专利汇可以提供原子层沉积方法和原子层沉积设备专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种 原子 层沉积 方法,包括将多个 半导体 晶片 放置进原子层沉积室内。沉积前体被与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出,以在容纳在沉积室中的晶片上形成相应的 单层 。在形成单层后,吹扫气体被从与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出。原子层沉积设备包括低于 大气压 的装载室、低于大气压的传递室和多个原子层沉积室。还披露了其他的方面和实施方式。,下面是原子层沉积方法和原子层沉积设备专利的具体信息内容。
1.一种原子层沉积方法,包括:
提供一种群集处理设备,所述群集处理设备具有低于大气压的传递 室、与传递室连接的低于大气压的装载室、和与传递室连接的低于大气压 的多个原子层沉积室;
将多个半导体晶片放置到晶片承载器上,并将晶片承载器设置在装载 室内;
将其上具有晶片的晶片承载器从装载室移动到传递室内;
将其上具有晶片的晶片承载器从传递室移动到其中一个原子层沉积 室内;以及
将材料原子层沉积到由所述一个原子层沉积室内的晶片承载器容纳 的各个晶片上。
2.根据权利要求1所述的方法,其中将多个半导体晶片放置到晶片承 载器上发生在装载室内。
3.根据权利要求1所述的方法,其中容纳有多个晶片的晶片承载器占 据由带有晶片的承载器的三个最大外部线性尺寸的产品限定的装载体积, 所述一个原子层沉积室具有不大于装载体积的125%的内部体积。
4.根据权利要求1所述的方法,其中容纳有多个晶片的晶片承载器占 据由带有晶片的承载器的三个最大外部线性尺寸的产品限定的装载体积, 所述一个原子层沉积室具有不大于装载体积的110%的内部体积。
5.根据权利要求1所述的方法,其中容纳有多个晶片的晶片承载器占 据由带有晶片的承载器的三个最大外部线性尺寸的产品限定的装载体积, 所有原子层沉积室都具有不大于装载体积的110%的各自的内部体积。
6.根据权利要求1所述的方法,其中容纳有多个晶片的晶片承载器占 据由带有晶片的承载器的三个最大外部线性尺寸的产品限定的装载体积, 所有原子层沉积室都具有不大于装载体积的110%的共同的内部体积。
7.根据权利要求1所述的方法,其中放置到晶片承载器上的多个晶片 不多于200个。
8.根据权利要求1所述的方法,其中放置到晶片承载器上的多个晶片 不多于100个。
9.根据权利要求1所述的方法,其中放置到晶片承载器上的多个晶片 不多于50个。
10.根据权利要求1所述的方法,其中放置到晶片承载器上的多个 晶片为从20个到25个。
11.根据权利要求1所述的方法,其中
容纳有多个晶片的晶片承载器占据由带有晶片的承载器的三个最大 外部线性尺寸的产品限定的装载体积,所述一个原子层沉积室具有不大于 装载体积的110%的内部体积;以及
放置到晶片承载器上的多个晶片不多于50个。
12.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:在进行原子层沉积 时,将另外的多个半导体晶片放置到另一晶片承载器上,并将所述另一晶 片承载器设置在装载室内。
13.根据权利要求12所述的方法,其中将所述另外的多个半导体晶 片放置到另一晶片承载器上发生在装载室内。
14.根据权利要求1所述的方法,进一步包括在群集处理设备内的 多个原子层沉积之后,在各个原子层沉积室内清洁晶片承载器。
15.根据权利要求14所述的方法,其中在清洁期间承载器没有容纳 晶片。
16.根据权利要求1所述的方法,其中原子层沉积包括从各个气体 入口射出沉积前体,所述各个气体入口与由一个原子层沉积室内的承载器 容纳的相应的各个晶片相关联。
17.根据权利要求16所述的方法,其中原子层沉积包括从所述各个 前体气体入口射出吹扫气体。
18.根据权利要求16所述的方法,其中原子层沉积包括从不同的各 个气体入口射出吹扫气体,所述不同的各个气体入口与由一个原子层沉积 室内的承载器容纳的相应的各个晶片相关联。
19.根据权利要求16所述的方法,其中从各个气体入口的射出是沿 相应线路进行的,所述相应线路与由一个原子层沉积室内的承载器容纳的 相应的各个晶片的相应球状沉积表面平行。
20.根据权利要求16所述的方法,其中所述射出是从与由一个原子 层沉积室内的承载器容纳的每个单独晶片相关联的至少一个单独的气体 入口进行的。
21.根据权利要求20所述的方法,其中从各个气体入口的射出是沿 相应线路进行的,所述相应线路与由一个原子层沉积室内的承载器容纳的 相应的各个晶片的相应球状沉积表面平行。
22.根据权利要求16所述的方法,进一步包括在原子层沉积之后, 将带有晶片的承载器移动到传递室内,移动到另一原子层沉积室内,且将 材料原子层沉积到由另一原子层沉积室内的晶片承载器容纳的各个晶片 上。
23.一种原子层沉积方法,包括:
将多个半导体晶片定位到原子层沉积室内;
从与容纳在室内的各个晶片相关联的各个气体入口射出沉积前体,以 有效地将相应的单层形成到容纳在室内的所述各个晶片上;以及
在形成单层之后,从与容纳在室内的各个晶片相关联的各个气体入口 射出吹扫气体。
24.根据权利要求23所述的方法,其中沉积前体和吹扫气体从与各 个晶片相关联的相同的各个气体入口射出。
25.根据权利要求23所述的方法,其中沉积前体和吹扫气体从与各 个晶片相关联的不同的各个气体入口射出。
26.根据权利要求23所述的方法,包括进行另一沉积前体射出,以 有效地将另一相应的单层形成到容纳在室内的所述各个晶片上,和进行另 一吹扫气体射出。
27.根据权利要求23所述的方法,其中每个定位的晶片具有至少一 个与其相关联的单独的沉积前体入口,沉积前体从所述前体入口射出,以 有效地在每个定位的晶片上形成单层。
28.根据权利要求23所述的方法,进一步包括与容纳在室内的相应 的各个晶片相关联的多个沉积前体入口。
29.根据权利要求28所述的方法,其中所述多个沉积前体入口绕容 纳在室内的相应的各个晶片的相应周长均匀地间隔开。
30.根据权利要求28所述的方法,其中所述多个沉积前体入口绕容 纳在室内的相应的各个晶片的相应周长不均匀地间隔开。
31.根据权利要求23所述的方法,其中沉积前体和吹扫气体从与相 应的各个晶片相关联的不同的各个气体入口射出;至少一个沉积前体气体 入口和至少一个吹扫气体入口跨过相应的各个晶片完全相对。
32.根据权利要求23所述的方法,其中沉积前体和吹扫气体从与相 应的各个晶片相关联的不同的各个气体入口射出;进一步包括与容纳在室 内的相应的各个晶片相关联的多个沉积前体入口和多个吹扫气体入口。
33.根据权利要求32所述的方法,其中沉积前体入口和吹扫气体入 口绕容纳在室内的相应的各个晶片的周长交替。
34.根据权利要求23所述的方法,其中沉积前体的射出是沿与定位 在室内的相应的各个晶片的相应球状沉积表面平行的相应线路进行的。
35.一种原子层沉积设备,包括:
低于大气压的承载室,所述低于大气压的承载室用于容纳保持多个半 导体晶片的晶片承载器;
低于大气压的传递室,所述低于大气压的传递室与装载室连接,用于 容纳保持多个半导体晶片的晶片承载器;以及
多个低于大气压的原子层沉积室,所述多个低于大气压的原子层沉积 室与传递室连接,分别用于单独地容纳保持多个半导体晶片的晶片承载 器,以共同地原子层沉积到所述各个晶片上。
36.根据权利要求35所述的设备,其中容纳有多个晶片的晶片承载 器占据由带有晶片的承载器的三个最大外部线性尺寸的产品限定的装载 体积,至少一部分原子层沉积室具有不大于装载体积的125%的相应内部 体积。
37.根据权利要求35所述的设备,其中容纳有多个晶片的晶片承载 器占据由带有晶片的承载器的三个最大外部线性尺寸的产品限定的装载 体积,至少一部分原子层沉积室具有不大于装载体积的110%的相应内部 体积。
38.根据权利要求35所述的设备,其中容纳有多个晶片的晶片承载 器占据由带有晶片的承载器的三个最大外部线性尺寸的产品限定的装载 体积,所有原子层沉积室都具有不大于装载体积的110%的相应内部体积。
39.根据权利要求35所述的设备,其中所述晶片承载器保持不超过 200个的晶片。
40.根据权利要求35所述的设备,其中所述晶片承载器保持不超过 100个的晶片。
41.根据权利要求35所述的设备,其中所述晶片承载器保持不超过 50个的晶片。
42.根据权利要求35所述的设备,其中所述晶片承载器保持不超过 25个的晶片。
43.根据权利要求35所述的设备,其中
容纳有多个晶片的所述晶片承载器占据由带有晶片的晶片承载器的 三个最大外部线性尺寸的产品限定的装载体积,至少一部分原子层沉积室 具有不大于装载体积的125%的相应内部体积;以及
所述晶片承载器保持不超过50个的晶片。
44.根据权利要求35所述的设备,在至少一个所述原子层沉积室中 进一步包括各个沉积前体气体入口,在所述承载器被容纳在所述一个原子 层沉积室中时,各个沉积前体气体入口与由所述承载器容纳的相应的各个 晶片相关联。
45.根据权利要求44所述的设备,其中所述各个气体入口还构造用 于射出吹扫气体。
46.根据权利要求44所述的设备,进一步包括不同的各个吹扫气入 口,在所述承载器被容纳在所述一个原子层沉积室中时,不同的各个吹扫 气入口与由所述承载器容纳的相应的各个晶片相关联。
47.根据权利要求44所述的设备,其中所述各个气体入口用于沿着 相应的线路射出气体,所述相应的线路与由所述一个原子层沉积室中的承 载器容纳的相应的各个晶片的相应球状沉积表面平行。
48.根据权利要求44所述的设备,进一步包括至少一个单独的沉积 前体气体入口,在所述承载器被容纳在所述一个原子层沉积室中时,所述 至少一个单独的沉积前体气体入口与每个单独的晶片相关联。
49.根据权利要求48所述的设备,其中所述各个气体入口构造为沿 着相应的线路射出气体,所述相应的线路与由所述一个原子层沉积室中的 所述承载器容纳的相应的各个晶片的相应球状沉积表面平行。
50.根据权利要求35所述的设备,在至少一个所述原子层沉积室中 进一步包括各个沉积前体气体出口,在所述承载器被容纳在所述一个原子 层沉积室中时,所述各个沉积前体气体出口与由所述承载器容纳的各个晶 片相关联。
51.根据权利要求35所述的设备,其中所述承载室的内部体积适于 容纳多个所述晶片承载器。
52.一种原子层沉积设备,包括:
沉积室,所述沉积室用于容纳成批的多个半导体晶片;以及
所述沉积室内的多个沉积前体入口,各个沉积前体入口与容纳在所述 沉积室内的相应的各个晶片相关联。
53.根据权利要求52所述的设备,其中所述沉积前体入口还用于射 出吹扫气体。
54.根据权利要求52所述的设备,进一步包括多个吹扫气体入口, 所述多个吹扫气体入口与所述室内的所述沉积前体入口分离开,在所述承 载器被容纳在所述一个原子层沉积室中时,各个吹扫气体入口与所述相应 的各个晶片相关联。
55.根据权利要求52所述的设备,包括与成批容纳在所述沉积室内 的每个晶片相关联的至少一个单独的沉积前体入口。
56.根据权利要求52所述的设备,进一步包括与成批容纳在所述沉 积室内的相应的各个晶片相关联的多个沉积前体入口。
57.根据权利要求56所述的设备,其中所述多个沉积前体入口围绕 成批容纳在所述沉积室内的相应的各个晶片的相应周长均匀地间隔开。
58.根据权利要求56所述的设备,其中所述多个沉积前体入口围绕 成批容纳在所述沉积室内的相应的各个晶片的相应周长非均匀地间隔开。
59.根据权利要求52所述的设备,进一步包括:多个吹扫气体入口, 所述多个吹扫气体入口与所述室内的所述沉积前体入口分离开,在成批容 纳在所述沉积室中时,各个吹扫气体入口与所述相应的各个晶片相关联; 以及至少一个沉积前体气体入口和至少一个吹扫气体入口,所述至少一个 沉积前体气体入口和至少一个吹扫气体入口越过成批容纳在所述沉积室 中的相应的各个晶片完全相对。
60.根据权利要求52所述的设备,进一步包括:多个吹扫气体入口, 所述多个吹扫气体入口与所述室内的所述沉积前体入口分离开;以及进一 步包括:多个沉积前体入口和多个吹扫气体入口,所述多个沉积前体入口 和多个吹扫气体入口与成批容纳在所述沉积室中的相应的各个晶片相关 联。
61.根据权利要求60所述的设备,其中所述多个沉积前体入口和所 述多个吹扫气体入口围绕成批容纳在所述沉积室内的相应的各个晶片的 周长交替。
62.根据权利要求52所述的设备,其中所述前体入口构造在所述沉 积室中,用于沿着相应的线路喷射所述沉积前体,所述相应的线路与由所 述一个原子层沉积室中的所述承载器容纳的相应的各个晶片的相应球状 沉积表面平行。
63.根据权利要求52所述的设备,进一步包括所述沉积室内的多个 沉积前体气体出口,各个沉积前体气体出口与容纳在所述沉积室内的相应 的各个晶片相关联。
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