一种顶发射有机电致发光器件及其制造方法
阅读：264发布：2023-03-14
专利汇可以提供一种顶发射有机电致发光器件及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种顶发射有机电致发光器件，所述顶发射有机电致发光器件的 阴极 层上 镀 覆有 覆盖 层 ，其中，所述覆盖层为在 波长 450nm至650nm范围内折射率大于1.8， 能隙 Eg大于3.0eV的有机材料。本发明还公开了顶发射有机电致发光器件的制备方法。本发明的顶发射有机电致发光器件能够保证阴极的透光率，同时可避免显示屏随视 角 发生变化。，下面是一种顶发射有机电致发光器件及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种顶发射有机电致发光器件，其特征在于，所述顶发射有机电致发光器件的阴极层上镀覆有覆盖层，
所述覆盖层为在波长450nm至650nm范围内折射率大于1.8，能隙Eg大于3.0eV的有机材料；
其中，所述覆盖层为具有式2结构的有机材料，
式2
式2中，A和B分别独立地选自苯基、萘基或苯胺基，R1和R2、R1’和R2’分别独立地选自芳基。
2.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光器件，其特征在于，
式2中，R1和R2、R1’和R2’分别独立地选自碳原子数为6至30的芳基。
3.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光器件，其特征在于，所述具有式2结构的有机材料为如下化合物：
式 2-1
式2-2
式2-3
式2-4
式2-5。
4.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光器件，其特征在于，包括：基板，和在基板上依次镀覆形成的反射层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和所述覆盖层。
5.根据权利要求4所述的顶发射有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层为银或银合金，厚度为15~25nm；所述覆盖层厚度为30~70nm。
6.根据权利要求4所述的顶发射有机电致发光器件，其特征在于，阴极层为银或银合金，厚度为15~18nm；所述覆盖层厚度为30~70nm。
7.根据权利要求4所述的顶发射有机电致发光器件，其特征在于，阴极层为银或银合金，厚度18~25nm；所述覆盖层厚度为30~50nm。
8.根据权利要求5-7任一项所述的顶发射有机电致发光器件，其特征在于，所述银合金为重量比1:10~10:1的银镁合金或者重量比1:10-10:1的银锂合金。
9.权利要求1~8任一项所述的顶发射有机电致发光器件的制造方法，其特征在于，通过物理气相沉积方法或化学气相沉积方法在基板上制备反射层和阳极层，然后通过热蒸发方式依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和覆盖层。
一种顶发射有机电致发光器件及其制造方法
技术领域
[0001] 本发明属于有机电致发光器件领域，涉及一种顶发射有机电致发光器件及其制造方法。
背景技术
[0002] 有机发光二极管，又称有机电致发光器件(OLED)按照出光方式分为底发射有机电致发光器件和顶发射有机电致发光器件。底发射有机电致发光器件(BEOLED)，其透明阳极铟锡氧化物ITO(或铟锌氧化物IZO)通过溅射的方式生长在玻璃衬底上，器件内部发出的光相继经过ITO(或IZO)、玻璃衬底射出。采用这种方式制作的显示屏由于驱动电路和显示区域要同时制作在玻璃上面，导致显示区域面积相对减小，显示屏的开口率降低。与普通的底发射器件相比，顶发射有机电致发光器件(TEOLED)由于其本身的结构特点，光可以从顶部电极射出，在有源驱动OLED中,像素驱动电路、总线等可以制作在显示区域的下方，从而避免了驱动电路与显示区域互相竞争的问题，使得器件的开口率大大提高。顶发射有机电致发光器件还可以制作在硅基衬底上，从而可制成硅上微显示器。由于顶发射器件制作的显示屏还具有分辨率高、信息含量高等优点，这都使得顶发射有机电致发光器件近两年来受到越来越多人的关注，并成为一个研究热点。
[0003] 在顶发射有机电致发光器件中,一般使用透明的ITO(或IZO)或者半透明的金属作为顶部阴极。由于制作ITO(或IZO)需要用到溅射的方法,高能ITO(或IZO)粒子对于底层的有机层破坏性很强,因此更好的替代方案是采用半透明的金属来替代ITO(或IZO)作为顶部阴极。其优点是容易生长、破坏性小；缺点是金属的透光性比较差，不利于光的耦合输出，微腔效应较为明显，在显示器的应用上，发光强度和颜色随视角的改变是最大的缺点。因此我们需要在半透明的金属层上制备一层覆盖层，减少光能在光学元件表面的反射，增加透射光的光通量。同样，在顶发射有机电致发光器件的金属阴极表面引入覆盖层可以改变光的反射和透射能量的分布。常规使用的覆盖层为高温无机材料，通常采用溅射方法或化学气相沉积方法制备。但这些方式都会对有机膜层造成伤害。
[0004] 三星专利101944570中使用了三胺衍生物、亚芳基二胺衍生物、CBP、Alq3作为有机覆盖层以增加出射光的效率，并限定该有机层的厚度为30nm-90nm。该方案虽然获得了最大的出射光强度，但未考虑由于微腔效应导致的视角变化。
发明内容
[0007] 优选地，所述覆盖层为具有式1结构的有机材料或具有式2结构的有机材料，[0008]
[0009] 式1
[0010] 式1中，R1-R4、R5-R8、R5’-R8’分别独立地选自氢元素、卤族元素、CN、NO2、氨基、亚稠环芳基、亚稠杂环芳基、烷基或醇基；A和B分别独立地选自苯基、萘基或苯胺基；R9、R10、R9’和R10’分别独立地选自芳基；
[0011]
[0012] 式2
[0013] 式2中，A和B分别独立地选自苯基、萘基或苯胺基，R1和R2、R1’和R2’分别独立地选自芳基。
[0014] 优选地，式1中，所述亚稠环芳基为碳原子数为6至30的亚稠环芳基，所述亚稠杂环芳基为碳原子数为6至30的亚稠杂环芳基，所述烷基为碳原子数为6至20的烷基，所述醇基为碳原子数为6至30的醇基，R9、R10、R9’和R10’分别独立地选自碳原子数为6至30的芳基。式2中，R1和R2、R1’和R2’分别独立地选自碳原子数为6至30的芳基。
[0015] 优选地，所述具有式1结构的有机材料为如下化合物：
[0016]
[0017] 式1-1
[0018]
[0019] 式1-2
[0020]
[0021] 式1-3
[0022]
[0023] 式1-4
[0024]
[0025] 式1-5
[0026] 优选地，所述具有式2结构的有机材料为如下化合物：
[0027]
[0028] 式2-1
[0029]
[0030] 式2-2
[0031]
[0032] 式2-3
[0033]
[0034] 式2-4
[0035]
[0036] 式2-5
[0039] 更优选地，阴极层为银或银合金，厚度为15~18nm；覆盖层，厚度为30~70nm。
[0040] 更优选地，阴极层为银或银合金，厚度18~25nm；覆盖层，厚度为30~50nm。
[0041] 其中，所述银合金为重量比1:10~10:1的银镁合金或者重量比1:10-10:1的银锂合金。
[0042] 本发明提供上述的顶发射有机电致发光器件的制造方法，通过物理气相沉积方法或化学气相沉积方法在基板上制备反射层和阳极层，然后通过热蒸发方式依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和覆盖层。
[0044] 图1本发明的顶发射有机电致发光器件的结构示意图。
[0045] 图2本发明覆盖层的有机材料的折射率随波长变化示意图。
[0046] 附图标记说明：
[0047] 基板1；反射层2；阳极层3；空穴注入层4；空穴传输层5；发光层6；电子传输层7；电子注入层8；阴极层9；覆盖层10。
具体实施方式
[0048] 下面结合具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
[0049] 本发明提供一种顶发射有机电致发光器件，能够改善顶发射有机电致发光器件视角。
[0050] 如图1所示，顶发射有机电致发光器件结构包括：基板1，和在基板1上依次镀覆形成的反射层2、阳极层3、空穴注入层(HIL)4、空穴传输层(HTL)5、发光层（EML）6、电子传输层（ETL）7、电子注入层（EIL）8、阴极层9和覆盖层10。
[0051] 其中，基板1为玻璃或聚合物（塑料或聚酰亚胺等）。
[0053] 阳极层3可为ITO（氧化铟锡）、IZO（氧化铟锌）。
[0054] 空穴注入层4为4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（MTDATA）和2,3,5,6-四氟四氰基奎二甲烷（F4TCNQ）的混合物，两者的质量比例为25:1，MTDATA和F4TCNQ的分子结构式如下：
[0055]
[0056] 空穴传输层5为N,N’-二-（1-萘基）-N,N’-二苯基-1，1’-联苯基-4，4’-二胺(NPB)，其分子结构式为
[0057]
[0058] 发光层6可以是红光、绿光或蓝光。其中，
[0059] 红光的主体RH为Bebq（2 双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍）、染料RD为Ir(piq)2(acac)，分子结构式分别为：
[0060]
[0061] 绿光的主体GH为CBP（4,4’-Bis(9H-carbazol-9-yl)biphenyl）、染料GD为Ir(ppy)3，分子结构式分别为：
[0062]
[0063] 蓝光主体BH为AND（9,10-Di(naphtha-2-yl)anthracene）、染料BD为DPAVB（4-(di-p-tolylamino)-4’-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene），分子结构式分别为：
[0064]
[0065] 电子传输层7为Bphen，其分子结构式为：
[0066]
[0067] 在具体实施过程中，可以利用如下公式（1），使得有机层中各层（包括HIL层、HTL层、发光层和ETL层）和阳极层的厚度满足：
[0068]
[0069] 其中，λ为发光光谱的峰值，Φ1为反射层的相位角，Φ2是阴极的相位角，dm是有机层中各层和ITO层（即反射层和透明阴极之间各层）的厚度（总厚度d=Σdm），nm为各层相应的折射率，θ0是各层相应的出射光角度，k为常数。
[0071] 阴极层9可为Ag、银镁合金（Mg:Ag重量比=1:10~10:1）、银锂合金（Li:Ag重量比=1:10~10:1），阴极层厚度为15nm-25nm。
[0072] 覆盖层10为在波长450nm至650nm范围内折射率大于1.8，能隙Eg大于3.0eV的有机材料。
[0073] 对于顶发射有机电致发光器件，既要获得高效率又要获得好的视角，首先需要覆盖层材料具有恰当的折射率和适当的能隙，要求其折射率在可见光波长范围内（450nm-650nm）大于1.8，以增加阴极的透光率；能隙Eg>3.0eV，以保证即使深蓝色光通过覆盖层也不会有光吸收现象出现。在450nm至650nm的光波段，特别是波长大于600nm的红光波段，有机材料的折射率只有1.7左右。而一些折射率较高的有机材料由于具有较大的共轭体系，因此其能带宽度小于3.0eV，有可能吸收OLED出射的蓝色光。
[0074] 经测定具有式1结构的有机材料和具有式2结构的有机材料在450nm-650nm范围内的折射率大于1.8，如图2为式1-1化合物和式2-1化合物的折射率随波长变化的示意图。具有式1结构的有机材料和具有式2结构的有机材料能级采用循环伏安法测试，分别为3.0eV-3.3eV和3.15eV-3.45eV。
[0075] 覆盖层10可选用具有式1分子结构的有机材料：
[0076]
[0077] 式1
[0078] 式1中，R1-R4、R5-R8、R5’-R8’分别独立地选自氢元素、卤族元素、-CN、-NO2、氨基、亚稠环芳基、亚稠杂环芳基、烷基和醇基，所述亚稠环芳基优选为碳原子数为6至30的亚稠环芳基，所述亚稠杂环芳基优选为碳原子数为6至30的亚稠杂环芳基，所述烷基优选为碳原子数为6至20的烷基，所述醇基优选为碳原子数为6至30的醇基。A和B分别选自苯基、萘基和苯胺基。R9、R10、R9’和R10’分别独立地选自芳基，优选为碳原子数为6至30的芳基。具有式1结构的有机材料可为：
[0079]
[0080] 式1-1
[0081]
[0082] 式1-2
[0083]
[0084] 式1-3
[0085]
[0086] 式1-4
[0087]
[0088] 式1-5
[0089] 式1-1~式1-5化合物可按照US6586120公开的方式制备。
[0090] 覆盖层也可为具有式2结构的有机材料：
[0091]
[0092] 式2
[0093] 其中，A和B分别独立地选自苯基、萘基和苯胺基。R1和R2、R1’和R2’分别独立地选自芳基，优选碳原子数为6至30的芳基。
[0094] 具有式2结构的有机材料可为：
[0095]
[0096] 式2-1
[0097]
[0098] 式2-2
[0099]
[0100] 式2-3
[0101]
[0102] 式2-4
[0103]
[0104] 式2-5
[0105] 式2-1~2-5化合物的制备方法如下：
[0106]
[0107] 在氮气保护下，将7 .4克二（邻溴苯基）二甲基硅烷（合成方法参见J.Organomet.Chem.1984,271,319-326）（20mmol）加入到500ml三口瓶中，加入150ml无水乙醚溶解。将反应体系冷却到-80℃，缓慢滴加1.5M叔丁基锂（59ml，88mmol），在滴加过程中保持反应混合液在-80℃，滴加完毕，继续在此温度下搅拌1小时。然后加入3.65g二苯甲酮（20mmol），在低温下搅拌30分钟，然后撤去冷浴，使反应体系自然升温到室温，并在室温下继续搅拌3小时。加入饱和氯化铵溶液淬灭反应，产物用乙酸乙酯萃取，有机相用无水硫酸镁干燥。产品经柱色谱分离得到白色固体II4.67g，收率67%。
[0108] 将上步得到的4.67克白色固体（12.4mmol）溶于10ml干燥的二氯甲烷，用冰水浴冷却反应体系到0-5℃，缓慢滴加液溴（4.4g，27mmol），滴加完全后升到室温，并继续搅拌5小时，TLC监测原料消失。加入亚硫酸氢钠水溶液淬灭反应并除去过量的溴。后处理并经硅胶柱色谱分离得到白色固体III4.92g，收率83%。
[0109] 将上述4.92g二溴代物（10.3mmol）在氮气保护下加入到250ml三口瓶中，加入100ml无水乙醚与THF的1:1混合物，将体系用冷浴冷却到-80℃，缓慢滴加1.5M叔丁基锂（30ml，45mmol），在滴加过程中保持温度不变，滴加完全后，继续在此温度下搅拌1小时。然后加入3.4g二(4-溴苯基)甲酮（10mmol），继续保持在此温度下30分钟，然后撤去冷浴，使反应体系自然升温到室温，并在室温下继续搅拌4小时。加入饱和氯化铵溶液淬灭反应，产物用乙酸乙酯萃取，有机相用无水硫酸镁干燥。产品经柱色谱分离得到白色固体IV 3.6g，收率56%。
[0110]
[0111] 在N2保护下，向装有磁力搅拌的250ml三口瓶中依次加入150ml甲苯,6.4g 9,9-二(对溴苯基)-10,10-二苯基二氢蒽IV(10mmol)、6.1g苯基-(4-联苯基)胺(25mmol)，在搅拌下，加入2.9g叔丁醇钠(30mmol)，不能完全溶解，再加入86mg Pd(dba)2(0.15mmol)，颜色变深，再加入0.6g 10%三叔丁基膦正己烷溶液(0.3mmol)，加热回流，反应液变成黄绿色，回流5小时后点板，基本无原料，降温至45℃以下时，加入5ml浓盐酸和100ml水的混合溶液，分液，水相用150ml甲苯萃取，合并旋干得到粗产品，粗产品经石油醚/乙酸乙酯（体积比5：1）体系柱层析分离得到白色固体7.1g，即为式2-1化合物，收率73%。
[0112] 产物MS（m/e）：970，元素分析（C74H54N2）：理论值C：91.51％，H：5.60％，N：2.88％；实测值C：91.38%，H：5.55％，N：2.72％。
[0113]
[0114] 在N2保护下，向装有磁力搅拌的250ml三口瓶中依次加入150ml甲苯,6.4g 9,9-二(对溴苯基)-10,10-二苯基二氢蒽IV(10mmol)、8.0g二（4-联苯基）胺(25mmol)，在搅拌下，加入2.9g叔丁醇钠(30mmol)，不能完全溶解，再加入86mg Pd(dba)2(0.15mmol)，颜色变深，再加入0.6g 10%三叔丁基膦正己烷溶液(0.3mmol)，加热回流，反应液变成绿色，回流5小时后点板，基本无原料，降温至45℃以下时，加入5ml浓盐酸和100ml水的混合溶液，分液，水相用150ml甲苯萃取，合并旋干得到粗产品，粗产品经石油醚/乙酸乙酯（体积比6：1）体系柱层析分离得到白色固体7.75g，即为式2-2化合物，收率69%。
[0115] 产物MS（m/e）：1122，元素分析（C86H62N2）：理论值C：91.94％，H：5.56％，N：2.49％；实测值C：91.79%，H：5.63％，N：2.31％。
[0116]
[0117] 在N2保护下，向装有磁力搅拌的250ml三口瓶中依次加入150ml甲苯,6.4g 9,9-二(对溴苯基)-10,10-二苯基二氢蒽IV(10mmol)、4.3g二苯基胺(25mmol)，在搅拌下，加入2.9g叔丁醇钠(30mmol)，不能完全溶解，再加入86mg Pd(dba)2(0.15mmol)，颜色变深，再加入0.6g 10%三叔丁基膦正己烷溶液(0.3mmol)，加热回流，反应液变成绿色，回流5小时后点板，基本无原料，降温至45℃以下时，加入5ml浓盐酸和100ml水的混合溶液，分液，水相用
150ml甲苯萃取，合并旋干得到粗产品，粗产品经石油醚/乙酸乙酯（体积比6：1）体系柱层析分离得到白色固体6.6g，即为式2-3化合物，收率81%。
150ml甲苯萃取，合并旋干得到粗产品，粗产品经石油醚/乙酸乙酯（体积比6：1）体系柱层析分离得到白色固体6.6g，即为式2-3化合物，收率81%。
[0118] 产物MS（m/e）：818，元素分析（C62H46N2）：理论值C：90.92％，H：5.66％，N：3.42％；实测值C：90.84%，H：5.60％，N：3.51％。
[0119]
[0120] 在N2保护下，向装有磁力搅拌的250ml三口瓶中依次加入150ml甲苯,6.4g 9,9-二(对溴苯基)-10,10-二苯基二氢蒽IV(10mmol)、5.5g苯基-（2-萘基）胺(25mmol)，在搅拌下，加入2.9g叔丁醇钠(30mmol)，不能完全溶解，再加入86mg Pd(dba)2(0.15mmol)，颜色变深，再加入0.6g 10%三叔丁基膦正己烷溶液(0.3mmol)，加热回流，反应液变成绿色，回流5小时后点板，基本无原料，降温至45℃以下时，加入5ml浓盐酸和100ml水的混合溶液，分液，水相用150ml甲苯萃取，合并旋干得到粗产品，粗产品经石油醚/乙酸乙酯（体积比6：1）体系柱层析分离得到白色固体7.2g，即为式2-4化合物，收率78%。
[0121] 产物MS（m/e）：918，元素分析（C70H50N2）：理论值C：91.47％，H：5.48％，N：3.05％；实测值C：91.55%，H：5.39％，N：3.11％。
[0122]
[0123] 在N2保护下，向装有磁力搅拌的250ml三口瓶中依次加入150ml甲苯,6.4g 9,9-二(对溴苯基)-10,10-二苯基二氢蒽IV(10mmol)、5.5g苯基-（1-萘基）胺(25mmol)，在搅拌下，加入2.9g叔丁醇钠(30mmol)，不能完全溶解，再加入86mg Pd(dba)2(0.15mmol)，颜色变深，再加入0.6g 10%三叔丁基膦正己烷溶液(0.3mmol)，加热回流，反应液变成绿色，回流5小时后点板，基本无原料，降温至45℃以下时，加入5ml浓盐酸和100ml水的混合溶液，分液，水相用150ml甲苯萃取，合并旋干得到粗产品，粗产品经石油醚/乙酸乙酯（体积比6：1）体系柱层析分离得到白色固体5.1g，即为式2-5化合物，收率56%。
[0124] 产物MS（m/e）：918，元素分析（C70H50N2）：理论值C：91.47％，H：5.48％，N：3.05％；实测值C：91.41%，H：5.52％，N：3.16％。
[0125] 本发明中，顶发光有机电致发光器件要获得好的效率和视角特性，要求阴极具有特定的透光率或特定波长的光取出率，因此阴极Ag的厚度与覆盖层的厚度优选有一定的对应关系。当Ag的厚度为15-18nm时，覆盖层的厚度在30nm-70nm；当Ag的厚度为18-25nm时，覆盖层的厚度为30-50nm。例如当阴极层选Ag为15nm时，其上镀覆有不同厚度的覆盖层（式1-1有机材料），覆盖层厚度分别为0nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm时，在458nm的波长下的镀覆有覆盖层的阴极层透光率如表1所示。
[0126] 表1
[0127]
[0128] 从表1可看出，覆盖层有增加透光率的作用，镀覆有覆盖层的阴极结构，相比没有覆盖层时提高了透光率。
[0129] 当阴极层选Ag为20nm时，其上覆盖有不同厚度的覆盖层（式2-1有机材料），覆盖层厚度分别为0nm、30nm、40nm、50nm时，在458nm的波长下的镀覆有覆盖层的阴极层透光率如表2所示。
[0130] 表2
[0131]
[0132] 镀覆有覆盖层的阴极结构，相比没有覆盖层时提高了透光率。
[0133] 以下列举具体实施例以对本发明进一步说明
[0134] 实施例1
[0135] 在玻璃基板上溅射沉积Ag作为反射层，厚度为150nm，溅射10nm的ITO作为器件的阳极，并蚀刻出所需的图形，用O2等离子处理3分钟。将所得基板置于真空中，通过共蒸沉积130nm的MTDATA和F4TCNQ的混合物作为空穴注入层（HIL），其中F4TCNQ重量为MTDATA重量的
4%。接着沉积10nm的NPB作为空穴传输层（HTL）。再共蒸沉积30nm的ADN和DPAVB的混合物作为发光层，其中DPAVB重量为AND重量的5%。然后沉积20nm的Bphen作为电子传输层（ETL）。保持真空度不变，通过Li3N在蒸镀过程中（温度600℃）分解的方式蒸镀1nm的Li作为电子注入层（EIL），沉积20nm的Ag作为阴极，沉积40nm具有式1-1结构的有机材料作为覆盖层。
4%。接着沉积10nm的NPB作为空穴传输层（HTL）。再共蒸沉积30nm的ADN和DPAVB的混合物作为发光层，其中DPAVB重量为AND重量的5%。然后沉积20nm的Bphen作为电子传输层（ETL）。保持真空度不变，通过Li3N在蒸镀过程中（温度600℃）分解的方式蒸镀1nm的Li作为电子注入层（EIL），沉积20nm的Ag作为阴极，沉积40nm具有式1-1结构的有机材料作为覆盖层。
[0136] 本实施例制备的器件的出射光为蓝光，发光光谱峰值随视角变化如表3所示[0137] 表3
[0138]
[0139] 从表3可看出，本实施例的顶发射有机电致发光器件的发光光谱峰值变化范围很小，避免了显示屏随视角发生变化。
[0140] 实施例2
[0141] 在玻璃基板上溅射沉积Ag作为反射层，厚度为150nm，溅射10nm的ITO作为器件的阳极，并蚀刻出所需的图形，用O2等离子处理3分钟。将所得基板置于真空中，通过共蒸沉积170nm的MTDATA和F4TCNQ的混合物作为空穴注入层（HIL），其中F4TCNQ重量为MTDATA重量的
4%。接着沉积10nm的NPB作为空穴传输层（HTL）。再共蒸沉积30nm的CBP和Ir(ppy)3的混合物作为发光层，其中Ir(ppy)3重量为CBP重量的5%。然后沉积20nm的Bphen作为电子传输层（ETL）。保持真空度不变，通过KBH4在蒸镀过程中（温度400℃）分解的方式蒸镀1nm的K作为电子注入层（EIL），沉积20nm的Ag作为阴极，沉积40nm具有式1-3结构的有机材料作为覆盖层。
4%。接着沉积10nm的NPB作为空穴传输层（HTL）。再共蒸沉积30nm的CBP和Ir(ppy)3的混合物作为发光层，其中Ir(ppy)3重量为CBP重量的5%。然后沉积20nm的Bphen作为电子传输层（ETL）。保持真空度不变，通过KBH4在蒸镀过程中（温度400℃）分解的方式蒸镀1nm的K作为电子注入层（EIL），沉积20nm的Ag作为阴极，沉积40nm具有式1-3结构的有机材料作为覆盖层。
[0142] 本实施例制备的器件为绿光，发光光谱峰值随视角变化如表4所示
[0143] 表4
[0144]
[0145] 从表4可看出，本实施例的顶发射有机电致发光器件的发光光谱峰值变化范围很小，避免了显示屏随视角发生变化。
[0146] 实施例3
[0147] 在玻璃基板上溅射沉积Ag作为反射层，厚度为150nm，溅射10nm的ITO作为器件的阳极，并蚀刻出所需的图形，用O2等离子处理3分钟。将所得基板置于真空中，通过共蒸沉积60nm的MTDATA和F4TCNQ的混合物作为空穴注入层（HIL），其中F4TCNQ重量为MTDATA重量的
4%。接着沉积10nm的NPB作为空穴传输层（HTL）。再共蒸沉积30nm的BeBq2和Ir(piq)2(acac)的混合物作为发光层，其中Ir(piq)2(acac)重量为BeBq2重量的5%。然后沉积20nm的Bphen作为电子传输层（ETL）。保持真空度不变，通过KBH4在蒸镀过程中（温度400℃）分解的方式蒸镀1nm的K作为电子注入层（EIL），沉积25nm的Ag作为阴极，沉积30nm具有式1-5结构的有机材料作为覆盖层。
4%。接着沉积10nm的NPB作为空穴传输层（HTL）。再共蒸沉积30nm的BeBq2和Ir(piq)2(acac)的混合物作为发光层，其中Ir(piq)2(acac)重量为BeBq2重量的5%。然后沉积20nm的Bphen作为电子传输层（ETL）。保持真空度不变，通过KBH4在蒸镀过程中（温度400℃）分解的方式蒸镀1nm的K作为电子注入层（EIL），沉积25nm的Ag作为阴极，沉积30nm具有式1-5结构的有机材料作为覆盖层。
[0148] 本实施例制备的器件为红光，发光光谱峰值随视角变化如表5所示：
[0149] 表5
[0150]
[0151] 从表5可看出，本实施例的顶发射有机电致发光器件的发光光谱峰值变化范围很小，避免了显示屏随视角发生变化。
[0152] 实施例4
[0153] 在玻璃基板上溅射沉积Ag作为反射层，厚度为150nm，溅射10nm的ITO作为器件的阳极，并蚀刻出所需的图形，用O2等离子处理3分钟。将所得基板置于真空中，通过共蒸沉积130nm的MTDATA和F4TCNQ的混合物作为空穴注入层（HIL），其中F4TCNQ的重量为MTDATA重量的4%。接着沉积10nm的NPB作为空穴传输层（HTL）。再共蒸沉积30nm的ADN和DPAVB的混合物作为发光层，其中DPAVB的重量为ADN重量的5%。然后沉积20nm的Bphen作为电子传输层（ETL）。保持真空度不变，通过Li3N在蒸镀过程中（温度600℃）分解的方式蒸镀1nm的Li作为电子注入层（EIL），沉积15nm的Ag作为阴极，沉积70nm具有式2-1结构的有机材料作为覆盖层。
[0154] 本实施例制备的器件为蓝光器件，发光光谱峰值随视角变化如表6所示
[0155] 表6
[0156]
[0157] 从表6可看出，本实施例的顶发射有机电致发光器件的发光光谱峰值变化范围很小，避免了显示屏随视角发生变化。
[0158] 实施例5
[0159] 在玻璃基板上溅射沉积Ag作为反射层，厚度为150nm，溅射10nm的ITO作为器件的阳极，并蚀刻出所需的图形，用O2等离子处理3分钟。将所得基板置于真空中，通过共蒸沉积170nm的MTDATA和F4TCNQ的混合物作为空穴注入层（HIL），其中F4TCNQ的重量为MTDATA重量的4%。接着沉积10nm的NPB作为空穴传输层（HTL）。再共蒸沉积30nm的CBP和Ir(ppy)3的混合物作为发光层，其中Ir(ppy)3的重量为CBP重量的5%。然后沉积20nm的Bphen作为电子传输层（ETL）。保持真空度不变，通过KBH4在蒸镀过程中（温度约400℃）分解的方式蒸镀1nm的K作为电子注入层（EIL），沉积25nm的Ag作为阴极，沉积50nm具有式2-2结构的有机材料作为覆盖层。
[0160] 本实施例制备的器件为绿光器件，发光光谱峰值随视角变化如表7所示
[0161] 表7
[0162]
[0163]
[0164] 从表7可看出，本实施例的顶发射有机电致发光器件的发光光谱峰值变化范围很小，避免了显示屏随视角发生变化。
[0165] 实施例6
[0166] 在玻璃基板上溅射沉积Ag作为反射层，厚度为150nm，溅射10nm的ITO作为器件的阳极，并蚀刻出所需的图形，用O2等离子处理3分钟。将所得基板置于真空中，通过共蒸沉积60nm的MTDATA和F4TCNQ的混合物作为空穴注入层（HIL），其中F4TCNQ的重量为MTDATA重量的4%。接着沉积10nm的NPB作为空穴传输层（HTL）。再共蒸沉积30nm的BeBq2和Ir(piq)2(acac)的混合物作为发光层，其中Ir(piq)2(acac)的重量为BeBq2重量的5%。然后沉积20nm的Bphen作为电子传输层（ETL）。保持真空度不变，通过KBH4在蒸镀过程中（温度约400℃）分解的方式蒸镀1nm的K作为电子注入层（EIL），沉积22nm的Ag作为阴极，沉积45nm具有式2-4结构的有机材料作为覆盖层。
[0167] 本实施例所制备的器件为红光器件，发光光谱峰值随视角变化如表8所示
[0168] 表8
[0169]
[0170] 从表8可看出，本实施例的顶发射有机电致发光器件的发光光谱峰值变化范围很小，避免了显示屏随视角发生变化。
[0171] 实施例7
[0172] 本实施例的顶发射有机电致发光器件的制备方法同实施例1，区别在于沉积1nm的金属配合物LiQ作为电子注入层，18nm的银镁合金（Mg:Ag重量比=1:10）作为阴极，覆盖层为厚度40nm的具有式1-2结构的有机材料。
[0173] 本实施例所制备的器件为蓝光器件，发光光谱峰值随视角变化如表9所示
[0174] 表9
[0175]
[0176] 实施例8
[0177] 本实施例的顶发射有机电致发光器件的制备方法同实施例2，区别在于覆盖层为厚度40nm的具有式1-4结构的有机材料。
[0178] 本实施例所制备的器件为绿光器件，发光光谱峰值随视角变化如表10所示：
[0179] 表10
[0180]
[0181] 实施例9
[0182] 本实施例的顶发射有机电致发光器件的制备方法同实施例4，区别在于覆盖层为厚度45nm的具有式2-3结构的有机材料。
[0183] 本实施例所制备的器件为蓝光器件，发光光谱峰值随视角变化如表11所示：
[0184] 表11
[0185]
[0186]
[0187] 实施例10
[0188] 本实施例的顶发射有机电致发光器件的制备方法同实施例6，区别在于覆盖层为厚度40nm的具有式2-5结构的有机材料。
[0189] 本实施例所制备的器件为红光器件，发光光谱峰值随视角变化如表12所示[0190] 表12
[0191]
[0192] 以上所述实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例，本发明的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换，均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围以权利要求书为准。
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