专利汇可以提供一种利用低温化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种利用低温 化学气相沉积 技术制备非晶 碳 薄膜 的方法,该方法包括以下步骤:(1)清洗单晶 硅 片 ;(2)将清洗好的 硅片 放入充有 氧 气的高温 石英 退火 炉中进行热氧化处理,使其表面形成一层氧化硅薄膜;(3)以甲烷为反应气体,采用 等离子体 增强化学气相沉积 法在步骤(2)中所形成的氧化硅薄膜表面沉积非晶碳薄膜。用上述方法所制备的非晶碳薄膜具有工艺简单、均匀性好、 电阻 率 低以及适合大面积制备等优点,而且此工艺与现有的 半导体 工艺技术相兼容,有利于非晶碳薄膜的应用。,下面是一种利用低温化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜的方法专利的具体信息内容。
1.一种利用低温化学气相沉积法制备非晶碳薄膜的方法,其特征在于,该方法包括下述步骤:
(1)清洗单晶硅片;
(2)将清洗好的单晶硅片放入充有高纯氧气的石英退火炉内进行热氧化处理,(3)以甲烷为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积法在热氧化处理后的单晶硅片上沉积非晶碳薄膜。
2.权利要求1所述的利用低温化学气相沉积法制备非晶碳薄膜的方法,其特征在于,步骤(2)中,单晶硅片进行热氧化处理的方式是:升温前,将清洗好的单晶硅片放入石英管退火炉内的同时向石英管退火炉内通入高纯氧气并保持15~25分钟,接着将石英管退火炉缓慢加热至600~900℃保持20~35分钟,之后,断开加热电源,取出单晶硅片,此时单晶硅表面便形成一层氧化硅薄膜。
3.权利要求1所述的利用低温化学气相沉积法制备非晶碳薄膜的方法,其特征在于,步骤(3)中,在热氧化处理后的单晶硅片上沉积非晶碳薄膜的工艺参数为:射频功率100~
150W,射频频率13.56MHz,基片温度200~250℃,腔体压强100~140Pa,纯度为99.999%(体积百分比)的CH4气体10~20sccm,镀膜时间30~60分钟。
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