电成型金属化
专利汇可以提供电成型金属化专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供一种用于电成型金属集成 电路 结构的方法。该方法包括：穿过层间绝缘体形成诸如通孔或线的开口，露出基片表面；形成 覆盖 层 间绝缘体和基片表面的 基层 ；形成覆盖基层的触击层；形成覆盖触击层的顶层；选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面；以及，电成型覆盖触击层表面的金属结构。电成型的金属结构使用电 镀 或者无 电沉积 方法沉积。典型地，该金属是Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt或者Ag。基层、触击层和顶层可使用物理气相淀积(PVD)、 蒸发 法、反应溅射或者金属 有机化学 气相淀积(MOCVD)方法沉积。，下面是电成型金属化专利的具体信息内容。
1.一种用于电成型金属集成电路结构的方法，该方法包括：穿过第一层间绝缘体形成开口，露出基片表面；形成覆盖第一层间绝缘体和基片表面的基层；形成覆盖基层的触击层；形成覆盖触击层的顶层；选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面；以及电成型覆盖触击层表面的第一金属结构。
2.如权利要求1所述的方法，进一步还包括：使用第一金属结构作为掩膜，去除覆盖第一层间绝缘体的基层、触击层和顶层。
3.如权利要求2所述的方法，进一步还包括：保形地沉积第二层间绝缘体；穿过第二层间绝缘体形成开口，露出第一金属结构表面；形成覆盖第二层间绝缘体和第一金属结构表面的基层；形成覆盖基层的触击层；形成覆盖触击层的顶层；选择性地蚀刻以去除覆盖第一金属结构表面的顶层，露出触击层表面；电成型覆盖触击层表面的第二金属结构。
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：再结晶第一金属结构。
5.如权利要求1所述的方法，其中电成型覆盖触击层表面的第一金属结构包括使用从包括电镀和无电沉积的组中选择的工艺来沉积金属。
6.如权利要求1所述的方法，其中电成型覆盖触击层表面的第一金属结构包括沉积从包含Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt和Ag的组中选择的金属。
7.如权利要求1所述的方法，其中电成型覆盖触击层表面的第一金属结构包括形成从包括线、通孔、焊盘、电极、接触孔和层间互连的组中选择的结构。
8.如权利要求1所述的方法，其中形成基层、形成触击层、和形成顶层包括使用从包括物理气相淀积(PVD)、蒸发法、反应溅射和金属有机化学气相淀积(MOCVD)的组中选择的工艺沉积基层、触击层和顶层材料。
9.如权利要求1所述的方法，其中形成覆盖第一层间绝缘体和基片表面的基层包括由包括例如W、Ta、Ti、Zr、Mo、Cr的难熔金属、难熔金属氮化物和碳化物、混合的氮化物-碳化物和混合的氮化物-硅化物的组中选择的材料形成基层。
10.如权利要求1所述的方法，其中形成覆盖基层的触击层包括由包括Pd、Pt、Ir、Rh、Ru、Os、Ag、Au、Cu、Ni、Cr以及上述材料的合金的组中选择的材料形成触击层。
11.如权利要求1所述的方法，其中形成覆盖触击层的顶层包括由包括难熔金属、难熔金属氮化物和混合的氮化物-硅化物的组中选择的材料形成顶层。
12.如权利要求1所述的方法，其中选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面，包括：保形地沉积光致抗蚀剂(PR)层；构图PR以露出覆盖基片表面的顶层；以及蚀刻露出的顶层。
13.如权利要求12所述的方法，其中蚀刻露出的顶层包括使用从包括过氧化氢、无机酸、醇的和水的碘、溴、氯、碱金属、氨水以及上述蚀刻剂的混合物的组中选择的蚀刻剂。
14.如权利要求12所述的方法，其中保形地沉积PR层包括使用从包括烘烤和紫外线硬化的组中选择的工艺稳定该RP。
15.如权利要求1所述的方法，其中穿过第一层间绝缘体形成开口，露出基片表面，包括露出从包括硅、玻璃、陶瓷和塑料的组中选择的基片表面材料。
16.一种用于在集成电路基片上加法金属沉积的方法，该方法包括：穿过层间绝缘体形成开口，露出基片表面；在开口中附加地形成金属结构。
17.如权利要求16所述的方法，其中在开口中附加地形成金属结构包括：形成覆盖层间绝缘体和基片表面的基层；形成覆盖基层的触击层；形成覆盖触击层的顶层；选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面；以及电成型覆盖触击层表面的金属结构。
18.如权利要求16所述的方法，其中在开口附加地形成金属结构包括使用从包括电镀和无电沉积的组中选择的工艺沉积金属。
19.一种电成型的金属结构，该结构包括：具有表面的基片；覆盖基片的层间绝缘体，具有露出基片表面的开口；覆盖基片表面的基层；覆盖基层的触击层；以及覆盖触击层表面的电成型的金属结构。
20.如权利要求19所述的结构，其中金属结构从包括Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt和Ag的组中选择的金属。
21.如权利要求19所述的结构，其中金属结构是从包括线、通孔、焊盘、电极、接触孔和层间互连的组中选择的结构。
22.如权利要求19所述的结构，其中基层是从包括难熔金属比如W、Ta、Ti、Zr、Mo、Cr、难熔金属氮化物和碳化物、混合的氮化物-碳化物和混合的氮化物-硅化物的组中选择的材料。
23.如权利要求19所述的结构，其中触击层是从包括Pd、Pt、Ir、Rh、Ru、Os、Ag、Au、Cu、Ni、Cr和上述材料的合金的组中选择的材料。
24.如权利要求19所述的结构，其中基片是从包括硅、玻璃、陶瓷和塑料的组中选择的材料。
25.如权利要求19所述的结构，进一步包括：由包括难熔金属、难熔金属氮化物和混合的氮化物-硅化物的组中的材料制成的覆盖触击层的临时的顶层。
电成型金属化
技术领域
背景技术
在很大不同尺度上，约毫米级，印刷电路板(PCB)工艺形成具有导电金属线的多层板。化学相容性、基片材料一致性和杂质的严格排除的问题，阻止PCB金属化技术对IC、显示器和高级多芯片模块(MCMs)的直接按比例缩小。较大尺寸的PCB允许使用诸如直接印刷和图案转移的宏观工艺。但是，由于所涉及的严格尺寸容差，这些宏观处理不能用于IC和LCD。
在大IC基片上的金属淀积要求使用大处理室，昂贵的/复杂的气氛和温度控制设备。IC和LCD加工经常要求使用真空室。另一方面，PCB工艺要求不太复杂的设备，比如镀槽和电镀设备。
有利的，PCB加法淀积工艺的连续使用允许包括包封的微观金属结构的易于形成。这些包封结构可用第二种材料比如绝缘体填入，其可形成同轴的传输线或其它这样的结构。由于为了封闭内部空间必须形成凹入结构，使用传统的减法技术是不能容易地获得这些结构的。
如果IC和LCD的金属结构能使用加法淀积工艺将会有利。
如果传统的PCB电镀工艺能适用于IC和LCD工艺，以提供低费用、用于金属淀积的低热平衡算方案将会有利。
如果无电沉积的工艺能适用于IC和LCD加工将会有利。
发明内容
相应的，提供一种用于电成型金属集成电路结构的方法。该方法包括：穿过层间绝缘体形成诸如通孔或线的开口，露出基片表面；形成覆盖层间绝缘体和基片表面的基层；形成覆盖基层的触击层(strike layer)；形成覆盖触击层的顶层；选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面；以及，电成型覆盖触击层表面的金属结构。电成型的金属结构使用电镀或无电沉积工艺的方法沉积。典型地，该金属为Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt或Ag。
基层、触击层和顶层可使用物理气相淀积(PVD)、蒸发法、反应溅射或金属有机化学气相淀积(MOCVD)的方法沉积。基层可以是诸如W、Ta、Ti、Zr、Mo或者Cr等的材料，以列举一些例子。触击层可以是例如Pd、Pt、Ir、Rh、Ru、Os、Ag、Cu、Ni或者Cr。顶层可以是难熔金属。
上述方法附加的细节在下文阐述。
附图说明
图1是本发明电成型金属结构的局部剖视图。
图2至7示出了本发明电成型金属结构的制造中的步骤。
图8是本发明用于电成型金属集成电路结构的方法流程图。
图9是本发明用于在集成电路基片上加法金属沉积的方法流程图。
具体实施方式
触击层112覆盖基层110。触击层112可以是诸如Pd、Pt、Ir、Rh、Ru、Os、Ag、Au、Cu、Ni、Cr的材料，或者是上述材料的合金。电成型金属结构114覆盖触击层表面112。金属结构114是一种金属比如Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt或者Ag。金属结构114可以是线、孔、焊盘、电极、接触孔或者层间互连。如下文更详细的所述，作为生产工艺中的步骤，用诸如难熔金属、难熔金属氮化物或者混合的氮化物硅化物等制成材料组成的临时的顶层(图中未标出)覆盖触击层112。
功能说明图2至7示出了本发明电成型金属结构的生产步骤。过程以开接触孔或等效的结构开始，准备金属化成形。图2示出了代表性的剖面。将接触孔制成穿过一些适当的绝缘材料(ILD)，通用的基片可能是硅、玻璃、陶瓷、塑料或一些其它材料或材料的组合。此外，电子的、机电的或其它类型的装置和/或结构可能已经在基片中形成。在这种情况下，金属化的目的是在这种装置或结构之间提供电连接。例如，穿过ILD的开口可能暴露电极，沉积本发明的金属结构以与电极相接触。
如图3所示，这一步接下来是通过PVD、蒸发法、MOCVD或者其它适合的沉积技术依次沉积三个金属层。根据适宜的情况，这些沉积可以使用同样的设备或者不同的设备来实施。基层提供对相互扩散的阻挡以及金属化和基片间牢固的附着。典型地，基层是难熔金属比如W、Ta、Ti或者它们的合金，以及相应的氮化物或混合的氮化物-硅化物。触击层(strike layer)提供用于接下来的电沉积的表面。典型地，触击层是稀有金属或半稀有金属比如Pd、Pt、Ir、Rh、Ru、Os、Ag、Au、Cu、Ni、Cr或者它们的合金。顶层提供用于光致抗蚀剂附着的表面，因为提供用于电镀的良好表面的金属通常不提供对抗蚀剂附着良好的表面。这个层的候选材料与用于基层的相同，尽管基层和顶层不需要具有相同的组成。
接下来，使用传统的光刻法在基片上构图完整金属结构的光致抗蚀剂(PR)图像。这在图4中示出。
参见图5，使用光致抗蚀剂作为掩膜，在开口区域中将顶层化学蚀刻掉以露出触击层。尽管蚀刻剂的选择依赖于顶层的精确组分，用于该目的的典型的蚀刻剂是过氧化氢。作为可选择的材料，各种无机酸或其它化学溶液都可使用，只要它们基本上不浸蚀或去除光致抗蚀剂。此外，使用已知的技术比如在高温下烘烤或者紫外线硬化，可将光致抗蚀剂制作得更抗化学腐蚀。
图6描绘了电成型的金属的沉积。将铜或其它适合的导体金属比如Au或例如Ag电镀。由于抗蚀剂是绝缘的且没有电流能流过抗蚀剂层，沉积仅在开口特征中而不是在光致抗蚀剂的顶部发生。这种金属沉积的方式即“电成型”。作为替换，也可以使用无电沉积。由于无电沉积要求导电表面，基片结构保持原样。接着，金属只在图案的开口区域中而不在光致抗蚀剂上沉积。
如这里所使用的，“电镀”是一种通过有意施加电流从化学溶液沉积金属的工艺。电流施加到基片且金属在基片传导电流的区域中沉积。如此处使用的，无电沉积是一种使用由基片上预先存在的金属表面催化的氧化-还原化学反应从化学溶液沉积金属的工艺。也就是，响应于化学反应，金属在基片的金属表面上沉积。
此处使用的“电成型”是在由光致抗蚀剂或一些其它材料预先形成的样板上直接形成复杂的形状的电镀或无电沉积工艺。电成型不是在基片的整个表面上各向同性地沉积金属的保形的沉积工艺。
图7描绘了在光致抗蚀剂的移除之后电成型的金属结构。将光致抗蚀剂小心去除以免毁坏电成型的金属。这意味着光致抗蚀剂的任何硬化或其它的化学改性基本上不妨碍或阻碍抗蚀剂移除。也就是，移除技术，比如在高温下等离子体灰化，由于其毁坏金属化而不应该使用。
回到图1，示出了完成的电成型金属结构。该结构使用电成型金属结构作为掩膜借助于去除场区域中的基层、触击层和顶层来完成。为了达到这个目的可使用湿化学蚀刻或干蚀刻。而且，任何适用的去除化学方法必须不毁坏电成型金属化。
在这点上可施行进一步热处理以稳定化或再结晶该金属。但是，这一步对本发明不是必要的。该热处理可能也具有如同其初始目的的，对装置性能的改进或并不直接与互连结构相关联的其它特征的改进。
完成时，互连的单个层，如比图1所示的结构，可能被用作开始的基片，即，作为通用的基片。然后，可通过CVD、旋涂或一些其它适用的工艺涂敷电介质材料。接触孔或通孔可借助传统的光刻法构图并且在希望的位置借助化学蚀刻切透电介质层以露出电成型互连。完整的电成型工艺如图1至7所描述的重复进行，这样，制造一个两层的互连。
为制造多层的互连，电成型过程可以被重复任意次。如同在传统的蚀刻铝IC互连方案中，如果需要，可以使用层间电介质材料的化学机械抛光，以降低高度(topography)和增强光刻分辨率。但是，这一步不是本发明所必需的。
图8是用于电成型金属集成电路结构的本发明的方法的流程图。尽管为了清楚将该方法描绘成顺序的编号步骤，除了明确地声明以外，不能从数字推断出顺序。应该理解的是有些步骤可以跳过、平行地执行或者不要求保持严格的顺序来执行。该方法在步骤800开始。步骤802通过第一层间绝缘体形成开口，露出基片表面。在步骤802中露出的基片表面可能是硅、玻璃、陶瓷或者塑料。步骤804形成覆盖第一层间绝缘体和基片表面的基层。步骤806形成覆盖基层的触击层。步骤808形成覆盖触击层的顶层。步骤810选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面。步骤812电成型覆盖触击层表面的第一金属结构。
步骤812中电成型覆盖触击层表面的第一金属结构包括使用电镀或者无电沉积工艺沉积金属。步骤812沉积的金属例如Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt或者Ag。步骤812中形成的结构可能是线(导电轨迹)、通孔、焊盘、电极、接触孔或者层间互连。
步骤814去除邻近第一金属结构(在场区域内)，覆盖第一层间绝缘体的基层、触击层和顶层。步骤814使用步骤812中沉积的金属结构作为掩膜。步骤816保形地沉积第二层间绝缘体。步骤818穿过第二层间绝缘体形成开口，露出第一金属结构表面。由于步骤802至812与步骤818至828之间的相似性，步骤816至828未示出。步骤820(见步骤804)形成覆盖第二层间绝缘体和第一金属结构表面的基层。步骤822(806)形成覆盖基层的触击层。步骤824(808)形成覆盖触击层的顶层。步骤826(810)选择性地蚀刻以去除覆盖第一金属结构表面的顶层，露出触击层表面。步骤828(812)电成型覆盖触击层表面的第二金属结构。
在该方法的一些方面，进一步的步骤，步骤815使用如上所述的加热过程再结晶第一金属结构。同样步骤828之后第二金属结构也被再结晶。
另一方面，形成基层(步骤804)、形成触击层(步骤806)、形成顶层(步骤808)包括使用诸如PVD、蒸发法、反应溅射、或者MOCVD的工艺沉积基层、触击层和顶层材料。注意，这三个步骤不必使用相同的工艺。实际上，沉积的每个步骤使用不同类型的沉积方法。
在步骤804形成覆盖第一层间绝缘体和基片表面的基层，包括由难熔金属比如W、Ta、Ti、Zr、Mo、Cr，难熔金属氮化物和碳化物，混合的(难熔金属)氮化物-碳化物或者混合的氮化物-硅化物形成基层。
在步骤806中形成覆盖基层的触击层，包括由诸如Pd、Pt、Ir、Rh、Ru、Os、Ag、Au、Cu、Ni、Cr等材料或上述材料的合金形成触击层。在步骤808中形成覆盖触击层的顶层包括由诸如难熔金属、难熔金属氮化物或者混合的氮化物-硅化物材料形成顶层。如上述指出的，基层和顶层可能由相同的材料制成，但是不作要求。
在一些情况下，在步骤810中选择性地蚀刻去除覆盖基片表面的顶层包括子步骤。步骤810a保形地沉积光致抗蚀剂(PR)层。步骤810b构图PR以露出覆盖基片表面的顶层。步骤810c蚀刻露出的顶层。
使用蚀刻剂比如过氧化氢、无机酸、醇的和水的碘、溴、氯、碱金属、氨水或者上述蚀刻剂的混合物对露出的顶层蚀刻(步骤810c)。在步骤810a中PR保形沉积可能进一步包括PR稳定化工艺比如烘烤或紫外线硬化。
图9示出了本发明用于在集成电路基片上加法金属沉积的方法的流程图。该方法从步骤900开始。步骤902穿过层间绝缘体形成开口，露出基片表面。步骤904在开口中附加地形成金属结构。在一些情况下，在开口中附加地形成金属结构包括子步骤。步骤904a形成覆盖层间绝缘体和基片表面的基层。步骤904b形成覆盖基层的触击层。步骤904c形成覆盖触击层的顶层。步骤904d选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面。步骤904e电成型覆盖触击层表面的金属结构。例如，电成型覆盖触击层表面的金属结构可能包括使用电镀或无电沉积方法沉积金属。
电成型的IC金属结构和相关的沉积工艺已经提出。为使发明清楚，给出了材料的例子和特定的方法的步骤。但是，本发明不仅仅局限于这些例子。本领域技术人员可以对本发明作出其它的改变和实施例。
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