1.一种适于制造高纯度硅的熔化设备，所述设备包括：
热源，所述热源用于熔化固态原料；
传送装置，所述传送装置用于将所述固态原料供应至所述热源；以及
捕集盘，所述捕集盘用于接收来自所述热源的熔融原料并使所述熔融原料流动到容纳设备，用于进一步加工。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，用于与所述固态原料或所述熔融原料接触的表面包括高纯度成分。
3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述熔化设备基本连续地工作。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述热源包括带有槽缝的平台。
5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述热源包括平坦的炉床或起伏状的炉床。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述热源包括处于大致平行构型中的多个棒。
7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述多个棒包括保护罩。
8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述热源含有碳化硅或石墨。
9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述传送装置包括布置在细长构件的末端的叉子，所述叉子包括用于支撑所述固态原料的多个大致平行的叉齿。
10.根据权利要求9所述的设备，还包括叉齿的间隔，所述间隔用于使所述叉齿在所述热源中的一个或多个槽缝间经过。
11.根据权利要求9所述的设备，其中，所述叉子能够在第一位置和第二位置之间移动，所述第一位置用于装载所述固态原料，所述第二位置用于将所述固态原料传送至所述热源。
12.根据权利要求11所述的设备，其中，所述叉子能够移动至中间位置，所述中间位置用于将所述固态原料加热至高于环境温度。
13.根据权利要求1所述的设备，其中，所述传送装置选自由如下项组成的组中的一种：步进梁、旋转管、回转式给料器、振动给料器、滑槽和闸门机构、移动托盘、推杆、及其组合。
14.根据权利要求1所述的设备，还包括用于从所述设备中置换出污染物的惰性气体供应。
15.根据权利要求1所述的设备，其中，所述传送装置包括环境闸。
16.根据权利要求1所述的设备，其中，所述捕集盘包括用于排出所述熔融原料的倾斜的底部。
17.根据权利要求1所述的设备，其中，所述捕集盘包括挡板或堰。
18.根据权利要求1所述的设备，其中，所述捕集盘包括倾倒嘴、槽、虹吸管、柱塞、或其组合。
19.根据权利要求1所述的设备，其中，所述热源包括相对于槽缝开口的顶部布置的加热器。
20.一种适于制造高纯度硅的、熔化固态原料的方法，所述方法包括：
提供固态原料；
利用传送装置将所述固态原料供应至热源；
利用所述热源来熔化所述固态原料；以及
在捕集盘中接收来自所述热源的熔融原料，以便使所述熔融原料流动而进行进一步加工或阶段处理。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述供应包括：
在第一位置处，将一块或多块所述固态原料放置在叉子上；
通过细长构件将所述叉子移动至相对于所述热源的第二位置，其中所述叉子布置在所述细长构件的末端；
使所述叉子的叉齿下降到所述热源的一个或多个槽缝中，以将所述固态原料放置在所述热源的指状部上；以及
从所述热源撤回所述叉子。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述移动包括：穿过环境闸。
23.根据权利要求21所述的方法，还包括：在相对于热区连接的惰性气氛下，利用机器人装载所述叉子。
24.根据权利要求21所述的方法，还包括：在中间位置，使所述固态原料变暖至高于环境温度。
25.根据权利要求20所述的方法，还包括：使惰性气体流动以避免杂质。
26.根据权利要求20所述的方法，其中，所述传送装置选自由如下项组成的组中的一种：步进梁、旋转管、回转式给料器、振动给料器、滑槽和闸门机构、移动托盘、推杆、及其组合。
27.根据权利要求20所述的方法，其中，所述熔化包括：使用电阻加热器、感应加热器、或其组合。
28.根据权利要求20所述的方法，其中，所述熔化包括：使所述固态原料与多个棒接触并使所述熔融原料流经至少一个槽缝。
29.根据权利要求20所述的方法，其中，所述接收包括沿着斜坡向下流动。
30.根据权利要求20所述的方法，其中，所述接收包括：使所述熔融原料相对于挡板、堰、或其组合而流动，以拦住漂浮的未熔化原料的块。
31.根据权利要求20所述的方法，其中，所述接收包括：使所述熔融原料相对于溢出屏障而流动，以排除沉降的颗粒或污染物。
32.根据权利要求20所述的方法，还包括：将来自所述捕集盘的所述熔融原料转送至容纳容器。
33.根据权利要求32所述的方法，其中，所述转送包括：流经倾倒嘴、虹吸管、柱塞、槽、或其组合。
34.一种适于制造高纯度硅的容纳设备，所述设备包括：
容纳容器，所述容纳容器用于接收熔融原料并具有出口；
至少一个加热器；以及
转送机构或倾斜机构，所述转送机构或倾斜机构用于使所述熔融原料流动而进行进一步加工或阶段处理。
35.根据权利要求34所述的设备，其中，所述容纳容器含有熔融硅石。
36.根据权利要求34所述的设备，其中，所述出口包括漏斗、喷嘴、槽、或穿过所述容纳容器的壁的端口。
37.根据权利要求34所述的设备，其中，所述容纳容器包括：
具有一深度的第一端和具有增加的深度的第二端；以及
盖子。
38.根据权利要求34所述的设备，还包括惰性气体供应。
39.根据权利要求34所述的设备，其中，所述倾斜机构包括第一固定支腿和第二可调支腿，所述第二可调支腿用于改变所述容纳容器的末端高度。
40.根据权利要求34所述的设备，还包括喷嘴、漏斗、槽、或其组合，以将熔融原料从所述容纳容器转送至固化设备。
41.根据权利要求34所述的设备，其中，所述设备包括能在多个位置之间移动的便携式装置，且包括用于辅助设施的柔性连接件或快速连接件。
42.根据权利要求34所述的设备，还包括掺杂剂源。
43.根据权利要求34所述的设备，还包括用于所述容纳容器的支撑件，其中所述支撑件含有碳-碳。
44.一种适于制造高纯度硅的容纳设备的使用方法，所述方法包括：
将熔融原料接收到容纳容器中；
将所述熔融原料保持为处在原料熔点或高于所述原料熔点；以及
经由出口转送所述熔融原料。
45.根据权利要求44所述的方法，其中，所述保持包括：使所述熔融原料过热。
46.根据权利要求44所述的方法，其中，所述接收大致连续地发生，而所述转送大致周期性地发生。
47.根据权利要求44所述的方法，其中，所述转送包括：利用倾斜机构使所述容纳容器倾斜。
48.根据权利要求44所述的方法，还包括：使惰性气体流动，以从所述容纳设备中除去污染物。
49.一种适于制造高纯度硅的固化设备，所述设备包括：
坩埚或容器，所述坩埚或容器用于接收来自槽的熔融原料；
至少一个加热器；以及
至少一个散热器。
50.根据权利要求49所述的设备，还包括真空密闭的联锁入坞/出坞件。
51.根据权利要求49所述的设备，其中，所述坩埚或容器包括用于在固化期间滗析载有杂质的材料的槽。
52.根据权利要求49所述的设备，还包括滗析装置，所述滗析装置用于在固化期间使所述坩埚或容器倾斜。
53.根据权利要求49所述的设备，还包括相对于所述坩埚或容器的内表面布置的至少一个籽晶。
54.根据权利要求49所述的设备，还包括熔化物检测系统。
55.根据权利要求49所述的设备，其中，所述设备包括能在多个位置之间移动的便携式装置，并包括用于辅助设施的柔性连接件或快速连接件。
56.根据权利要求49所述的设备，其中，所述至少一个加热器包括顶部加热器和底部加热器。
57.根据权利要求56所述的设备，还包括至少一个侧面加热器。
58.根据权利要求49所述的设备，其中，所述设备包括掺杂剂源。
59.根据权利要求49所述的设备，其中，所述散热器包括相对于所述坩埚的底部布置的金属板。
60.根据权利要求49所述的设备，还包括真空源和惰性气体供应。
61.一种适于制造高纯度硅的、使熔融原料固化的方法，所述方法包括：
提供熔融原料；
在坩埚中接收所述熔融原料；
利用加热器向所述熔融原料提供热量，以控制所述坩埚内的温度；以及
从底部或从至少一个侧面冷却所述熔融原料，以使所述熔融原料结晶。
62.根据权利要求61所述的方法，其中，所述接收包括：在使熔融原料在所述设备与容纳容器之间流动的同时，使所述设备与所述容纳容器进行真空密闭的气氛受控式连结。
63.根据权利要求61所述的方法，还包括：将所述固化设备从容纳设备或熔化设备移动至用于固化的地点。
64.根据权利要求61所述的方法，还包括：用掺杂剂掺杂所述熔融原料。
65.根据权利要求61所述的方法，还包括：利用籽晶来对固化产物进行定向。
66.根据权利要求61所述的方法，其中，固化产物选自由如下项组成的组：多晶硅、单晶硅、近单晶硅、几何多晶硅、及其组合。
67.根据权利要求61所述的方法，还包括：放置籽晶以至少基本上覆盖所述坩埚的底部或至少一个侧面。
68.根据权利要求61所述的方法，还包括：放置籽晶以至少基本上覆盖所述坩埚的底部和所有内侧面。
69.一种适于制造高纯度硅的设备，所述设备包括：
熔化设备，所述熔化设备用于将固态原料熔化成熔融原料；
容纳设备，所述容纳设备用于接收来自所述熔化设备的所述熔融原料；以及至少一个固化设备，所述至少一个固化设备用于将所述熔融原料固化成固态产物。
70.根据权利要求69所述的设备，其中，所述熔化设备包括叉子状传送装置，所述叉子状传送装置用于将所述固态原料放置在热源中的槽缝上。
71.根据权利要求69所述的设备，其中，所述容纳设备包括容纳容器和倾斜机构。
72.根据权利要求69所述的设备，还包括用于从所述设备中置换出污染物的惰性气体供应。
73.根据权利要求72所述的设备，其中，新鲜的惰性气体扫过暴露区域中的硅表面，然后从所述设备中排出。
74.根据权利要求69所述的设备，其中，每个固化设备均包括坩埚、加热器和散热器。
75.根据权利要求69所述的设备，其中，所述熔化设备和所述容纳设备组合成单个单元。
76.根据权利要求69所述的设备，其中，所述熔化设备、所述容纳设备、或所述至少一个固化设备中的至少一个包括能在多个位置之间移动的便携式装置，且包括用于辅助设施的柔性连接件或快速连接件。
77.根据权利要求69所述的设备，其中，多于一个的熔化设备将熔融原料供应至同一容纳设备。
78.根据权利要求69所述的设备，其中，至少五个固化设备由一容纳设备装料。
79.根据权利要求69所述的设备，其中，所述熔化设备以大致连续的模式工作，所述容纳设备以大致半分批的模式工作，而所述固化设备以大致分批的模式工作。
80.根据权利要求69所述的设备，其中，每个固化设备均相对于所述熔化设备或所述容纳设备移动。
81.根据权利要求69所述的设备，其中，每个固化设备均保持大致固定，而所述熔化设备或所述容纳设备移动以对每个固化设备进行供应。
82.根据权利要求69所述的设备，其中，所述熔化设备、所述容纳设备和每个所述固化设备包括与其它装置不同的装置。
83.根据权利要求69所述的设备，其中，所述容纳设备中的容纳容器的容积超过所述固化设备中的坩埚的容积。
84.根据权利要求69所述的设备，其中，各个固化设备相对于所述熔化设备或所述容纳设备大致呈放射状地布置。
85.根据权利要求69所述的设备，其中，各个固化设备相对于所述熔化设备或所述容纳设备大致呈直线状布置。
86.根据权利要求69所述的设备，还包括碳纤维复合物捕集贮槽，所述碳纤维复合物捕集贮槽用于容纳所述熔融原料的溢出物。
87.一种适于制造高纯度硅的方法，所述方法包括：
提供固态原料；
将所述固态原料装载到熔化设备中；
在所述熔化设备中将所述固态原料熔化成熔融原料；
将所述熔融原料转送至容纳设备；
使所述熔融原料从所述容纳设备流动到固化设备中；以及
在所述固化设备的坩埚中将所述熔融原料固化成固态产物。
88.根据权利要求87所述的方法，还包括：使惰性气体流经所述熔化设备、所述容纳设备、或所述固化设备中的至少一个。
89.根据权利要求87所述的方法，其中，所述流动通过在所述容纳设备和所述固化设备之间的气氛受控式联锁装置而实现。
90.根据权利要求87所述的方法，还包括：移动所述固化设备以允许第二固化设备接收熔融原料。
91.根据权利要求87所述的方法，还包括：相对于多个固化设备来移动所述熔化设备或所述容纳设备中的至少一种。
92.根据权利要求91所述的方法，其中，移动所述熔化设备或所述容纳设备中的至少一种包括：基本上旋转到多个呈放射状布置的固化设备处。
93.根据权利要求91所述的方法，其中，移动所述熔化设备或所述容纳设备中的至少一种包括：基本上相对于多个大致呈直线状布置的固化设备而定位。
94.根据权利要求87所述的方法，还包括：在辅助设施供应与所述熔化设备、所述容纳设备、或所述固化设备之间形成辅助设施连接。
95.根据权利要求87所述的方法，还包括：通过滗析顶部的熔融剩余物来从坩埚中除去杂质。
96.根据权利要求87所述的方法，还包括：使所述设备在至少两个轨道上移动，同时利用第三轨道为所述熔化设备、所述容纳设备、或所述固化设备中的至少一种提供动力。
97.通过三段式方法制造的高纯度硅锭，所述方法包括：
提供包括硅的固态原料；
将所述固态原料装载到熔化设备中；
在所述熔化设备中将所述固态原料熔化成熔融原料；
将所述熔融原料转送至容纳设备；
使所述熔融原料从所述容纳设备流动到固化设备中；以及
在所述固化设备的坩埚中将所述熔融原料固化成固态产物。
98.根据权利要求97的硅锭，其中，所述方法排除了对硅进行拉拔或旋转。
99.根据权利要求97的硅锭，其中，所述硅锭主要包括选自由如下项组成的组中的硅：
多晶硅、单晶硅、近单晶硅、几何多晶硅、及其组合。
100.根据权利要求97的硅锭，其中，所述硅锭基本没有呈放射状分布的缺陷。
16 3 17
101.根据权利要求97的硅锭，其中，所述硅锭包括约2×10 个原子/cm ～约5×10
3 17 3 15 3
个原子/cm 的碳浓度、不超过7×10 个原子/cm 的氧浓度、以及至少1×10 个原子/cm的氮浓度。