专利汇可以提供具有导电元件的多层体以及用于生产多层体的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供了在具有裸眼不可见的数个导电元件的多层体的情形中如何可以防止导电元件过多地反射回光的大量可能性。这里,可以选择导电元件的合适的表面粗糙度,或者可以在导电元件(51l)上提供至少一个附加层(54)。,下面是具有导电元件的多层体以及用于生产多层体的方法专利的具体信息内容。
1.一种具有数个导电元件(11l,21l,31l,41l,51l,61l,71l,81l,91l,101l)的多层体(1,1’,2,3,4,5,6,7,8,9,10),所述导电元件通过导电材料提供在至少第一层的第一区域中并且在俯视图中查看时在至少一个扩展方向上在范围在1μm与40μm之间的宽度上延伸,其特征在于,
由于在生产期间采取的与所述第一层的形成和/或不同于所述第一层的层(10r,43,
54,65,84,86,84b,97,107)的提供和/或合适的形成有关的措施,从所述导电元件(11l,
21l,31l,41l,51l,61l,71l,81l,91l)反射的光的比例小于没有所述措施的情况下从所述导电元件反射的光的比例,
其中所述第一层布置在支撑件(10r)上,其中漆层(12)布置在所述支撑件上(10r)至少在介于所述导电元件(11l)之间的、不同于所述第一区域的区域中,其中所述漆层(12)的折射率与所述支撑件(10r)的折射率相差至多0.2。
2.一种具有数个导电元件(11l,21l,31l,41l,51l,61l,71l,81l,91l,101l)的多层体(1,1’,2,3,4,5,6,7,8,9,10),所述导电元件通过导电材料提供在至少第一层的第一区域中并且在俯视图中查看时在至少一个扩展方向上在范围在1μm与40μm之间的宽度上延伸,其特征在于,
具有范围从400nm到800nm的波长的可见光在镜面反射中在所述导电元件处的反射率(a)小于75%,和/或
(b)与镜面反射中在所述第一区域以外没有导电材料的第二区域中的多层体的反射率相差至多50%,
其中所述第一层布置在支撑件(10r)上,其中漆层(12)布置在所述支撑件上(10r)至少在介于所述导电元件(11l)之间的、不同于所述第一区域的区域中,其中所述漆层(12)的折射率与所述支撑件(10r)的折射率相差至多0.2。
3.如权利要求2所述的多层体,其特征在于,
具有范围从400nm到800nm的波长的可见光在镜面反射中在所述导电元件处的反射率小于50%。
4.如权利要求2所述的多层体,其特征在于,
具有范围从400nm到800nm的波长的可见光在镜面反射中在所述导电元件处的反射率小于25%。
5.如权利要求2所述的多层体,其特征在于,
具有范围从400nm到800nm的波长的可见光在镜面反射中在所述导电元件处的反射率与镜面反射中在所述第一区域以外没有导电材料的第二区域中的多层体的反射率相差至多20%。
6.如权利要求1或2中的一者所述的多层体(1,1’,2,3),
其特征在于,
所述第一层(11l,21l,31l)具有平均结构深度的范围从10nm到100μm的表面起伏结构。
7.如权利要求1或2中的一者所述的多层体,其特征在于,
所述第一层(11l,21l,31l)具有平均结构深度的范围从20nm到10μm的表面起伏结构。
8.如权利要求1或2中的一者所述的多层体,其特征在于,
所述第一层(11l,21l,31l)具有平均结构深度的范围从30nm到200μm的表面起伏结构。
9.如权利要求1或2中的一者所述的多层体,其特征在于,
所述第一层(11l,21l,31l)具有平均结构深度的范围从80nm到120μm的表面起伏结构。
10.如权利要求1到2中的一者所述的多层体(1,1’),
其特征在于,
所述支撑件在面朝所述第一层的一侧具有第一表面起伏结构,所述第一表面起伏结构具有足够大的结构深度,以使得所述第一层在背向所述支撑件的上侧具有贯穿形成的第二表面起伏结构,所述第二表面起伏结构的结构深度由所述第一表面起伏结构的结构深度确定,其中所述第二表面起伏结构的结构深度至少是所述第一表面起伏结构的结构深度的
10%。
11.如权利要求1或2所述的多层体(1’),
其特征在于,
所述漆层(12)的折射率与所述支撑件(10r)的折射率相差至多0.1。
12.如权利要求10所述的多层体(1,1’),
其特征在于,
所述支撑件是多层的并且具有基板,其中复制漆层布置在所述基板上并且所述第一表面起伏结构模制到所述复制漆层中。
13.如权利要求10所述的多层体(1,1’),
其特征在于,
所述表面起伏结构或所述第一表面起伏结构至少局部地形成为不光滑结构(110s)、规则结构、特别是光栅(110b)或折射结构。
14.如权利要求1或2所述的多层体(1,1’,2,3),
其特征在于,
所述第一层(11l,21l,31l)具有相关长度和/或横向广度的范围在50nm与150μm之间的表面起伏结构。
15.如权利要求1或2所述的多层体(1,1’,2,3),其特征在于,
所述第一层(11l,21l,31l)具有相关长度和/或横向广度的范围在50nm与5μm之间的表面起伏结构。
16.如权利要求1或2所述的多层体(1,1’,2,3),
其特征在于,
所述第一层具有20nm与1μm之间的层厚度。
17.如权利要求1或2所述的多层体(1,1’),
其特征在于,
至少局部地模制到所述第一层(11l)中的表面起伏结构通过衍射、散射和/或反射使入射光从镜面反射偏离。
18.如权利要求17所述的多层体(1,1’),
其特征在于,
所述第一层(11l)中的表面起伏结构至少局部地形成为尤其具有1μm与100μm之间的相关长度的不平滑结构。
19.如权利要求17所述的多层体(1,1’),
其特征在于,
所述第一层(11l)中的表面起伏结构至少局部地形成为衍射结构、和/或形成为全息图和/或
20.如权利要求17所述的多层体(1,1’),
其特征在于,
所述第一层(11l)中的表面起伏结构至少局部地形成为蛾眼结构,所述蛾眼结构尤其形成为光栅周期的范围从100nm到400nm和/或平均结构深度的范围从40nm到10μm的两维光栅和/或直线光栅。
21.如权利要求17所述的多层体(1,1’),
其特征在于,
所述表面起伏结构是具有优选随机地分布的起伏结构和/或随机地选择的起伏参数的不平滑结构(110s),所述不平滑结构尤其形成为具有从50nm到400nm的横向尺寸和范围从
40nm到10μm的平均结构深度的统计学结构。
22.如权利要求1或2所述的多层体(4),
其特征在于,
所述第一层的所述导电材料包括金属,并且所述金属(41l)的非金属化合物(43)布置在所述第一层(41l)上。
23.如权利要求22所述的多层体(4),
其特征在于,
所述多层体在所述第一层的所述金属(41l)上具有金属氧化物(43)。
24.如权利要求22所述的多层体(4),
其特征在于,
所述金属(41l)包括银或铜,并且金属硫化物布置在所述第一层(41l)的所述金属上。
25.如权利要求22所述的多层体(4),
其特征在于,
所述第一层(41l)的所述金属被铬酸盐化。
26.如权利要求22所述的多层体(4),
其特征在于,
所述第一层(41l)的所述金属包括被阳极化的铝。
27.如权利要求1或2所述的多层体(5),
其特征在于,
所述多层体在所述第一层(51l)上具有至少一个金属层(54)。
28.如权利要求27所述的多层体(5),
其特征在于,
所述第一层(51l)的所述导电金属包括银并且所述第一层之上的所述金属层(54)包括铬。
29.如权利要求1或2所述的多层体(5,6),
其特征在于,
所述多层体在所述第一层(51l,61l)上或下方具有着色层(54,65f)。
30.如权利要求29所述的多层体(5,6),
其特征在于,
所述多层体具有支撑件(50),所述第一层(51l)布置在所述支撑件上,并且提供所述着色层的材料由于其化学性质和/或表面结构和/或所述支撑件与所述第一层之间的结构化层,与所述支撑件的粘附性要比与所述第一层的粘附性差。
31.如权利要求29所述的多层体(6),
其特征在于,
所述着色层(65f)包括光致抗蚀剂。
32.如权利要求1或2所述的多层体(5),
其特征在于,
所述多层体在所述第一层上或下方具有半导体层(54)。
33.如权利要求32所述的多层体(5),
其特征在于,
所述半导体层(54)由无机材料构成。
34.如权利要求32所述的多层体(5),
其特征在于,
所述半导体层(54)由氧化锌或者铝掺杂的氧化锌构成。
35.如权利要求32所述的多层体(5),
其特征在于,
所述半导体层(54)由有机材料构成。
36.如权利要求29所述的多层体(7,8),
其特征在于,
所述多层体具有位于所述第一层(71l,81l)与所述着色层(74,84)或者半导体层(74,
84)之间的中间层(76,68)。
37.如权利要求22所述的多层体(7,8),
其特征在于,
所述多层体具有位于所述第一层(71l,81l)与非金属化合物层或者另一金属层(74,
84)之间的中间层(76,68)。
38.如权利要求1或2所述的多层体(9,10),
其特征在于,
局部不透光(97lu,107lu)和局部透光(97ld,107ld)并且提供为具有银和氧化银颗粒的明胶层或墨水层的层(97,107)被布置在所述第一层(91,101)下方。
39.如权利要求1或2所述的多层体(1,1’,2,3,4,5,6,7,8,9,10),
其特征在于,
所述导电材料包括来自由以下各项组成的组中的至少一者:银、金、铜、铬、铝、以上提及的材料中的至少两者的合金、以及掺杂的半导体材料。
40.如权利要求1或2所述的多层体(1,1’,2,3,4,5,6,7,8,9,10),
其特征在于,
所述导电元件(11l,21l,31l,41l,51l,61l,71l,81l,91l,101l)是以直线的、弯曲的、点状的和/或网格化的条形导体的形式提供的。
41.具有如权利要求40所述的多层体(1,1’,2,3,4,5,6,7,8,9,10)的显示设备和/或触板设备。
42.具有如权利要求40所述的多层体(1,1’,2,3,4,5,6,7,8,9,10)以提供电阻线功能性的玻璃嵌板。
43.一种用于生产具有数个导电元件(11l,21l,31l)的多层体(1,1’,2,3)的过程,所述导电元件通过导电材料提供在至少第一层中并且在俯视图中查看时在至少一个扩展方向上在范围在1μm与40μm之间的宽度上延伸,其中所述导电材料施加在支撑件(10r,20,30)上,
其特征在于,
(a)所述支撑件(10r)具有贯穿形成并且决定所述第一层(11l)的表面粗糙度的高表面粗糙度,和/或(b)提供所述第一层的材料(21,31)经受处理以增加其表面粗糙度,其中漆层(12)被施加于所述支撑件(10r),所述漆层的折射率与所述支撑件(10r)的折射率相差至多0.2。
44.如权利要求43所述的过程,其特征在于,
所述漆层的折射率与所述支撑件(10r)的折射率相差至多0.1。
45.如权利要求43所述的过程,
其特征在于,
所述支撑件(10)通过机械刷光、压延、离子束处理和/或等离子体处理来经受处理以增加其表面粗糙度。
46.如权利要求43所述的过程,
其特征在于,
在施加所述第一层的导电材料之前,所述支撑件的表面变得微米结构化或纳米结构化或者将微米结构化或纳米结构化的附加层施加到所述支撑件。
47.如权利要求46所述的过程,
其特征在于,
a)所述结构化是在热冲压时或者通过使用紫外光辐射的冲压进行的,和/或b)所述附加层是通过喷墨印刷和/或另一印刷工艺来喷射、施加的,和/或c)首先至少在一个部分区域中在整个表面上施加所述附加层并且随后使用光致抗蚀剂来结构化所述附加层。
48.如权利要求43所述的过程,
其特征在于,
通过激光化学地和/或尤其通过磨擦、砂磨和/或刷光机械地处理所述第一层。
49.如权利要求43所述的过程,
其特征在于,
对提供所述第一层(21)的材料的处理是在所述导电元件(21f)的结构化之前进行的。
50.如权利要求43所述的过程,
其特征在于,
对提供所述第一层(31)的材料的处理是在用于形成所述导电元件(31l)的结构化之后进行的。
51.一种用于生产具有数个导电元件(41l,51l,61l,71l,81l)的多层体(4,5,6,7,8)的过程,所述导电元件通过金属提供在至少第一层中并且在俯视图中查看时在至少一个扩展方向上在范围在1μm与40μm之间的宽度上延伸,
其特征在于,
在所述第一层上方和/或下方提供另一层(54,65f,74,84),所述另一层比所述第一层(51l,61l,71l,81)的金属看上去更黑暗和/或更显著地散射光,
其中所述另一层是在所述金属层的结构化之后施加的,其中所述另一层是以光致抗蚀剂(65f)的形式提供的,所述光致抗蚀剂至少局部地施加在整个表面上、通过结构化的金属层曝光并且在经曝光区域(65f)中被移除。
52.如权利要求51所述的过程,
其特征在于,
所述金属(41l)经受氧化还原反应。
53.如权利要求52所述的过程,
其特征在于,
用于所述氧化还原反应的反应剂从外部馈入。
54.如权利要求52所述的过程,
其特征在于,
所述金属被施加于包括用于所述氧化还原反应的反应剂的下层。
55.如权利要求54所述的过程,
其特征在于,
通过热作用和/或等待预定的时间段来引起所述反应剂从所述下层的释放。
56.如权利要求51所述的过程,
其特征在于,
通过涂敷、印刷、刮刀法和/或离心法来施加所述另一层(54)。
57.如权利要求51所述的过程,
其特征在于,
通过以下方式促进所述另一层(54)选择性地沉积在所述金属(51l)上:
a)选择用于所述另一层(54)的材料,所述材料由于选择性的化学反应而粘附到所述第一层的金属的表面,和/或
b)通过粘附到所述金属的固体颗粒、可任选地伴随有促进粘附行为的固体颗粒来提供所述另一层,和/或
c)在其上施加所述第一层(51l)的支撑件(50)、所述第一层的金属和所述另一层(54)的材料彼此匹配,以使得所述支撑件的粘附行为确保所述另一层(54)的材料不粘附到所述支撑件并且所述金属的粘附行为确保所述另一层(54)的材料粘附到所述金属,其中所述支撑件(50)的材料和/或所述支撑件(50)的表面上的微米结构或纳米结构优选确定所述粘附行为,和/或
d)所述导电元件(51l)的金属被加热到所述另一层的材料熔化的温度,和/或
e)将光致抗蚀剂用于结构化。
58.如权利要求51所述的过程,
其特征在于,
在所述金属层的结构化之前施加所述另一层并且与所述金属层的结构化一起结构化所述另一层。
59.如权利要求58所述的过程,
其特征在于,
所述另一层以光致抗蚀剂的形式来提供以用于结构化,并且所述光致抗蚀剂留在所述金属上。
60.如权利要求51所述的过程,
其特征在于,
所述另一层包括在所述第一层的金属之前被施加于支撑件并且结构化的着色层,并且其中所述金属仅被施加于结构化的部分。
61.如权利要求51所述的过程,
其特征在于,
通过尤其包括氧化锌或者铝掺杂的氧化锌的半导体材料来提供所述另一层(54)。
62.如权利要求51所述的过程,
其特征在于,
在施加所述另一层(74,84)与施加所述第一层的金属(71l,81l)之间施加中间层(76,
86)。
63.一种用于生产具有数个导电元件的多层体的过程,所述导电元件由银提供并且在俯视图中查看时在扩展方向上在范围在1μm与40μm之间的宽度上延伸,
其特征在于,
使所述银连同油一起汽化并且使所述银沉积在支撑件上。
64.如权利要求63所述的过程,其特征在于,所述油是石蜡油或硅油。
65.一种用于生产具有数个导电元件(91l,101l)的多层体(9,10)的过程,所述导电元件通过导电材料提供在至少第一层中并且在俯视图中查看时在至少一个扩展方向上在范围在1μm与40μm之间的宽度上延伸,
其特征在于,
具有不透光区域(97lu,107lu)和透光区域(97ld,107ld)的遮蔽层(97,107)被施加于支撑件(90,100),并且a)光致抗蚀剂层(95)被施加于所述遮蔽层(97)以及金属层(91)被施加到所述遮蔽层上,或者b)金属层(101)被施加于所述遮蔽层(107)并且光致抗蚀剂层(105)被施加到所述金属层上,所述光致抗蚀剂通过所述遮蔽层曝光并且在经曝光区域中被移除。
66.如权利要求43到65中的一者所述的过程,
其特征在于,
多层体作为整体转移到载体基板,其中最新近提供的层邻接所述载体基板。
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