基于Fe3N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法
专利汇可以提供基于Fe3N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且基于Fe3N/GaN 异质结 构的自旋发光 二极管 及其制备方法，所述自旋 发光二极管 结构上 自下而上 包括： 基板 、粘结层、P 电极 、P-GaN层、有源层、N-GaN层、Fe3N 薄膜 层、电极；所述制备方法，包括如下步骤：步骤1，使用商业GaN基普通发光二极管作为本底二极管，其结构包括基板、粘结层、P电极、P-GaN层、有源层、N-GaN层；步骤2，在步骤1中的GaN基普通发光二极管上利用 磁控溅射 方法溅射一层(002)取向的Fe3N薄膜层；步骤3，将步骤2中所得的样品表面利用标准技术制备Cr/Cu欧姆 接触 电极。本 发明 通过自旋注入层材料的选择，使得自旋注入层与自旋输运层的电导更匹配，进而提高自旋注入效率。，下面是基于Fe3N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法专利的具体信息内容。
1.基于Fe3N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法，其特征在于：
所述自旋发光二极管，结构上自下而上包括：基板、粘结层、P电极、P-GaN层、有源层、N-GaN层、Fe3N薄膜层、电极；
所述制备方法，包括如下步骤：
步骤1，使用商业GaN基普通发光二极管作为本底二极管，其结构包括基板、粘结层、P电极、P-GaN层、有源层、N-GaN层；
步骤2，在步骤1中的GaN基普通发光二极管上利用磁控溅射方法溅射一层(002)取向的Fe3N薄膜层；
步骤3，将步骤2中所得的样品表面利用标准技术制备Cr/Cu欧姆接触电极。
2.根据权利要求1所述的基于Fe3N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法，其特征在于：所述步骤2中，溅射Fe3N薄膜层，其中，铁靶的纯度不低于99.99%，条件为载气：N2和Ar2，N2流量：10 sccm，Ar2流量：90 sccm，溅射压强：0.5 Pa，溅射功率：100W，溅射厚度：30-
80 nm，衬底温度：400 ºC。
基于Fe3N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
步骤1，使用商业GaN基普通发光二极管作为本底二极管，其结构包括基板、粘结层、P电极、P-GaN层、有源层、N-GaN层；
步骤2，在步骤1中的GaN基普通发光二极管上利用磁控溅射方法溅射一层(002)取向的Fe3N薄膜层；
步骤3，将步骤2中所得的样品表面利用标准技术制备Cr/Cu欧姆接触电极。
具体实施方式
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
