本发明涉及一种含有金属氧化物修饰层的有机电致发光器件及其制备方法。

有机电致发光显示被视为平板显示器产业中最为热门的新兴显示技术，目前已经得到了广泛的研究。同无机电致发光器件相比，有机电致发光器件具有材料选择范围宽、可实现由蓝光区到红光区的全彩色显示、驱动电压低、发光亮度和发光效率高、视角宽、响应速度快、制作工艺简单、成本低，并易实现大面积和柔性显示等诸多优点，因而在过去的10多年中得到了迅速的发展。目前，有机发光显示器件领域的研究早已不限于学术界，几乎所有国际知名的电子大公司以及化学公司都投入巨大的人力和资金进入这一研究领域，呈现研究、开发与产业化齐头并进的局面，有机电致发光显示技术正在飞速迈向产业化。
1987年由柯达公司邓青云等人发明的有机发光二极管是一种双层三明治结构(邓青云，万斯来科，应用物理快报，51期，913页，1987年，C.W.Tang，S.A.VanSlyke，Appl.Phys.Lett.51，pp913，(1987)，美国专利，专利号：4,769,292和4,885,211，U.S.Pat.Nos.4,769,292和4,885,211)，它是由空穴传输层和电子传输/发光层组成，并夹在铟锡氧化物ITO和金属电极之间。多层器件包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及染料掺杂型器件后来也被设计制造出来，通过有机层厚度的优化以及制备工艺的改进，器件的电致发光性能得到了大大的改善。
大量的实验研究已经表明，电极/有机界面的性质直接决定了器件的电致发光性能，为了实现高性能的有机电致发光器件，要求电子和空穴必须能够有效的注入。对于阴极侧，通常采用低功函数金属如Al、Mg:Ag、Al:Li等做电极，后来发现，在Al电极和有机层之间引入一层很薄的绝缘层如LiF(洪良森，邓青云等，应用物理快报，70期，152页，1997年，L.S.Huang，C.W.Tang，and M.G.Mason，Appl.Phys.Lett.70，pp152(1997))可以显著地提高电子的注入效率，并且同低功函数金属电极相比，器件的亮度、效率和稳定性得到了更大的改善。而在阳极侧，通常用透明的导电铟锡氧化物ITO作为电极，因为ITO的电特性强烈地依赖于氧的含量，这样用等离子体、臭氧和化学等手段处理ITO就可以改变它的功函数(金志胜，理查德.福瑞德，卡舍利，应用物理快报，74期，3084页，1999年，J.S.Kim，R.H.Friend，and F.Cacialli，Appl.Phys.Lett.74，pp3084(1999))，使空穴的注入效率得到改善，也有在ITO和有机空穴传输层之间引入一层有机层如酞氰铜CuPc(万斯来科，陈金鑫，邓青云应用物理快报，69期，2160页，1996年，S.A.VanSlyke，C.H.Chen，andC.W.Tang，Appl.Phys.Lett.69，pp2160(1996))、绝缘层如AlF3(美国专利，专利号：2003/0107042A1，U.S.Pat.Nos.2003/0107042A1)、金属层如铂Pt(沈玉龙等，先进材料，13期，1234页，2001年，Y.L.Shen，D.B.Jacobs，G.G.Malliaras，G.Koley，M.G.Spencer，and A.Ioannidis，Adv.Mater.13，pp1234(2001))等方法来提高空穴注入。然而实验发现，用上述材料在ITO和空穴传输层之间引入界面层的方法制备的电致发光器件的性能强烈地依赖于界面层的厚度，这无疑给有机电致发光显示器件的产业化批量生产带来了工艺难度。

本发明的目的之一是提供含有金属氧化物修饰层的有机电致发光器件；本发明的另一个目的是提供这种含有金属氧化物修饰层的有机电致发光器件的制备方法。
如附图1和2所示，本发明提供的含有金属氧化物修饰层的有机电致发光器件，它是由：衬底1、阳极层2、金属氧化物层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6和阴极层7构成的；其中，衬底1、阳极层2、金属氧化物层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6和阴极层7顺次连接。
衬底1是玻璃或聚碳酸酯柔性衬底；
阳极层2可采用铟锡氧化物(ITO)；阳极层2还可采用金属银(Ag)、镍(Ni)、钯(Pd)、铜(Cu)、金(Au)、铂(Pt)或钐(Sm)；金属氧化物层3采用如下种类的金属氧化物：①五氧化二钒(V2O5)、三氧化钼(MoO3)和三氧化钨(WO3)中的任何一种；②金属氧化物层3可以是碱金属Li、Na、K、Rb和Cs的氧化物中的任何一种。
③金属氧化物层3可以是碱土金属Be、Mg、Ca、Sr和Ba的氧化物中的任何一种。
④金属氧化物层3可以是CrO3、IrOx、RuOx、RhOx、OsOx、CuO、ZnO、SnO、MnO3、NiO、ReO和AgO中的任何一种。
⑤金属氧化物层3可以是稀土金属氧化物CeO2、Pr2O3、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb4O7、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3和Lu2O3中的任何一种。
⑥金属氧化物层3也可以是以上任何两种不同金属氧化物种类中的任意一个金属氧化物组成的双层结构。
⑦金属氧化物层3还可以是以上任何两种不同金属氧化物种类中的任意一个金属氧化物共掺杂组成的混合物。
空穴传输层4采用：N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺(简称NPB)；发光层5采用：有机染料掺杂的有机混合材料；其中掺杂的有机染料为：5，6，11，12-四苯基-萘并萘(简称rubrene)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-吡啶并[3，2，1-ij]喹啉-9-基)-乙烯基]-吡喃-4-内鎓盐烯}-丙二腈(简称DCJTB)、2-{2-异丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-吡啶并[3，2，1-ij]喹啉-9-基)-乙烯基]-吡喃-4-内鎓盐烯}-丙二腈(简称DCJTI)、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-[对-(二甲基氨基)苯乙烯基]-4H-吡喃(简称DCM)、10-(2-苯并噻唑基)-2，3，6，7-四氢-1，1，7，7-四甲基-1H，5H，11H-(1)-苯并呲喃酮基-(6，7，8-ij)喹嗪-11-酮(简称C545T)和喹吖啶其中的任意一种。
有机染料掺杂的有机混合材料的主体材料为：Alq3和NPB的混合物或者Alq3和Rubrene的混合物；有机混合材料中，掺杂的有机染料与主体材料的混合物的重量比为1％-5％，主体材料中Alq3和NPB或者Alq3和Rubrene的重量比均为1∶1到1∶2；电子传输层6采用的是：8-羟基喹啉铝(简称Alq3)；阴极层7采用金属铝(Al)和界面层氟化锂(LiF)组成的复合电极。
衬底1、阳极2、金属氧化物层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6和阴极层7依次连接。
当在两个电极之间施加电压时，含有金属氧化物修饰层的有机电致发光器件就会发光。
本发明的含有金属氧化物修饰层的有机电致发光器件的制备方法如下：先将ITO玻璃衬底层1上的ITO层2光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2-5分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到1-5×10-4帕时，依次在ITO层2上，蒸镀金属氧化物层3，空穴传输层4，发光层5，电子传输层6和阴极层7。
其中两个电极相互交叉形成器件的发光区，面积为25平方毫米；金属氧化物层3的厚度为3-20纳米，空穴传输层4的厚度为100到200纳米，发光层5的厚度为30到50纳米，电子传输层6的厚度为30-50纳米，金属电极层7的厚度为100-500纳米；金属氧化物层3、空穴传输层4、发光层5和电子传输层6中NPB、Rubrene和Alq3的蒸发速率控制在0.2-0.3纳米每秒，染料DCJTB、DCJTI、DCM、C545T和喹吖啶的蒸发速率控制在0.001-0.005纳米每秒，阴极层7的蒸发速率控制在0.5-5纳米/秒；发光层5掺杂时，有机混合材料掺杂的有机染料和两种主体材料在不同的蒸发源中同时蒸镀，掺杂的有机染料与两种主体材料的重量比控制在1％-5％之间，两种主体材料Alq3和NPB或者Alq3和Rubrene的重量比为1∶1到1∶2之间。
本发明的优点是采用金属氧化物作为空穴注入层，大大提高了器件的功率效率和电流效率，降低了器件的工作电压，使器件在较低的驱动电压下实现了较高的亮度和效率，器件的稳定性也得到了明显的改善。在常温常压下，经过封装的器件在2毫安恒定电流驱动下1000坎德拉每平方米(cd/m2)起始亮度降低到80％的时间超过3000小时。而传统的金属氧化层3用酞氰铜CuPc代替的电致发光器件，亮度和效率只有用金属氧化物层3的电致发光器件的一半，并且在恒定电流驱动下200cd/m2起始亮度降低到50％的时间只有500小时。
本发明的另一个优点是器件的电致发光性能并不强烈地依赖于金属氧化物3的厚度，从3纳米到20纳米的厚度范围内器件表现出几乎相同的工作电压、亮度、效率和寿命，降低了器件制备工艺的限制问题，而用酞氰铜CuPc替代金属氧化物层3的器件，其电致发光性能明显依赖于酞氰铜CuPc的厚度，随酞氰铜CuPc增加，器件工作电压明显增加，功率效率降低。

图1是有机电致发光器件的结构示意图。图中，1是玻璃或聚碳酸酯柔性衬底，2是阳极层ITO，3是金属氧化物层，4是空穴传输层，5是发光层，6是电子传输层，7是复合阴极。图1是本发明摘要的附图。
图2是图1的剖面示意图。
图3是本发明的有机电致发光器件的实施例1的电压-电流密度-亮度特性曲线，。器件亮度随着电流密度和电压的升高而升高，器件的起亮电压为2.4伏，在电压为20.0伏，电流密度为323.0毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的最大亮度为47600坎德拉每平方米(cd/m2)。
图4是本发明的有机电致发光器件实施例2的电压-电流密度-亮度特性曲线。器件的起亮电压为2.4伏，在电压为20.0伏，电流密度为323.0mA/cm2时器件的最大亮度可达48000cd/m2。
图5是本发明的有机电致发光器件实施例1的电流效率-功率效率-电流密度特性曲线。器件的最高电流效率为15.1坎德拉每安培(cd/A)。最大的功率效率是15.0流明每瓦特(1m/W)。
图6是本发明的有机电致发光器件实施例2中的电流效率-功率效率-电流密度特性曲线。器件的最高电流密度为13.6cd/A。最大的功率效率是12.8lm/W。
图7是本发明的有机电致发光器件实施例1中的亮度-时间特性曲线。器件电流恒定在2毫安，器件亮度到达100cd/m2初始亮度的80％所需要的时间为30000小时。

下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
实施例1：先将ITO玻璃上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀15纳米厚的MoO3、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/MoO3/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。MoO3、NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。附图3给出了以MoO3为界面层的有机电致发光器件的电压-电流密度-亮度特性曲线，器件的起亮电压为2.4伏，器件的最大亮度为47600cd/m2，在7.0伏电压的亮度为1060cd/m2。附图5给出了器件的电流密度-功率效率-电流效率特性曲线，器件的最高电流效率为15.1cd/A，最大的功率效率是15.0lm/W。附图7给出了器件在2毫安恒定电流下的工作寿命曲线，器件在初始亮度为100cd/m2的半衰期寿命超过了50000小时。
实施例2：
先将ITO玻璃上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀3纳米厚的V2O5、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/V2O5/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。V2O5、NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。附图4给出了以V2O5为界面层的有机电致发光器件的电压-电流密度-亮度特性曲线，器件的起亮电压为2.4伏，器件的最大亮度为48000cd/m2，在7.0伏电压的亮度为2800cd/m2。附图6给出了器件的电流密度-功率效率-电流效率特性曲线，器件的最高电流效率为13.6cd/A，最大的功率效率是12.8lm/W。器件在初始亮度为100cd/m2的半衰期寿命超过了20000小时。
实施例3：先将ITO玻璃上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀5纳米厚的WO3、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/WO3/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。WO3、NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的起亮电压为2.5伏，器件的最大亮度为32000cd/m2，在7.0伏电压的亮度为51cd/m2，器件的最高电流效率为14.6cd/A，最大的功率效率是14.4lm/W，器件在初始亮度为100cd/m2的半衰期寿命超过了10000小时。
实施例4：先将ITO玻璃上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀5纳米厚的MoO3、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的DCJTB掺杂Rubrene和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/MoO3/NPB/DCJTB:Rubrene:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。MoO3、Rubrene、NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，DCJTB的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的起亮电压为2.4伏，器件的最大亮度为26000cd/m2，在7.0伏电压的亮度为2760cd/m2，器件的最高电流效率为14.5cd/A，最大的功率效率是18.6lm/W，器件在初始亮度为100cd/m2的半衰期寿命超过了10000小时。
实施例5：先将ITO玻璃上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀8纳米厚的MoO3、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的DCJTI掺杂Rubrene和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/MoO3/NPB/DCJTI:Rubrene:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。MoO3、NPB、Rubrene和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，DCJTI的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的最大亮度为45000cd/m2，在7.0伏电压的亮度为1050cd/m2，器件的最高电流效率为14.2cd/A，最大的功率效率是12.1lm/W。在初始亮度为100cd/m2下器件的半衰期寿命超过了12000小时。
实施例6：先将ITO玻璃上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀5纳米厚的MoO3、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的DCM掺杂Rubrene和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/MoO3/NPB/DCM:Rubrene:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。MoO3、NPB、Rubrene和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，DCM的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的最大亮度为46300cd/m2，在7.0伏电压的亮度为2103cd/m2，器件的最高电流效率为12.1cd/A，最大的功率效率是10.7lm/W。在初始亮度为100cd/m2下器件的半衰期寿命超过了15000小时。
实施例7：先将ITO玻璃上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀5纳米厚的MoO3、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的喹吖啶掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/MoO3/NPB/喹吖啶:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。MoO3、NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，喹吖啶的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的最大亮度为48600cd/m2，在7.0伏电压的亮度为2153cd/m2，器件的最高电流效率为14.1cd/A，最大的功率效率是12.7lm/W。在初始亮度为100cd/m2下器件的半衰期寿命超过了21000小时。
实施例8：先将ITO玻璃上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀10纳米厚的MoO3、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/MoO3/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。MoO3、NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的最大亮度为48300cd/m2，在7.0伏电压的亮度为2437cd/m2，器件的最高电流效率为13.0cd/A，最大的功率效率是9.5 lm/W。在初始亮度为100cd/m2下器件的半衰期寿命超过了25000小时。
实施例9：先将ITO玻璃上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀20纳米厚的MoO3、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/MoO3/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。MoO3、NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的最大亮度为44000cd/m2，在7.0伏电压的亮度为1427cd/m2，器件的最高电流效率为11.3cd/A，最大的功率效率是10.0lm/W。在初始亮度为100cd/m2下器件的半衰期寿命超过了30000小时。
实施例10：先将ITO玻璃上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀20纳米厚的CuPc、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/CuPc/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。MoO3、NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的最大亮度为38550cd/m2，在7.0伏电压的亮度为3cd/m2，器件的最高电流效率为7.3cd/A，最大的功率效率是2.0lm/W。在初始亮度为100cd/m2下器件的半衰期寿命超过了500小时。
实施例11：先将聚碳酸酯基底上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀20纳米厚的MoO3、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/MoO3/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。MoO3、NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的最大亮度为35000cd/m2，在7.0伏电压的亮度为1232cd/m2，器件的最高电流效率为10.0cd/A，最大的功率效率是9.0lm/W。
实施例12：先将玻璃基底上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀10纳米厚的LiO2、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/Li2O/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。Li2O、NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的最大亮度为21000cd/m2，在7.0伏电压的亮度为932cd/m2，器件的最高电流效率为9.0cd/A，最大的功率效率是7.80lm/W。
实施例13：先将玻璃基底上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀10纳米厚的MgO、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/MgO/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。MgO、NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的最大亮度为39500cd/m2，在7.0伏电压的亮度为532cd/m2，器件的最高电流效率为7.0cd/A，最大的功率效率是5.3lm/W。
实施例14：先将玻璃基底上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀10纳米厚的Ru2O3、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/Ru2O3/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。Ru2O3、NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的最大亮度为43000cd/m2，在7.0伏电压的亮度为22cd/m2，器件的最高电流效率为9.2cd/A，最大的功率效率是3.20lm/W。
实施例15：先将玻璃基底上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀10纳米厚的Eu2O3、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/Eu2O3/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。Eu2O3、NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的最大亮度为39200cd/m2，在7.0伏电压的亮度为542cd/m2，器件的最高电流效率为9.4cd/A，最大的功率效率是3.30lm/W。
实施例16：先将玻璃基底上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀10纳米厚的MoO3，10纳米厚的V2O5、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/MoO3/V2O5/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。MoO3、V2O5，NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的最大亮度为48000cd/m2，在7.0伏电压的亮度为1082cd/m2，器件的最高电流效率为12.2cd/A，最大的功率效率是10.20lm/W。
实施例17：先将玻璃基底上的ITO光刻成5毫米宽、30毫米长的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟。在真空度为1-5×10-4帕的镀膜系统中，在处理好的ITO电极上依次蒸镀10纳米厚的MoO3和V2O5的混合物、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为ITO/MoO3:V2O5/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。MoO3、V2O5，NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。MoO3和2O5的重量百分比为1∶1，器件的最大亮度为48500cd/m2，在7.0伏电压的亮度为1132cd/m2，器件的最高电流效率为11.4cd/A，最大的功率效率是10.40lm/W。
实施例18：在处理好的空白玻璃上依次蒸镀25纳米的银，20纳米厚的MoO3、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为Ag/MoO3/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。MoO3、，NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的最大亮度为68500cd/m2，在7.0伏电压的亮度为1230cd/m2，器件的最高电流效率为11.8cd/A，最大的功率效率是12.40lm/W。
实施例19：在处理好的空白玻璃上依次蒸镀25纳米的钐，20纳米厚的MoO3、150纳米厚的NPB空穴传输层、37.5纳米的C545T掺杂NPB和Alq3的发光层、37.5纳米的Alq3电子传输层和1纳米的LiF界面层，最后在LiF上蒸镀与ITO交叉的宽5毫米、长30毫米、厚度200纳米的金属Al电极，制备成结构为Sm/MoO3/NPB/C545T:NPB:Alq3/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件。有机电致发光器件的有效面积为25平方毫米。MoO3、，NPB和Alq3的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，C545T的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.05纳米每秒，电极的蒸发速率控制在1纳米每秒。器件的最大亮度为36600cd/m2，在7.0伏电压的亮度为930cd/m2，器件的最高电流效率为9.8cd/A，最大的功率效率是8.60lm/W。