基板处理装置以及基板处理方法
阅读：639发布：2023-01-13
专利汇可以提供基板处理装置以及基板处理方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 基板 处理装置以及基板处理方法，基板处理装置（1）具有槽主体（11）、盖部（12）、以喷淋状喷出SPM溶液的处理液 喷嘴 （31）、喷出氮气的气体喷嘴（32）。盖部开闭槽主体的上部的搬入口（110）。处理液喷嘴从与基板（9）的外缘部相向的槽主体（11）的 侧壁 （111）向基板喷出处理液（91）。在基板搬入至槽主体之前，通过从气体喷嘴朝向盖部的下表面喷出气体，能够除去在处理之前的基板时或者在进行从处理液喷嘴喷出处理液的 调温 时附着于盖部的下表面的处理液的液滴。由此，能够防止或者减小处理液的液滴落至并附着于刚刚搬入至槽主体的基板上。，下面是基板处理装置以及基板处理方法专利的具体信息内容。
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
槽主体，其以使相邻的基板的主面相向并以立起姿势排列的状态，容置从上部的搬入口搬入的多个基板；
盖部，其对上述槽主体的上述搬入口进行开闭；
多个处理液喷嘴，其向上述槽主体内的上述多个基板喷出处理液；
至少一个气体喷嘴，其向上述盖部的下表面喷出气体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述至少一个气体喷嘴设置在上述槽主体的与上述多个基板的外缘部相向的至少一个侧壁上。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述至少一个气体喷嘴设置在上述槽主体的与上述多个基板的外缘部相向的两个侧壁上。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述至少一个气体喷嘴在高度方向上位于上述盖部和上述处理液喷嘴之间。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述多个处理液喷嘴设置在上述槽主体的与上述多个基板的外缘部相向的两个侧壁上，
上述至少一个气体喷嘴设置在上述槽主体内的与上述多个基板的主面相向的侧壁上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
上述盖部的上述下表面包含倾斜面，该倾斜面处于上述至少一个气体喷嘴附近，且随着离开上述至少一个气体喷嘴而朝向上方。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述盖部和上述槽主体之间的间隙的外侧，还具有用于防止从上述间隙漏出处理液的遮蔽部或者用于回收所漏出的处理液的回收部。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有朝向变更机构，该朝向变更机构对上述至少一个气体喷嘴的朝向进行变更。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有控制部，该控制部在上述盖部打开上述搬入口以将多个基板搬入上述槽主体内之前，使气体从上述至少一个气体喷嘴喷出。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理液为硫酸过氧化氢水溶液。
11.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
a工序，在槽主体的上部的搬入口被盖部关闭的状态下，从至少一个气体喷嘴向上述盖部的下表面喷出气体；
b工序，打开上述搬入口；
c工序，以使相邻的基板的主面相向并以立起姿势排列的状态，将多个基板从上述搬入口搬入至上述槽主体内；
d工序，通过盖部关闭上述搬入口；
e工序，从多个处理液喷嘴向上述多个基板喷出处理液；
f工序，打开上述搬入口；
g工序，从上述搬入口搬出上述多个基板。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括在上述a工序之前从上述多个处理液喷嘴向上述槽主体内喷出上述处理液来调整上述处理液的温度的工序。
13.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，
上述至少一个气体喷嘴设置在上述槽主体的与上述多个基板的外缘部相向的两个侧壁上，
在上述e工序中，从设置在上述两个侧壁上的气体喷嘴交替地喷出气体。
14.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
a工序，打开槽主体的上部的搬入口；
b工序，以使相邻的基板的主面相向并以立起姿势排列的状态，将多个基板从上述搬入口搬入至上述槽主体内；
c工序，通过盖部关闭上述搬入口；
d工序，从多个处理液喷嘴向上述多个基板喷出处理液；
e工序，与上述d工序的结束同时或者在上述d工序刚要结束之前或刚刚结束之后，开始从至少一个气体喷嘴向上述盖部的下表面喷出气体，并结束喷出上述气体；
f工序，打开上述搬入口；
g工序，从上述搬入口搬出上述多个基板。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，上述处理液为硫酸过氧化氢水溶液。
基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
[0001] 本发明涉及在处理槽内处理多个基板的技术。
背景技术
[0002] 一直以来，采用在处理槽内对多个基板进行清洗、蚀刻、抗蚀膜剥离等处理的基板处理装置。作为这样的基板处理装置，已知如下装置，即，在处理槽内贮存硫酸过氧化氢水溶液（Sulfuric Acid/Hydrogen Peroxide/WaterMixture，下面称为“SPM溶液”），并使多个基板同时浸渍（例如参照日本特开2007-49022号公报）。
[0003] 另外，还已知如下基板水洗方法，即，将药液处理后的基板放入水洗槽内，一边使基板在水洗槽内上下摆动，一边从在水洗槽内相互相向而配置的喷嘴向基板的表面进行喷淋（shower）水洗（例如参照日本特开2000-183011号公报）。
[0004] 但是，当如日本特开2000-183011号公报那样在处理槽内以喷淋状喷出处理液来进行处理时，处理液会附着于处理槽的盖部。当搬入接下来处理的预定的基板之后关闭盖部时，由于振动，处理液的液滴可能从盖部落至基板上。当液滴附着于基板时，液滴所包含的颗粒也附着于基板上，可能在基板上产生不良部位。
发明内容
[0005] 本发明涉及基板处理装置。基板处理装置具有：槽主体，以使相邻的基板的主面相向并以立起姿势排列的状态，容置从上部的搬入口搬入的多个基板；盖部，对上述槽主体的上述搬入口进行开闭；多个处理液喷嘴，向上述槽主体内的上述多个基板喷出处理液；至少一个气体喷嘴，向上述盖部的下表面喷出气体。
[0006] 根据本发明，能够防止或者减少处理液的液滴从盖部落至基板的情况。
[0007] 在一个优选的方式中，上述至少一个气体喷嘴设置在上述槽主体的与上述多个基板的外缘部相向的至少一个侧壁上。
[0008] 在其它一个优选的方式中，上述多个处理液喷嘴设置在上述槽主体的与上述多个基板的外缘部相向的两个侧壁上，上述至少一个气体喷嘴设置在上述槽主体内的与上述多个基板的主面相向的侧壁上。
[0009] 优选为，上述盖部的上述下表面包含倾斜面，该倾斜面处于上述至少一个气体喷嘴附近，且随着离开上述至少一个气体喷嘴而朝向上方。
[0010] 优选为，基板处理装置还具有控制部，该控制部在上述盖部打开上述搬入口以将多个基板搬入上述槽主体内之前，使气体从上述至少一个气体喷嘴喷出。
[0011] 本发明也涉及基板处理方法。基板处理方法包括：a工序，在槽主体的上部的搬入口被盖部关闭的状态下，从至少一个气体喷嘴向上述盖部的下表面喷出气体；b工序，打开上述搬入口；c工序，以使相邻的基板的主面相向并以立起姿势排列的状态，将多个基板从上述搬入口搬入至上述槽主体内；d工序，通过盖部关闭上述搬入口；e工序，从多个处理液喷嘴向上述多个基板喷出处理液；f工序，打开上述搬入口；g工序，从上述搬入口搬出上述多个基板。
[0012] 优选为，在上述a）工序之前，从上述多个处理液喷嘴向上述槽主体内喷出上述处理液来调整上述处理液的温度。
[0013] 在基板处理方法的其它优选的方面，基板处理方法包括：a工序，打开槽主体的上部的搬入口；b工序，以使相邻的基板的主面相向并以立起姿势排列的状态，将多个基板从上述搬入口搬入至上述槽主体内；c工序，通过盖部关闭上述搬入口；d工序，从多个处理液喷嘴向上述多个基板喷出处理液；e工序，与上述d工序的结束同时或者在上述d工序刚要结束之前或刚要结束之后，开始从至少一个气体喷嘴向上述盖部的下表面喷出气体，并结束喷出上述气体；f工序，打开上述搬入口；g工序，从上述搬入口搬出上述多个基板。
附图说明
[0015] 图1是基板处理装置的主视图。
[0016] 图2是基板处理装置的侧视图。
[0017] 图3是示出基板处理装置的结构的图。
[0018] 图4示出基板处理装置的动作流程。
[0019] 图5示出基板处理装置的动作流程。
[0020] 图6示出气体喷嘴附近。
[0021] 图7示出基板处理装置的动作流程的一部分。
[0022] 图8简化示出了气体喷嘴的其它配置。
[0023] 图9简化示出了气体喷嘴的其它配置。
[0024] 图10简化示出了气体喷嘴的其它配置。
[0025] 图11简化示出了气体喷嘴的其它配置。
[0026] 图12示出了盖部的其它例子。
[0027] 图13示出回收部。
[0028] 其中，附图标记说明如下
[0029] 1 基板处理装置
[0030] 7 控制部
[0031] 9 基板
[0032] 11 槽主体
[0033] 12 盖构件
[0034] 31 处理液喷嘴
[0035] 32 气体喷嘴
[0036] 34 摆动机构（朝向变更机构）
[0037] 35 回收部
[0038] 91 处理液
[0039] 110 搬入口
[0040] 111 侧壁
[0041] 121 下表面
[0042] 312 遮蔽部
[0043] S11～S16、S21～S27、S211～S214 步骤
具体实施方式
[0044] 图1是本发明的第一实施方式的基板处理装置1的主视图，图2是侧视图。图1以及图2示出处理槽10的截面。
[0045] 基板处理装置1具有：处理槽10；用于升降基板9的升降机2；多个处理液喷嘴31；多个气体喷嘴32。处理槽10具有上部开口的大致箱状的槽主体11和一对盖构件12。
一对盖构件12作为盖部发挥功能。盖构件12配置在图1中的左右位置，以与纸面垂直的轴为中心旋转，由此对槽主体11的上部的开口进行开闭。在一对盖构件12的下表面之间几乎不存在间隙，也没有阶梯差。即，盖构件12的下表面的至少中央区域是平面。
一对盖构件12作为盖部发挥功能。盖构件12配置在图1中的左右位置，以与纸面垂直的轴为中心旋转，由此对槽主体11的上部的开口进行开闭。在一对盖构件12的下表面之间几乎不存在间隙，也没有阶梯差。即，盖构件12的下表面的至少中央区域是平面。
[0046] 升降机2具有：基板保持部21，其从下方保持多个基板9；升降机构22，其使基板保持部21升降；连接部23，其连接基板保持部21和升降机构22。基板保持部21是沿着图2中的左右方向即前后方向延伸的多个棒状构件，基板9的下部保持于在棒状构件上形成的槽内。多个基板9一边使相邻的基板9的主面相向，一边以等间隔且立起姿势排列。基板9以该状态容置在槽主体11中。
[0047] 通过升降机构22使基板保持部21升降，多个基板9在处理槽10内的用实线表示的处理位置和用双点划线表示的交接位置之间移动。在交接位置上，在图示省略的搬运装置和基板保持部21之间交接基板9。在基板保持部21升降时，通过盖构件12打开槽主体11的上部的开口。在下面的说明中，将用于搬入搬出基板9的槽主体11的上部的开口称为“搬入口110”。
[0048] 在盖构件12形成有避开连接部23的缺口，在基板保持部21位于槽主体11内的状态下，盖构件12能够关闭搬入口110。在基板保持部21保持多个基板9并位于槽主体11内的状态下，盖构件12关闭搬入口110，由此将基板9容置于处理槽10内。
[0049] 多个处理液喷嘴31设置在槽主体11的与基板9的外缘部相向的图1中的左右的侧壁111上。处理液喷嘴31与基板9的排列方向平行地排成3列，3列分别配置于侧壁111的上部、中央部、下部。处理液喷嘴31向槽主体11内的多个基板9以喷淋状喷出处理液。在本实施方式中，处理液是SPM溶液（硫酸过氧化氢水溶液），通过基板处理装置1剥离基板9上的抗蚀膜和/或除去金属。通过采用喷淋方式，与采用浸渍方式相比，能够削减处理液的使用量。上层的处理液喷嘴31沿着相对于水平方向向下方倾斜的方向且朝向基板9的方向喷出处理液。中层的处理液喷嘴31沿着水平方向且朝向基板9的方向喷出处理液。
下层的处理液喷嘴31沿着相对于水平方向向上方倾斜的方向且朝向基板9的方向喷出处理液。
下层的处理液喷嘴31沿着相对于水平方向向上方倾斜的方向且朝向基板9的方向喷出处理液。
[0050] 气体喷嘴32也设置在槽主体11的与多个基板9的外缘部相向的两个侧壁111上，且设置在上层的处理液喷嘴31的上方。换而言之，在高度方向上，气体喷嘴32位于盖构件12和处理液喷嘴31之间。气体喷嘴32的喷出口与处理液喷嘴31同样地，与基板9的排列方向平行地排列。从气体喷嘴32向盖构件12的下表面喷出氮气。即，气体喷嘴32从图1中的左右沿着相对于水平方向向上方倾斜的方向且朝向中央的方向喷出气体。在图1中，用虚线示出了喷出气体以及处理液的样子，但是原则上气体和处理液并不同时喷出。
[0051] 通过将气体喷嘴32设置在与基板9的外缘部相向的侧壁111上，即使在处理槽10内存在连接部23，也能够不被连接部23妨碍地向盖构件12喷出气体。通过使气体喷嘴32位于处理液喷嘴31和盖构件12之间，能够抑制处理液附着于气体喷嘴32，且能够从斜下方向盖构件12的下表面进行送风。另外，通过在两个侧壁111上设置气体喷嘴32，能够容易地向盖构件12的下表面的整体进行送风。
[0052] 图3是示出与处理槽10、处理液喷嘴31以及气体喷嘴32相连接的结构的图。此外，省略有处理槽10的截面的平行斜线。槽主体11的底部与槽排出路径51相连接。在进行处理时，在槽主体11的底部贮存处理液91。在槽排出路径51上设置有阀61，通过打开阀61，从槽主体11排出处理液91。槽排出路径51进行分支，一个分支与泵41相连接，另一个分支与排液路径52相连接。在排液路径52上设置有阀62。泵41与加热部42相连接，加热部42与过滤器43相连接。
[0053] 处理液喷嘴31经由喷嘴供给路径53与过滤器43相连接。喷嘴供给路径53从过滤器43分支为多个分支路径并连接至处理液喷嘴31。在各分支路径上设置有阀63。通过在阀63被打开的状态下驱动泵41，从处理液喷嘴31喷出处理液91。加热部42用于控制处理液91的温度。过滤器43除去处理液91中的颗粒。从喷嘴供给路径53分支有旁路54，旁路54经由阀64与槽主体11的下部的喷出口33相连接。此外，在图3中，仅示出一侧的处理液喷嘴31和喷嘴供给路径53的连接关系。
[0054] 基板处理装置1还具有缓冲罐44、处理液供给源45和气体供给源46。缓冲罐44经由罐排出路径55与泵41相连接。在罐排出路径55上设置有阀65。缓冲罐44经由罐供给路径56与过滤器43相连接。在罐供给路径56上设置有阀66。缓冲罐44与处理液供给源45相连接。通过在处理液供给源45中按规定的比例对硫酸、过氧化氢以及纯水进行混合，来生成SPM溶液，并供给至缓冲罐44。这些溶液也可以在未混合的情况下分别供给至缓冲罐44。
[0055] 气体喷嘴32经由气体供给路径57与气体供给源46相连接。在气体供给路径57上设置有阀67，通过打开阀67，从气体喷嘴32喷出氮气。处理槽10与排气路径58相连接，在排气路径58上设置有阀68。
[0056] 基板处理装置1具有控制部7，通过控制部7来控制各阀、泵41以及加热部42。控制部7还控制升降机2的动作和盖构件12的开闭。
[0057] 图4以及图5是示出基板处理装置1的动作流程的图。如图3所示，在开始进行处理时，事先在槽主体11中贮存处理液91。处理液91的量是不与配置于处理位置的基板9接触的量。
[0058] 作为具体的一个例子，处理液91在缓冲罐44内被调整。从处理液供给源45向缓冲罐44供给各种液体，在打开阀65、66并关闭其它阀的状态下，驱动泵41。由此，处理液91从缓冲罐44起在罐排出路径55、泵41、加热部42、过滤器43、罐供给路径56进行循环。
在缓冲罐44上设置有温度计以及浓度计，通过控制从处理液供给源45供给的各种液体以及加热部42，使处理液91达到所希望的浓度以及温度。通过关闭阀66并打开阀64，将处理液91经由罐排出路径55、泵41、加热部42、过滤器43、旁路54供给至处理槽10。此外，处理液91也可以通过从处理液供给源45直接向处理槽10供给各种液体等的其它方法来贮存在处理槽10中。
在缓冲罐44上设置有温度计以及浓度计，通过控制从处理液供给源45供给的各种液体以及加热部42，使处理液91达到所希望的浓度以及温度。通过关闭阀66并打开阀64，将处理液91经由罐排出路径55、泵41、加热部42、过滤器43、旁路54供给至处理槽10。此外，处理液91也可以通过从处理液供给源45直接向处理槽10供给各种液体等的其它方法来贮存在处理槽10中。
[0059] 在基板处理中，首先确认是否需要进行预调温（步骤S11）。例如，在从之前的基板9的处理到接下来的基板9的处理为止经过了长时间的情况下，为了使处理液91、喷嘴供给路径53、槽主体11、处理槽10内的气体等的温度达到所希望的温度而进行预调温（步骤S12）。在进行预调温时，打开阀61、63，而关闭其它阀。但也可以打开阀64。处理槽10内的处理液91从槽排出路径51排出，并经由泵41、加热部42、过滤器43、喷嘴供给路径53从处理液喷嘴31喷出。在槽主体11上设置有温度计以及浓度计，将处理液91的温度调整至所希望的温度，并监视处理液91的浓度。喷出处理液91进行规定时间。
[0060] 当预调温处理结束时，通过控制部7打开阀67，从气体供给源46经由气体供给路径57向气体喷嘴32供给氮气。由此，在搬入口110被盖构件12关闭的状态下，从气体喷嘴32朝向盖构件12的下表面喷出气体（步骤S13）。实际上，为了避免来自左右的气体的气流的碰撞，从左右的侧壁111的气体喷嘴32交替地喷出气体。结果，在预调温处理或者之前的基板处理中附着于盖构件12的下表面的处理液91的大部分朝向侧壁111流动。
[0061] 图6是放大气体喷嘴32附近来示出的剖视图。在设置有上层的处理液喷嘴31的喷嘴块（nozzle block）311上设置有气体喷嘴32。具体地说，在喷嘴块311内形成有沿着与纸面垂直的方向（即，基板9的排列方向）延伸的流路321，沿着流路321形成有多个气体喷出口322。
[0062] 喷嘴块311的上端尖并呈锐角，与盖构件12的下表面121相向。在喷嘴块311的上端和盖构件12之间，即槽主体11和盖构件12之间存在微小的间隙30，在间隙30的外侧设置有截面为三角形的遮蔽部312。遮蔽部312设置在盖构件12中的位于槽主体11的外部的部位的下表面上。图6中例示的遮蔽部312具有倾斜面313，该倾斜面313随着离开间隙30而朝向下方。由此，在喷出气体时，能够防止处理液91的液滴或者微粒子（雾滴）从间隙30向处理槽10的外部漏出的情况。为了减少从间隙30漏出的处理液91，在喷出气体时，打开图3所示的阀68，从排气路径58进行排气。此外，为了减少漏出的处理液91，除上述之外，例如也可以在容纳有处理槽10的腔室（未图示）内形成下降气流（下降流），来排出雾滴。
[0063] 当停止喷出气体时，盖构件12打开搬入口110（步骤S14），基板保持部21上升并从外部的搬运装置接受多个基板9。基板保持部21下降，将基板9搬入至槽主体11，盖构件12关闭搬入口110（步骤S15、S16）。
[0064] 然后，与预调温处理同样地，打开阀61、63，将处理槽10内的处理液91经由槽排出路径51、泵41、加热部42、过滤器43、喷嘴供给路径53引导至处理液喷嘴31，并从处理液喷嘴31朝向基板9喷出处理液91（图5中的步骤S21）。在基板处理中，通过升降机2使基板保持部21上下摆动，由此能够提高处理的均匀性。
[0065] 当基板处理结束时，关闭阀63，盖构件12打开搬入口110（步骤S22）。通过使基板保持部21上升，从槽主体11搬出基板9，并交至外部的搬运装置（步骤S23）。基板保持部21下降，盖构件12关闭搬入口110（步骤S24）。
[0066] 在处理接下来的基板9的情况（步骤S25）下，确认是否需要进行后调温（步骤S26）。后调温是在处理基板9之后将处理液91的温度维持在所希望的温度的动作，也可以与搬出基板9的动作并行地进行。在进行后调温时，打开阀61、64，将处理槽10内的处理液91经由槽排出路径51、泵41、加热部42、过滤器43、旁路54引导至喷出口33。由此，不必喷出处理液91而利用处理槽10来对处理液91进行调温（步骤S27）。
[0067] 然后，返回步骤S11，确认在处理接下来的基板9之前是否需要进行预调温。在需要进行预调温的情况下，进行预调温以及喷出气体（步骤S12、S13），在无需进行预调温的情况下，喷出气体（步骤S13）。无论在哪种情况下，都通过控制部7的控制，在打开盖构件12以将多个基板9搬入槽主体11内之前，从气体喷嘴32喷出气体，由此除去附着于盖构件12的下表面的处理液91。结果，能够防止或者减少如下情况，即，在搬入基板9之后关闭盖构件12时，处理液91的液滴落至基板9，颗粒与液滴一起附着于基板9。
[0068] 反复进行上述基板处理动作，直到处理最后的多个基板9为止，当处理了所有基板9时，基板处理装置1结束处理（步骤S25）。
[0069] 图7是示出基板处理装置1的其它动作例的图，示出与图5的步骤S21对应的部分的详细内容。在图7所示的动作中，在搬入基板9之后，首先开始喷出处理液91（步骤S211），当经过规定的时间时，开始喷出气体（步骤S212）。当开始喷出气体时，立即停止喷出处理液91（步骤S213）。然后，从两个侧壁111的气体喷嘴32交替地喷出气体，之后停止喷出气体（步骤S214）。
[0070] 通过从即将结束喷出处理液91之前开始喷出气体，能够减小在停止喷出处理液91之后液滴从盖构件12的下表面落至基板9的可能性。此外，只要能够使处理液91落下的可能性减小即可，开始喷出气体的动作也可以与停止喷出处理液91的动作同时进行，也可以在停止之后立即进行。
[0071] 图8至图11是简化示出气体喷嘴32的其它配置的图。对于处理液喷嘴31仅示出一部分。在图8中，气体喷嘴32安装在盖构件12的下表面上。由此，气体的一部分朝向盖构件12的下表面流动，而推动下表面上的处理液流动。在图9中，气体喷嘴32安装在两个盖构件12的前端侧的下表面，气体从盖构件12的接缝侧向左右流动。即，气体喷嘴32设置在位于处理位置的基板9的正上方。由此，能够从基板9的正上方的区域除去处理液。在图9的情况下，就从气体喷嘴32喷出气体的动作而言，可以在盖构件12关闭搬入口110的状态下进行，也可以在图9所示那样打开一半的状态下进行。
[0072] 在图10所示的例子中，将处理液喷嘴31设置在摆动机构34上，将气体喷嘴32也设置在摆动机构34上。在喷出处理液的期间，通过摆动机构34使处理液喷嘴31上下以及/或者左右摆动。由此，能够更加均匀地处理基板9。在从气体喷嘴32朝向盖构件12的下表面喷出气体时，也使气体喷嘴32上下以及/或者左右摆动。摆动机构34发挥变更气体喷嘴32的朝向的朝向变更机构的功能。由此，能够更恰当地从盖构件12的下表面除去处理液。此外，可以通过朝向变更机构将气体喷嘴32仅变更至所希望的朝向上，而不使气体喷嘴32摆动。就气体喷嘴32的朝向而言，可以通过工作人员进行变更来调整，也可以通过控制部7来自动地进行变更。
[0073] 在图11所示的例子中，气体喷嘴32设置在槽主体11内的与多个基板9的主面相向的侧壁111上，从气体喷嘴32朝向盖构件12的下表面向斜上方喷出气体。即，气体喷嘴32设置于在基板保持部21位于槽主体11内的情况下的连接部23（参照图2）一侧的侧壁
111。实际上，多个气体喷嘴32沿着与图11的纸面垂直的方向排列。处理液喷嘴31与图
1以及图2同样地设置在槽主体的与多个基板9的外缘部相向的两个侧壁111上。通过这样设置气体喷嘴32，盖构件12的下表面的处理液不会跨越盖构件12的接缝而借助气体移动至盖构件12的端边。另外，能够一边避免与处理液的配管发生干渉，一边容易地设置气体喷嘴32。
111。实际上，多个气体喷嘴32沿着与图11的纸面垂直的方向排列。处理液喷嘴31与图
1以及图2同样地设置在槽主体的与多个基板9的外缘部相向的两个侧壁111上。通过这样设置气体喷嘴32，盖构件12的下表面的处理液不会跨越盖构件12的接缝而借助气体移动至盖构件12的端边。另外，能够一边避免与处理液的配管发生干渉，一边容易地设置气体喷嘴32。
[0074] 图12是示出图11所示的例子中的盖构件12的其它例子的图。盖构件12的下表面121包括倾斜面122，该倾斜面122处于气体喷嘴32附近并随着离开气体喷嘴32而朝向上方。通过设置沿着气体的流向的倾斜面122，盖构件12的下表面121上的处理液顺着气体的流向而平稳地流动。由此，例如与为了使盖构件12的中央部变薄而设置阶梯差的情况相比，能够从盖构件12的下表面121容易地除去大范围内的处理液91。
[0075] 图13是示出设置回收部35来代替图6的遮蔽部312的例子的图。回收部35设置为覆盖盖构件12和喷嘴块311之间的间隙30的外侧，并与排出路径59相连接。从间隙30漏出的处理液的液滴或者微粒子被回收部35接受，并从排出路径59回收。由此，能够防止处理液经由间隙30从处理槽10向外部漏出的情况。
[0076] 上面，对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，而能够进行各种变更。
[0077] 可以在各种时机喷出气体，例如，也可以在没有进行预调温的情况下搬出基板9而盖构件12刚刚关闭搬入口110之后开始喷出气体。相反地，也可以仅在盖构件12即将打开搬入口110之前喷出气体。进而，也可以在处理基板9过程中喷出气体。
[0078] 气体可以是空气，也可以是其它种类的气体。也可以通过控制部7调整气体的流量。也可以在处理液喷嘴31上下摆动的情况下，从处理液喷嘴31本身朝向盖构件12的下表面喷出气体。
[0079] 在图1所示的结构中，气体喷嘴32也可以仅设置在槽主体11的与多个基板9的外缘部相向的一个侧壁111上。在该情况下，气体在盖构件12的下表面上仅向一个方向流动。通过将气体喷嘴32设置在与基板9的外缘部相向的至少一个侧壁111上，与将气体喷嘴32设置在与基板9的主面相向的侧壁111上的情况相比，能够缩短处理液91的液滴的移动距离，且能够适当地除去大范围内的液滴。
[0080] 气体喷嘴32也可以是一个。即，在基板处理装置1中，至少设置一个气体喷嘴32。气体喷嘴32的开口可以是各种形状，例如也可以是沿着水平方向延伸的狭缝状。
[0081] 也可以在气体喷嘴32设置于槽主体11的与基板9的外缘部相向的侧壁111上的情况下，应用如图12所示那样在盖构件12的下表面121上设置倾斜面122的方法。盖构件12可以不必直接设置在槽主体11上，例如也可以使槽主体11容置在腔室内而在该腔室设置盖部。在该情况下，实际上也通过盖部来开闭槽主体11的上部的开口即搬入口。盖部并不一定具有一对盖构件12，可以具有一个构件，也可以具有三个以上构件。
[0082] 处理液喷嘴31也可以设置在盖构件12。就与后调温同样的调温动作而言，可以在处理基板9的过程中进行，也可以在搬入或搬出基板9时进行。
[0083] 在图13所示的回收部35上除了排出路径59之外，也可以设置吸引气体的排气路径。也可以在排气路径上设置气液分离机构。
[0084] 在基板处理装置1中进行的处理并不限定于通过SPM溶液进行的处理，也可以是所谓SC-1（使用氨水、过氧化氢、纯水的混合液来以高温处理的清洗处理）或SC-2（使用盐酸、过氧化氢、纯水的混合液的清洗处理）等其它处理。进而，通过基板处理装置1处理的处理对象并不限定于半导体基板，也可以是在显示装置、光磁盘、光掩模、太阳能电池等中使用的各种基板。
[0085] 上述实施方式以及各变形例中的结构，在不相互矛盾的情况下可以适当地进行组合。
[0086] 详细描述并说明了发明，但是上述的说明是例示而非限定。因此，可以认为，在不脱离本发明的范围的情况下，可以有各种变形和方式。
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