专利汇可以提供双面同时静电封接的结构型力敏传感器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且双面同时静电封接的结构型 力 敏 传感器 ,由上下两个差动电容构成, 硅 中心极板和玻璃固定极板上都有采用硅微 机械加工 技术制作图形结构,其特征在于玻璃固定极板上有金属 电极 层方便导出电容电极和引出封接 电压 的电极引线,硅中心极板上带有周边薄区 支撑 的可动岛与封接面;上、下玻璃极板和硅中心极板上都有金属压焊点,上、下玻璃的压焊点上的电极引线同时与直流电源负电极连接,硅中心极板上的压焊电极引线与直流电源正电极连接,在封接条件下可实现结构的双面同时静电封接。本设计避免了极板粘连,能够保证传感器具有良好的气密性和高的连接强度,确保极板间隙和挠度特性不受静电封接工艺的影响,不仅使传感器输出蠕变更小,具有更可靠的长期 稳定性 ,而且使封接效率显著提高,适于大批量生产。,下面是双面同时静电封接的结构型力敏传感器专利的具体信息内容。
1.双面同时静电封接的结构型力敏传感器,由玻璃-硅-玻璃极板组成差动层叠结构,硅中心极板采用双面抛光硅片,固定极板采用抛光玻璃,采用硅微机械加工技术制作,包括采用溅射工艺、光刻腐蚀工艺,压焊工艺、静电封接工艺,其特征是上、下玻璃极板和硅中心极板上都有图形结构和压焊点,上、下玻璃极板通过压焊点上的电极引线同时接电源负极,硅中心极板通过压焊点上的电极引线与直流电源正电极连接,在封接条件下实现玻璃-硅-玻璃层叠结构的双面同时静电封接。
2.根据权利要求1所述的双面同时静电封接的结构型力敏传感器,其特征在于硅电容差压传感器的层叠结构:由上至下叠放的次序为上玻璃(2a)、硅中心极板(1)、下玻璃(2b),硅材料(1)上的可动岛(4)与上玻璃(2a)、下玻璃(2b)上的金属电极层(5)相互对准,上、下玻璃极板和硅中心极板上都有图形结构和压焊点,上、下玻璃极板(2a、2b)通过压焊点上的电极引线同时接电源负极,硅中心极板通过压焊点上的电极引线(7)与电源正电极连接,
3.根据权利要求2所述的双面同时静电封接的结构型力敏传感器,其特征在于硅电容差压传感器的上玻璃(2a)、下玻璃(2b)平面中心有孔(e),上、下面及孔的侧壁均有溅射工艺形成的金属电极层(5),孔(e)侧壁的金属导电层相当于金属连线(8),将金属电极层(5)端引出作为封接电压的电极引线。
4.根据权利要求2所述的双面同时静电封接的结构型力敏传感器,其特征在于硅电容差压传感器还可以由压焊在电极层(5)上的硅铝丝作为上玻璃(2a)、下玻璃(2b)封接电压的电极引入线同时接封接电压的负极。
5.根据权利要求2所述的双面同时静电封接的结构型力敏传感器,其特征在于硅电容差压传感器中也可以直接在上玻璃(2a)、下玻璃(2b)上搭接金属电极同时接封接电压的负极。
6.一种双面同时静电封接的结构型传感器,其特征在于硅电容加速度传感器的层叠结构:由上至下叠放的次序为上玻璃(2c)、硅中心极板(1)、下玻璃(2d)、加热板(3),硅中心极板(1)上的可动岛(4)与上玻璃(2c)、下玻璃(2d)上的金属电极层(5)相互对准,硅中心极板(1)上的电极引线(7)和直流电压的正极相接,在上玻璃(2c)上表面直接搭接金属电极和直流电压的负极相连,加热板(3)连接到直流电压的负电极,下玻璃(2b)通过导电的加热板(3)也和直流电压的负极相连,上玻璃(2c)、下玻璃(2d)极板同时接等电位并接直流电压的负极。
7.根据权利要求6所述的双面同时静电封接的结构型力敏传感器,其特征在于硅电容加速度传感器的层叠结构:上玻璃(2c)也可以通过在其边缘压焊点(10)上采用压焊工艺焊上一硅铝丝作为封接电压的电极引线(9)接封接电压的负极。
8.根据权利要求6所述的双面同时静电封接的硅电容加速度传感器,其特征在于中心有一可动岛(4)的硅中心极板(1)边缘为封接面(12),在封接面上的相应部位有槽(11),可容纳上玻璃(2c)、下玻璃(2d)上的金属电极连线(8),在硅中心极板(1)的封接面之外,有预先制作的压焊点(6)和封接电压的电极引线(7)。
9.根据权利要求6所述的双面同时静电封接的硅电容加速度传感器,其特征在于上玻璃(2c)、下玻璃(2d)表面均有采用溅射、光刻工艺形成的金属电极层(5),再用光刻、腐蚀工艺将该电极层加工出与边缘压焊点(10)相连的金属电极连线(8)。
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