一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置及方法
专利汇可以提供一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置及方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种 碳 化 硅 电阻 法生长晶体的原料处理装置及方法，包括 熔化 炉 ，所述熔化炉顶部安装固定 支架 ， 激光器 下方的熔化 炉壳 体上通过合页安装有顶盖，熔化炉前方壳体镶嵌有观察窗，顶盖下方的熔化炉内安置有 石墨 坩埚 ，所述保护套下方中间向前伸出第一旋 转轴 ，第一旋钮外部嵌在熔化炉前方壳体上，石墨坩埚右侧安置石墨模件，托架底部通过 支撑 杆与支撑板相连接，所述第二 旋转轴 最前端嵌入第二旋钮之中并与第二旋钮一起同轴旋转，石墨模件右下方的熔化炉内侧底部放置有回收罐。该装置可以直接一次得到碳化硅薄片，而不是再进行冷却切割。，下面是一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置及方法专利的具体信息内容。
1.一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置，包括激光器(1)、固定支架(2)、把手(3)、顶盖(4)、合页(5)、观察窗(6)、熔化炉(7)、第一旋钮(8)、第二旋钮(9)、石墨坩埚(10)、第一旋转轴(11)、保护套(12)、支撑杆(13)、第二旋转轴(14)、支撑板(15)、回收罐(16)、石墨模件(17)、托架(18)、圆形凹槽(19)、线形凹槽(20)、卡槽(21)和卡块(22)，其特征在于：
所述熔化炉(7)顶部壳体上安装有固定支架(2)，且固定支架(2)上安装有出光方向垂直向下对准石墨坩埚中轴线的激光器(1)，所述激光器(1)下方的熔化炉(7)壳体上通过合页(5)安装有顶盖(4)，所述顶盖(4)表面安装有把手(3)，所述熔化炉(7)前方壳体镶嵌有观察窗(6)，所述顶盖(4)下方的熔化炉(7)内安置有圆柱型空心筒状的石墨坩埚(10)，且石墨坩埚(10)底部外侧套有圆柱型空心筒状的保护套(12)，所述保护套(12)下方中间向前的部位安装有垂直于保护套的中轴线向前伸出的第一旋转轴(11)，且第一旋转轴(11)最前端嵌入第一旋钮(8)之中并且可与第一旋钮一起同轴旋转，所述第一旋钮(8)设置为外部嵌在熔化炉(7)前方壳体上，所述石墨坩埚(10)右侧安置有一组至少三个石墨模件(17)，且石墨模件(17)上表面设置有圆形凹槽(19)和圆形凹槽两侧呈180°相对应的两个线形凹槽(20)，托架(18)下表面水平，托架(18)上表面呈从左至右若干高度递减的阶梯状，每一级阶梯表面都水平且每一级阶梯的高度差都在0.5-5mm之内，每一个所述石墨模件(17)下方通过卡块(22)与卡槽(21)的配合卡在托架(18)的某一个阶梯之上，所述托架(18)底部通过支撑杆(13)与支撑板(15)相连接，且支撑板(15)下方中间向前的部位安装有垂直于支撑杆(13)的中轴线向前伸出的第二旋转轴(14)，所述第二旋转轴(14)最前端嵌入第二旋钮(14)之中并且可与第二旋钮一起同轴旋转，所述第二旋钮(14)设置为外部嵌在熔化炉(7)前方壳体上，所述石墨模件(17)右下方的熔化炉(7)内侧底部放置有回收罐(16)，所述一组至少三个石墨模件(17)中的最右一个在托架(18)略右倾时，其右侧线形凹槽(20)的倾倒的位置落入所述回收罐(16)内；
所述熔化炉(7)内部后方有呈内陷圆柱形的分别容纳第一旋转轴(11)和第二旋转轴(14)的第一轴槽和第二轴槽，使得第一旋转轴(11)和第二旋转轴(14)的位置被相对固定且可旋转。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置，其特征在于：所述激光器(1)采用波长为1.2-1.8μm激光，且激光器(1)的出光线路与石墨坩埚(10)竖直放置时的中心轴线重合。
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置，其特征在于：所述顶盖(4)设置为翻转式开闭的结构。
4.根据权利要求3所述的一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置，其特征在于：所述石墨坩埚(10)右侧设置为向右扩出的楔形口，且石墨坩埚(10)与第一旋转轴(11)之间的距离大于第一旋转轴(11)与最左侧的石墨模件(17)之间的距离。
5.根据权利要求4所述的一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置，其特征在于：所述保护套(12)材质设置为石墨和陶瓷二者中任意一种，且分别通过在保护套(12)和支撑板(15)内部安装第一旋转轴(11)和第二旋转轴(14)将保护套和支撑板设置为旋转结构。
6.根据权利要求5所述的一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置，其特征在于：所述托架(18)材质设置为陶瓷，且托架(18)顶部的卡块(22)卡在石墨模件(17)底部的卡槽(21)内。
7.根据权利要求6所述的一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置，其特征在于：所述圆形凹槽(19)与线形凹槽(20)之间相互连通。
8.一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理方法，其利用如权利要求7所述的一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置以进行，其特征在于，包括以下步骤：
A、在熔化炉中安装坩埚、石墨模件组合、瓷质托架，并且在最右侧的石墨模件的右侧线性凹槽下方放置石墨回收罐，然后在坩埚中放入碳化硅物料；
B、根据托架(18)上的阶梯数量选择对应的石墨模件数量，将所有石墨模件试放于托架(18)之上，在形状符合之后，将石墨模件出现紧贴情况的边缘用碳化物涂层边缘粘接在一起，形成阶梯状；
C、保证托架(18)每层阶梯上的卡块(22)都卡在石墨模件(17)底部的卡槽(21)内，确认其基本无松动；
D、打开顶盖，用激光烧灼5-15min，直至全部熔化，并同时控制熔化炉内的加热装置加热温度至900-1200℃并保持，停止激光，关闭顶盖；
E、转动托架上的旋钮使托架略向右倾，带动全部石墨模件全部右倾2-10°之间的角度；
F、转动旋钮，使坩埚右倾，缓慢地将熔化体倒出，使至落至最左侧的石墨模件中，落在其左侧的线性凹槽上某处；
G、由于重力作用，熔化体逐个填入各个圆形凹槽内，待有熔化体开始落入回收罐中，将托架缓缓转回水平状态；
H、保温2-5min，然后，控制熔化炉内的加热装置梯度降温到常温；
I、此时每个石墨模件的各圆形凹槽内自然生成下部和侧部基本规整的碳化硅圆片，若上表面略不规则，稍加切削即可得到规整圆片。
一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置及方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
5mm之内，石墨模件17下方通过卡块22与卡槽21的配合卡在托架18的某一个阶梯之上，托架
18底部通过支撑杆13与支撑板15相连接，且支撑板15下方中间向前的部位安装有垂直于支撑杆(13)的中轴线向前伸出的第二旋转轴14，第二旋转轴14最前端嵌入第二旋钮(14)之中并且可与第二旋钮一起同轴旋转9相连接，第二旋钮9设置为外部嵌在熔化炉7前方壳体上，石墨模件17右下方的熔化炉7内侧底部放置有回收罐16；所述熔化炉7内部后方有呈内陷圆柱形的分别容纳第一旋转轴11和第二旋转轴14的第一轴槽和第二轴槽，使得第一旋转轴11和第二旋转轴14的位置被相对固定且可旋转。这里卡块22与卡槽21的深度/高度很低，例如是0.2-1.5mm之内。为了方便起见，这里的石墨模件的样式可以是完全一样的，仅仅是放置的阶梯高度不同，就可以实现略倾斜后的顺序流动。
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