一种改善半导体晶片翘曲的方法
专利汇可以提供一种改善半导体晶片翘曲的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种 半导体 制备技术领域，更确切的说，本发明涉及一种改善 半导体晶片 翘曲 的方法。首先于一已电 镀 铜 的 晶圆 基材背面进行清洁操作；然后在所述的晶圆基材背面生长应 力 薄层；接着对所得的晶圆表面进行化学机械 研磨 平坦化去除多余金属；最后在所述晶圆的 电镀 铜表面淀积阻挡层获得完整的铜互连结构。本发明解决了晶片的翘曲问题，提高晶片良率，且工艺简单，生产效率高，成本低。，下面是一种改善半导体晶片翘曲的方法专利的具体信息内容。
1.一种改善半导体晶片翘曲的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、于一已电镀铜的晶圆基材背面进行清洁操作；
步骤2、在步骤1中所述的晶圆基材背面生长一层应力薄层；
步骤3、对步骤2所得的晶圆表面进行化学机械研磨去除多余金属；
步骤4、在所述晶圆的电镀铜表面淀积阻挡层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洁操作采用湿化学清洗法、干法刻蚀或等离子体表面处理法。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述湿化学清洗法包括，化学液酸洗法，刷洗法及超声波清洗法。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力薄层为氮化硅材质制成。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的应力薄膜的厚度为10-200nm。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的应力薄层为拉应力薄层或压应力薄层。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的应力薄膜的生长方式为化学气相沉积、炉管生长或原子层沉积。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力薄层采用紫外线光照射处理进行应力加强处理。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层为SiN， SiC， SiOC， SiOCN， SiCN的其中一种阻挡层。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2的应力薄层生长之后，采用退火处理。
一种改善半导体晶片翘曲的方法
技术领域
背景技术
于是，找寻有效简单的消除晶片翘曲显得尤为重要。
发明内容
步骤2，在步骤1中所述的晶圆基材背面生长一层应力薄层；
步骤3，对步骤2所得的晶圆表面进行化学机械研磨去除多余金属；
步骤4，在所述晶圆的电镀铜表面淀积阻挡层。
附图说明
具体实施方式
2）随后在已经清洁过的晶圆基材3背面生长一层应力薄层4；
3）对经过2）处理后的所得的晶圆基材3表面进行化学机械研磨去除多余金属；
4）对已完成化学机械研磨的晶圆基材3的电镀铜5表面淀积新阻挡层6。
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