一种等离子体增强化学气相沉积炉
专利汇可以提供一种等离子体增强化学气相沉积炉专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 等离子体 增强 化学气相沉积 炉，包括沉积腔体和腔 门 ，腔门的内侧连接有 碳 化 硅 浆，碳化硅浆上放置有多个载片舟，碳化硅浆的两端分别设置有均用于均匀通过气体的前匀流板和后匀流板，优点在于关闭腔门时，前匀流板和后匀流板将沉积腔体的空腔分成前缓冲腔、主腔和后缓冲腔，使用时通过进气管输入反应气体，气体先进入前缓冲腔，然后通过前匀流板均匀的流入主腔，气体反应对主腔内的 硅片 进行 镀 膜 ，由于气体是均匀流入主腔内的，且硅片镀膜的同时通过尾气管抽气，抽出的生成物通过后匀流板均匀排出，因此主腔内的气体的浓度均匀性和 稳定性 均良好，不仅能够较好地完成镀膜，而且可使硅片的镀膜厚度均匀且致密性较好。，下面是一种等离子体增强化学气相沉积炉专利的具体信息内容。
1.一种等离子体增强化学气相沉积炉，包括具有一开口端的沉积腔体和与所述的沉积腔体的开口端相配合的腔门，所述的腔门的内侧连接有碳化硅浆，所述的沉积腔体与所述的腔门连接时所述的碳化硅浆完全位于所述的沉积腔体的空腔内，所述的碳化硅浆上放置有多个用于装载硅片的载片舟，其特征在于所述的碳化硅浆的两端分别设置有均用于均匀通过气体的前匀流板和后匀流板，所述的前匀流板和所述的后匀流板分所述的沉积腔体的空腔为前缓冲腔、主腔和后缓冲腔，所有所述的载片舟位于所述的主腔内，所述的前缓冲腔内的气体通过所述的前匀流板均匀地流向所述的主腔内，所述的主腔内的气体通过所述的后匀流板均匀地流向所述的后缓冲腔内。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体增强化学气相沉积炉，其特征在于所述的前匀流板设置于所述的碳化硅浆靠近所述的腔门的一端，所述的后匀流板设置于所述的碳化硅浆靠近所述的沉积腔体的底部的一端，所述的前缓冲腔为所述的腔门与所述的前匀流板之间的空间，所述的主腔为所述的前匀流板和所述的后匀流板之间的空间，所述的后缓冲腔为所述的后匀流板和所述的沉积腔体的底部之间的空间。
3.根据权利要求1或2所述的一种等离子体增强化学气相沉积炉，其特征在于所述的前匀流板和所述的后匀流板均为石英圆盘，所述的石英圆盘上均匀设置有多个通气孔。
4.根据权利要求3所述的一种等离子体增强化学气相沉积炉，其特征在于所述的前匀流板的直径和所述的后匀流板的直径均小于等于所述的沉积腔体的腔壁的内径。
5.根据权利要求4所述的一种等离子体增强化学气相沉积炉，其特征在于所述的腔门上贯穿设置有进气管，所述的沉积腔体的底部贯穿设置有尾气管，通过所述的进气管输入的反应气体进入所述的前缓冲腔，位于所述的前缓冲腔内的反应气体通过均匀设置于所述的前匀流板上的所述的通气孔进入所述的主腔内，在所述的主腔内反应气体反应对硅片进行镀膜，所述的尾气管抽气时反应气体反应后的生成物通过均匀设置于所述的后匀流板上的所述的通气孔进入所述的后缓冲腔，位于所述的后缓冲腔内的生成物通过所述的尾气管排出所述的沉积腔体外。
一种等离子体增强化学气相沉积炉
技术领域
背景技术
6与沉积腔体1的空腔12相连通。使用该PECVD沉积炉时，将需制备减反射膜的硅片按序装载到载片舟上，推动腔门使碳化硅浆完全进入沉积腔体的空腔内，关闭腔门，通入N2以排除空气使沉积腔体的空腔成为一个密闭室，再通过进气管通入氮气、硅烷、氨气，同时利用抽气装置通过尾气管对沉积腔体的空腔进行抽气，同时对该PEVCD沉积炉加温以对硅片进行镀膜，反应式为：
XNH3+SiH4=SiNx+（（3X+4）／2）H2
这种输入输出的通气方式，使输入到沉积腔体的空腔内的各种气体反应后的生成物能够及时地排除到沉积腔体外，新的反应气体又能及时进入沉积腔体的空腔内，确保了化学反应平衡持续正向进行，从而确保了在硅片表面沉积得到氮化硅膜。但是该PECVD沉积炉的这种通气方式也存在不足之处：由于进气管和尾气管相对沉积腔体而言较小，且进气管和尾气管分别分布于沉积腔体的两头，因此在反应过程中（即输气排气过程中）沉积腔体的空腔内的反应气体的分布即气体流实际呈香蕉状（即进气管和尾气管附近反应气体的浓度均匀性、稳定性较差，沉积腔体的空腔中间部位的反应气体的浓度均匀性、稳定性较好），如图5所示，这种气体流将导致位于沉积腔体的空腔的两头的硅片镀膜厚度不均且致密性差，从而将造成太阳能电池的表面存在明显色差。
发明内容
图3为反应气体在本发明的沉积炉内的气体流的流向示意图；
图4为现有的沉积炉的整体结构示意图；
图5为反应气体在现有的沉积炉内的气体流的流向示意图。
具体实施方式
1的底部贯穿设置有尾气管6，尾气管6与后缓冲腔16相连通，通过进气管5输入的反应气体进入前缓冲腔14，位于前缓冲腔14内的反应气体通过前匀流板8均匀地进入主腔15内，在主腔15内反应气体反应对硅片7进行镀膜，通过尾气管6对沉积腔体1进行抽气时反应气体反应后的生成物通过后匀流板9均匀地进入后缓冲腔16，位于后缓冲腔16内的生成物通过尾气管6排出沉积腔体1外。由于本沉积炉通过在碳化硅浆3的两端分别设置前匀流板8和后匀流板9，且前匀流板8和后匀流板9将沉积腔体1的空腔12分隔成前缓冲腔
14、主腔15和后缓冲腔16，因此反应气体输入沉积腔体1的空腔12时是先进入前缓冲腔
14内，再通过前匀流板8均匀地流向主腔15内，且抽气时主腔15内的反应气体反应生成的生成物是通过后匀流板9均匀地流向后缓冲腔16内，这样使得在主腔15内的反应气体是均匀分布的，即主腔15内的反应气体的浓度均匀性和稳定性均较好，如图3所示，从而使位于主腔15内的所有硅片7镀膜厚度均匀且致密性良好，有效解决了太阳能电池的表面产生色差的问题。
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