专利汇可以提供一种应用于半导体激光器的衬底专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提出一种应用于 半导体 激光器 的衬底,解决现有传导冷却半导体激光器封装结构热传导效率较低、封装工艺较复杂的问题。该衬底的衬底 正面 和/或衬底背面设定有激光器芯片键合区,衬底底面作为与 散热 器的键合面;所述衬底是由绝缘材料和导电材料共同构成的 复合体 ,绝缘材料和导电材料在复合体中的布局使得:所述复合体中对应于所述激光器芯片键合区,从衬底正面到衬底背面表现为导电联通;所述激光器芯片键合区与衬底底部表现为相互绝缘。,下面是一种应用于半导体激光器的衬底专利的具体信息内容。
1.一种应用于半导体激光器的衬底,衬底正面和/或衬底背面设定有激光器芯片键合区,衬底底面作为与散热器的键合面;其特征在于:所述衬底是由绝缘材料和导电材料共同构成的复合体,绝缘材料和导电材料在复合体中的布局使得:所述复合体中对应于所述激光器芯片键合区,从衬底正面到衬底背面表现为导电联通;所述激光器芯片键合区与衬底底部表现为相互绝缘。
2.根据权利要求1所述的应用于半导体激光器的衬底,其特征在于:所述复合体的底部为绝缘材料。
3.根据权利要求2所述的应用于半导体激光器的衬底,其特征在于:复合体的底部的绝缘材料厚度为50纳米~100微米。
4.根据权利要求2或3所述的应用于半导体激光器的衬底,其特征在于:所述复合体的主体为绝缘材料;所述激光器芯片键合区至少有一处以导电材料自衬底正面贯通至衬底背面。
5.根据权利要求4所述的应用于半导体激光器的衬底,其特征在于:每一处导电材料为柱形结构自衬底正面贯通至衬底背面;或者每一处导电材料形成复合体中完整的一层。
6.根据权利要求5所述的应用于半导体激光器的衬底,其特征在于:多处柱形结构的导电材料整体上呈阵列排布。
7.根据权利要求1所述的应用于半导体激光器的衬底,其特征在于:所述复合体的底部为导电材料,所述复合体位于激光器芯片键合区下方的部分存在完全由绝缘材料组成的隔层。
8.根据权利要求1所述的应用于半导体激光器的衬底,其特征在于:所述复合体由多层绝缘材料和多层导电材料以间隔层叠的形式构成。
9.根据权利要求1所述的应用于半导体激光器的衬底,其特征在于:所述导电材料为铜、钨、钼、铜钨、钼铜或者金刚石铜;绝缘材料为氮化铝、金刚石、氧化铍或者氧化铝。
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