一种晶硅太阳能电池多层膜制备工艺
专利汇可以提供一种晶硅太阳能电池多层膜制备工艺专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及晶 硅 太阳能 电池 减反射膜制备工艺，具体涉及一种晶硅 太阳能电池 多层减反射膜制备工艺。本发明采用多次改变反应气体的通断，晶 硅片 一次进入 镀 膜 设备形成两层或多层SiNx：H减反射膜。用该工艺可以提高太阳电池 短路 电流 14-20mA，开路 电压 高1.1-5mV，效率提升0.1-0.2%，并且太阳电池分档更加集中。，下面是一种晶硅太阳能电池多层膜制备工艺专利的具体信息内容。
1.一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，在硅片的受光面设置两层以上减反射膜。
2.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，在硅片的受光面设置三层减反射膜。
3.根据权利要求2所述的一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，所述减反射膜为SiNx：H减反射膜。
4.根据权利要求2所述的一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，第一层减反射膜制备：清洗后的硅片放入管式镀膜设备中，（1）在温度400-500℃条件下，经过检漏后通入2-8slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.5-4slm SiH4，SiH4气体通入时间60-500s，形成膜厚5-50nm，折射率1.9-2.4的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入。
5.根据权利要求4所述的一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，第二层减反射膜制备：（1）在温度400-500℃条件下，通入4-10slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.1-3slm SiH4，SiH4气体通入时间
400-2000s，形成膜厚40-150nm，折射率1.8-2.0的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入。
6.根据权利要求5所述的一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，第三层减反射膜制备：（1）在温度400-500℃条件下，通入5-12slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.05-2slm SiH4，SiH4气体通入时间0-2000s，形成膜厚0-150nm，折射率1.7-1.9的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入，降温后，取出镀膜后的硅片，该减反射膜的制备工艺完成。
7.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
第一层减反射膜制备：清洗后的硅片放入管式镀膜设备中，（1）在温度440℃条件下，经过检漏后通入3.2slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.9slm SiH4，SiH4气体通入时间100s，形成膜厚9nm，折射率2.35的 SiNx：H减反射膜；
（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入；
第二层减反射膜制备：（1）在温度450℃条件下，通入5.3slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.25slm SiH4，SiH4气体通入时间200s，形成膜厚20nm，折射率1.9的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入；
第三层减反射膜制备：（1）在温度460℃条件下，通入6slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.2slm SiH4，SiH4气体通入时间1000s，形成膜厚
75nm，折射率1.7的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入，降温后，取出镀膜后的硅片，该减反射膜的制备工艺完成。
8.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，具体步骤为：
第一层减反射膜制备：清洗后的硅片放入管式镀膜设备中，（1）在温度450℃条件下，经过检漏后通入3.3slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.8slm SiH4，SiH4气体通入时间125s，形成膜厚10nm，折射率2.3的 SiNx：H减反射膜；
（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入；
第二层减反射膜制备：（1）在温度450℃条件下，通入5.3slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.25slm SiH4，SiH4气体通入时间1030s，形成膜厚80nm，折射率1.9的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入，降温后，取出镀膜后的硅片，该减反射膜的制备工艺完成。
一种晶硅太阳能电池多层膜制备工艺
技术领域
背景技术
发明内容
（2）通入0.5-4slm SiH4，SiH4气体通入时间60-500s，形成膜厚5-50nm，折射率1.9-2.4的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入。
（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入；
第二层减反射膜制备：（1）在温度450℃条件下，通入5.3slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.25slm SiH4，SiH4气体通入时间200s，形成膜厚20nm，折射率1.9的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入；
第三层减反射膜制备：（1）在温度460℃条件下，通入6slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.2slm SiH4，SiH4气体通入时间1000s，形成膜厚
75nm，折射率1.7的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入，降温后，取出镀膜后的硅片，该减反射膜的制备工艺完成。
第二层减反射膜制备：（1）在温度450℃条件下，通入5.3slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.25slm SiH4，SiH4气体通入时间1030s，形成膜厚80nm，折射率1.9的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入，降温后，取出镀膜后的硅片，该减反射膜的制备工艺完成。
图3所示为传统的单层薄膜工艺样品的开路电压图表；
图4所示为样品3的短路电流图表；
图5所示为样品2的短路电流图表；
图6所示为统的单层薄膜工艺样品的短路电流图表；
图7所示为样品3的效率图表；
图8所示为样品2的效率图表；
图9所示为传统的单层薄膜工艺样品的效率图表。
（2）通入0.25slm SiH4，SiH4气体通入时间120s，形成膜厚20nm，折射率1.97的 SiNx：H减反射膜。
（2）通入0.8slm SiH4，SiH4气体通入时间125s，形成膜厚10nm，折射率2.3的 SiNx：H减反射膜。
（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入；
第二层减反射膜制备：（1）在温度450℃条件下，通入5.3slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.25slm SiH4，SiH4气体通入时间200s，形成膜厚20nm，折射率1.9的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入；
第三层减反射膜制备：（1）在温度460℃条件下，通入6slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.2slm SiH4，SiH4气体通入时间1000s，形成膜厚
75nm，折射率1.7的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入，降温后，取出镀膜后的硅片，该减反射膜的制备工艺完成。经过丝网印刷和烧结后得到样品3。
（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入；
第二层减反射膜制备：（1）在温度400℃条件下，通入8slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入2.5slm SiH4，SiH4气体通入时间1000s，形成膜厚
100nm，折射率1.9的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入；
第三层减反射膜制备：（1）在温度400℃条件下，通入12slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入2slm SiH4，SiH4气体通入时间2000s，形成膜厚150nm，折射率1.8的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入，降温后，取出镀膜后的硅片，该减反射膜的制备工艺完成。经过丝网印刷和烧结后得到样品4。
0.5slm SiH4，SiH4气体通入时间60s，形成膜厚5nm，折射率1.9的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入；
第二层减反射膜制备：（1）在温度500℃条件下，通入4slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入1slm SiH4，SiH4气体通入时间400s，形成膜厚
25nm，折射率2.0的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入；
第三层减反射膜制备：（1）在温度500℃条件下，通入3slm NH3，然后打开等离子源进行NH3电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.9slm SiH4，SiH4气体通入时间1000s，形成膜厚
70nm，折射率1.9的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH4和NH3的通入，降温后，取出镀膜后的硅片，该减反射膜的制备工艺完成。经过丝网印刷和烧结后得到样品5。
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