的栅极耦合到第一输入端口，所述第一输入端口接收限定所述给定输入的第一部分的第一信号，
所述第二组和所述第三组的栅极耦合到第二输入端口，所述第二输入端口接收限定所述给定输入的第二部分的第二信号，所述第一信号和所述第二信号在相同的时刻相对于彼此进行测量时确定所述给定输入的信号的极性，
所述第三组的漏极中的第一个和所述第四组的漏极中的第一个被耦合以接收所述第二输出，以及
所述第一组的漏极中的第二个、所述第二组的漏极中的第二个、所述第三组的漏极中的第二个和所述第四组的漏极中的第二个耦合到所述公共输出端口。
5.如权利要求1所述的传感器，其中所述半导体整流器包含至少四个MOSFET，每个MOSFET具有相应的源极、漏极和栅极，其中，
第一MOSFET(i)以其漏极耦合到所述给定输入的第一端口和第二MOSFET的漏极，(ii)以其栅极耦合到所述给定输入的第二端口，以及(iii)以其源极耦合到第三MOSFET的源极以及所述第一转换传感器和所述第二转换传感器，
所述第二MOSFET(i)以其漏极耦合到所述给定输入的第一端口和所述第一MOSFET的漏极，(ii)以其栅极耦合到所述给定输入的第二端口，以及(iii)以其源极耦合到第四MOSFET的源极以及所述第一转换传感器和所述第二转换传感器，
所述第三MOSFET(i)以其源极耦合到所述第一MOSFET的源极以及所述第一转换传感器和所述第二转换传感器，(ii)以其漏极耦合到所述给定输入的第二端口，以及(iii)以其栅极耦合到所述给定输入的第一端口，以及
所述第四MOSFET(i)以其漏极耦合到所述给定输入的第二端口和所述第三MOSFET的漏极，(ii)以其栅极耦合到所述给定输入的第一端口，以及(iii)以其源极耦合到所述第二MOSFET的源极以及所述第一转换传感器和所述第二转换传感器。
6.如权利要求1所述的传感器，其中所述半导体整流器配置成基于所述给定输入的极性将正确极性的信号引导到所述第一转换传感器和所述第二转换传感器，且所述半导体多路复用器基于同一给定输入的极性配置成将所述第一输出或所述第二输出引导到所述公共输出端口。
7.如权利要求1所述的传感器，还包括编程模块，所述编程模块包含三个端口，通过所述三个端口对所述第一转换传感器和所述第二转换传感器编程，其中，第一编程模块端口和第二编程模块端口耦合到所述半导体整流器，以分别在正极性电压电平和负极性电压电平的施加期间给所述第一转换传感器和所述第二转换传感器供电，且其中，第三编程模块端口耦合到所述公共输出，以分别在所述正极性电压电平和负极性电压电平施加到所述第一转换传感器和所述第二转换传感器期间对所述第一转换传感器和所述第二转换传感器编程。
8.如权利要求1所述的传感器，其中所述第一转换传感器和所述第二转换传感器配置成测量被观察的机械设备的旋转或线性位置，而不管所述给定输入的极性如何。
9.一种感测线性位置或旋转的方法，所述方法包括：
在第一转换传感器处响应于给定输入产生第一输出；
在第二转换传感器处响应于所述给定输入产生第二输出，所述第一输出和所述第二输出的和是恒定的，而不管所述给定输入是具有正极性还是负极性；
在半导体整流器处给所述第一转换传感器和所述第二转换传感器供应具有给定极性的电力，而不管所述给定输入是具有正极性还是负极性；
在半导体多路复用器电路处，如果所述给定输入具有正极性则将所述第一输出引导到公共输出端口以及如果所述给定输入具有负极性则将所述第二输出引导到所述公共输出端口。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一转换传感器是霍尔效应传感器，且所述第二转换传感器是霍尔效应传感器。
11.如权利要求9所述的方法，还包括：
在所述半导体多路复用器的第一通道中将所述第一输出引导到所述公共输出端口，所述第一通道包含串联连接的第一组n型MOSFET半导体和串联连接的第二组p型MOSFET半导体，所述第一组和所述第二组并联连接；以及
在所述半导体多路复用器的第二通道中将所述第二输出引导到所述公共输出端口，所述第二通道包含串联连接的第三组n型MOSFET半导体和串联连接的第四组p型MOSFET半导体，所述第三组和所述第四组并联连接。
12.如权利要求11所述的方法，还包括：
直接连接在相应的第一组半导体、第二组半导体、第三组半导体和第四组半导体内的MOSFET的相应源极；
直接连接相应的第一组半导体、第二组半导体、第三组半导体和第四组半导体内的MOSFET的栅极，
将所述第一组的漏极中的第一个和所述第二组的漏极中的第一个耦合以接收所述第一输出，
将所述第一组和所述第四组的栅极耦合到第一输入端口，所述第一输入端口接收限定所述给定输入的第一部分的第一信号，
将所述第二组和所述第三组的栅极耦合到第二输入端口，所述第二输入端口接收限定所述给定输入的第二部分的第二信号，所述第一信号和所述第二信号当在相同的时刻相对于彼此进行测量时确定所述给定输入的信号的极性，
将所述第三组的漏极中的第一个和所述第四组的漏极中的第一个耦合以接收所述第二输出，以及
将所述第一组的漏极中的第二个、所述第二组的漏极中的第二个、所述第三组的漏极中的第二个和所述第四组的漏极中的第二个耦合到所述公共输出端口。
13.如权利要求9所述的方法，其中所述半导体整流器包含至少四个MOSFET，每个MOSFET具有相应的源极、漏极和栅极，且所述方法还包括：
将第一MOSFET(i)以其漏极耦合到所述给定输入的第一端口和第二MOSFET的漏极，(ii)以其栅极耦合到所述给定输入的第二端口，以及(iii)以其源极耦合到第三MOSFET的源极以及所述第一转换传感器和所述第二转换传感器，
将所述第二MOSFET(i)以其漏极耦合到所述给定输入的第一端口和所述第一MOSFET的漏极，(ii)以其栅极耦合到所述给定输入的第二端口，以及(iii)以其源极耦合到第四MOSFET的源极以及所述第一转换传感器和所述第二转换传感器，
将所述第三MOSFET(i)以其源极耦合到所述第一MOSFET的源极以及所述第一转换传感器和所述第二转换传感器，(ii)以其漏极耦合到所述给定输入的第二端口，以及(iii)以其栅极耦合到所述给定输入的第一端口，以及
将所述第四MOSFET(i)以其漏极耦合到所述给定输入的第二端口和所述第三MOSFET的漏极，(ii)以其栅极耦合到所述给定输入的第一端口，以及(iii)以其源极耦合到所述第二MOSFET的源极以及所述第一转换传感器和第二转换传感器。
14.如权利要求9所述的方法，还包括：
在所述半导体整流器基于所述给定输入的极性将正确极性的信号引导到所述第一转换传感器和所述第二转换传感器；以及
在所述半导体多路复用器处，基于所述给定输入的极性将所述第一输出或所述第二输出引导到所述公共输出端口。
15.如权利要求9所述的方法，还包括：
使用具有三个端口的编程模块对所述第一转换传感器和所述第二转换传感器编程，所述编程模块通过所述三个端口经由下列操作对所述第一转换传感器和所述第二转换传感器编程：将第一编程模块端口和第二编程模块端口耦合到所述半导体整流器以分别在正极性电压电平和负极性电压电平的施加期间给所述第一转换传感器和所述第二转换传感器供电，以及将第三编程模块端口耦合到所述公共输出以分别在所述正极性电压电平和负极性电压电平施加到所述第一转换传感器和所述第二转换传感器期间对所述第一转换传感器和第二转换传感器编程。
16.如权利要求1所述的传感器，还包括，在所述第一转换传感器和所述第二转换传感器处测量被观察的机械设备的旋转或线性位置，而不管所述给定输入的极性如何。
17.一种用于线性或旋转传感器的装置，包括：
用于响应于给定输入产生第一输出的部件，
用于响应于所述给定输入产生第二输出的部件，所述第一输出和所述第二输出的和是恒定的，而不管所述给定输入是具有正极性还是负极性；
用于给所述第一转换传感器和所述第二转换传感器供应具有给定极性的电力而不管所述给定输入是具有正极性还是负极性的部件；以及
用于在所述给定输入具有正极性时将所述第一输出引导到公共输出端口以及在所述给定输入具有负极性时将所述第二输出引导到所述公共输出端口的部件。
18.如权利要求17所述的装置，其中所述第一转换传感器是霍尔效应传感器，且所述第二转换传感器是霍尔效应传感器。
19.如权利要求17所述的装置，其中所述半导体多路复用器部件还包含：
用于将所述第一输出引导到所述公共输出端口的部件，所述第一通道包含串联连接的第一组n型MOSFET半导体和串联连接的第二组p型MOSFET半导体，所述第一组和所述第二组并联连接；以及
用于将所述第二输出引导到所述公共输出端口的部件，所述第二通道包含串联连接的第三组n型MOSFET半导体和串联连接的第四组p型MOSFET半导体，所述第三组和所述第四组并联连接。
20.如权利要求19所述的装置，其中：
在相应的第一组半导体、第二组半导体、第三组半导体和第四组半导体内的MOSFET的相应源极被直接连接，相应的第一组半导体、第二组半导体、第三组半导体和第四组半导体内的MOSFET的栅极被直接连接，
所述第一组的漏极中的第一个和所述第二组的漏极中的第一个被耦合以接收所述第一输出，
所述第一组和所述第四组的栅极耦合到第一输入端口，所述第一输入端口接收限定所述给定输入的第一部分的第一信号，
所述第二组和所述第三组的栅极耦合到第二输入端口，所述第二输入端口接收限定所述给定输入的第二部分的第二信号，所述第一信号和第二信号当在相同的时刻相对于彼此进行测量时确定所述给定输入的信号的极性，
所述第三组的漏极中的第一个和所述第四组的漏极中的第一个被耦合以接收所述第二输出，以及
所述第一组的漏极中的第二个、所述第二组的漏极中的第二个、所述第三组的漏极中的第二个和所述第四组的漏极中的第二个耦合到所述公共输出端口。
极性不敏感霍尔效应传感器
背景技术
发明内容
具体实施方式
例如，如果第一极性路径108a-b提供5V的电压差，则反转连接使第二极性路径112a-b上的极性反转，使它是负5V。不管极性如何，极性不敏感霍尔效应传感器110在其输出端口
114处输出。与传统电位计一样，反转输入的极性可反转输出。例如，具有0-5V的输出范围并对于一个极性向其转子的位置输出4V的电位计，其对于反向的极性向转子的相同位置输出1V。极性不敏感霍尔效应传感器110以相同的方式运转。
8(Vss)并将接地施加到端口1(Vdd))，然而，这样的交换可在传统的基于电阻器的电位计(例如图3的电位计208)上执行。
2.48mV的电压降。所施加的电压给两个霍尔效应传感器例如MLX90316供电，MLX90316将两个单独的霍尔效应传感器芯片安置在一个封装中。
25％。
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