等离子体喷镀装置
阅读：198发布：2023-01-10
专利汇可以提供等离子体喷镀装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种通过减少成为了熔滴的粒子表面的 氧 化从而可形成氧化物少的喷 镀 覆膜的 等离子体 喷镀装置。该等离子体喷镀装置具备：第一气体 喷嘴 (10)，在 阴极 (40)的外周形成第一气体通路(11)以 覆盖 阴极(40)的前端部；第二气体喷嘴(20)，配置于第一气体喷嘴(10)的外侧形成第二气体通路(21)；以及第三气体喷嘴(30)，在第一气体喷嘴(10)与第二气体喷嘴(20)之间，形成喷射第三气体的第三气体通路(31)，其中上述第三气体用于在等离子体火焰(F)的外周部接受等离子体火焰(F)的热而成为高温的气体喷射。，下面是等离子体喷镀装置专利的具体信息内容。
1.一种等离子体喷镀装置，具备：阴极；在该阴极的外周形成第一气体通路以覆盖上述阴极的前端部的第一气体喷嘴；配置于该第一气体喷嘴的外侧形成第二气体通路的第二气体喷嘴；以及向该第二气体喷嘴的喷嘴口附近供给喷镀用的金属丝的金属丝通路，其中，利用在从上述金属丝通路供给的上述金属丝的前端与上述阴极之间生成的电弧，使得从上述第一气体喷嘴喷射的第一气体等离子体化，形成从上述第一气体喷嘴喷射的等离子体火焰，使上述金属丝的前端成为熔滴，利用上述等离子体火焰和从上述第二气体喷嘴喷射的第二气体将该熔滴喷射至被处理物上，其中，
上述等离子体喷镀装置还具备：第三气体喷嘴，该第三气体喷嘴在上述第一气体喷嘴与上述第二气体喷嘴之间，形成喷射第三气体的第三气体通路，其中上述第三气体用于在上述等离子体火焰的外周部接受上述等离子体火焰的热而成为高温的气体喷射。
2.如权利要求1所述的等离子体喷镀装置，
上述第三气体的流量按照体积比为上述第一气体的流量的20～50％且为上述第二气体的流量的5～10％。
3.如权利要求1或2所述的等离子体喷镀装置，
上述第三气体为压缩空气或二氧化碳。
4.如权利要求1或2所述的等离子体喷镀装置，
上述第三气体为惰性气体。
5.如权利要求1至4的任一项中所述的等离子体喷镀装置，
上述第一气体为压缩空气。
等离子体喷镀装置
技术领域
背景技术
[0002] 图7是示意性地示出了现有的等离子体喷镀装置的剖面图。如图7所示，现有的等离子体喷镀装置90具备：形成第一气体通路91a的第一气体喷嘴91；配置于第一气体喷嘴91的外侧，形成第二气体通路92a的第二气体喷嘴92；配置于第一气体喷嘴91的喷嘴口91b和第二气体喷嘴92的喷嘴口92a的大致中心轴上的阴极93；电源装置94；以及在第二气体喷嘴92的喷嘴口92a的附近供给喷镀用的导电性的金属丝W的金属丝导向孔95。
[0003] 金属丝W从金属丝导向孔95朝向喷嘴口92a的中心轴向斜前方进行供给。然后，从第一气体通路91a喷出的第一气体借助于经第二气体喷嘴92与电源装置94的阳极侧间接连接的金属丝W和与电源装置94的阴极侧连接的阴极93之间所生成的电弧被等离子体化，成为等离子体火焰F，使金属丝W成为熔滴D进行喷射。该熔滴D借助于从第二气体通路92a向第二气体喷嘴92的前方喷射的第二气体被进一步微细化并进一步被加速，被喷射至被处理物T上，形成喷镀覆膜S。
[0004] 再有，在这样的现有等离子体喷镀装置90中，采用氮气或氩气等惰性气体作为第一气体，采用压缩空气、氮气或二氧化碳等气体作为第二气体(例如，参照专利文献1)。然而，在实际运用的情况下，由于氮气或二氧化碳等作为第二气体使运转成本增高，故利用低成本的压缩空气。在等离子体喷镀装置90中，由于利用作为该第二气体的压缩空气包围被等离子体化了的第一气体，可使被等离子体化了的第一气体的喷射变细，而且实现第一气体的高速化成为可能。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1：日本特开平9-308970号公报。
[0008] 可是，在现有的等离子体喷镀装置90中，由于利用第二气体的喷射使熔融了的金属丝W的熔滴D进一步变细，并且给予各熔滴D以充分的速度，故喷镀覆膜S中的金属材料因熔融时作为第二气体的压缩空气的急剧会聚而从等离子体火焰F的外周部产生扰乱。因此，成为了熔滴D的粒子的表面氧化，在喷镀覆膜S中包含有金属材料的氧化物。
发明内容
[0009] 因此，在本发明中，其目的在于，提供一种通过减少成为了熔滴的粒子表面的氧化从而可形成氧化物少的喷镀覆膜的等离子体喷镀装置。
[0010] 本发明的等离子体喷镀装置具备：阴极；在该阴极的外周形成第一气体通路以覆盖阴极的前端部的第一气体喷嘴；配置于该第一气体喷嘴的外侧形成第二气体通路的第二气体喷嘴；以及向该第二气体喷嘴的喷嘴口附近供给喷镀用的金属丝的金属丝通路，其中，利用在从金属丝通路供给的金属丝的前端与阴极之间生成的电弧，使得从第一气体喷嘴喷射的第一气体等离子体化，形成从第一气体喷嘴喷射的等离子体火焰，使金属丝的前端成为熔滴，利用等离子体火焰和从第二气体喷嘴喷射的第二气体将该熔滴喷射至被处理物上，等离子体喷镀装置还具备：第三气体喷嘴，该第三气体喷嘴在第一气体喷嘴与第二气体喷嘴之间，形成喷射第三气体的第三气体通路，其中该第三气体用于在等离子体火焰的外周部接受等离子体火焰的热而成为高温的气体喷射。
[0011] 按照本发明的等离子体喷镀装置，从配置于第一气体通路与第二气体通路之间的第三气体通路喷射的第三气流的内侧，接受等离子体火焰的热而形成高温的气体喷射。由于利用该高温的气体喷射，因喷射至其外侧的第二气体的急剧会聚而从等离子体火焰的外周部产生的扰乱受到抑制，防止了等离子体火焰的扩散，故成为了熔滴的粒子表面的氧化减少了。
[0012] 在此处，作为第三气体可采用压缩空气或二氧化碳等，但作为第三气体优选采用氩气或氮气等惰性气体。在作为第三气体采用了惰性气体的情况下，防止了因第二气体的急剧会聚而从等离子体火焰的外周部产生的扰乱，并且在等离子体火焰的外周部形成接受了等离子体火焰的热的高温惰性气体喷射。由此，熔滴的粒子由于在高温惰性气体喷射中被微细化并被加速，故受到保护而免受第二气体造成的氧化。
[0013] 另外，在本发明的等离子体喷镀装置中，即使是在第一气体中采用了压缩空气的情形，也可形成氧化少的喷镀覆膜。在第一气体中采用了压缩空气的情形下，第一气体中虽然包含约20％的氧，但在气体等离子体化的状态下，由于可以说使喷镀金属氧化的作用少了，故即使采用压缩空气作为第一气体，喷镀覆膜的氧化也应减少。然而，在现有的等离子体喷镀装置中，在因第二气体的急剧会聚而等离子体火焰受到扰乱的情况下，由于熔滴的氧化过度增进，所以在第一气体中采用了压缩空气的情况下，覆膜的品质下降。另一方面，在本发明的等离子体喷镀装置中，利用第三气体在等离子体火焰的外周部形成接受了等离子体火焰的热的高温气体喷射，由于可防止因第二气体的急剧会聚而造成的等离子体火焰的扰乱，故即使是在第一气体中采用了压缩空气的情形，也可形成氧化少的喷镀覆膜。
[0014] 发明效果
[0015] (1)由于通过具备第三气体喷嘴，该第三气体喷嘴在第一气体喷嘴与第二气体喷嘴之间，形成喷射第三气体的第三气体通路，该第三气体用于在等离子体火焰的外周部接受等离子体火焰的热而成为高温的气体喷射，由此，防止等离子体火焰的扩散，减少成为了熔滴的粒子表面的氧化，故形成氧化物少的喷镀覆膜成为可能。
[0016] (2)由于在采用了惰性气体作为第三气体的情况下，在等离子体火焰的外周部形成接受了等离子体火焰的热的高温惰性气体喷射，熔滴的粒子在高温惰性气体喷射中被微细化并被加速，故进而受到保护而免受第二气体造成的氧化，形成氧化物更少的喷镀覆膜成为可能。
[0017] (3)由于即使是采用了压缩空气作为第一气体的情形，也可利用第三气体在等离子体火焰的外周部形成接受了等离子体火焰的热的高温气体喷射，可防止因第二气体的急剧会聚而造成的等离子体火焰的扰乱，故形成氧化少的喷镀覆膜成为可能。附图说明
[0018] 图1是本发明的实施方式中的等离子体喷镀装置的概略构成图。
[0019] 图2是示出图1的等离子体喷镀焰炬的主要部分的细节的纵剖面图。
[0020] 图3是图2的A向视图。
[0021] 图4是图1的等离子体喷镀焰炬的动作说明图。
[0022] 图5是示出金属丝通路的剖面形状和金属丝所受的力的方向的说明图。
[0023] 图6是示出自然电位测定方法的说明图。
[0024] 图7是示意性地示出了现有的等离子体喷镀装置的剖面图。
具体实施方式
[0025] 图1是本发明的实施方式中的等离子体喷镀装置的概略构成图。图2是示出图1的等离子体焰炬的主要部分的细节的纵剖面图。图3是图2的A向视图。图4是图1的等离子体焰炬的动作说明图。
[0026] 在图1中，本发明的实施方式中的等离子体喷镀装置1具有：利用等离子体火焰将成为了熔滴的金属丝W喷射至被处理物上的等离子体喷镀焰炬2；向等离子体喷镀焰炬2供给第一气体和第二气体的气体供给源3；向等离子体喷镀焰炬2供给工作电力的电源4；卷绕了金属丝W的金属丝卷轴5；矫正从金属丝卷轴5引出的金属丝W的卷绕缺陷的金属丝矫正机6；以及由金属丝运送管8向等离子体喷镀焰炬2供给金属丝W的金属丝供给机构7。
[0027] 如图2所示，等离子体喷镀焰炬2具备：形成第一气体通路11的第一气体喷嘴10；配置于第一气体喷嘴10的外侧形成第二气体通路21的第二气体喷嘴20；配置于第一气体喷嘴10与第二气体喷嘴20之间形成第三气体通路31的第三气体喷嘴30；配置于第一气体喷嘴10的喷嘴口12和第二气体喷嘴20的喷嘴口22的大致中心轴上的阴极40；以及向第二气体喷嘴20的喷嘴口22附近供给喷镀用的金属丝W的金属丝通路50。
[0028] 第一气体喷嘴10以覆盖阴极40的前端部的方式形成，在阴极40的外周形成第一气体通路11。供给到该第一气体通路11中的第一气体是用于使等离子体火焰产生、使金属丝的前端成为熔滴的气体，是氮气或氩气等惰性气体。或者，作为该第一气体，用压缩空气也是可能的。由第一气体通路11所供给的第一气体一边围绕阴极40的外周旋转一边供给，从第一气体喷嘴10的喷嘴口12向第二气体喷嘴20的前方喷射。
[0029] 第三气体喷嘴30以包围第一气体喷嘴10的外侧的方式形成，在第一气体喷嘴10的外周形成第三气体通路31。第三气体是用于在利用第一气体产生的等离子体火焰的外周部接受等离子体火焰的热而形成高温的气体喷射的气体，是压缩空气或二氧化碳等气体。第二气体喷嘴20以包围第三气体喷嘴30的外侧的方式形成，在第三气体喷嘴30的外周形成第二气体流路21。相对于用第一气体所形成的等离子体火焰的喷射，第二气体是用于以急剧会聚的方式从外侧喷射，使熔滴进一步变细，并且给予熔滴以足够的速度喷射至被处理物上的气体，是压缩空气或二氧化碳等气体。
[0030] 第一气体由于随着气体流量的变化而使等离子体火焰的温度及速度和产生电压适当地变化，故优选其流量为50～120[L/分钟]的范围。再有，在第一气体的流量不足50[L/分钟]的情况下，等离子体火焰的速度减慢，喷镀覆膜的品质降低。另一方面，在第一气体的流量超过120[L/分钟]的情况下，由于等离子体火焰的速度加快，温度降低，故喷镀覆膜的品质降低。
[0031] 相对于如上所述用第一气体形成的等离子体火焰的喷射，第二气体由于以急剧会聚的方式从外侧喷射，使熔滴进一步变细，并且给予熔滴以足够的速度，故优选其流量为250～500[L/分钟]。再有，在第二气体的流量不足250[L/分钟]的情况下，由于不足以使熔滴变细，此外给予熔滴以足够的速度的效果减弱，故喷镀覆膜的品质降低。另一方面，在第二气体的流量超过500[L/分钟]的情况下，由于使熔滴变得过细，并且使熔滴过度冷却，故喷镀覆膜的品质降低。
[0032] 第三气体由于在如上所述利用第一气体产生的等离子体火焰的外周部接受等离子体火焰的热而形成高温的气体喷射，故按照体积比设为第一气体的流量的20～50％的范围，而且，由于可抑制因第二气体喷射造成的等离子体火焰的扰乱及气体扩散，故优选按照体积比设为第二气体的流量的5～10％的范围。另外，为了更有效地发挥因第二气体喷射造成的等离子体火焰的扰乱及气体扩散的抑制效果，优选使第三气体的流量与第二气体的流量的增减联动地发生变化，在第二气体的流量少的情形下，第三气体的流量也减少，在第二气体的流量多的情形下，第三气体的流量也增多。
[0033] 再有，在第三气体的流量不足第一气体的流量的20％或不足第二气体的流量的5％的情况下，由于减少了利用第三气体的喷射抑制等离子体火焰的扰乱及气体扩散的效果，故难以得到喷镀覆膜的品质提高的效果。另一方面，在第三气体的流量超过第一气体的流量的50％或超过第二气体的流量的10％的情况下，由于第三气体的喷射强烈地产生，故其内侧接受等离子体火焰的热而形成高温气体喷射变得不充分，无法充分地发挥抑制等离子体火焰的扰乱及气体扩散的效果，故难以得到喷镀覆膜的品质提高的效果。
[0034] 金属丝通路50由具有在第二气体喷嘴20的喷嘴口22附近形成的金属丝出口51b的第一金属丝通路51a和相对于该第一金属丝通路51a以规定的倾角θ供给金属丝W的第二金属丝通路52a构成。金属丝通路50由第一金属丝通路51a和第二金属丝通路52a对金属丝W施予不超过弹性极限的范围的弯曲。
[0035] 如图3所示，第一金属丝通路51a具有在等离子体火焰的伸展方向上长的大致呈长方形的剖面形状，且呈直线状贯通配置于第二气体喷嘴20的外侧的第一金属丝导向构件51而形成。同样，第二金属丝通路52a也具有在等离子体火焰的伸展方向上长的大致呈长方形的剖面形状，且呈直线状贯通配置于偏离了第一金属丝通路51a的位置的第二金属丝导向构件52而形成。
[0036] 第一金属丝通路51a的长边方向的宽度a被设定为以10％以上且95％以下的范围大于金属丝W的直径d。另外，第一金属丝通路51a的短边方向的宽度b被设定为以3％以上且不到10％的范围大于金属丝W的直径d。再有，本实施方式中的金属丝W的直径d为1.6mm，长边方向的宽度a被设定为比金属丝W的直径d大0.2～1.5mm左右，短边方向的宽度b被设定为比金属丝W的直径d大0.05～0.15mm左右。至于第二金属丝通路52a也与此相同。
[0037] 再有，第一金属丝通路51a和第二金属丝通路52a所具有的所谓大致呈长方形的剖面形状除长方形的剖面形状外，还包含长方形的剖面形状的角部在不触及金属丝W的外表面的范围内实施了C倒角或R倒角等加工的形状。因此，在本实施方式中，金属丝W在第一金属丝通路51a和第二金属丝通路52a内也仅受相对于长边方向的平面或短边方向的平面中的任一平面都垂直的方向的力。
[0038] 另外，第二金属丝通路52a相对于第一金属丝通路51a的倾角θ为第一金属丝通路51a的中心线与第二金属丝通路52a的中心线所成的夹角。在本实施方式中，倾角θ设定为1～5°左右。另外，第二金属丝导向构件52被设置在隔开间隙c而配置第一金属丝通路51a和第二金属丝通路52a的位置上。在本实施方式中，间隙c设定为3～10mm左右。
[0039] 这样，在本实施方式的等离子体喷镀焰炬2中，通过隔开间隙c配置第一金属丝通路51a和第二金属丝通路52a，分别利用直线状的第一金属丝通路51a和第二金属丝通路52a，形成拟合性大的曲线状的金属丝通路50，对金属丝W施予不超过弹性范围的范围的弯曲。再有，也能将第一金属丝通路51a和第二金属丝通路52a分别形成为曲线状。
[0040] 电源4的阳极侧与第一金属丝导向构件51连接，对通过该第一金属丝导向构件51的第一金属丝通路51a内的金属丝W则间接地连接。另一方面，电源4的阴极侧与阴极40连接。再有，电源4的阳极侧也有时与金属丝W直接连接。
[0041] 在上述构成的等离子体喷镀装置1中，卷绕在金属丝卷轴5上的金属丝W由金属丝供给机构7向等离子体喷镀焰炬2送给时，金属丝W的强卷绕缺陷由金属丝矫正机6进行矫正，伸展为舒缓的曲线状。然后，金属丝W经金属丝运送管8供给向金属丝通路50。在金属丝通路50内，金属丝W在第一金属丝通路51a和第二金属丝通路52a内也仅受相对于长边方向的平面或短边方向的平面中的任一平面都垂直的方向的力，如图4所示，对等离子体火焰F的伸长方向施予不超过弹性极限的范围的弯曲。
[0042] 在此处，第一金属丝通路51a和第二金属丝通路52a由于具有在等离子体火焰F的伸展方向上长的大致呈长方形的剖面形状，故会在等离子体火焰F的伸展方向上逃过畸变缺陷。特别是，在本实施方式中，由于短边方向的宽度b仅被设定为以3％以上且不到10％的范围大于金属丝W的直径d，故不会逃向相对于等离子体火焰F的伸展方向呈直角的方向。因此，金属丝W的前端部分即使相对于等离子体火焰F的伸展方向有一些错位发生，也可防止向相对于等离子体火焰F的伸展方向呈直角的方向的错位，会使之位于等离子体火焰F的轴线上。
[0043] 图5表示金属丝通路的剖面形状和金属丝所受的力的方向。在图5中，大致呈长方形的剖面A是长方形剖面形状，大致呈长方形的剖面B的长方形剖面形状的角部是在不触及金属丝W的外表面的范围内实施了C倒角加工的形状，大致呈长方形的剖面C的长方形剖面形状的角部是在不触及金属丝W的外表面的范围内实施了R倒角加工的形状。在这些大致呈长方形的剖面形状中，金属丝W无论是触及长边方向的平面还是触及短边方向的平面，仅受相对于各自的平面垂直的方向的力。
[0044] 金属丝W由于即使利用金属丝矫正机构7也无法完全矫正为直线状，故残留有畸变缺陷。然后，金属丝运送管8由于作业时的等离子体喷镀焰炬2的处理，弯曲形状变化成各种状态，形不成恒定的形状。因此，当将残留有畸变缺陷的金属丝W在像这样形状不恒定的金属丝运送管8内运送时，与金属丝运送管8的形状相匹配地弯曲或扭曲的力对金属丝W起作用。利用该弯曲或扭曲的力，金属丝W一边在弹性极限内与弹簧同样自由地弯曲，一边在力的方向稳定的位置上在金属丝运送管8内曲折行进，一边被运送。
[0045] 此时，在上述的大致呈长方形的剖面形状中，金属丝W在触及短边方向的平面的情况下，受到相对于该短边方向的平面垂直的方向，即等离子体火焰F的伸展方向(以下称为“X方向”。)的力，在等离子体火焰F的伸展方向逃过畸变缺陷。而且，在仅接触该短边方向的平面时，在相对于等离子体火焰F的伸展方向呈直角的方向(以下称为“Y方向”。)的力起作用的情况下，金属丝W自由移动了短边方向的宽度b的间隙的量，触及长边方向的平面，但此时也由于相对于长边方向的平面垂直的方向(Y方向)的力起作用，故金属丝W的位置稳定。特别是，在受到扭曲力的情况下，作为X方向和Y方向的力，被分散为短边方向和长边方向的力，在相对于各面垂直的方向上力起作用，由于起了抑制金属丝W的扭曲的作用，故金属丝W的位置稳定。
[0046] 另一方面，在圆形剖面或椭圆剖面的情况下，当金属丝W触及圆形剖面或椭圆剖面的曲面时，仅受到相对于该曲面垂直的方向的力，金属丝W可沿曲面自由移动。特别是，在受到扭曲力的情况下，由于金属丝W沿曲面自由旋转，故金属丝W的扭曲得不到抑制。因此，金属丝W所受力的方向不确定，金属丝W的位置变得不定。
[0047] 这样，在本实施方式的等离子体喷镀装置1中，金属丝W的前端部分可向等离子体火焰F的中心部稳定地供给金属丝W。然后，从第一气体通路11喷出的第一气体借助于经第一金属丝导向构件51与电源4的阳极侧间接连接的金属丝W与连接至电源4的阴极侧的阴极40之间生成的电弧而被等离子体化，成为等离子体火焰F，使金属丝W成为熔滴D进行喷射。该熔滴D借助于从第二气体通路21喷射至第二气体喷嘴20的前方的第二气体而进一步被微细化，进一步被加速并被喷射至被处理物T上，形成喷镀覆膜S。
[0048] 此时，在本实施方式的等离子体喷镀装置1中，从配置于第一气体通路11与第二气体通路21之间的第三气体通路31喷射的第三气流的内侧接受等离子体火焰F的热，而形成高温气体喷射G。利用该高温气体喷射G，抑制了因喷射至其外侧的第二气体的急剧会聚而从等离子体火焰F的外周部产生的扰乱，由此可防止等离子体火焰F的气体扩散，减少已成为熔滴D的粒子的表面的氧化。由此，在被处理物T上形成氧化少的喷镀覆膜S成为可能。
[0049] 另外，就这样，在本实施方式的等离子体喷镀装置1中，由于利用第三气体在等离子体火焰F的外周部形成接受了等离子体火焰F的热的高温气体喷射，可防止因第二气体的急剧会聚而造成的等离子体火焰F的扰乱，故即使是采用了压缩空气作为第一气体的情形，形成氧化少的喷镀覆膜S也是可能的。
[0050] 另外，在采用了惰性气体即氮气或氩气等作为第三气体的情况下，如上所述，防止了因第二气体的急剧会聚而从等离子体火焰F的外周部产生的扰乱，并且在等离子体火焰F的外周部形成接受了等离子体火焰F的热的高温惰性气体喷射。由此，由于熔滴D的粒子在利用高温惰性气体喷射而防止了使粒子的成分变化的状态下被微细化并被加速，故得到保护而免受第二气体造成的氧化。由此，形成氧化进一步减少的喷镀覆膜72成为可能。
[0051] 再有，虽然在本实施方式中，将第一金属丝通路51a和第二金属丝通路52a双方均做成具有在等离子体火焰的伸展方向上长的大致呈长方形的剖面形状的通路，但也可仅将任意一方做成具有在等离子体火焰的伸展方向上长的大致呈长方形的剖面形状的通路。在这种情况下，利用具有在等离子体火焰的伸展方向上长的大致呈长方形的剖面形状的第一金属丝通路或第二金属丝通路，在等离子体火焰F的伸展方向上可逃过金属丝W的畸变缺陷，可对等离子体火焰F的中心部供给金属丝W的前端部分。
[0052] 【实施例】
[0053] 在采用了压缩空气和作为惰性气体的氮气作为第三气体的情形以及不用第三气体的情形中，进行了比较试验。在本实施例中，采用铝系合金作为喷镀材料，作为喷镀覆膜的氧化程度的指标，测定喷镀覆膜的自然电位，确认了第三气体的效果。进而，作为降低运转成本的方法，采用廉价的压缩空气作为第一气体、第二气体和第三气体的全部气体，制成喷镀覆膜，测定喷镀覆膜的自然电位，确认了3次气体的效果。图6是示出自然电位测定方法的说明图。
[0054] 如图6所示，自然电位的测定使用饱和KCl的盐桥，在试验片(试验TP)的喷镀覆膜表面上建构5w％NaCl的环境，使用饱和氯化银电极作为对照电极，利用测试仪测定了自然电位。另外，为了使电位的测定数值稳定，从测定开始起将600秒后的电位作为测定值。表1中示出试验结果的汇总，表2中示出表1的各条件下的覆膜的自然电位测定结果。
[0055] 【表1】
[0056]
[0057] 【表2】
[0058]
[0059] 如表1所示，在不用第三气体的情况和对第三气体采用了压缩空气的情况中，对第三气体采用了压缩空气的一方示出了约低60mV的电位。另外，在对第三气体采用了作为惰性气体的氮气的情况下，示出了约低150mV的值。进而，在采用了廉价的压缩空气作为全部气体的情况下，示出了约低50mV的值。由此，通过利用第三气体，可确认喷镀覆膜内部的氧化少的事实。
[0060] 产业上的可利用性
[0062] 附图标记说明
[0063] 1 等离子体喷镀装置
[0064] 2 等离子体喷镀焰炬
[0065] 3 气体供给源
[0066] 4 电源
[0067] 5 金属丝卷轴
[0068] 6 金属丝矫正机
[0069] 7 金属丝供给机构
[0070] 10 第一气体喷嘴
[0071] 11 第一气体通路
[0072] 12 喷嘴口
[0073] 20 第二气体喷嘴
[0074] 21 第二气体通路
[0075] 22 喷嘴口
[0076] 30 第三气体喷嘴
[0077] 31 第三气体通路
[0078] 40 阴极
[0079] 50 金属丝通路
[0080] 51 第一金属丝导向构件
[0081] 51a 第一金属丝通路
[0082] 52 第二金属丝导向构件
[0083] 52a 第二金属丝通路。
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