专利汇可以提供单层抛光布生产工艺专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种 抛光 材料的生产工艺。本发明提供一种与SiO2抛光工艺相适应的适合我国国情的抛光材料。它采用特殊 纤维 制成 无纺布 ,通 过热 收缩处理后,再经由具有耐 碱 耐 水 解 耐磨性 能优良的聚 氨 酯弹性体和各种添加剂所组成的二甲基甲酰胺(DMF)溶液浸渍、萃取、干燥、磨面、 净化 而成。本发明的优点是生产工艺简单,而且产品具有柔软、弹性好、强度高、耐碱性能优良和使用方便的特点。,下面是单层抛光布生产工艺专利的具体信息内容。
硅片是大规模集成电路的基本材料,而影响硅片质量的 主要因素之一就是抛光布。以前,用于硅片抛光的抛光布一 般都是长毛绒、海军呢一类的天然织物,并一直沿用铬离子 抛光工艺,采用上述抛光布和抛光工艺所抛出的硅片表面质 量较差,其表面氧化层错密度高达5×105~106/cm2。合格率 低,严重影响了大规模集成电路的发展。目前国外工业发达 国家均采用先进的SiO2抛光工艺,而这一抛光过程是在碱性 介质中进行的,所以天然织物无论在结构上还是在抗化学性 能上都无法满足要求。
本发明的目的是提供一种与SiO2抛光工艺相适应的适合 我国国情的抛光材料。
本发明的目的是这样实现的:即采用特殊纤维制成无纺 布,通过热收缩处理后,再经由具有耐碱耐水解耐磨性能优 良的聚氨酯弹性体和各种添加剂所组成的二甲基甲酰胺(DMF) 溶液浸清、萃取、干燥、磨面、净化而成。
本发明的优点是生产工艺简单,而且产品具有柔软、弹 性好、强度高、耐碱性能优良和使用方便的特点。
现以一最佳实施例对本发明作进一步描述:
首先,采用锦纶15-25%、涤纶30-45%、氯纶10-30%、粘 胶纤维15-25%、晴纶0-10%化学纤维经梳理成网、针刺形 成无纺布,再经热收缩处理制成一定密度的无纺布。其次, 在聚氨酯弹性体二甲基甲酰胺(DNF)溶液中,加入各种添加 剂所组成的浸渍液,采用湿法成型工艺,经凝固、水洗萃取 其中的DMF,从而形成多孔质的片状材料。再次,通过干燥 后的片状材料用高精度的磨革机研磨制成表面平整、细致、 多孔的单层结构抛光布。
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