集成电路设计的制造方法与系统
专利汇可以提供集成电路设计的制造方法与系统专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供集成 电路 设计的制造方法与系统，可用于局部移除多项目晶片的电路图案。该方法为先定义其中一个使用者的集成电路设计为不需移除的部分，接着通过集成电路移除方法，将属于其他客户的集成电路完全移除。随后，此部分电路已移除的多项目晶片可提供给单一使用者进行电路测量，而不需担心公开其他使用者的设计电路。在实例中，通过激光系统可对于定义移除的集成电路进行完整的移除，于过程中不会对于留下的集成电路造成任何的影响。在另一实例中，利用钻石 锯片 也可对已定义移除的集成电路进行完整的移除，在过程中不会对于定义留下的其他集成电路的电路性能造成任何的影响。，下面是集成电路设计的制造方法与系统专利的具体信息内容。
1、一种集成电路设计的制造方法，包括：
在单一多项目晶片上制作出两种或两种以上的不同集成电路设计；
对包括在所述集成电路设计中的至少一个集成电路设计的区域进行定 义，对于该区域的外侧的多项目晶片的至少一部分进行调整，该部分包括所 述集成电路设计中的至少一个集成电路设计；以及将经调整的该多项目晶片 提供给使用者。
2.如权利要求1所述的集成电路设计的制造方法，其中，对该区域的外 侧的多项目晶片的至少一部分进行调整的步骤包括：将两种或两种以上的不 同集成电路设计中的至少一个集成电路设计的一部分定义为保留区域，以及 对于剩余区域的至少一个集成电路设计的一部分进行调整。
3.如权利要求2所述的集成电路设计的制造方法，其中，对来自该多项 目晶片中的至少一个集成电路设计的一部分进行调整的步骤包括：利用激光 开槽工艺对所述集成电路设计中的至少一个集成电路设计进行破坏。
4.如权利要求3所述的集成电路设计的制造方法，其中，该激光开槽工 艺包括：
当激光光束通过加压流体室时，将该激光光束聚集于喷嘴之上；将液体 自该喷嘴射出以引导该激光光束；以及
利用经导引的该激光光束对该多项目晶片中的至少一个集成电路的该 部分进行变更、破坏或电路移除。
5.如权利要求2所述的集成电路设计的制造方法，其中，对该多项目晶 片中的至少一个集成电路设计的一部分进行调整的步骤包括：利用钻石锯片 对所述集成电路设计中的至少一个集成电路设计的该部分进行破坏。
6.如权利要求2所述的集成电路设计的制造方法，其中，对该多项目晶 片中的至少一个集成电路设计的一部分进行调整的步骤包括：利用非喷水引 导式激光对所述集成电路设计中的至少一个集成电路设计的该部分进行变 更、破坏或电路移除。
7.如权利要求1所述的集成电路设计的制造方法，其中，该区域包括来 自该使用者的多个集成电路。
8.如权利要求1所述的集成电路设计的制造方法，其中，该区域包括多 个非专用成份。
9.一种系统，用以制造多项目晶片，该系统包括：
夹盘，用于支承该多项目晶片，该多项目晶片包括多个晶粒；以及机构， 可在对所述晶粒中的至少一个晶粒进行移除时不造成其他所述晶粒的变更。
10.如权利要求9所述的系统，其中，该机构包括：激光光束，聚集于 喷嘴之上，该激光光束通过加压流体室；以及流体射流，自该喷嘴射出至该 多项目晶片的表面上，该流体射流导引该激光光束以对所述晶粒中的至少一 个晶粒进行调整。
11.如权利要求10所述的系统，其中，该流体射流可用以导引液体至该 多项目晶片。
12.如权利要求10所述的系统，其中，经由该喷嘴所射出的该流体射流 可用以防止该多项目晶片的表面产生粒子沉积。
13.如权利要求10所述的系统，其中，该激光光束可将不可识别结构建 构在该多项目晶片上的晶粒中的至少一个晶粒之上。
14.如权利要求10所述的系统，其中，该机构包括锯子。
15.一种系统，用以提供多项目晶片，该系统包括：处理系统，用以在 该多项目晶片之上制作出多个晶粒，其中，所述晶粒分别包括第一使用者的 集成电路设计与第二使用者的集成电路设计；以及钻石锯片，用以对所述晶 粒中属于该第二使用者的集成电路设计进行调整，仅保留该第一使用者的集 成电路设计。
技术领域
本发明有关于一种半导体制造工艺，可局部移除多项目晶片上的集成电 路。此应用相较于过去以晶粒方式提供成品给使用者，可顺利提供完整多项 目晶片给单一使用者做电路测量之用以节省所需时间及人力，也没有需公开 其他使用者电路设计的顾虑。
背景技术
由于将多个使用者电路设计同时合并于掩模上，完成的多项目晶片将同 时具有多个客户的电路，这些电路分别属于各个客户的专用电路设计信息 (proprietary information)，其保密性非常重要。目前的做法是对于制作完成的 多项目晶片先进行切割，分别取出各使用者的晶粒，放置在托盘(waffle tray) 之中，分别寄送给各个使用者。
虽然可通过上述技术以避免将客户的专用电路设计信息公开给其他的 客户，但仍无法满足一般客户的需求。举例而言，由于仅提供个别晶粒(非整 个晶片)，使用者常因无法一并验证晶片级测试(wafer-level testing)或封装 (packing)程序而必须延长其即时上市的时间(time-to-market)，此外很难通过 裸晶粒(bare dies)大量搜集电路的统计特性(statistical circuit information)。因 此，如何在保护其他使用者的知识产权的前提下，让多项目晶片使用者可顺 利取得完整的多项目晶片，进行晶片级测试与封装是非常重要的。因此实施 本方明解决此问题。
发明内容
本发明提供了一种集成电路设计的制造方法。本发明的集成电路设计的 制造方法包括：在单一多项目晶片上制作出两种或两种以上的不同集成电路 设计；对包括多个集成电路设计中的至少一个集成电路设计的区域进行定 义，对区域外侧的多项目晶片的至少一部分进行变更、破坏或电路移除等调 整作业，以及将经变更、破坏或电路移除的多项目晶片提供给使用者。
如上所述的集成电路设计的制造方法，其中，对该区域的外侧的多项目 晶片的至少一部分进行调整的步骤包括：将两种或两种以上的不同集成电路 设计中的至少一个集成电路设计的一部分定义为保留区域，以及对于剩余区 域的至少一个集成电路设计的一部分进行调整。在部分实施例中，对来自多 项目晶片中的至少一个集成电路设计的一部分进行变更、破坏或电路移除的 步骤包括：利用激光开槽工艺对多个集成电路设计中的至少一个集成电路设 计进行破坏。激光开槽工艺包括：当激光光束通过加压流体室时，将激光光 束聚集在喷嘴之上；将液体自喷嘴射出以引导激光光束；以及利用经导引的 激光光束对多项目晶片中的至少一个集成电路的一部分进行破坏。在部分实 施例中，由喷嘴射出的流体可采用水，如此可以减少多项目晶片的热损害。
在部分实施例中，对多项目晶片中的至少一个集成电路设计的一部分进 行破坏或电路移除的步骤包括：利用钻石锯片对多个集成电路设计中的至少 一个集成电路设计的一部分进行破坏或电路移除。在部分实施例中，对多项 目晶片中的至少一个集成电路设计的一部分进行破坏或电路移除的步骤包 括：利用非喷水引导式激光对于多个集成电路设计中的至少一个集成电路设 计的一部分进行破坏或电路移除。
如上所述的集成电路设计的制造方法，其中，该区域包括来自该使用者 的多个集成电路。
如上所述的集成电路设计的制造方法，其中，该区域包括多个非专用成 份。
本发明还提供了一种系统，此系统是用以制造多项目晶片。本发明的系 统包括：夹盘，用于支承多项目晶片，多项目晶片包括多个晶粒；以及机构， 可在对于多个晶粒中的至少一个晶粒进行移除时不造成其他晶粒的变更。在 部分实施例中，机构可包括：激光光束，聚集于喷嘴之上，激光光束通过加 压流体室；以及流体射流，自喷嘴射出至多项目晶片的表面上，流体射流导 引激光光束以对多个晶粒中的至少一个晶粒进行破坏或电路移除。在部分实 施例中，流体射流可用以导引液体至多项目晶片。
如上所述的系统，其中，经由该喷嘴所射出的该流体射流可用以防止该 多项目晶片的表面产生粒子沉积。
如上所述的系统，其中，该激光光束可将不可识别结构建构在该多项目 晶片上的晶粒中的至少一个晶粒之上。
如上所述的系统，其中，该机构包括锯子。
本发明还提供了一种系统，此系统可用以提供多项目晶片。本发明的系 统可包括：处理系统，用以在多项目晶片之上制作出多个晶粒，其中，所述 多个晶粒分别包括第一使用者的集成电路设计与第二使用者的集成电路设 计；以及钻石锯片，用以对多个晶粒中属于第二使用者的集成电路设计进行 破坏或电路移除，仅保留第一使用者的集成电路设计。
本发明可以在不必牺牲其他使用者的专用电路设计信息的情况下将多 项目晶片提供给使用者。
为了让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特 举优选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
图2A表示多项目晶片在经由激光开槽(laser grooving)后的示意图；
图2B表示在图2A的多项目晶片中的晶粒(die)的示意图；
图3A表示对于图2B的晶粒的保留区域(preserved area)进行剖切后的示 意图；
图3B表示对于图2B的晶粒的激光开槽区域(laser grooved area)进行剖切 后的示意图；以及
图4表示本发明的实施例中用以进行激光开槽的激光系统的示意图。
其中，附图标记说明如下：
10～多项目晶片
12～晶粒
14～集成电路设计
16～集成电路设计
18～保留区域
24～激光系统
26～光束
28～喷嘴
30～加压水流室
32～激光光束
5～方法
6、7、8、9～步骤
A、B～客户
具体实施方式
图1所示的方法5可用以将来自于多个个体(multiple entities)、使用者 (users)、设计者(designers)或客户(customers)(以下称之为“使用者或客户”)的 “集成电路设计(integrated circuit designs)”结合至单一晶片(single wafer)之上， 并且将此晶片提供至其中一个客户以进行晶片级测试、封装，或是其他更进 一步的程序。方法5由步骤6开始执行，并且经由多重设计(multiple designs) 对晶片进行处理。步骤7将特定客户(particular customer)之一或多种设计定 义为“保留区域(preserved areas)”。步骤8对保留区域以外的区域进行变更、 破坏或电路移除等调整作业。在实施例中，激光系统(laser system)可对剩余 区域(remaining area)进行破坏或移除，如此便可让晶片上仅留下保留区域中 的集成电路设计。步骤9将晶片提供给客户。
图2A表示多项目晶片(multi-project wafer)10，其中，多项目晶片10包 括多个晶粒(dies)12。各晶粒12表示了在多项目晶片10中的具有一个或多个 个别集成电路设计(separate integrated circuit designs)的区域。举例而言，在晶 粒中可包括10至20种设计。各集成电路设计可由不同的使用者或客户提供。 举例而言，集成电路设计14可由客户A提供，集成电路设计16可由客户B 提供。
由图2B可知，位于多项目晶片10之上的多个保留区域(preserved area)18 是经由事先定义的。虽然在图2B中仅呈现出单一晶粒与单一保留区域，但 在多项目晶片10的其他晶粒上仍可具有更多的保留区域。在实施例中，在 多个保留区域18中是包括了由客户B所提供的集成电路设计16。
通过本发明的一个或多个实施例对晶粒12的剩余区域(remaining areas) 进行变更，在多项目晶片10上的剩余区域便可被移除。当集成电路(integrated circuit)的至少一部分被移除、受损、或是经变更而使得电路无法操作 (in-operable)且无法顺利经由工程人员进行修复时，则此集成电路可视为已自 多项目晶片10之上移除或破坏，并且在此区域仍会残留有部分的集成电路 是可以理解的。
在实施例中，位于剩余区域的其他使用者所提供的部分或所有集成电路 设计是可通过激光开槽工艺(laser grooving process)进行破坏或电路移除，如 此使得各晶片仅包括了位于保留区域18的集成电路设计。根据上述的实施 例可知，保留区域18包括了单一集成电路设计16，此单一集成电路设计16 是由客户B所提供。位于晶粒的激光开槽区域(laser grooved area)中且由客户 A所提供的集成电路设计14(图2A)已被破坏或移除。在试制阶段(prototyping stage)中，由于保留区域18仅存留在多项目晶片10的多个晶粒12之中，在 不必公开客户A的专用电路设计信息的情况下，多项目晶片10可被提供至 客户B以进行晶片级测试(wafer-level testing)或封装(packing)。
在部分的实施例中，客户所具有的多重集成电路设计(multiple integrated circuit designs)可位于单一多项目晶片(single multi-project wafer)之上，并且在 多项目晶片之中亦可包括多个测试电路(test circuits)或其他多个非专用设计 (non-proprietary designs)，其中，这些测试电路或非专用设计是不必被移除的。 此外，在保留区域中可包括一个或多个客户的集成电路设计和/或多个非专用 设计，但对多项目晶片之上的其他集成电路设计仍需进行变更、破坏或电路 移除。
由图3A所示的保留区域的剖面图可知，在单一集成电路设计16中可包 括多个不同层结构(layers)，并且单一集成电路设计16保留在多项目晶片10 的多个晶粒12之中。
图3B表示晶粒的激光开槽区域20的剖面图。当通过激光将多个晶粒12 的其他使用者的集成电路设计(例如：集成电路设计14)进行移除之后，便可 有效地对位于激光开槽区域20之上的集成电路设计14进行变更、破坏或电 路移除。在本实施例中，经由完全变更、破坏或电路移除的剩余区域建立了 不可识别结构(indiscernible structure)22，因而不会将客户A的专用电路设计 信息公开给客户B。
图4表示用以进行激光开槽的激光系统24。激光系统24包括夹盘 (chuck)、激光(laser)与喷嘴(nozzle)28。夹盘用于支承多项目晶片10。激光用 以产生光束(beam)26。喷嘴28用以供应流体(fluid)。当激光光束26通过加压 流体室(pressurized fluid chamber)或加压水流室(pressurized water chamber)30 时，光束朝向喷嘴28方向聚集。由喷嘴28所射出的流体(例如：水)利用全 内反射(total internal reflection)对激光光束26进行导引，通过全内反射可对空 气与水界面(water air interface)的位置进行取代。随后，通过聚集激光光束32 可对位于多项目晶片10之上的其他使用者的集成电路设计进行变更、破坏 或电路移除。
由于激光系统24采用水来对激光光束26进行导引，并且在通过对激光 喷出量(laser pauses)之间的切割边缘(cutting edges)进行冷却之下，在材料中 的热损害(heat damage)是可避免的，并且可以大幅度地减少热影响区 (heat-affected zone)。此外，除了利用水可以达到熔化材料(molten material)的 高移除率之外，通过水射流(water jet)所产生的薄水膜(thin water film)还可避 免在晶片表面上产生粒子沉积(particle deposition)。
基于上述说明可知，水射流导引激光系统(water jet guided laser system) 仅是本发明的系统中用以变更晶粒12的剩余区域的一个例子。在其他例子 中，规格化(regular(非喷水引导式(non-water jet guided))laser)激光可用以对装 置14的一个或多个部分(portion)进行有效地关闭跟随(disable)。根据本实施 例可知，装置14可包括熔丝(fuse)，此熔丝可经由激光的切割而分离，如此 以达到装置14的关闭跟随。
在另一实施例中，在有无流体的情况下，机械式锯子(mechanical saw)或 刻痕装置(scoring device)可用来实现上述切断的目的。举例而言，水冷式钻 石锯片(water-cooled diamond saw)或钻石晶片精密切割锯片(diamond-blade dicing saw)可对多项目晶片10的装置14有效地进行破坏或电路移除。
因此，本发明提供了一种集成电路设计的制造方法。本发明的集成电路 设计的制造方法包括：在单一多项目晶片上制作出两种或两种以上的不同集 成电路设计；对包括多个集成电路设计中的至少一个集成电路设计的区域进 行定义，对剩余区域的多项目晶片的至少一部分进行变更、破坏或电路移除， 以及将经变更、破坏或电路移除的多项目晶片提供给使用者。
在部分实施例中，对区域的外侧的多项目晶片的至少一部分进行变更的 步骤包括：将两种或两种以上的不同集成电路设计中的至少一个集成电路设 计的一部分定义为保留区域，其他集成电路设定为剩余区域；以及对多项目 晶片中的至少一个集成电路设计的一部分进行变更、破坏或电路移除。
在部分实施例中，对于来自多项目晶片中的至少一个集成电路设计的一 部分进行变更、破坏或电路移除的步骤包括：利用激光开槽工艺对多个集成 电路设计中的至少一个集成电路设计进行破坏或电路移除。激光开槽工艺包 括：当激光光束通过加压流体室时，将激光光束聚集在喷嘴之上；将液体自 喷嘴射出以引导激光光束；以及利用经导引的激光光束对多项目晶片中的至 少一个集成电路的一部分进行变更、破坏或电路移除。在部分实施例中，由 喷嘴射出的流体可采用水，如此可以减少多项目晶片的热损害。
在部分实施例中，对多项目晶片中的至少一个集成电路设计的一部分进 行破坏或电路移除的步骤包括：利用钻石锯片对多个集成电路设计中的至少 一个集成电路设计的一部分进行破坏。在部分实施例中，对多项目晶片中的 至少一个集成电路设计的一部分进行破坏或电路移除的步骤包括：利用非喷 水引导式激光对多个集成电路设计中的至少一个集成电路设计的一部分进 行破坏或电路移除。
本发明还提供了一种系统，此系统用以制造多项目晶片。本发明的系统 包括：夹盘，用于支承多项目晶片，多项目晶片包括多个晶粒；以及机构， 可在对多个晶粒中的至少一个晶粒进行破坏或电路移除时而不会影响其他 多个晶粒。
在部分实施例中，机构可包括：激光光束，聚集于喷嘴之上，激光光束 通过加压流体室；以及流体射流，自喷嘴射出至多项目晶片的表面上，流体 射流导引激光光束以对多个晶粒中的至少一个晶粒进行变更、破坏或电路移 除。在部分实施例中，流体射流可用以导引液体至多项目晶片。
本发明还提供了一种系统，此系统可用以提供多项目晶片。本发明的系 统可包括：处理系统，用以在多项目晶片之上制作出多个晶粒，其中，所述 多个晶粒分别包括第一使用者的集成电路设计与第二使用者的集成电路设 计；以及钻石锯片，用以对多个晶粒中属于第二使用者的集成电路设计进行 破坏或电路移除，仅保留第一使用者的集成电路设计。
简而言之，本发明提供了一种方法与一种系统，此方法与系统可在不必 牺牲其他使用者的专用电路设计信息的情况下将多项目晶片提供给使用者。 此外，在利用激光对多个集成电路设计进行变更、破坏或电路移除之下，使 用者的专用电路设计信息可受到完善的保护而不会公开给多项目晶片的其 他使用者。因此，在试制阶段中，多项目晶片可被提供至客户，如此以进行 晶片级测试或封装。
虽然本发明已以优选实施例公开如上，然其并非用以限制本发明，本领 域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做变更与修饰，因此本 发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定的范围为准。
相关专利申请的交叉参考
本发明主张于2006年4月14日所申请的U.S.Ser.No.60/792,273的优 先权，该申请通过参考援引于此。
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
-
2 多功能老虎钳
-
3 户外多功能铲
-
6 一种折叠式花园剪
-
8 一种多功能锯子
-
10 一种多功能排骨切割设备
