一种节能环保的有机发光元件
阅读：543发布：2022-12-19
专利汇可以提供一种节能环保的有机发光元件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种节能环保的有机发光元件，是一种采用三个有机P型掺杂层增强空穴 电流 、三个有机N型掺杂层增强 电子 电流的 有机发光 二极管 ，包括依次排列的如下材料层：衬底上的一层 阳极 、有机P型掺杂空穴注入层、有机P型掺杂空穴传输层、有机P型掺杂空穴注入辅助层、有机空穴传输层、有机 发光层 、有机电子传输层、有机N型掺杂电子注入辅助层、有机N型掺杂电子传输层、有机N型掺杂电子注入层和一层 阴极 。本发明与采用一个或两个有机P型掺杂层增强空穴电流、一个或两个有机N型掺杂层增强电子电流的有机 发光二极管 相比，电流 密度 比高出近70倍，能够显著提高器件性能，具有广阔的应用市场和极大的商业价值。，下面是一种节能环保的有机发光元件专利的具体信息内容。
1.一种节能环保的有机发光元件，其特征在于，该有机发光元件是一种采用三个有机P型掺杂层增强空穴电流、三个有机N型掺杂层增强电子电流的有机发光二极管，包括：位于衬底上的一层阳极、一层沉积在阳极上的有机P型掺杂空穴注入层、一层沉积在有机P型掺杂空穴注入层上的有机P型掺杂空穴传输层、一层沉积在有机P型掺杂空穴传输层上的有机P型掺杂空穴注入辅助层、一层沉积在有机P型掺杂空穴注入辅助层上的有机空穴传输层、一层沉积在有机空穴传输层上的有机发光层、一层沉积在有机发光层上的有机电子传输层、一层沉积在有机电子传输层上的有机N型掺杂电子注入辅助层、一层沉积在有机N型掺杂电子注入辅助层上的有机N型掺杂电子传输层、一层沉积在有机N型掺杂电子传输层上的有机N型掺杂电子注入层和沉积在有机N型掺杂电子注入层上的一层阴极。
2.如权利要求1所述的一种节能环保的有机发光元件，其特征在于，所述阳极是厚度为
100nm的氧化铟锡导电薄膜，或20nm厚的贵金属薄膜，所述的贵金属为金或银。
3.如权利要求2所述的一种节能环保的有机发光元件，其特征在于，所述氧化铟锡导电薄膜的面电阻小于10欧姆/sq。
4.如权利要求1所述的一种节能环保的有机发光元件，其特征在于，所述有机P型掺杂空穴注入层的材料是在4,4'-二(9-咔唑)联苯中掺杂三氧化铼，其质量配比为4,4'-二(9-咔唑)联苯：三氧化铼＝1：0.01～1：1；或4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺中掺杂三氧化钼，其质量配比为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺：三氧化钼＝1：0.01～1：1。
5.如权利要求1所述的一种节能环保的有机发光元件，其特征在于，所述有机P型掺杂空穴传输层的材料是在4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺中掺杂2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌，其质量配比为4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺：2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌＝1：0.01～1：1；或在N4,N4,N4',N4'-四(4-甲氧基苯基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺中掺杂三氧化铼，其质量配比为N4,N4,N4',N4'-四(4-甲氧基苯基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺：三氧化铼＝1：0.01～1：1。
6.如权利要求1所述的一种节能环保的有机发光元件，其特征在于，所述有机P型掺杂空穴注入辅助层的材料是在4,4'-二(9-咔唑)联苯中掺杂三氧化铼，其质量配比为4,4'-二(9-咔唑)联苯：三氧化铼＝1：0.01～1：1；或4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺中掺杂三氧化钼，其质量配比为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺：三氧化钼＝1：0.01～1：1。
7.如权利要求1所述的一种节能环保的有机发光元件，其特征在于，所述有机空穴传输层的材料是4,4'-二(9-咔唑)联苯或4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺。
8.如权利要求1所述的一种节能环保的有机发光元件，其特征在于，所述有机发光层的材料是三(8-羟基喹啉)铝(III)。
9.如权利要求1所述的一种节能环保的有机发光元件，其特征在于，所述有机电子传输层的材料是4,7-二苯基-1,10-菲罗啉。
10.如权利要求1所述的一种节能环保的有机发光元件，其特征在于，所述有机N型掺杂电子注入辅助层的材料是在4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中掺杂铯，其质量配比为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉：铯＝1：0.01～1：0.5。
11.如权利要求1所述的一种节能环保的有机发光元件，其特征在于，所述有机N型掺杂电子传输层的材料是在萘四甲酸二酐中掺杂隐性结晶紫，质量配比为萘四甲酸二酐：隐性结晶紫＝1：0.01～1：0.1。
12.如权利要求1所述的一种节能环保的有机发光元件，其特征在于，所述有机N型掺杂电子注入层的材料是在4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中掺杂铯，其质量配比为4,7-二苯基-1,
10-菲罗啉：铯＝1：0.01～1：0.5。
13.如权利要求1所述的一种节能环保的有机发光元件，其特征在于，所述阴极的材料为铝。
14.一种制备权利要求1所述节能环保的有机发光元件的方法，其特征在于，包括如下步骤：
第一步，衬底上的阳极的处理：
把以阳极覆盖的玻璃衬底称为阳极衬底，这层阳极是金、银或氧化铟锡导电薄膜；将该阳极衬底依次在盛有丙酮、乙醇和去离子水的超声波清洗器中清洗，之后用氮气吹干，然后放入真空镀膜机中；
第二步，在阳极上沉积有机P型掺杂空穴注入层：
采用热蒸发方式，在第一步处理过的阳极上沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴注入层，厚度为1-20nm，掺杂质量比为：CBP∶ReO3＝1∶0.01～1∶1；或在第一步处理过的阳极上沉积TCTA中掺杂MoO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴注入层，厚度为1-20nm，掺杂质量比为：TCTA∶MoO3＝1∶0.01～1∶1；
第三步，在有机P型掺杂空穴注入层上沉积有机P型掺杂空穴传输层：
采用热蒸发方式，在第二步沉积的有机P型掺杂空穴注入层上再沉积m-MTDATA中掺杂F4TCNQ的薄膜作为有机P型掺杂空穴传输层，厚度为10-200nm，掺杂质量比为：m-MTDATA∶F4TCNQ＝1∶0.01～1∶1；或在第二步沉积的有机P型掺杂空穴注入层再沉积MeO-TPD中掺杂ReO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴传输层，厚度为10-200nm，掺杂质量比为：MeO-TPD∶ReO3＝
1∶0.01～1∶1；
第四步，在有机P型掺杂空穴传输层上沉积有机P型掺杂空穴注入层：
采用热蒸发方式，在第三步沉积的有机P型掺杂空穴传输层上再沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴注入层，厚度为1-20nm，掺杂质量比为：CBP∶ReO3＝1∶0.01～1∶
1；或在第三步沉积的有机P型掺杂空穴传输层上再沉积TCTA中掺杂MoO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴注入层，厚度为1-20nm，掺杂质量比为：TCTA∶MoO3＝1∶0.01～1∶1；
第五步，在有机P型掺杂空穴注入辅助层上沉积有机空穴传输层：
采用热蒸发方式，在第四步沉积的有机P型掺杂空穴注入辅助层上再沉积CBP或TCTA的薄膜作为有机空穴传输层，厚度为10-50nm，沉积速率为
第六步，在有机空穴传输层上沉积有机发光层：
采用热蒸发方式，在第五步沉积的有机空穴传输层上再沉积Alq3的薄膜作为有机发光层，沉积速率为
第七步，在有机发光层上沉积有机电子传输层：
采用热蒸发方式，在第六步沉积的有机发光层上再沉积Bphen的薄膜作为有机电子传输层，厚度为5-20nm，沉积速率为
第八步，在有机电子传输层上沉积有机N型掺杂电子注入辅助层：
采用热蒸发方式，在第七步沉积的有机电子传输层上再沉积Bphen中掺杂Cs的薄膜作为有机N型掺杂电子注入辅助层，厚度为5-20nm，掺杂质量比为：Bphen∶Cs＝1：0.01～1：
0.5；
第九步，在有机N型掺杂电子注入辅助层上沉积有机N型掺杂电子传输层：
采用热蒸发方式，在第八步沉积的有机N型掺杂电子注入辅助层上再沉积NTCDA中掺杂的LCV的薄膜作为有机N型掺杂电子传输层，厚度为20-300nm，掺杂质量比为：NTCDA∶LCV＝
1：0.01～1：0.1；
第十步，在有机N型掺杂电子传输层上沉积有机N型掺杂电子注入层：
采用热蒸发方式，在第九步沉积的有机N型掺杂电子传输层上再沉积Bphen中掺杂Cs的薄膜作为有机N型掺杂电子注入层，厚度为5-20nm，掺杂质量比为：Bphen∶Cs＝1：0.01～1：
0.5；
第十一步，在有机N型掺杂电子注入层上沉积阴极：
采用热蒸发方式，在第十步沉积的有机N型掺杂电子注入层上再沉积铝薄膜作为阴极；
由此，最终制得上述一种节能环保的有机发光元件，是一种采用三个有机P型掺杂层增强空穴电流、三个有机N型掺杂层增强电子电流的有机发光二极管。
一种节能环保的有机发光元件
技术领域
背景技术
[0002] 有机发光二极管的功能是把电能转换成光能，即电子和空穴分别从负极和正极注入到有机薄膜中，然后二者在发光层中形成紧束的电子和空穴对，辐射衰减发出光子。因此，有机发光二极管中空穴电流和电子电流的大小直接决定了器件性能。如何增强空穴电流和电子电流是当前进一步提高有机发光二极管平板显示和照明技术必须要解决的重大课题。
[0003] 在有机发光二极管中，使用一个有机P型掺杂层能够提高空穴电流，这是因为(1)有机P型掺杂层可以在和正极的接触界面处形成很薄的耗尽层，空穴能够以隧穿的方式高效率注入到器件中；(2)有机P型掺杂层材料的电导率很高，可以显著降低空穴传导过程中的欧姆损耗。目前，经常使用的有机P型掺杂空穴传输层材料有4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺中掺杂2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、N4,N4,N4',N4'-四(4-甲氧基苯基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺中掺杂2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、4,4'-二(9-咔唑)联苯中掺杂三氧化铼、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺中掺杂三氧化钼、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中掺杂三氧化钼等。但是，由于采用一个有机P型掺杂层不能同时优化空穴传导损耗和有机界面损耗，因此双P型掺杂层技术被研发出来了(ZL201110153287.8)。最近的研究发现，有机P型掺杂层和正极接触界面处的空穴注入损耗也不能被忽略，为此，本发明提出了使用三个有机P型掺杂层的设计思想，同时优化空穴注入损耗、空穴传导损耗、有机界面损耗，能够显著提高有机发光器件的性能。
[0004] 在有机发光二极管中，使用一个有机N型掺杂层能够提高电子电流，这是因为(1)有机N型掺杂层可以在和负极的接触界面处形成很薄的耗尽层，电子能够以隧穿的方式高效率注入到器件中；(2)有机N型掺杂层材料的电导率很高，可以显著降低电子传导过程中的欧姆损耗。目前，经常使用的有机N型掺杂层材料有4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中掺杂铯、萘四甲酸二酐中掺杂隐性结晶紫等。但是，由于使用一个有机N型掺杂层不能同时优化电子传导损耗和有机界面损耗，因此双N型掺杂层技术被研发出来了(ZL201110001221.7)。最近的研究发现，有机N型掺杂层和负极接触界面处的电子注入损耗也不能被忽略，为此，本发明提出了使用三个有机N型掺杂层的设计思想，同时优化电子注入损耗、电子传导损耗、有机界面损耗，能够显著提高有机发光器件的性能。
发明内容
[0005] 本发明所要解决的技术问题是：提供一种节能环保的有机发光元件，是一种采用三个P型掺杂层增强空穴电流、三个N型掺杂层增强电子电流的有机发光二极管，其性能显著优于采用单个有机P型掺杂层增强空穴电流和单个有机N型掺杂层增强电子电流的有机发光二极管，也显著优于采用二个有机P型掺杂层增强空穴电流和二个有机N型掺杂层增强电子电流的有机发光二极管。
[0006] 本发明解决该技术问题所采用的技术方案是：
[0007] 一种节能环保的有机发光元件，该有机发光元件是一种采用三个有机P型掺杂层增强空穴电流、三个有机N型掺杂层增强电子电流的有机发光二极管，包括：衬底上的一层阳极、一层沉积在阳极上的有机P型掺杂空穴注入层、一层沉积在有机P型掺杂空穴注入层上的有机P型掺杂空穴传输层、一层沉积在有机P型掺杂空穴传输层上的有机P型掺杂空穴注入辅助层、一层沉积在有机P型掺杂空穴注入辅助层上的有机空穴传输层、一层沉积在有机空穴传输层上的有机发光层、一层沉积在有机发光层上的有机电子传输层、一层沉积在有机电子传输层上的有机N型掺杂电子注入辅助层、一层沉积在有机N型掺杂电子注入辅助层上的有机N型掺杂电子传输层、一层沉积在有机N型掺杂电子传输层上的有机N型掺杂电子注入层和沉积在有机N型掺杂电子注入层上的一层阴极。
[0009] 上述一种节能环保的有机发光元件，所述氧化铟锡导电薄膜的面电阻小于10欧姆/sq。
[0010] 上述一种节能环保的有机发光元件，所述沉积在阳极上的有机P型掺杂空穴注入层的材料是在4,4'-二(9-咔唑)联苯中掺杂三氧化铼，其质量配比为4,4'-二(9-咔唑)联苯：三氧化铼＝1：0.01～1；或4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺中掺杂三氧化钼，其质量配比为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺：三氧化钼＝1：0.01～1：1。
[0011] 上述一种节能环保的有机发光元件，所述沉积在有机P型掺杂空穴注入层上的有机P型掺杂空穴传输层的材料是在4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺中掺杂2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌，其质量配比为4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺：2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌＝1：0.01～1；或在N4,N4,N4',N4'-四(4-甲氧基苯基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺中掺杂三氧化铼，其质量配比为N4,N4,N4',N4'-四(4-甲氧基苯基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺：三氧化铼＝1：0.01～1：1。
[0012] 上述一种节能环保的有机发光元件，所述沉积在有机P型掺杂空穴传输层上的有机P型掺杂空穴注入辅助层的材料是在4,4'-二(9-咔唑)联苯中掺杂三氧化铼，其质量配比为4,4'-二(9-咔唑)联苯：三氧化铼＝1：0.01～1：1；或4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺中掺杂三氧化钼，其质量配比为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺：三氧化钼＝1：0.01～1：1。
[0013] 上述一种节能环保的有机发光元件，所述沉积在有机P型掺杂空穴注入辅助层上的有机空穴传输层的材料是4,4'-二(9-咔唑)联苯或4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺。
[0015] 上述一种节能环保的有机发光元件，所述沉积在有机发光层上的有机电子传输层的材料是三(8-羟基喹啉)铝(III)。
[0016] 上述一种节能环保的有机发光元件，所述沉积在有机发光层上的有机N型掺杂电子注入辅助层的材料是在4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中掺杂铯，其质量配比为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉：铯＝1：0.01～1：0.5。
[0017] 上述一种节能环保的有机发光元件，所述沉积在有机N型掺杂电子注入辅助层上的有机N型掺杂电子传输层的材料是在萘四甲酸二酐中掺杂隐性结晶紫，质量配比为萘四甲酸二酐：隐性结晶紫＝1：0.01～1：0.1。
[0018] 上述一种节能环保的有机发光元件，所述沉积在有机N型掺杂电子传输层上的有机N型掺杂电子注入层的材料是在4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中掺杂铯，其质量配比为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉：铯＝1：0.01～1：0.5。
[0019] 上述一种节能环保的有机发光元件，所述沉积在有机N型掺杂电子注入层上的阴极的材料为铝。
[0020] 上述一种节能环保的有机发光元件，所述的材料均可以通过商购获得。
[0021] 为了节省篇幅，列出以下化合物的英文缩写，并在下文中均用英文缩写表示相应的化合物。
[0022] 4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺：m-MTDATA；2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌：F4TCNQ；N4,N4,N4',N4'-四(4-甲氧基苯基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺：MeO-TPD；4,4'-二(9-咔唑)联苯：CBP；三氧化铼：ReO3；三氧化钼：MoO3；4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺：TCTA；三(8-羟基喹啉)铝(III)：Alq3；4,7-二苯基-1,10-菲罗啉：Bphen；
隐性结晶紫：LCV；萘四甲酸二酐：NTCDA；铝：Al；金：Au；银：Ag；铯：Cs。
隐性结晶紫：LCV；萘四甲酸二酐：NTCDA；铝：Al；金：Au；银：Ag；铯：Cs。
[0023] 上述一种节能环保的有机发光元件的制备方法，其步骤如下：
[0024] 第一步，衬底上的阳极的处理
[0025] 把以阳极覆盖的玻璃衬底称为阳极衬底，这层阳极可以是金、银或氧化铟锡导电薄膜；将该阳极衬底裁成4×4cm2的小块，依次在盛有丙酮、乙醇和去离子水的超声波清洗器中清洗，用前述每种溶剂分别清洗两次，每次10分钟，之后用氮气吹干，然后放入真空镀膜机中，真空镀膜机抽到背景真空度为4×10-4Pa；
[0026] 第二步，在阳极上沉积有机P型掺杂空穴注入层
[0027] 采用热蒸发方式，在第一步处理过的阳极上沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴注入层，厚度为1-20nm，掺杂质量比为：CBP∶ReO3＝1∶0.01～1∶1；或在第一步处理过的阳极上沉积TCTA中掺杂MoO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴注入层，厚度为1-20nm，掺杂质量比为：TCTA∶MoO3＝1∶0.01～1∶1；
[0028] 第三步，在有机P型掺杂空穴注入层上沉积有机P型掺杂空穴传输层
[0029] 采用热蒸发方式，在第二步沉积的有机P型掺杂空穴注入层上再沉积m-MTDATA中掺杂F4TCNQ的薄膜作为有机P型掺杂空穴传输层，厚度为10-200nm，掺杂质量比为：m-MTDATA∶F4TCNQ＝1∶0.01～1∶1；或在第二步沉积的有机P型掺杂空穴注入层再沉积MeO-TPD中掺杂ReO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴传输层，厚度为10-200nm，掺杂质量比为：MeO-TPD∶ReO3＝1∶0.01～1∶1；
[0030] 第四步，在有机P型掺杂空穴传输层上沉积有机P型掺杂空穴注入辅助层[0031] 采用热蒸发方式，在第三步沉积的有机P型掺杂空穴传输层上再沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴注入层，厚度为1-20nm，掺杂质量比为：CBP∶ReO3＝1∶0.01～1∶1；或在第三步沉积的有机P型掺杂空穴传输层上再沉积TCTA中掺杂MoO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴注入层，厚度为1-20nm，掺杂质量比为：TCTA∶MoO3＝1∶0.01～1∶1；
[0032] 第五步，在有机P型掺杂空穴注入辅助层上沉积有机空穴传输层
[0033] 采用热蒸发方式，在第四步沉积的有机P型掺杂空穴注入辅助层上再沉积CBP或TCTA的薄膜作为有机空穴传输层，厚度为10-50nm，沉积速率为
[0034] 第六步，在有机空穴传输层上沉积有机发光层
[0035] 采用热蒸发方式，在第五步沉积的有机空穴传输层上再沉积Alq3的薄膜作为有机发光层，厚度为60nm，沉积速率为
[0036] 第七步，在有机发光层上沉积有机电子传输层
[0037] 采用热蒸发方式，在第六步沉积的有机发光层上再沉积Bphen的薄膜作为有机电子传输层，厚度为5-20nm，沉积速率为
[0038] 第八步，在有机电子传输层上沉积有机N型掺杂电子注入辅助层
[0039] 采用热蒸发方式，在第七步沉积的有机电子传输层上再沉积Bphen中掺杂Cs的薄膜作为有机N型掺杂电子注入辅助层，厚度为5-20nm，掺杂质量比为：Bphen∶Cs＝1：0.01～1：0.5；
[0040] 第九步，在有机N型掺杂电子注入辅助层上沉积有机N型掺杂电子传输层[0041] 采用热蒸发方式，在第八步沉积的有机N型掺杂电子注入辅助层上再沉积NTCDA中掺杂的LCV的薄膜作为有机N型掺杂电子传输层，厚度为20-300nm，掺杂质量比为：NTCDA∶LCV＝1：0.01～1：0.1；
[0042] 第十步，在有机N型掺杂电子传输层上沉积有机N型掺杂电子注入层
[0043] 采用热蒸发方式，在第九步沉积的有机N型掺杂电子传输层上再沉积Bphen中掺杂Cs的薄膜作为有机N型掺杂电子注入层，厚度为5-20nm，掺杂质量比为：Bphen∶Cs＝1：0.01～1：0.5；
[0044] 第十一步，在有机N型掺杂电子注入层上沉积阴极
[0045] 采用热蒸发方式，在第十步沉积的有机N型掺杂电子注入层上沉积铝薄膜作为阴极，厚度200nm，沉积速率为
[0046] 由此，最终制得上述一种节能环保的有机发光元件，是一种采用三个P型掺杂层增强空穴电流、三个N型掺杂层增强电子电流的有机发光二极管。
[0048] 本发明的有益效果是：
[0049] (1)本发明所提出的一种节能环保的有机发光元件使用三个有机P型掺杂层。其中，有机P型掺杂空穴注入层用于降低和正极界面的接触电阻，减少空穴注入损耗，它的特点是母体材料的最高占有分子轨道的能级位置较低(-6.0eV以下)。有机P型掺杂空穴传输层用于降低空穴传输损耗，它的特点是电导率高，母体材料的最高占有分子轨道的能级位置较高(-5.6eV以上)。正是由于它的电导率高，该层厚度可达200nm而不会引起明显的空穴传输损耗，这有助于提高器件的稳定性和良品率。有机P型掺杂空穴注入辅助层用于降低和有机空穴传输层界面处的传输势垒，减少有机界面损耗，它的特点是母体材料的最高占有分子轨道能级的位置较低(-6.0eV以下)。可以看到，如果只使用一个或两个有机P型掺杂层，那么空穴注入损耗、空穴传输损耗、有机界面损耗不可能同时得到优化。
[0050] 本发明所提出的一种节能环保的有机发光元件使用三个有机N型掺杂层。其中，有机N型掺杂电子注入层用于降低和负极界面的接触电阻，减少电子注入损耗，它的特点是母体材料的最低未占有分子轨道的能级位置较高(-3.5eV以上)。有机N型掺杂电子传输层用于降低电子传输损耗，它的特点是电导率高，母体材料的最低未占有分子轨道的能级位置较低(-3.8eV以下)。正是由于它的电导率高，该层厚度可达300nm而不会引起明显的电子传输损耗，这有助于提高器件的稳定性和良品率。有机N型掺杂电子注入辅助层用于降低和有机电子传输层界面处的传输势垒，减少有机界面损耗，它的特点是母体材料的最低未占有分子轨道的能级位置较高(-3.5eV以上)。可以看到，如果只使用一个或两个有机N型掺杂层，那么电子注入损耗、电子传输损耗、有机界面损耗不可能同时得到优化。
[0051] (2)本发明突破了现有的GaN发光二极管的器件结构设计(特点是使用了两个P型掺杂层和两个N型掺杂层)，从本质上指出降低有机发光二极管中空穴和电子注入损耗的重要性。使用三个有机P型掺杂层和三个有机N型掺杂层在理论上能够将有机发光二极管的功耗降到最低，同时能够保证器件的稳定性和良品率。
[0053] 图1为本发明一种节能环保的有机发光元件的结构示意图。
[0054] 图2a和图2b为本发明实施例1制得的一种节能环保的有机发光元件与采用单个有机P型掺杂层增强空穴注入和单个有机N型掺杂层增强电子注入的的有机发光二极管、以及采用二个有机P型掺杂层增强空穴注入和二个有机N型掺杂层增强电子注入的的有机发光二极管的光电性能比较图。其中，图2a为电压-电流密度关系曲线图；图2b为电压-亮度关系曲线图。
[0055] 图3a和图3b为本发明实施例2制得的一种节能环保的有机发光元件的光电性能图，其中，图3a为电压-电流密度关系曲线图；图3b为电压-亮度关系曲线图。
具体实施方式
[0056] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面通过具体实施例和附图，对本发明做进一步说明。
[0057] 图1所示实施例表明，本发明一种节能环保的有机发光元件是由在衬底上的一层阳极i、一层沉积在阳极上的有机P型掺杂空穴注入层ii、一层沉积在有机P型掺杂空穴注入层上的有机P型掺杂空穴传输层iii、一层沉积在有机P型掺杂空穴传输层上的有机P型掺杂空穴注入辅助层iv、一层沉积在有机P型掺杂空穴注入辅助层上的有机空穴传输层v、一层沉积在有机空穴传输层上的有机发光层vi、一层沉积在有机发光层上的有机电子传输层vii、一层沉积在有机电子传输层上的有机N型掺杂电子注入辅助层viii、一层沉积在有机N型掺杂电子注入辅助层上的有机N型掺杂电子传输层ix、一层沉积在有机N型掺杂电子传输层上的有机N型掺杂电子注入层x和沉积在有机N型掺杂电子注入层上的一层阴极xi组成。
[0058] 实施例1
[0059] 制备结构为ITO/CBP∶ReO3＝1∶0.01厚度1nm/m-MTDATA∶F4TCNQ＝1∶0.01厚度10nm/CBP∶ReO3＝1∶0.01厚度1nm/CBP厚度10nm/Alq3厚度60nm/Bphen厚度5nm/Bphen∶Cs＝1∶0.01厚度5nm/NTCDA∶LCV＝1∶0.01厚度20nm/Bphen∶Cs＝1∶0.01厚度5nm/Al厚度100nm的有机发光二极管。
[0060] 该有机发光二极管是由玻璃衬底上的一层ITO阳极、一层沉积在ITO阳极上的厚度为1nm的CBP∶ReO3薄膜有机P型掺杂空穴注入层、一层沉积在CBP∶ReO3薄膜有机P型掺杂空穴注入层上的厚度为10nm的m-MTDATA∶F4TCNQ薄膜有机P型掺杂空穴传输层、一层沉积在m-MTDATA∶F4TCNQ薄膜有机P型掺杂空穴传输层上的厚度为1nm的CBP∶ReO3薄膜有机P型掺杂空穴注入辅助层、一层沉积在CBP∶ReO3薄膜有机P型掺杂空穴注入辅助层上的厚度为10nm的CBP薄膜有机空穴传输层、一层沉积在CBP薄膜有机空穴传输层上的厚度为60nm的Alq3薄膜有机发光层、一层沉积在Alq3薄膜有机发光层上的厚度为5nm的Bphen薄膜有机电子传输层、一层沉积在Bphen薄膜有机电子传输层上的厚度为5nm的Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入辅助层、一层沉积在Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入辅助层上的厚度为20nm的NTCDA∶LCV薄膜有机N型掺杂电子传输层、一层沉积在NTCDA∶LCV薄膜有机N型掺杂电子传输层上的厚度为5nm的Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入层和沉积在Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入层上的一层Al阴极组成的一种节能环保的有机发光元件。
[0061] 上述ITO为氧化铟锡薄膜的简称，ITO阳极附着在玻璃衬底上，简称为ITO阳极衬底。氧化铟锡导电薄膜的厚度为100nm，面电阻小于10欧姆/sq。本实施例的ITO阳极衬底是由南玻公司生产的。
[0062] 上述双P型掺杂层的有机发光二极管的制备方法是：
[0063] 第一步，ITO阳极衬底的处理
[0064] 将氧化铟锡导电薄膜的厚度为100nm、大小为4×4cm2、面电阻小于10欧姆/sq的ITO阳极衬底方块先在盛有丙酮的超声波清洗器中清洗两次、再在盛有乙醇的超声波清洗器中清洗两次，最后在盛有去离子水的超声波清洗器中清洗两次，每次10分钟，之后用氮气吹干，之后放入真空镀膜机中，真空镀膜机抽到背景真空度为4×10-4Pa。
[0065] 第二步，在阳极上沉积有机P型掺杂空穴注入层
[0066] 采用热蒸发方式，在第一步处理过的阳极上沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴注入层，厚度为1nm，掺杂质量比为：CBP∶ReO3＝1∶0.01；
[0067] 第三步，在有机P型掺杂空穴注入层上沉积有机P型掺杂空穴传输层
[0068] 采用热蒸发方式，在第二步沉积的有机P型掺杂空穴注入层上再沉积m-MTDATA中掺杂F4TCNQ的薄膜作为有机P型掺杂空穴传输层，厚度为10nm，掺杂质量比为：m-MTDATA∶F4TCNQ＝1∶0.01；
[0069] 第四步，在有机P型掺杂空穴传输层上沉积有机P型掺杂空穴注入辅助层[0070] 采用热蒸发方式，在第三步沉积的有机P型掺杂空穴传输层上再沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴注入层，厚度为1nm，掺杂质量比为：CBP∶ReO3＝1∶0.01；
[0071] 第五步，在有机P型掺杂空穴注入辅助层上沉积有机空穴传输层
[0072] 采用热蒸发方式，在第四步沉积的有机P型掺杂空穴注入辅助层上再沉积CBP的薄膜作为有机空穴传输层，厚度为10nm，沉积速率为
[0073] 第六步，在有机空穴传输层上沉积有机发光层
[0074] 采用热蒸发方式，在第五步沉积的有机空穴传输层上再沉积Alq3的薄膜作为有机发光层，厚度为60nm，沉积速率为
[0075] 第七步，在有机发光层上沉积有机电子传输层
[0076] 采用热蒸发方式，在第六步沉积的有机发光层上沉积Bphen的薄膜作为有机电子传输层，厚度为5nm，沉积速率为
[0077] 第八步，在有机电子传输层上沉积有机N型掺杂电子注入辅助层
[0078] 采用热蒸发方式，在第七步沉积的有机电子传输层上再沉积Bphen中掺杂Cs的薄膜作为有机N型掺杂电子注入辅助层，厚度为5nm，掺杂质量比为：Bphen∶Cs＝1：0.01；
[0079] 第九步，在有机N型掺杂电子注入辅助层上沉积有机N型掺杂电子传输层[0080] 采用热蒸发方式，在第八步沉积的有机N型掺杂电子注入辅助层上再沉积NTCDA中掺杂的LCV的薄膜作为有机N型掺杂电子传输层，厚度为20nm，掺杂质量比为：NTCDA∶LCV＝1：0.01；
[0081] 第十步，在有机N型掺杂电子传输层上沉积有机N型掺杂电子注入层
[0082] 采用热蒸发方式，在第九步沉积的有机N型掺杂电子传输层上再沉积Bphen中掺杂Cs的薄膜作为有机N型掺杂电子注入层，厚度为5nm，掺杂质量比为：Bphen∶Cs＝1：0.01；
[0083] 第十一步，在有机N型掺杂电子注入层上沉积阴极
[0084] 采用热蒸发方式，在第十步沉积的有机N型掺杂电子注入层上沉积Al的薄膜作为阴极，厚度100nm，沉积速率为
[0085] 由此，最终制得上述一种节能环保的有机发光元件，是一种采用三个P型掺杂层增强空穴电流、三个N型掺杂层增强电子电流的有机发光二极管。
[0086] 对比实施例1
[0087] 制备结构为ITO/CBP∶ReO3＝1∶0.01厚度12nm/CBP厚度10nm/Alq3厚度60nm/Bphen厚度5nm/Bphen∶Cs＝1∶0.01厚度30nm/Al厚度100nm的有机发光二极管。
[0088] 该有机发光二极管是由玻璃衬底上的一层ITO阳极、一层沉积在ITO阳极上的厚度为12nm的CBP∶ReO3薄膜有机P型掺杂空穴注入层、一层沉积在CBP∶ReO3薄膜有机P型掺杂空穴注入层上的厚度为10nm的CBP薄膜有机空穴传输层、一层沉积在CBP薄膜有机空穴传输层上的厚度为60nm的Alq3薄膜有机发光层、一层沉积在Alq3薄膜有机发光层上的厚度为5nm的Bphen薄膜有机电子传输层、一层沉积在Bphen薄膜有机电子传输层上的厚度为30nm的Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入层和沉积在Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入层上的Al阴极组成的采用一个有机P型掺杂层增强空穴注入和一个有机N型掺杂层增强电子注入的有机发光二极管。
[0089] 该采用一个有机P型掺杂层增强空穴注入和一个有机N型掺杂层增强电子注入的有机发光二极管的制备方法是：
[0090] 除没有实施例1中的“第三步，在有机P型掺杂空穴注入层上沉积有机P型掺杂空穴传输层；第四步，在有机P型掺杂空穴传输层上沉积有机P型掺杂空穴注入辅助层；第九步，在有机N型掺杂电子注入辅助层上沉积有机N型掺杂电子传输层；第十步，在有机N型掺杂电子传输层上沉积有机N型掺杂电子注入层”之外，其他步骤工艺均同实施例1。
[0091] 对比实施例2
[0092] 制备结构为ITO/m-MTDATA∶F4TCNQ＝1∶0.01厚度11nm/CBP∶ReO3＝1∶0.01厚度1nm/CBP厚度10nm/Alq3厚度60nm/Bphen厚度5nm/Bphen∶Cs＝1∶0.01厚度5nm/NTCDA∶LCV＝1∶0.01厚度25nm/Al厚度100nm的有机发光二极管。
[0093] 该有机发光二极管是由玻璃衬底上的一层ITO阳极、一层沉积在ITO阳极上的厚度为11nm的m-MTDATA∶F4TCNQ薄膜有机P型掺杂空穴传输层、一层沉积在m-MTDATA∶F4TCNQ薄膜有机P型掺杂空穴传输层上的厚度为1nm的CBP∶ReO3薄膜有机P型掺杂空穴注入辅助层、一层沉积在CBP∶ReO3薄膜有机P型掺杂空穴注入辅助层上的厚度为10nm的CBP薄膜有机空穴传输层、一层沉积在CBP薄膜有机空穴传输层上的厚度为60nm的Alq3薄膜有机发光层、一层沉积在Alq3薄膜有机发光层上的厚度为5nm的Bphen薄膜有机电子传输层、一层沉积在Bphen薄膜有机电子传输层上的厚度为5nm的Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入辅助层、一层沉积在Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入辅助层上的厚度为25nm的NTCDA∶LCV薄膜有机N型掺杂电子传输层和沉积在NTCDA∶LCV薄膜有机N型掺杂电子传输层上的一层Al阴极组成的采用二个有机P型掺杂层增强空穴注入和二个有机N型掺杂层增强电子注入的有机发光二极管。
[0094] 该采用二个有机P型掺杂层增强空穴注入和二个有机N型掺杂层增强电子注入的有机发光二极管的制备方法是：
[0095] 除没有实施例1中的“第二步，在阳极上沉积有机P型掺杂空穴注入层；第十步，在有机N型掺杂电子传输层上沉积有机N型掺杂电子注入层”之外，其他步骤工艺均同实施例1。
[0096] 设：实施例1所制得的一种节能环保的有机发光元件为器件A，对比实施例1所制得的有机发光二极管为器件B，对比实施例2所制得的有机发光二极管为器件C。
[0097] 图2a中，三角曲线为器件A的电压-电流密度关系曲线，圆圈曲线为器件B的电压-电流密度关系曲线，方块曲线为器件C的电压-电流密度关系曲线。(本发明中的电压-电流密度曲线由一台keithley2400直流数字源表测得)
[0098] 图2b中，三角曲线为器件A的电压-亮度关系曲线，圆圈曲线为器件B的电压-亮度关系曲线图，方块曲线为器件C的电压-亮度关系曲线图。
[0099] 从图2a可以看出，在同一电压下，器件A的电流密度显著高于器件B和C，从图2b可以看出，在同一电压下，器件A的亮度也显著高于器件B和C：当驱动电压为8伏时，器件A的亮度为8109尼特，电流密度为429毫安每平方厘米，器件B的亮度为1774尼特，电流密度为99毫安每平方厘米，器件C的亮度为6316尼特，电流密度为290毫安每平方厘米；器件A的最大电流效率达到2.0坎德拉每安培，而器件B和C的最大电流效率分别为1.8和2.2坎德拉每安培。器件A的性能显著优于器件B和C主要是因为器件A中使用了三个有机P型掺杂层和三个有机N型掺杂层，空穴损耗和电子损耗同时降到了最低。因此，本发明所提供的一种节能环保的有机发光元件具有高的空穴电流效率和性能，而且廉价、制备简单。
[0100] 实施例2
[0101] 制备结构为ITO/TCTA∶MoO3＝1∶1厚度20nm/MeO-TPD∶ReO3＝1∶1厚度200nm/TCTA∶MoO3＝1∶1厚度20nm/TCTA厚度50nm/Alq3厚度60nm/Bphen厚度20nm/Bphen∶Cs＝1∶0.5厚度20nm/NTCDA∶LCV＝1∶0.1厚度300nm/Bphen∶Cs＝1∶0.5厚度20nm/Al厚度100nm的有机发光二极管。
[0102] 该有机发光二极管是由玻璃衬底上的一层ITO阳极、一层沉积在ITO阳极上的厚度为20nm的TCTA∶MoO3薄膜有机P型掺杂空穴注入层、一层沉积在TCTA∶MoO3薄膜有机P型掺杂空穴注入层上的厚度为200nm的MeO-TPD∶ReO3薄膜有机P型掺杂空穴传输层、一层沉积在MeO-TPD∶ReO3薄膜有机P型掺杂空穴传输层上的厚度为20nm的TCTA∶MoO3薄膜有机P型掺杂空穴注入辅助层、一层沉积在TCTA∶MoO3薄膜有机P型掺杂空穴注入辅助层上的厚度为50nm的TCTA薄膜有机空穴传输层、一层沉积在TCTA薄膜有机空穴传输层上的厚度为60nm的Alq3薄膜有机发光层、一层沉积在Alq3薄膜有机发光层上的厚度为20nm的Bphen薄膜有机电子传输层、一层沉积在Bphen薄膜有机电子传输层上的厚度为20nm的Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入辅助层、一层沉积在Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入辅助层上的厚度为300nm的NTCDA∶LCV薄膜有机N型掺杂电子传输层、一层沉积在NTCDA∶LCV薄膜有机N型掺杂电子传输层上的厚度为20nm的Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入层和沉积在Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入层上的一层Al阴极组成的一种节能环保的有机发光元件。
[0103] 上述ITO为氧化铟锡薄膜的简称，ITO阳极附着在玻璃衬底上，简称为ITO阳极衬底。氧化铟锡导电薄膜的厚度为100nm，面电阻小于10欧姆/sq。本实施例的ITO阳极衬底是由南玻公司生产的。
[0104] 上述一种节能环保的有机发光元件的制备方法是：
[0105] 第一步，ITO阳极衬底的处理
[0106] 将氧化铟锡导电薄膜的厚度为100nm、大小为4×4cm2、面电阻小于10欧姆/sq的ITO阳极衬底方块先在盛有丙酮的超声波清洗器中清洗两次、再在盛有乙醇的超声波清洗器中清洗两次，最后在盛有去离子水的超声波清洗器中清洗两次，每次10分钟，之后用氮气吹干，之后放入真空镀膜机中，真空镀膜机抽到背景真空度为4×10-4Pa。
[0107] 第二步，在阳极上沉积有机P型掺杂空穴注入层
[0108] 采用热蒸发方式，在第一步处理过的阳极上沉积TCTA中掺杂MoO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴注入层，厚度为20nm，掺杂质量比为：TCTA∶MoO3＝1∶1；
[0109] 第三步，在有机P型掺杂空穴注入层上沉积有机P型掺杂空穴传输层
[0110] 采用热蒸发方式，在第二步沉积的有机P型掺杂空穴注入层上再沉积MeO-TPD中掺杂ReO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴传输层，厚度为200nm，掺杂质量比为：MeO-TPD∶ReO3＝1∶1；
[0111] 第四步，在有机P型掺杂空穴传输层上沉积有机P型掺杂空穴注入辅助层[0112] 采用热蒸发方式，在第三步沉积的有机P型掺杂空穴传输层上再沉积TCTA中掺杂MoO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴注入层，厚度为20nm，掺杂质量比为：TCTA∶MoO3＝1∶1；
[0113] 第五步，在有机P型掺杂空穴注入辅助层上沉积有机空穴传输层
[0114] 采用热蒸发方式，在第四步沉积的有机P型掺杂空穴注入辅助层上再沉积TCTA薄膜作为有机空穴传输层，厚度为50nm，沉积速率为
[0115] 第六步，在有机空穴传输层上沉积有机发光层
[0116] 采用热蒸发方式，在第五步沉积的有机空穴传输层上沉积Alq3薄膜有机发光层，厚度为60nm，沉积速率为
[0117] 第七步，在有机发光层上沉积有机电子传输层
[0118] 采用热蒸发方式，在第六步沉积的有机发光层上沉积Bphen薄膜有机电子传输层，厚度为20nm，沉积速率为
[0119] 第八步，在有机电子传输层上沉积有机N型掺杂电子注入辅助层
[0120] 采用热蒸发方式，在第七步沉积的有机电子传输层上再沉积Bphen中掺杂Cs的薄膜作为有机N型掺杂电子注入辅助层，厚度为20nm，掺杂质量比为：Bphen∶Cs＝1：0.5；
[0121] 第九步，在有机N型掺杂电子注入辅助层上沉积有机N型掺杂电子传输层[0122] 采用热蒸发方式，在第八步沉积的有机N型掺杂电子注入辅助层上再沉积NTCDA中掺杂的LCV的薄膜作为有机N型掺杂电子传输层，厚度为300nm，掺杂质量比为：NTCDA∶LCV＝1：0.1；
[0123] 第十步，在有机N型掺杂电子传输层上沉积有机N型掺杂电子注入层
[0124] 采用热蒸发方式，在第九步沉积的有机N型掺杂电子传输层上再沉积Bphen中掺杂Cs的薄膜作为有机N型掺杂电子注入层，厚度为20nm，掺杂质量比为：Bphen∶Cs＝1：0.5；
[0125] 第十一步，在有机N型掺杂电子注入层上沉积阴极
[0126] 采用热蒸发方式，在第十步沉积的有机N型掺杂电子注入层上沉积Al薄膜作为阴极，厚度100nm，沉积速率为
[0127] 由此，最终制得上述一种节能环保的有机发光元件，是一种采用三个有机P型掺杂层增强空穴电流、三个有机N型掺杂层增强电子电流的有机发光二极管。
[0128] 图3给出了实施例2中一种节能环保的有机发光元件的光电性能。其中，图3a为电压-电流密度关系曲线图，说明该器件在8伏时的电流密度是392毫安每平方厘米；图3b为电压-亮度关系曲线图，说明该器件在8伏时的亮度达到9343尼特。当电流密度是153.8毫安每平方厘米时，该器件的最大电流效率达到2.5坎德拉每安培，器件性能良好。
[0129] 实施例3
[0130] 制备结构为Au 20nm/CBP∶ReO3＝1∶0.01厚度1nm/m-MTDATA∶F4TCNQ＝1∶0.01厚度10nm/CBP∶ReO3＝1∶0.01厚度1nm/CBP厚度10nm/Alq3厚度60nm/Bphen厚度5nm/Bphen∶Cs＝
1∶0.01厚度5nm/NTCDA∶LCV＝1∶0.01厚度20nm/Bphen∶Cs＝1∶0.01厚度5nm/Al厚度100nm的有机发光二极管。
1∶0.01厚度5nm/NTCDA∶LCV＝1∶0.01厚度20nm/Bphen∶Cs＝1∶0.01厚度5nm/Al厚度100nm的有机发光二极管。
[0131] 该有机发光二极管是由玻璃衬底上的一层厚度为20nm的Au阳极、一层沉积在Au阳极上的厚度为1nm的CBP∶ReO3薄膜有机P型掺杂空穴注入层、一层沉积在CBP∶ReO3薄膜有机P型掺杂空穴注入层上的厚度为10nm的m-MTDATA∶F4TCNQ薄膜有机P型掺杂空穴传输层、一层沉积在m-MTDATA∶F4TCNQ薄膜有机P型掺杂空穴传输层上的厚度为1nm的CBP∶ReO3薄膜有机P型掺杂空穴注入辅助层、一层沉积在CBP∶ReO3薄膜有机P型掺杂空穴注入辅助层上的厚度为10nm的CBP薄膜有机空穴传输层v、一层沉积在CBP薄膜有机空穴传输层上的厚度为60nm的Alq3薄膜有机发光层、一层沉积在Alq3薄膜有机发光层上的厚度为60nm的Bphen薄膜有机电子传输层、一层沉积在Bphen薄膜有机电子传输层上的厚度为5nm的Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入辅助层、一层沉积在Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入辅助层上的厚度为20nm的NTCDA∶LCV薄膜有机N型掺杂电子传输层、一层沉积在NTCDA∶LCV薄膜有机N型掺杂电子传输层上的厚度为5nm的Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入层和沉积在Bphen∶Cs薄膜有机N型掺杂电子注入层上的一层阴极组成的一种节能环保的有机发光元件。
[0132] 上述一种节能环保的有机发光元件的制备方法是：
[0133] 第一步，Au阳极衬底的处理(处理方法参照实施例1或实施例2)
[0134] 第二步，在阳极上沉积有机P型掺杂空穴注入层
[0135] 采用热蒸发方式，在第一步处理过的阳极上沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴注入层，厚度为1nm，掺杂质量比为：CBP∶ReO3＝1∶0.01；
[0136] 第三步，在有机P型掺杂空穴注入层上沉积有机P型掺杂空穴传输层
[0137] 采用热蒸发方式，在第二步沉积的有机P型掺杂空穴注入层上再沉积m-MTDATA中掺杂F4TCNQ的薄膜作为有机P型掺杂空穴传输层，厚度为10nm，掺杂质量比为：m-MTDATA∶F4TCNQ＝1∶0.01；
[0138] 第四步，在有机P型掺杂空穴传输层上沉积有机P型掺杂空穴注入辅助层[0139] 采用热蒸发方式，在第三步沉积的有机P型掺杂空穴传输层上再沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机P型掺杂空穴注入层，厚度为1nm，掺杂质量比为：CBP∶ReO3＝1∶0.01；
[0140] 第五步，在有机P型掺杂空穴注入辅助层上沉积有机空穴传输层
[0141] 采用热蒸发方式，在第四步沉积的有机P型掺杂空穴注入辅助层上再沉积CBP薄膜作为有机空穴传输层，厚度为10nm，沉积速率为
[0142] 第六步，在有机空穴传输层上沉积有机发光层
[0143] 采用热蒸发方式，在第五步沉积的有机空穴传输层上沉积Alq3薄膜有机发光层，厚度为60nm，沉积速率为
[0144] 第七步，在有机发光层上沉积有机电子传输层
[0145] 采用热蒸发方式，在第六步沉积的有机发光层上沉积Bphen薄膜有机电子传输层，厚度为5nm，沉积速率为
[0146] 第八步，在有机电子传输层上沉积有机N型掺杂电子注入辅助层
[0147] 采用热蒸发方式，在第七步沉积的有机电子传输层上再沉积Bphen中掺杂Cs的薄膜作为有机N型掺杂电子注入辅助层，厚度为5nm，掺杂质量比为：Bphen∶Cs＝1：0.01；
[0148] 第九步，在有机N型掺杂电子注入辅助层上沉积有机N型掺杂电子传输层[0149] 采用热蒸发方式，在第八步沉积的有机N型掺杂电子注入辅助层上再沉积NTCDA中掺杂的LCV的薄膜作为有机N型掺杂电子传输层，厚度为20nm，掺杂质量比为：NTCDA∶LCV＝1：0.01；
[0150] 第十步，在有机N型掺杂电子传输层上沉积有机N型掺杂电子注入层
[0151] 采用热蒸发方式，在第九步沉积的有机N型掺杂电子传输层上再沉积Bphen中掺杂Cs的薄膜作为有机N型掺杂电子注入层，厚度为5nm，掺杂质量比为：Bphen∶Cs＝1：0.01；
[0152] 第十一步，在有机N型掺杂电子注入层上沉积阴极
[0153] 采用热蒸发方式，在第十步沉积的有机N型掺杂电子注入层上沉积铝薄膜作为阴极，厚度200nm，沉积速率为
[0154] 由此，最终制得上述一种节能环保的有机发光元件，是一种采用三个有机P型掺杂层增强空穴电流、三个有机N型掺杂层增强电子电流的有机发光二极管。
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