1.一种方法，其包含：
将至少一种前体组合物沉积于至少一个基板上以形成至少一种沉积结构，其中所述前体组合物包含至少两种金属络合物，包括至少一种第一金属络合物以及至少一种第二金属络合物，所述第一金属络合物包含至少一种第一金属，且所述第二金属络合物不同于所述第一金属络合物并包含至少一种不同于所述第一金属的第二金属；
处理所述沉积结构，使所述第一金属以及所述第二金属在处理结构中形成所述第一金属和所述第二金属的元素形式。
2.如权利要求1的方法，其中所述前体组合物为均匀的组合物。
3.如权利要求1的方法，其中所述前体组合物通过混合所述至少一种第一金属络合物与所述至少一种第二金属络合物来制备。
4.如权利要求1的方法，其中所述前体组合物基本上不含金属纳米粒子。
5.如权利要求1的方法，其中所述前体组合物不含金属纳米粒子。
6.如权利要求1的方法，其中所述前体组合物包含小于0.1重量%水平的金属纳米粒子。
7.如权利要求1的方法，其中所述第一金属络合物为银、金、铜、镍、铂、铱或铑络合物。
8.如权利要求1的方法，其中所述第二金属络合物为银、金、铜、镍、铂、铱或铑络合物。
9.如权利要求1的方法，其中所述第一金属络合物为银络合物且所述第二金属络合物为金络合物。
10.如权利要求1的方法，其中所述前体组合物进一步包含至少一种第三金属络合物，所述第三金属络合物不同于第一和第二金属络合物且包含至少一种不同于第一和第二金属的第三金属。
11.如权利要求1的方法，其中对于所述前体组合物，相对于总金属含量，所述第一金属的原子百分比为约10%至约90%，且所述第二金属的原子百分比为约10%至约90%。
12.如权利要求1的方法，其中对于所述前体组合物，相对于总金属含量，所述第一金属的原子百分比为约20%至约80%，且所述第二金属的原子百分比为约20%至约80%。
13.如权利要求1的方法，其中所述前体组合物进一步包含至少一种溶剂。
14.如权利要求1的方法，其中所述前体组合物进一步包含至少一种溶剂，其中所述溶剂为烃。
15.如权利要求1的方法，其中所述前体组合物进一步包含至少一种溶剂，其中所述溶剂为极性质子溶剂。
16.如权利要求1的方法，其中相对于前体组合物的总量，所述第一络合物和所述第二络合物的量为约500mg/mL或更低。
17.如权利要求1的方法，其中相对于前体组合物的总量，所述第一络合物和所述第二络合物的量为约250mg/mL或更低。
18.如权利要求1的方法，其中所述前体组合物的粘度适于在喷墨印刷中用于沉积步骤。
19.如权利要求1的方法，其中在25℃下所述前体组合物的粘度为约100cps或更低。
20.如权利要求1的方法，其中所述第一金属络合物和所述第二金属络合物各自仅包含一个金属中心。
21.如权利要求1的方法，其中所述第一金属络合物的第一金属和所述第二金属络合物的第二金属各自为(I)或(II)的氧化态。
22.如权利要求1的方法，其中所述第一金属络合物和所述第二金属络合物各自为中性络合物。
23.如权利要求1的方法，其中所述第一金属络合物包含至少一个羧酸根配体。
24.如权利要求1的方法，其中所述第一金属络合物包含至少一个多齿氨基配体。
25.如权利要求1的方法，其中所述第一金属络合物包含至少一个羧酸根配体和至少一个多齿氨基配体。
26.如权利要求1的方法，其中所述第二金属络合物包含至少一个羧酸根配体。
27.如权利要求1的方法，其中所述第二金属络合物包含至少一个含硫配体。
28.如权利要求1的方法，其中所述第二金属络合物包含至少一个羧酸根配体和至少一个含硫配体。
29.如权利要求1的方法，其中所述沉积步骤包含滴涂、旋涂、喷墨印刷、卷对卷印刷、槽模印刷、凹版印刷、微接触印刷或柔版印刷。
30.如权利要求1的方法，其中所述沉积步骤包含喷墨印刷。
31.如权利要求1的方法，其中所述沉积步骤不在真空下进行。
32.如权利要求1的方法，其中所述沉积步骤不包含溅镀。
33.如权利要求1的方法，其中所述沉积步骤不包含电化学沉积。
34.如权利要求1的方法，其中所述沉积步骤在所述基板上同一位置进行至少两次。
35.如权利要求1的方法，其中所述沉积结构为线或共顶点多边形。
36.如权利要求1的方法，其中所述基板为柔性或刚性基板。
37.如权利要求1的方法，其中所述基板为聚合基板。
38.如权利要求1的方法，其中所述基板为玻璃或半导体材料。
39.如权利要求1的方法，其中所述处理步骤为加热步骤或暴露于辐射的步骤。
40.如权利要求1的方法，其中所述处理结构的厚度为约500nm或更低。
41.如权利要求1的方法，其中所述处理步骤为低于250℃下的加热步骤。
42.如权利要求1的方法，其中所述处理步骤为低于200℃下的加热步骤。
43.如权利要求1的方法，其中所述处理结构中的两种元素金属为合金形式。
44.如权利要求1的方法，其中所述处理结构中的两种元素金属为固溶体形式。
45.如权利要求1的方法，其中所述处理结构中的两种元素金属不为固溶体形式。
46.如权利要求1的方法，其中所述前体组合物及所述处理沉积物中金属的原子比基本上相同。
47.如权利要求1的方法，其中所述前体组合物及所述处理沉积物中金属的原子比在彼此的5%以内。
48.如权利要求1的方法，其中所述前体组合物及所述处理沉积物中金属的原子比在彼此的1%以内。
49.如权利要求1的方法，其进一步包含移除至少一些所述第一金属以留下至少包含所述第二金属的纳米多孔材料。
50.如权利要求49的方法，其中所述移除步骤是化学移除。
51.如权利要求49的方法，其中所述移除不是电化学移除。
52.如权利要求49的方法，其中所述移除用酸进行。
53.如权利要求49的方法，其中所述纳米多孔材料的平均孔径为约100nm或更低。
54.如权利要求49的方法，其中回收至少一部分所移除的所述第一金属。
55.如权利要求49的方法，其中使所述纳米多孔材料进一步经受化学吸附步骤。
56.如权利要求49的方法，其中使所述纳米多孔材料进一步经化学修饰。
57.如权利要求49的方法，其中使所述纳米多孔材料进一步用于金属等离子体频率监测方法中。
58.如权利要求1的方法，其中所述第一和第二金属为银、金、铜、镍、铂、铱或铑，且所述前体组合物进一步包含至少一种溶剂。
59.如权利要求1的方法，其中所述第一和第二金属为银或金，且所述前体组合物进一步包含至少一种烃溶剂。
60.如权利要求49的方法，其中所述第一和第二金属为银或金，且所述前体组合物进一步包含至少一种烃溶剂，所述沉积步骤包含喷墨印刷，且所述处理步骤为在低于250℃的温度下的加热步骤，且通过化学侵蚀进行移除步骤。
61.一种组合物，其包含：
至少一种第一金属络合物，其中所述第一金属络合物包含第一金属以及用于所述第一金属的至少一个第一配体和至少一个不同于所述第一配体的第二配体；
至少一种第二金属络合物，其不同于所述第一金属络合物，且包含第二金属以及用于所述第二金属的至少一个第一配体和至少一个不同于所述第一配体的第二配体；
至少一种溶剂，
其中(i)所述第一金属络合物的量及所述第二金属络合物的量的选择，(ii)用于所述第一和第二金属的所述第一配体的选择以及所述第二配体的选择，及(iii)所述溶剂的选择适于提供均匀的组合物。
62.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物为银、金、铜、镍、铂、铱或铑络合物。
63.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物为银络合物。
64.如权利要求61的组合物，其中所述第二金属络合物为银、金、铜、镍、铂、铱或铑络合物。
65.如权利要求61的组合物，其中所述第二金属络合物为金络合物。
66.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物为银络合物且所述第二金属络合物为金络合物，或所述第一金属络合物为铂络合物且所述第二金属络合物为金络合物，或所述第一金属络合物为铂络合物且所述第二金属络合物为铱络合物，或所述第一金属络合物为铂络合物且所述第二金属络合物为铑络合物。
67.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物为银络合物且所述第二金属络合物为金络合物。
68.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物的所述第二配体为羧酸根。
69.如权利要求61的组合物，其中所述第二金属络合物的所述第二配体为羧酸根。
70.如权利要求61的组合物，其中所述两种络合物的所述两个第二配体相同。
71.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物和所述第二金属络合物各自为不对称络合物。
72.如权利要求61的组合物，其中相对于总金属含量，所述第一金属的原子百分比为约10%至约90%，且所述第二金属的原子百分比为约10%至约90%。
73.如权利要求61的组合物，其中相对于总金属含量，所述第一金属的原子百分比为约20%至约80%，且所述第二金属的原子百分比为约20%至约80%。
74.如权利要求61的组合物，其中所述溶剂为烃。
75.如权利要求61的组合物，其中所述溶剂为芳香烃。
76.如权利要求61的组合物，其中所述第一和第二金属络合物各自包含至少25重量%的金属。
77.如权利要求61的组合物，其中所述第一和第二金属络合物各自包含至少50重量%的金属。
78.如权利要求61的组合物，其中所述第一和第二金属络合物各自包含至少70重量%的金属。
79.如权利要求61的组合物，其中相对于组合物的总量，所述第一络合物和所述第二络合物的量为约500mg/mL或更低。
80.如权利要求61的组合物，其中相对于组合物的总量，所述第一络合物和所述第二络合物的量为约250mg/mL或更低下。
81.如权利要求61的组合物，其中所述组合物的粘度适合于喷墨印刷。
82.如权利要求61的组合物，其中所述前体组合物的粘度为约1cps至约20cps。
83.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物和所述第二金属络合物各自仅包含一个金属中心。
84.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物的所述第一金属和所述第二金属络合物的所述第二金属各自为(I)或(II)的氧化态。
85.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物包含至少一个烷基羧酸根配体。
86.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物包含至少一个氨基配体。
87.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物包含至少一个羧酸根配体及至少一个氨基配体。
88.如权利要求61的组合物，其中所述第二金属络合物包含至少一个烷基羧酸根配体。
89.如权利要求61的组合物，其中所述第二金属络合物包含至少一个含硫配体。
90.如权利要求61的组合物，其中所述第二金属络合物包含至少一个羧酸根配体及至少一个含硫配体。
91.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物为银络合物且所述第二金属络合物为金络合物。
92.如权利要求61的组合物，其中所述前体组合物完全不含金属纳米粒子。
93.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物包含至少一个羧酸根配体及至少一个胺配体，且所述第二金属络合物包含至少一个羧酸根配体及至少一个硫醚配体。
94.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物和所述第二金属络合物各自包含对于各自络合物相同的羧酸根配体。
95.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物及所述第二金属络合物各自包含具有8个或更少碳原子的羧酸根配体。
96.如权利要求61的组合物，其中所述溶剂为烃，且其中相对于组合物的总量，所述第一络合物和所述第二络合物的量为约500mg/mL或更低。
97.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物为银络合物，且所述第二金属络合物为金络合物，且其中相对于组合物的总量，所述第一络合物及所述第二络合物的量为约500mg/mL或更低。
98.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物为银络合物，且所述第二金属络合物为金络合物，且其中相对于组合物的总量，所述第一络合物及所述第二络合物的量为约500mg/mL或更低，且其中所述组合物的粘度适合于喷墨印刷。
99.如权利要求61的组合物，其中所述第一金属络合物为银络合物，且所述第二金属络合物为金络合物，其中所述前体组合物基本质上不含金属纳米粒子，且其中所述第一金属络合物的所述第一金属和所述第二金属络合物的所述第二金属各自为(I)或(II)的氧化态。
100.如权利要求61的组合物，其中相对于总金属含量，所述第一金属的原子百分比为约20%至约80%且所述第二金属的原子百分比为约20%至约80%，其中所述溶剂为烃，且其中所述第一和第二金属络合物包含至少50重量%的金属。
101.一种组合物，其包含：
至少一种第一金属络合物，其中所述第一金属络合物为包含至少一种为(I)或(II)氧化态的第一金属和至少两种配体的中性不对称络合物，其中至少一个第一配体为胺且至少一个第二配体为羧酸根阴离子；
至少一种第二金属络合物，其不同于所述第一金属络合物，其中所述第二金属络合物为包含至少一种为(I)或(II)氧化态的第二金属及至少两种配体的中性不对称络合物，其中至少一个第一配体为硫化合物且至少一个第二配体为所述第一金属络合物的所述羧酸根阴离子；
至少一种有机溶剂，且
其中相对于总金属含量，所述第一金属的原子百分比为约20%至约80%，且所述第二金属的原子百分比为约20%至约80%。
102.一种方法，其包含：
组合至少一种第一前体组合物与至少一种第二前体组合物，所述第一前体组合物包含至少一种第一金属络合物和至少一种第一溶剂，且所述第二前体组合物包含至少一种不同于所述第一金属络合物的第二金属络合物和至少一种第二溶剂，其中选择所述第一和第二前体组合物的量、所述第一和第二溶剂、以及所述第一和第二金属络合物的所述配体以形成均匀的组合物。