专利汇可以提供铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 铸造 法生产类似单晶 硅 锭晶种制作方法,涉及晶种制作方法,采用的 单晶硅 晶向为 , 电阻 率 ≥0.1Ω•cm,极性不限;依次进行以下工序:a该圆柱状单晶硅的直径选择在130~250mm之间;b断棱处反切50~350mm;c采用开方机将单晶硅加工成方棒;d采用平磨机对方棒四边进行 抛光 ;e采用截断机将硅单晶切割成每 块 高度在5~50mm的晶块;f采用化学抛光或机械抛光,对晶块进行抛光,去除表面损伤层;清洗干净,烘干 包装 ,待用。本发明的有益效果在于:通过本方法的控制,可有效地减少晶种引起的 缺陷 ,使得 铸锭 炉生长类似单晶的 质量 提高。经试验表明, 电池 片转换效率可上升0.1%左右。,下面是铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法专利的具体信息内容。
1.铸造法生产类似单晶硅锭用的晶种的制作方法,采用的单晶硅晶向为<100>,电阻率≥0.1Ω•cm,极性不限;其特征在于依次进行以下工序:
a该圆柱状单晶硅的直径选择在130~250mm之间;
b断棱处反切50~350mm;
c采用开方机将单晶硅加工成方棒;
d采用平磨机对方棒四边进行抛光;
e采用截断机将硅单晶切割成每块高度在5~50mm的晶块;
f采用化学抛光或机械抛光,对晶块进行抛光,去除表面损伤层;清洗干净,烘干包装,待用。
2.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭用的晶种的制作方法,其特征在于:其中,a该单晶硅的直径选择在140~240mm之间。
3.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭用的晶种的制作方法,其特征在于:其中,b断棱处反切100~320mm。
4.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭用的晶种的制作方法,其特征在于:其中,e将硅单晶切割成每块高度在10~45mm的晶块。
5.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭用的晶种的制作方法,其特征在于:其中,a该单晶硅的直径选择在150~230mm之间。
6.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭用的晶种的制作方法,其特征在于:其中,b断棱处反切200~300mm。
7.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭用的晶种的制作方法,其特征在于:其中,e将硅单晶切割成每块高度在15~40mm的晶块。
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