技术领域
[0001] 本
发明涉及覆膜生产技术领域，具体为一种用于耐摩擦防指纹覆膜的生产方法。
背景技术
[0002] 覆膜是一种现代化的生产工艺，通过在玻璃制品和塑料制品的表面
镀上一层金属
薄膜，使得玻璃和塑料制品在使用时更加的耐磨，提高其使用寿命和使用的观感，使得玻璃和塑料制品的使用性能逐渐提高，使得玻璃和塑料制品在使用时外表面观感度增强，玻璃制品和塑料制品现有最常见的覆膜为提拉法覆膜和包覆式的金属覆膜技术，利用外界
牵引力在玻璃和塑料制品上形成一道膜层结构。
[0003] 然而现有的覆膜的生产方法，覆膜和玻璃与塑料制品之间容易出现气泡和起皱现象，覆膜在长期使用时容易发生连接脱落，生产效率低下，同时产品
质量不牢固，而金属覆膜技术不防指纹，消费体感不，3C客户消费群对外观要求越来越精细化，现有的金属覆膜技术已经不能满足市场对金属制品外观的各种越来越严苛的性能要求。
[0004] 针对上述问题，急需在原有覆膜的生产方法的
基础上进行创新设计。
发明内容
[0005] 本发明的目的在于提供一种用于耐摩擦防指纹覆膜的生产方法，以解决上述背景技术提出现有的覆膜的生产方法，覆膜和玻璃与塑料制品之间容易出现气泡和起皱现象，覆膜在长期使用时容易发生连接脱落，生产效率低下，同时产品质量不牢固，而金属覆膜技术不防指纹，消费体感不，3C客户消费群对外观要求越来越精细化，现有的金属覆膜技术已经不能满足市场对金属制品外观的各种越来越严苛的性能要求的问题。
[0006] 为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于耐摩擦防指纹覆膜的生产方法，包括以下步骤：
基板选用→基板裁剪、磨边和清洗→基板烘干→
喷涂粘合剂、粘接过渡层→过渡交接层裁剪、磨边和清洗→
磁控溅射、
真空蒸发；
[0007] 步骤一：选用大面积尺寸基板，基板的材质为玻璃或
树脂塑料，对于选取的基板需要进行光照和激光探测的无破损裂缝；
[0008] 步骤二：对基板进行裁剪，在基板的裁剪边缘处进行打磨
抛光，使得拐
角处呈弧形光滑，对于基板的两面进行反复清洗，清洗溶液采用1L蒸馏
水和8-10ml的清洁剂共兑混合而成，清洗后的基板两面均无毛边、无尘和无沙粒，光滑度和洁净度良好；
[0009] 步骤三：对基板进行烘干，将基板放置于
烘干机内进行烘干，基板烘干
位置处无明显气流流通，基板的烘干
温度维持40-50℃之间，保持基板烘干效率，同时避免基板的烘干热损；
[0010] 步骤四：在基板的单侧面喷涂粘合剂、粘接过渡层，过渡交接层的长宽大于基板的0.5-1cm，对粘接后的过渡层和基板，进行过渡层和基板之间的
压实与烘干；
[0011] 步骤五：进行过渡交接层的裁剪、磨边和清洗，使得过渡交接层形状相同、大小相等，且过渡交接层和基板的厚度相等，并且过渡交接层的材质设置为
钢化玻璃；
[0012] 步骤六：将清洗洁净后的过渡交接层和基板放置于真空设备中，进行过渡交接层外表面的磁控溅射和真空蒸发，在辉光发电和
阴极溅射的原理作用下包覆纳米覆膜，纳米覆膜的厚度视过渡交接层厚度决定。
[0013] 优选的，所述过渡层和基板之间的压实采用
橡胶辊进行相互
挤压，使得过渡层和基板之间不存在气泡和缝隙，过渡层和基板压实操作时
环境温度选用60-80℃，同时过渡层和基板之间的粘合剂湿度为90-95％之间，温度和湿度的调控根据过渡层和基板的厚度决定，温度过高会造成过渡层和基板弯曲
变形和皲裂，温度过低，使得过渡层和基板粘接不牢，其连接处会产生缝隙和气泡，影响过渡层和基板的粘合。
[0014] 优选的，所述过渡交接层的清洗，采用基板单独清洗时的剩余清洗溶液，过渡交接层的外避免需反复清洗，在光照条件下观看不能存在毛边和粉尘及裂缝，同时过渡交接层的清洗时长不能超过10min，过渡交接层的清洗需要采用间断性清洗，避免过渡交接层和基板连接发生松动。
[0015] 优选的，所述过渡交接层的外表面覆膜需事先通过足量氢气，排出真空设备内的空气，减少真空设备内的额外空气含量，对事先导入设备内的氢气进行回收处理，也可以通过提高本底真空度除去设备内的杂质气体。
[0016] 优选的，所述磁控溅射采用的覆膜原料为磁膜系SiO2+AF材料，采用
辉光放电，在真空度约为一的稀薄气体中，两个
电机之间加上
电压时产生气体放电，从放电产生的高能粒子撞击磁膜系SiO2+AF材料固定表面，即靶板，使得靶板
原子或分子从表面射出，进行磁膜系SiO2+AF材料的工作覆膜。
[0017] 优选的，所述磁膜系SiO2+AF材料的产生的分子和原子在真空设备内发生沉积，分子和原子的沉积率与离子流和溅射率呈正比，而离子流受气体压强控制，所以可以通过气压值控制溅射率，提高过渡交接层的覆膜效率。
[0018] 优选的，所述磁膜系SiO2+AF材料靶板撞击产生的原子发生沉积汇集在过渡交接层的外表面上，入射原子随机分布在过渡交接层上形成晶核，随着入射原子的逐渐分布增多，晶核逐渐相互
接触合并形成一种网膜状结构，最终在过渡交接层表面形成薄膜结构。
[0019] 与
现有技术相比，本发明的有益效果是：该用于耐摩擦防指纹覆膜的生产方法，等同荷叶的表面不沾水脏污的原理，通过磁控溅射加真空蒸发
镀膜法的操作，根据磁控溅射中辉光放电、阴极溅射原理在玻璃外表面涂制了一层纳米化学磁膜系为SiO2+AF材料，将玻璃表面
张力降至最低，灰尘与玻璃表面接触面积减少90％，使其具有较强的疏水、抗油污、抗指纹能力，使视屏玻璃面板长期保持着光洁亮丽的效果，同时在玻璃外表面上覆膜后不会影响玻璃本身的透明性，提升玻璃制品的功能性和实用性。
附图说明
[0020] 图1为本发明生产方法流程示意图；
[0021] 图2为本发明溅射率与气压强关系示意图；
具体实施方式
[0022] 下面将结合本发明
实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0023] 下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0024] 实施例一
[0025] 一种用于耐摩擦防指纹覆膜的生产方法，包括以下步骤：
[0026] 步骤一：选用大面积尺寸基板，基板的材质为玻璃或树脂塑料，对于选取的基板需要进行光照和激光探测的无破损裂缝；
[0027] 步骤二：对基板进行裁剪，在基板的裁剪边缘处进行打磨抛光，使得拐角处呈弧形光滑，对于基板的两面进行反复清洗，清洗溶液采用1L蒸馏水和8ml的清洁剂共兑混合而成，清洗后的基板两面均无毛边、无尘和无沙粒，光滑度和洁净度良好；
[0028] 步骤三：对基板进行烘干，将基板放置于烘干机内进行烘干，基板烘干位置处无明显气流流通，基板的烘干温度维持40℃之间，保持基板烘干效率，同时避免基板的烘干热损；
[0029] 步骤四：在基板的单侧面喷涂粘合剂、粘接过渡层，过渡交接层的长宽大于基板的0.5cm，对粘接后的过渡层和基板，进行过渡层和基板之间的压实与烘干；过渡层和基板之间的压实采用橡胶辊进行相互挤压，使得过渡层和基板之间不存在气泡和缝隙，过渡层和基板压实操作时环境温度选用60℃，同时过渡层和基板之间的粘合剂湿度为90％之间，温度和湿度的调控根据过渡层和基板的厚度决定，温度过高会造成过渡层和基板弯曲变形和皲裂，温度过低，使得过渡层和基板粘接不牢，其连接处会产生缝隙和气泡，影响过渡层和基板的粘合；
[0030] 步骤五：进行过渡交接层的裁剪、磨边和清洗，使得过渡交接层形状相同、大小相等，且过渡交接层和基板的厚度相等，并且过渡交接层的材质设置为钢化玻璃；过渡交接层的清洗，采用基板单独清洗时的剩余清洗溶液，过渡交接层的外避免需反复清洗，在光照条件下观看不能存在毛边和粉尘及裂缝，同时过渡交接层的清洗时长不能超过10min，过渡交接层的清洗需要采用间断性清洗，避免过渡交接层和基板连接发生松动；
[0031] 步骤六：将清洗洁净后的过渡交接层和基板放置于真空设备中，进行过渡交接层外表面的磁控溅射和真空蒸发，在辉光发电和阴极溅射的原理作用下包覆纳米覆膜，纳米覆膜的厚度视过渡交接层厚度决定；磁控溅射采用的覆膜原料为磁膜系SiO2+AF材料，采用辉光放电，在真空度约为一的稀薄气体中，两个电机之间加上电压时产生气体放电，从放电产生的高能粒子撞击磁膜系SiO2+AF材料固定表面，即靶板，使得靶板原子或分子从表面射出，进行磁膜系SiO2+AF材料的工作覆膜；磁膜系SiO2+AF材料的产生的分子和原子在真空设备内发生沉积，分子和原子的沉积率与离子流和溅射率呈正比，而离子流受气体压强控制，所以可以通过气压值控制溅射率，提高过渡交接层的覆膜效率；磁膜系SiO2+AF材料靶板撞击产生的原子发生沉积汇集在过渡交接层的外表面上，入射原子随机分布在过渡交接层上形成晶核，随着入射原子的逐渐分布增多，晶核逐渐相互接触合并形成一种网膜状结构，最终在过渡交接层表面形成薄膜结构。
[0032] 实施例二
[0033] 一种用于耐摩擦防指纹覆膜的生产方法，包括以下步骤：
[0034] 步骤一：选用大面积尺寸基板，基板的材质为玻璃或树脂塑料，对于选取的基板需要进行光照和激光探测的无破损裂缝；
[0035] 步骤二：对基板进行裁剪，在基板的裁剪边缘处进行打磨抛光，使得拐角处呈弧形光滑，对于基板的两面进行反复清洗，清洗溶液采用1L蒸馏水和10ml的清洁剂共兑混合而成，清洗后的基板两面均无毛边、无尘和无沙粒，光滑度和洁净度良好；
[0036] 步骤三：对基板进行烘干，将基板放置于烘干机内进行烘干，基板烘干位置处无明显气流流通，基板的烘干温度维持50℃之间，保持基板烘干效率，同时避免基板的烘干热损；
[0037] 步骤四：在基板的单侧面喷涂粘合剂、粘接过渡层，过渡交接层的长宽大于基板的1cm，对粘接后的过渡层和基板，进行过渡层和基板之间的压实与烘干；过渡层和基板之间的压实采用橡胶辊进行相互挤压，使得过渡层和基板之间不存在气泡和缝隙，过渡层和基板压实操作时环境温度选用80℃，同时过渡层和基板之间的粘合剂湿度为95％之间，温度和湿度的调控根据过渡层和基板的厚度决定，温度过高会造成过渡层和基板弯曲变形和皲裂，温度过低，使得过渡层和基板粘接不牢，其连接处会产生缝隙和气泡，影响过渡层和基板的粘合；
[0038] 步骤五：进行过渡交接层的裁剪、磨边和清洗，使得过渡交接层形状相同、大小相等，且过渡交接层和基板的厚度相等，并且过渡交接层的材质设置为钢化玻璃；过渡交接层的清洗，采用基板单独清洗时的剩余清洗溶液，过渡交接层的外避免需反复清洗，在光照条件下观看不能存在毛边和粉尘及裂缝，同时过渡交接层的清洗时长不能超过10min，过渡交接层的清洗需要采用间断性清洗，避免过渡交接层和基板连接发生松动；
[0039] 步骤六：将清洗洁净后的过渡交接层和基板放置于真空设备中，进行过渡交接层外表面的磁控溅射和真空蒸发，在辉光发电和阴极溅射的原理作用下包覆纳米覆膜，纳米覆膜的厚度视过渡交接层厚度决定；磁控溅射采用的覆膜原料为磁膜系SiO2+AF材料，采用辉光放电，在真空度约为一的稀薄气体中，两个电机之间加上电压时产生气体放电，从放电产生的高能粒子撞击磁膜系SiO2+AF材料固定表面，即靶板，使得靶板原子或分子从表面射出，进行磁膜系SiO2+AF材料的工作覆膜；磁膜系SiO2+AF材料的产生的分子和原子在真空设备内发生沉积，分子和原子的沉积率与离子流和溅射率呈正比，而离子流受气体压强控制，所以可以通过气压值控制溅射率，提高过渡交接层的覆膜效率；磁膜系SiO2+AF材料靶板撞击产生的原子发生沉积汇集在过渡交接层的外表面上，入射原子随机分布在过渡交接层上形成晶核，随着入射原子的逐渐分布增多，晶核逐渐相互接触合并形成一种网膜状结构，最终在过渡交接层表面形成薄膜结构。
[0040] 实施例三
[0041] 一种用于耐摩擦防指纹覆膜的生产方法，包括以下步骤：
[0042] 步骤一：选用大面积尺寸基板，基板的材质为玻璃或树脂塑料，对于选取的基板需要进行光照和激光探测的无破损裂缝；
[0043] 步骤二：对基板进行裁剪，在基板的裁剪边缘处进行打磨抛光，使得拐角处呈弧形光滑，对于基板的两面进行反复清洗，清洗溶液采用1L蒸馏水和8ml的清洁剂共兑混合而成，清洗后的基板两面均无毛边、无尘和无沙粒，光滑度和洁净度良好；
[0044] 步骤三：对基板进行烘干，将基板放置于烘干机内进行烘干，基板烘干位置处无明显气流流通，基板的烘干温度维持50℃之间，保持基板烘干效率，同时避免基板的烘干热损；
[0045] 步骤四：在基板的单侧面喷涂粘合剂、粘接过渡层，过渡交接层的长宽大于基板的0.5cm，对粘接后的过渡层和基板，进行过渡层和基板之间的压实与烘干；过渡层和基板之间的压实采用橡胶辊进行相互挤压，使得过渡层和基板之间不存在气泡和缝隙，过渡层和基板压实操作时环境温度选用80℃，同时过渡层和基板之间的粘合剂湿度为90％之间，温度和湿度的调控根据过渡层和基板的厚度决定，温度过高会造成过渡层和基板弯曲变形和皲裂，温度过低，使得过渡层和基板粘接不牢，其连接处会产生缝隙和气泡，影响过渡层和基板的粘合；
[0046] 步骤五：进行过渡交接层的裁剪、磨边和清洗，使得过渡交接层形状相同、大小相等，且过渡交接层和基板的厚度相等，并且过渡交接层的材质设置为钢化玻璃；过渡交接层的清洗，采用基板单独清洗时的剩余清洗溶液，过渡交接层的外避免需反复清洗，在光照条件下观看不能存在毛边和粉尘及裂缝，同时过渡交接层的清洗时长不能超过10min，过渡交接层的清洗需要采用间断性清洗，避免过渡交接层和基板连接发生松动；
[0047] 步骤六：将清洗洁净后的过渡交接层和基板放置于真空设备中，进行过渡交接层外表面的磁控溅射和真空蒸发，在辉光发电和阴极溅射的原理作用下包覆纳米覆膜，纳米覆膜的厚度视过渡交接层厚度决定；磁控溅射采用的覆膜原料为磁膜系SiO2+AF材料，采用辉光放电，在真空度约为一的稀薄气体中，两个电机之间加上电压时产生气体放电，从放电产生的高能粒子撞击磁膜系SiO2+AF材料固定表面，即靶板，使得靶板原子或分子从表面射出，进行磁膜系SiO2+AF材料的工作覆膜；磁膜系SiO2+AF材料的产生的分子和原子在真空设备内发生沉积，分子和原子的沉积率与离子流和溅射率呈正比，而离子流受气体压强控制，所以可以通过气压值控制溅射率，提高过渡交接层的覆膜效率；磁膜系SiO2+AF材料靶板撞击产生的原子发生沉积汇集在过渡交接层的外表面上，入射原子随机分布在过渡交接层上形成晶核，随着入射原子的逐渐分布增多，晶核逐渐相互接触合并形成一种网膜状结构，最终在过渡交接层表面形成薄膜结构。
[0048] 尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行
修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
