技术领域
[0001] 本
发明涉及
半导体技术领域，尤指一种
等离子体增强化学气相沉积装置。
背景技术
[0002] 随着半导体技术的发展，等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）装置的开发和使用日益广泛。目前，PECVD装置主要在
太阳能电池行业、半导体器件及大规模集成
电路的制造行业中被广泛使用，PECVD装置是利用强
电场或
磁场使所需的气体源分子电离产生等离子体，由于等离子体化学活性强、容易发生反应，因此可以在
基板上沉积出所期望的
薄膜。
[0003] 目前，现有的PECVD装置的主要结构如图1所示，包括密闭的反应腔01，位于反应腔01正上方的遮挡盖02，位于遮挡盖02之上且与遮挡盖02构成
密闭空间的维护盒03，位于维护盒03的密闭空间内的连接部04，位于维护盒03上方的反应腔盖加强杆05，用于固定连接遮挡盖02与连接部04和反应腔01、贯穿遮挡盖02和连接部04且旋拧于反应腔01顶部的螺杆06，用于固定连接反应腔盖加强杆05与连接部04、贯穿反应腔盖加强杆05和维护盒03顶部且底端旋拧于连接部04内的连接螺杆07，用于固定维护盒03与连接部04且密封维护盒03的第一
螺母08，以及用于固定连接螺杆07与反应腔盖加强杆05的第二螺母09。其中，反应腔01中设置有相对设置的用于产生高
能量的交频电场的上部
电极01a和下部电极01b。
[0004] 上述结构的PECVD装置在工作时，PECVD装置所使用的高频电（RF Power）A通过位于维护盒03中的
铜片（图1中未示出）传导到反应腔中的上部电极01a，使上部电极01a与下部电极01b之间形成的高能量的交频电场，从而完成PECVD工艺。但是，在上述PECVD装置在工作时，用于密封维护盒03的过孔的第一螺母08时间长了会发生松动，从而在第一螺母08处会产生射频泄露以及击穿，由于图1中虚线框所标的区域为人员经常
接触的区域，因此如果第一螺母08处产生射频泄露以及击穿，很可能会造成人员受伤。
发明内容
[0005] 本发明
实施例提供等离子体增强化学气相沉积装置，用以避免维护盒的顶盖发生射频泄露和击穿，从而避免了出现人员受伤害的危险。
[0006] 本发明实施例提供的一种等离子体增强化学气相沉积装置，包括反应腔、位于所述反应腔上方且与所述反应腔固定连接的遮挡盖、位于所述遮挡盖之上且与所述遮挡盖构成密闭空间的维护盒，位于所述密闭空间内且与所述遮挡盖固定连接的连接部，以及位于所述维护盒上方且通过
连接杆与所述维护盒固定连接的反应腔盖加强杆；
[0007] 所述维护盒具体包括顶盖以及与所述顶盖固定连接的盒体；
[0008] 与所述反应腔盖加强杆固定的所述连接杆位于所述封闭空间之外且与所述维护盒的顶盖固定连接；
[0009] 所述维护盒的顶盖与所述连接部固定连接。
[0010] 本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置，包括反应腔、位于反应腔上方且与反应腔固定连接的遮挡盖、位于遮挡盖之上且与遮挡盖构成密闭空间的维护盒，位于密闭空间内且与遮挡盖固定连接的连接部，以及位于维护盒上方且通过连接杆与维护盒固定连接的反应腔盖加强杆；维护盒具体包括顶盖以及与顶盖固定连接的盒体；与反应腔盖加强杆固定的连接杆位于封闭空间之外且与维护盒的顶盖固定连接；维护盒的顶盖与连接部固定连接。由于在该等离子体增强化学气相沉积装置中，维护盒具体包括顶盖以及与顶盖固定连接的盒体，因此与反应腔盖加强杆固定的连接杆可以在维护盒的封闭空间之外与维护盒的顶盖固定连接，从而可以避免在维护盒的顶部发生射频泄露和击穿的问题，进而避免出现人员受伤害的危险。
[0011] 较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，所述维护盒的顶盖与所述连接杆通过
螺纹连接的方式固定连接。
[0012] 较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，所述维护盒的顶盖背向所述连接部的一侧具有凹型的螺纹口，所述连接杆的底端具有与所述螺纹口相匹配的螺纹，所述连接杆通过底端旋拧于所述螺纹口与所述维护盒固定。
[0013] 较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，所述连接杆的底端具有凹型的螺纹口，所述维护盒的顶部背向所述连接部的一侧具有延伸部，所述延伸部为具有与所述螺纹口相匹配的螺纹的螺杆，所述连接杆通过所述延伸部旋拧于所述螺纹口与所述维护盒固定。
[0014] 较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，所述维护盒的顶盖与所述连接部通过连接件固定连接。
[0015] 较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，所述连接件具体包括：
[0016] 所述维护盒的顶盖面向所述连接部一侧延伸的具有螺纹的第一螺杆，所述连接部面向所述维护盒顶盖一侧延伸的具有螺纹的第二螺杆；以及旋拧在所述第一螺杆和所述第二螺杆上的螺母。
[0017] 较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，所述维护盒的顶盖与盒体通过螺丝固定连接。
[0018] 较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，所述反应腔、所述连接部和所述遮挡盖通过贯穿所述连接部和所述遮挡盖且底端旋拧于所述反应腔顶部的第三螺杆固定连接。
[0019] 较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，还包括：包覆于裸露在所述连接部上方的所述第三螺杆的绝缘套筒。
附图说明
[0020] 图1为现有的等离子体增强化学气相沉积装置的结构示意图；
[0021] 图2为本发明实施例提供的等离子体增强化学气相沉积装置的结构示意图。
具体实施方式
[0022] 下面结合附图，对本发明实施例提供的等离子体增强化学气相沉积装置的具体实施方式进行详细地说明。
[0023] 本发明实施例提供的一种等离子体增强化学气相沉积装置，如图2所示（图2中虚线框所标的区域为人员经常接触的区域），包括反应腔100、位于反应腔100上方且与反应腔100固定连接的遮挡盖200、位于遮挡盖200之上且与遮挡盖200构成密闭空间的维护盒300，位于密闭空间内且与遮挡盖200固定连接的连接部400，以及位于维护盒300上方且通过连接杆500与维护盒300固定连接的反应腔盖加强杆600；
[0024] 维护盒300具体包括顶盖310以及与顶盖310固定连接的盒体320；
[0025] 与反应腔盖加强杆600固定的连接杆500位于封闭空间之外且与维护盒300的顶盖310固定连接；
[0026] 维护盒300的顶盖310与连接部400固定连接。
[0027] 本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置，包括反应腔、位于反应腔上方且与反应腔固定连接的遮挡盖、位于遮挡盖之上且与遮挡盖构成密闭空间的维护盒，位于密闭空间内且与遮挡盖固定连接的连接部，以及位于维护盒上方且通过连接杆与维护盒固定连接的反应腔盖加强杆；维护盒具体包括顶盖以及与顶盖固定连接的盒体；与反应腔盖加强杆固定的连接杆位于封闭空间之外且与维护盒的顶盖固定连接；维护盒的顶盖与连接部固定连接。由于在该等离子体增强化学气相沉积装置中，维护盒具体包括顶盖以及与顶盖固定连接的盒体，因此与反应腔盖加强杆固定的连接杆可以在维护盒的封闭空间之外与维护盒的顶盖固定连接，从而可以避免在维护盒的顶部发生射频泄露和击穿的问题，进而避免出现人员受伤害的危险。
[0028] 较佳地，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，维护盒300的顶盖310与连接杆500可以通过
螺纹连接的方式固定连接，当然也可以通过其它能够实现本发明方案的方式连接，在此不做限定。
[0029] 较佳地，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，如图2所示，维护盒300的顶盖310背向连接部400的一侧具有凹型的螺纹口311，连接杆500的底端具有与螺纹口311相匹配的螺纹，连接杆500通过底端旋拧于螺纹口311与维护盒300固定。
[0030] 或者，较佳地，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，连接杆的底端具有凹型的螺纹口，维护盒的顶部背向连接部的一侧具有延伸部，延伸部为具有与螺纹口相匹配的螺纹的螺杆，连接杆通过延伸部旋拧于螺纹口与维护盒固定。
[0031] 进一步，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，如图2所示，连接杆500通过贯穿反应腔盖加强杆600与反应腔盖加强杆600固定连接，并且在连接杆500贯穿反应腔盖加强杆600的过孔处还设置有旋拧于连接杆500的螺母510。
[0032] 较佳地，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，如图2所示，维护盒300的顶盖310与连接部400通过连接件410固定连接。
[0033] 较佳地，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，如图2所示，连接件410具体可以包括：维护盒300的顶盖310面向连接部400一侧延伸的具有螺纹的第一螺杆411，连接部400面向维护盒300顶盖310一侧延伸的具有螺纹的第二螺杆412；以及旋拧在第一螺杆411和第二螺杆412上的螺母413。当然，在具体实施时，连接件也可以为能够实现本发明方案的其它结构，在此不做限定。
[0034] 较佳地，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，如图2所示，维护盒300的顶盖310与盒体320可以通过螺丝321固定连接，当然，在具体实施时，维护盒300的顶盖310与盒体320也可以通过能够实现本发明方案的其它方式固定连接，在此不做限定。
[0035] 进一步地，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，如图2所示，维护盒300的盒体320可以包括
侧壁部和自侧壁部的顶部延伸并弯曲的侧顶部；且盒体320的测顶部与维护盒300的顶盖310具有交叠区域，盒体320通过贯穿侧顶部与顶盖交叠区域的螺丝321固定连接。
[0036] 进一步，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，盒体可以是一个整体结构，也可以是由多
块侧壁拼接构成，在此不做限定。
[0037] 较佳地，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，如图2所示，反应腔100、连接部400和遮挡盖200通过贯穿连接部400和遮挡盖200且底端旋拧于反应腔100顶部的第三螺杆210固定连接，当然在具体实施，连接部400、遮挡盖200以及反应腔100之间也可以通过能够实现本发明方案的其它方式固定连接，在此不做限定。
[0038] 进一步地，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，如图2所示，反应腔100的顶部设有凹型的与该第三螺杆210的螺纹相匹配的螺纹口，第三螺杆210的底端旋拧于反应腔100顶部的螺纹口内。
[0039] 进一步地，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，如图2所示，还包括：包覆于裸露在连接部400上方的第三螺杆210的绝缘套筒211。该绝缘套筒211用于密封第三螺杆210贯穿连接部400的过孔。
[0040] 进一步地，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，如图2所示，反应腔100中还设置有相对设置且用于产生高能量的交频电场的上部电极110和下部电极120。
[0041] 具体地，在本发明实施例提供的上述等离子体增强化学气相沉积装置中，如图2所示，PECVD装置所使用的高频电（RF Power）A通过位于维护盒300中的铜片（图2中未示出）传导到反应腔中的上部电极110，使上部电极110与下部电极120之间形成的高能量的交频电场，从而完成PECVD工艺。
[0042] 本发明实施例提供的一种等离子体增强化学气相沉积装置，包括反应腔、位于反应腔上方且与反应腔固定连接的遮挡盖、位于遮挡盖之上且与遮挡盖构成密闭空间的维护盒，位于密闭空间内且与遮挡盖固定连接的连接部，以及位于维护盒上方且通过连接杆与维护盒固定连接的反应腔盖加强杆；维护盒具体包括顶盖以及与顶盖固定连接的盒体；与反应腔盖加强杆固定的连接杆位于封闭空间之外且与维护盒的顶盖固定连接；维护盒的顶盖与连接部固定连接。由于在该等离子体增强化学气相沉积装置中，维护盒具体包括顶盖以及与顶盖固定连接的盒体，因此与反应腔盖加强杆固定的连接杆可以在维护盒的封闭空间之外与维护盒的顶盖固定连接，从而可以避免在维护盒的顶部发生射频泄露和击穿的问题，进而避免出现人员受伤害的危险。
[0043] 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些
修改和变型属于本发明
权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
