等离子显示屏前面板的制作方法
专利汇可以提供等离子显示屏前面板的制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种等离子显示屏前面板的制作方法，通过蒸 镀 完ITO膜层后直接蒸镀Cr/Cu/Cr层；通过一次曝光一次显影一次 刻蚀 得到具有ITO 电极 和Cr/Cu/Cr电极的图形；经过一次不同溶液的刻蚀完成电极制作过程，通过控制各个涂层的刻蚀速率达到和 现有技术 一样的技术效果。本发明的积极效果是：减少了4个工序，可以节约4个工序的设备和所使用的材料；同时实现了ITO电极和Cr/Cu/Cr电极的一次刻蚀，提高了工序良品率；采用一 块 母版解决了现有技术中使用两块母版引起的BUS电极曝光时和已经制作好的ITO电极进行对位的 精度 问题，减少了对位偏差引起的不良影响，使显示屏的显示 质量 得到了提高。，下面是等离子显示屏前面板的制作方法专利的具体信息内容。
1.一种等离子显示屏前面板的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
1）蒸镀ITO膜：将前面板玻璃清洗后放入真空镀膜机中，使用靶材蒸镀得到130-160nm厚度的ITO膜；
2）蒸镀Cr、Cu、Cr层：将具有ITO膜层的前面板放入真空镀膜机中，在150～250℃下使用Cr靶材蒸镀底层Cr，得到厚度为0.04-0.06μm厚度的薄膜层；然后使用Cu靶材蒸镀中间层Cu，得到厚度为2-4μm厚度的薄膜层；再使用Cr靶材蒸镀上层Cr，得到厚度为
0.1μm的薄膜层；
3）Pr感光胶涂敷、曝光、显影：将具有ITO膜和Cr/Cu/Cr膜四层涂层的前面板在
0.1-0.2Mpa的压力下涂敷Pr感光胶，在70-80℃的炉温下进行干燥，得到厚度为5-20μm的连续的Pr胶层；在曝光机内通过母版对玻璃基板上的Pr胶层进行曝光，曝光量为
2
60-150mJ/cm、曝光间隙为250-400μm；然后在浓度为0.4%、温度为25-35℃的Na2CO3溶液
2
下、在0.6-0.8Kg/cm 的压力下进行显影，显影后经过水洗、再经过UV固化，得到具有Pr胶的图形；
4）刻蚀：先使用浓度为14wt%、温度为35℃的HCl刻蚀液对上层Cr进行刻蚀，接着使用浓度为3.9wt%、温度为30℃的FeCl3刻蚀液对中间层Cu进行刻蚀，然后使用浓度为4wt%的KMnO4和浓度为6wt%的Na2SiO3、温度为40℃的刻蚀液对下层Cr进行刻蚀，最后使用浓度为18wt%的HCl和浓度为11wt%的FeCl3、温度为45℃的刻蚀液对ITO层进行刻蚀；最后使用浓度为12-14wt%、温度为40℃的NaOH剥膜液剥掉Pr胶层，同时得到ITO电极和BUS电极；
5）涂敷介质层：刻蚀完毕的前面板经过清洗，在上面涂敷50μm厚度的前介质浆料，在
150℃的温度下保温20-30min进行干燥，然后在600-620℃的烧结温度下进行烧结，烧结后得到第一层介质；再在烧结后的第一层介质上涂敷50μm厚度的前介质浆料，在150℃的温度下保温20-30min进行干燥，最后在550-570℃下进行烧结，从而得到满足厚度要求的透明介质层；
6）蒸镀MgO层：将经过清洗的前面板玻璃放入MgO镀膜机真空室中，在220-250℃的温度下蒸镀MgO层，得到满足厚度要求的MgO层；蒸镀完毕后二次喷涂MgO，得到满足覆盖率要求的二次MgO层。
2.根据权利要求1所述的等离子显示屏前面板的制作方法，其特征在于：在蒸镀ITO膜时使用的靶材是由In2O3和SnO2烧结而成的靶材。
3.根据权利要求1所述的等离子显示屏前面板的制作方法，其特征在于：所述Pr感光胶为同时具有耐HCl+FeCl3混合液和KMnO4+Na2SiO3混合液刻蚀的能力。
4.根据权利要求1所述的等离子显示屏前面板的制作方法，其特征在于：所述母版能同时满足ITO电极和Cr/Cu/Cr电极的制作。
等离子显示屏前面板的制作方法
技术领域
背景技术
发明内容
2）蒸镀Cr、Cu、Cr层：将具有ITO膜层的前面板放入真空镀膜机中，在150～250℃下使用Cr靶材蒸镀底层Cr，得到厚度为0.04-0.06μm厚度的薄膜层；然后使用Cu靶材蒸镀中间层Cu，得到厚度为2-4μm厚度的薄膜层；再使用Cr靶材蒸镀上层Cr，得到厚度为
0.1μm的薄膜层；
3）Pr感光胶涂敷、曝光、显影：将具有ITO膜和Cr/Cu/Cr膜四层涂层的前面板在
0.1-0.2Mpa的压力下涂敷Pr感光胶，在70-80℃的炉温下进行干燥，得到厚度为5-20μm的连续的Pr胶层；在曝光机内通过母版对玻璃基板上的Pr胶层进行曝光，曝光量为
2
60-150mJ/cm、曝光间隙为250-400μm；然后在浓度为0.4%、温度为25-35℃的Na2CO3溶液
2
下、在0.6-0.8Kg/cm 的压力下进行显影，显影后经过水洗、再经过UV固化，得到具有Pr胶的图形；
4）刻蚀：先使用浓度为14wt%、温度为35℃的HCl刻蚀液对上层Cr进行刻蚀，接着使用浓度为3.9wt%、温度为30℃的FeCl3刻蚀液对中间层Cu进行刻蚀，然后使用浓度为4wt%的KMnO4和浓度为6wt%的Na2SiO3、温度为40℃的刻蚀液对下层Cr进行刻蚀，最后使用浓度为18wt%的HCl和浓度为11wt%的FeCl3、温度为45℃的刻蚀液对ITO层进行刻蚀；最后使用浓度为12-14wt%、温度为40℃的NaOH剥膜液剥掉Pr胶层，同时得到ITO电极和BUS电极；
5）涂敷介质层：刻蚀完毕的前面板经过清洗，在上面涂敷50μm厚度的前介质浆料，在
150℃的温度下保温20-30min进行干燥，然后在600-620℃的烧结温度下进行烧结，烧结后得到第一层介质；再在烧结后的第一层介质上涂敷50μm厚度的前介质浆料，在150℃的温度下保温20-30min进行干燥，最后在550-570℃下进行烧结，从而得到满足厚度要求的透明介质层；
6）蒸镀MgO层：将经过清洗的前面板玻璃放入MgO镀膜机真空室中，在220-250℃的温度下蒸镀MgO层，得到满足厚度要求的MgO层；蒸镀完毕后二次喷涂MgO，得到满足覆盖率要求的二次MgO层。
具体实施方式
2
层进行曝光，使用60-150mJ/cm 的曝光量，250-400μm的曝光间隙进行曝光，然后在浓度为
2
0.4%、温度为25-35℃的Na2CO3溶液下、在0.6-0.8Kg/cm 的压力下进行显影，显影后经过水洗、再经过UV固化后得到具有Pr胶的图形。
40℃的刻蚀液对下层Cr进行刻蚀，最后使用浓度为18wt%的HCl和浓度为11wt%的FeCl3、温度为45℃的刻蚀液对ITO层进行刻蚀，经过在刻蚀机里对Cr、Cu、Cr、ITO 四层结构的刻蚀得到具有ITO层和Cr/Cu/Cr层的显示电极，最后使用浓度为12-14wt%、温度为40℃的NaOH剥膜液剥掉Pr胶层，同时得到ITO电极和BUS电极。由于ITO电极和Cr/Cu/Cr电极厚度及刻蚀速率的不一致，ITO双边侧刻蚀为4-6μm，而Cr/Cu/Cr电极为25-40μm，因此制作的ITO电极和Cr/Cu/Cr BUS电极宽度可以达到不同的宽度，ITO电极要比Cr/Cu/Cr BUS电极宽，得到满足设计要求的电极。同时由于黑条和BUS电极设计在同一张母版上，所以也可以得到了黑条图形。
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