有机电子器件
阅读：87发布：2020-10-28
专利汇可以提供有机电子器件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 申请 涉及一种有机 电子 器件及其用途。根据本申请，可提供一种表现出优异的光提取效率和耐久性的有机电子器件、例如柔性器件。这种有机电子器件可适用于照明装置或显示器 光源 等。，下面是有机电子器件专利的具体信息内容。
1.一种有机电子器件，其包括：
基底膜；和
通过散射粘合剂层来粘合在基底膜下部的阻挡膜，其中：
所述粘合剂层包括基板区域和器件区域，所述基板区域包括粘着性粘合剂、和折射率高于所述粘着性粘合剂的散射颗粒，所述器件区域包括在所述基板区域上部依次存在的透明电极层、具有发光单元和反射电极层的有机层。
2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中：
所述基底膜的折射率为1.5以上。
3.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中：
所述基底膜的雾度为10％至40％的范围。
4.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中：
所述粘合剂层的雾度为40％以上。
5.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中：
所述散射颗粒与所述粘着性粘合剂的折射率之差为0.05以上。
6.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中：
所述粘着性粘合剂相对于波长为550nm的光的折射率为1.2至1.5的范围。
7.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中：
所述粘着性粘合剂为丙烯酸粘着性粘合剂、石蜡基粘着性粘合剂或橡胶基粘着性粘合剂。
8.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中：
所述散射颗粒的折射率为1.55以上。
9.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中：
所述散射颗粒为氧化铝、铝硅酸盐、氧化钛或氧化锆。
10.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中：
所述粘合剂层还包括防水材料。
11.根据权利要求1所述的有机电子器件，其还包括无机材料层，所述无机材料层设置在所述基底膜和所述透明电极层之间且与所述基底膜的折射率之差的绝对值为1以下。
12.根据权利要求11所述的有机电子器件，其中：
第一无机材料层包括具有第一折射率的第一子层和具有第二折射率的第二子层的堆叠结构，并且所述第一折射率和所述第二折射率之差的绝对值为0.1至1.2的范围。
13.根据权利要求12所述的有机电子器件，其中：
所述第一子层的折射率为1.4至1.9的范围，并且所述第二子层的折射率为2.0至2.6的范围。
14.一种显示器的光源，其包括权利要求1所述的有机电子器件。
15.一种照明装置，其包括权利要求1所述的有机电子器件。
有机电子器件
技术领域
[0001] 本申请涉及一种有机电子器件及其用途。
背景技术
[0002] 有机电子器件(OED；Organic Electronic Device)是一种包括至少一个能够传导电流的有机材料层的器件。有机电子器件的类型包括有机发光器件(OLED)、有机太阳能电池、有机光导体(OPC)、或有机晶体管等。
[0003] 作为典型的有机电子器件的有机发光器件依次包括基板、透明电极层、有机层和反射电极层。在称为底部发光器件(bottom emitting device)的结构中，透明电极层可形成为透明电极层，并且反射电极层可形成为反射电极层。再者，在称为顶部发光器件(top emitting device)的结构中，透明电极层可形成为反射电极层，并且反射电极层可形成为透明电极层。通过电极层来注入电子(electron)和空穴(hole)，所注入的电子和空穴在存在于有机层中的发光单元(emitting unit)中重新结合(recombination)以产生光。光可发射至基板侧或反射电极层侧。在有机发光器件的结构中，由于通常用作透明电极层的铟锡氧化物(ITO，Indium Tin Oxide)、有机层和基板之间的折射率差而在发光单元产生光，由此所产生的光因全内反射(total internal reflection)现象等而在有机层和透明电极层的界面处或在基板中捕获(trap)，仅有极少量的光发射出来。因此，为解决该问题提出了许多方法，但目前已提出的方法适用于利用所谓的刚性(rigid)基板如玻璃基板的结构，人们正在进行用于柔性器件的结构的各种研究。
[0004] 有机电子器件所要考虑的重要问题是耐久性。由于有机层或电极等非常容易被外界物质如水分或氧气所氧化，所以确保对于环境因素的耐久性是重要的。为此目的，例如，在专利文献1至4中提出了用于防止外界物质渗入的结构。在利用通常比玻璃具有更低的阻挡性的基板的结构中，有关耐久性的问题可能也显得更加严峻。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1：美国专利第6,226,890号
[0008] 专利文献2：美国专利第6,808,828号
[0009] 专利文献3：日本公开专利第2000-145627号
[0010] 专利文献4：日本公开专利第2001-252505号发明内容
[0011] 发明要解决的课题
[0012] 本申请的目的在于，提供一种有机电子器件及其用途。本申请提供一种例如在用作柔性有机发光器件时具有优异的耐久性和光提取效率的有机电子器件及其用途。
[0013] 解决课题的方法
[0014] 示例性的有机电子器件可包括阻挡膜101、散射粘合剂层102、基底膜103、透明电极层104、有机层105和反射电极层，它们如图1所示那样朝上部方向依次存在。所述各层可以以在相邻的层之间不存在有其他层的状态直接层叠，或以其他层为媒介进行层叠。
[0015] 如图1所示，有机电子器件可包括基底膜103、和通过散射粘合剂层102来粘合在基底膜103下部的阻挡膜101。此处，散射粘合剂层102可包含粘着性粘合剂1021和散射颗粒1022，并且散射颗粒可以具有比粘合剂更高的折射率。除非另有特别的定义，否则折射率是相对于波长约为550nm的光的折射率。
[0016] 除非另有特别的定义，否则本说明书中使用的术语“上部方向”是指从透明电极层朝向反射电极层的方向，且除非另有特别的定义，否则本说明书中使用的术语“下部方向”是指从反射电极层朝向透明电极层的方向。
[0017] 在本说明书的下文中，为便于描述，在上述结构中，包括存在于透明电极层下部的所有要素(透明电极层除外)的区域称为基板区域(substrateregion)，包括透明电极层、反射电极层、及在这些之间存在的作为器件区域(device region)的所有要素，并将包括在反射电极层上部存在的所有要素(反射电极层除外)的区域称为上部区域(upper region)。
[0018] 对可包括在有机电子器件中的基底膜的类型无特殊限制。例如，作为基底膜，可使用本领域中已知为常规用于实现柔性器件的基底膜。基底膜的代表性实例为薄玻璃膜或聚合物膜。作为玻璃膜，可使用由以下物质所形成的膜：钠钙玻璃、含钡/锶的玻璃、铅玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、钡硼硅酸盐玻璃或石英；且作为聚合物膜，可使用包含以下物质的膜：聚酰亚胺(PI，polyimide)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN，polyethylene)、聚碳酸酯(PC，polycarbonate)、丙烯酸树脂、聚(对苯二甲酸乙二酯)(PET，poly(ethylene terephthatle))、聚(醚硫醚)(PES，poly(ether sulfide))，或者聚砜(PS，polysulfone)等，但本申请并不限于此。
[0019] 作为基底膜可使用透光膜。术语“透光膜”例如可是指，相对于可见光区中的任意一种或整个可见光区中的光的透光率为50％或更多、60％或更多、70％或更多或者80％或更多的透光率的膜。该基底膜可为具有驱动用薄膜电晶体(TFT，Thin Film Transistor)的TFT基底膜。
[0021] 基底膜可具有约200℃或更高的玻璃化转变温度。玻璃化转变温度可为基底膜本身的玻璃化转变温度，或为形成有后述的缓冲层的基底膜的玻璃化转变温度。在制作有机电子器件过程中，该范围可适合于用于沉积或图案化的高温工艺。在另一实例中，玻璃化转变温度可为约210℃或更高、220℃或更高、230℃或更高、240℃或更高或250℃或更高。玻璃化转变温度的上限例如可为约400℃、350℃或300℃，但不特别限于此。
[0022] 在基底膜中，表面粗糙度(RMS，Root Mean Square)可调节至约0.1至5nm的范围。该表面粗糙度可为对于基底膜表面的表面粗糙度，或为对形成有后述的缓冲层的基底膜的、所述缓冲层表面的表面粗糙度。该表面粗糙度的范围可有利于改善形成于缓冲层上部的层的性能。例如，当形成具有阻挡性的第一无机材料层时，如果在具有上述范围的RMS的表面形成该第一无机材料层，则可形成具有优异的防水特性等的层。在另一实例中，RMS可为约4nm或更少、约3nm或更少、约2.5nm或更少或约2nm或更少。
[0023] 基底膜可具有约1.5或更多、1.6或更多、1.7或更多或1.75或更多的折射率。除非另有特别的定义，否则本说明书中所使用的术语“折射率”是相对于波长约为550nm的光所测量的折射率。当有机电子器件为有机发光器件时，基底膜的该折射率的范围可有利于提高器件的发光效率。对基底膜的折射率无特别限制，例如可以约2.0左右。
[0024] 对于基底膜的厚度而言，考虑到所需性能如柔性、光提取效率或阻挡性，可在合适的范围内进行选择，但无特殊限制。例如，基底膜的厚度可约为10μm至50μm或20μm至30μm的范围。
[0025] 阻挡膜可通过散射粘合剂层粘合在基底膜下部。可使用于本说明书中的阻挡膜的类型无特殊限制，且例如，可使用以下膜：其中在基底膜如塑料膜等可形成已知为防水的层，如硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氧氮化物。在一个实例中，阻挡膜可具有包括聚合物基底层和无机材料层的结构，所述聚合物基底层和无机材料层可形成在基底层的单个表面或两侧表面上。作为包括在阻挡层中的聚合物基底层，合适的类型可选自上述基底膜(图1中的基底膜103)。因此，聚合物基底层可具有上述的透光率、热膨胀系数、玻璃化转变温度、表面粗糙度和基底层折射率中的至少一个物理特性。同时，作为无机材料层，例如，可使用与后述的包括在基板区域中的第一无机材料层相同的无机材料层。
[0026] 可通过散射粘合剂层将阻挡膜粘合在基底膜下部。本说明书中使用的术语“散射粘合剂层”可以是指使入射光散射而形成的粘合剂层。散射粘合剂层可具有，例如，40％或更多、45％或更多或50％或更多的雾度。通过具有该范围的雾度的粘合剂层来可以改善有机电子器件的光提取效率。雾度的上限可为90％或更少、85％或更少、80％或更少、75％或更少或70％或更少，但并不限于此。在本申请中，粘合剂层的雾度通过以下实施例中所公开的方法进行测量。
[0027] 散射粘合剂可通过将散射颗粒配合在粘着性粘合剂中而制备。本说明书中使用的术语“散射颗粒”例如可以是指，可以对与周围物质如粘着性粘合剂等具有不同的折射率且具有合适的尺寸，从而对入射的光进行散射、折射或衍射的所有类型的颗粒。
[0028] 作为粘着性粘合剂，可使用本领域已知的任意的光学透明粘合剂，无特殊限制。作为粘着性粘合剂，可使用非可交联粘合剂或可交联粘合剂，并且可交联粘合剂可以是可热固化的、可蒸汽固化的、可室温固化的，或者可以使用可活性能量辐射(例如，紫外光束或电子束等)固化的粘着性粘合剂。
[0029] 光学性透明的粘着性粘合剂的代表性实例可为丙烯酸粘着性粘合剂、石蜡基粘着性粘合剂或橡胶基粘着性粘合剂，并且所有的这些粘合剂类型都可用在本申请中。就易于获得和施用、和易于调节后述的散射颗粒之间的折射率关系等而言，可使用丙烯酸粘着性粘合剂。作为丙烯酸粘着性粘合剂，可使用常规的类型，例如，具有(甲基)丙烯酸酯单体作为主要单元，并如果需要还具有各种可交联的官能团的类型。另外，就调节粘合剂层的雾度和调节后述的散射颗粒之间的折射率关系而言，粘着性粘合剂可具有约1.2至1.5或约1.2至1.45范围的折射率。
[0030] 作为在粘合剂层中所包含的散射颗粒，可使用与粘着性粘合剂具有不同的折射率的颗粒。考虑到与包括粘合剂层的位置相关的合适的光提取效率，散射颗粒可具有比粘着性粘合剂更高的折射率。在本申请的有机电子器件的结构中，与粘合剂层包含比粘着性粘合剂具有更低的折射率的散射颗粒时相比，当粘合剂层包含比粘着性粘合剂具有更高的折射率的散射颗粒的时候，在相同的雾度范围内可展现出相当高的光提取效率。在一个实例中，散射颗粒的折射率(A)与粘着性粘合剂的折射率(B)之差(A-B)可为约0.05或更多、0.1或更多、0.3或更多或0.5或更多。另外，折射率之差的上限不特别限制，可为约1.5或更少、约1.3或更少或约1或更少。在该范围内，粘合剂层的雾度可限定在合适的范围内，并且正当在合适水平的雾度范围内可确保更佳的光提取效率。
[0031] 散射颗粒的尺寸可进行适当地调节，但无特殊限制。但是，当散射颗粒的尺寸远小于入射光的波长的尺寸时，确保散射效率是困难的，因此散射颗粒例如可具有50nm或更多、100nm或更多、500nm或更多或1,000nm或更多的平均粒径。散射颗粒的平均粒径，例如可为1,000nm或更少。
[0032] 该散射颗粒可为氧化铝、铝硅酸盐、氧化钛或氧化锆，并且只要颗粒满足上述条件，则不特殊限于某一具体的类型。关于能够轻易确保高折射率的颗粒，可使用金红石型氧化钛，并且该颗粒也可使用在本申请中。
[0033] 粘合剂层中的散射颗粒的比例可带来上述雾度，并且对其无特殊限制，只要是将比例调节为不背离粘着性粘合剂的粘合性能。
[0034] 除上述组分外，粘合剂层可包含附加组分如交联粘着性粘合剂的交联剂，例如热交联剂或光交联剂。
[0035] 作为可包含于粘合剂层中的其他组分，可以使用防水材料。本说明书中使用的术语“防水材料”可以包含能通过物理或化学反应吸附或去除由外界环境渗入的水分或蒸汽的组分。对可与粘合层配合的具体类型的防水材料无特别限制，例如可为金属氧化物、有机金属氧化物、金属盐、和五氧化二磷(P2O5)等中的一种或两种以上。此处，金属氧化物的具体实例可为氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钡(BaO)、氧化钙(CaO)、或氧化镁(MgO)；且金属盐可为，但不限于，硫酸盐如硫酸锂(Li2SO4)、硫酸钠(Na2SO4)、硫酸钙(CaSO4)、硫酸镁(MgSO4)、硫酸钴(CoSO4)、硫酸镓(Ga2(SO4)3)、硫酸钛(Ti(SO4)2)、或硫酸镍(NiSO4)；金属卤化物如氯化钙(CaCl2)、氯化镁(MgCl2)、氯化锶(SrCl2)、氯化钇(YCl3)、氯化铜(CuCl2)、氯化铯(CsF)、氟化钽(TaF5)、氟化铌(NbF5)、溴化锂(LiBr)、溴化钙(CaBr2)、溴化铈(CeBr3)、溴化硒(SeBr4)、溴化钒(VBr3)、溴化镁(MgBr2)、碘化钡(BaI2)、或碘化镁(MgI2)；或金属氯酸盐等如高氯酸钡(Ba(ClO4)2)或高氯酸镁(Mg(ClO4)2)等，但并不限于此。
[0036] 另外，防水材料的比例无特殊限制，在可确保所需的防水性能且不影响散射性和粘合性等的范围内进行调节。
[0037] 本申请的有机电子器件的基板区域可包括，作为附加结构的、在基底膜上部形成的无机材料层。如上所述，也可以对上述基底膜的无机材料层的组分适用后述的无机材料层的组分。另外，为了与后述的形成于反射电极层上部的无机材料层区分，在下文中，可将包含在基板区域中的无机材料层称作第一无机材料层。
[0038] 本说明书中使用的术语“无机材料层”可为包含50重量％以上或60重量％的无机材料的层。无机材料层可仅包含无机材料；或者还包含如有机材料的其他组分，只要包含上述范围内的无机材料。第一无机材料层例如可为阻挡层。本说明书中使用的术语“阻挡层”可为能够阻止、抑制、或降低外界因素——例如，可对器件如有机层的性能有不良影-4 2响的水分或蒸汽——的渗入的层。例如，阻挡层可具有10 g/m/天或更少的水蒸气传输率(WVTR)(water vapor transmission rate)。在本说明书中，WVTR可为利用测量计(例如，PERMATRAN-W3/31，MOCON公司)在40℃和90％的相对湿度下所测量的值。
[0039] 阻挡层可由任意一种已知为可降低、阻止、或抑制外界因素如水分和氧的渗入的材料而形成。该材料可以是以下已知材料：金属，如In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti或Ni；金属氧化物如TiO、TiO2、Ti3O3、Al2O3、MgO、SiO、SiO2、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、ZrO2、Nb2O3或CeO2；金属氮化物如SiN；金属氧氮化物如SiON；金属氟化物如MgF2、LiF、AlF3或CaF2；吸收率为1％或更多的吸收材料或吸收系数为0.1％或更少的防水材料等。
[0040] 第一无机材料层可形成为单层结构或多层结构。多层结构可包括其中层叠了相同类型或不同类型的无机材料层的结构、或其中层叠了无机材料层和有机层的结构。例如，当无机材料层具有多层结构以作为阻挡层时，并非每一层都要由具有阻挡性能的材料形成，并且最终所形成的多层结构展现出所需的阻挡性能，多层结构中的某些层可形成为不具有阻挡性能的层。为防止无机材料层形成中可能产生的缺陷(defect)的扩散(propargation)如针孔(pin hol)等的增加，无机材料层形成为多层结构是有利的。另外，具有多层结构的阻挡层也可有利于形成后述的确保折射率的阻挡层。
[0041] 第一无机材料层与基底膜的折射率之差较小是合适的。例如，第一无机材料层与基底膜之间的折射率之差的绝对值可为约1或更少、约0.7或更少、约0.5或更少、或约0.3或更少。因此，当基底膜具有如上所述的高折射率时，无机材料层也可具有相同水平的折射率。例如，无机材料层的折射率可为约1.5或更多、约1.6或更多、约1.7或更多、或约1.75或更多。当有机电子器件为有机发光器件时，基底膜的折射率的范围可有利于增加器件的发光效率。无机材料层的折射率的上限无特别限制，例如可为约2.0。
[0042] 第一无机材料层例如可包括，第一子层和第二子层的层叠结构。可包括至少两个层叠结构。
[0043] 在一个实例中，第一子层可具有第一折射率，且第二子层可具有第二折射率。当将这些层层叠时，可有利于确保去耦效应(decoupling effect)并将无机材料层的折射率调节至上述范围。第一折射率和第二折射率之差的绝对值可为，例如，0.1至0.2。对第一折射率和第二折射率的各自范围无特殊限制，条件是确保折射率的上述范围。例如，第一子层的折射率可为1.4至1.9，且第二子层的折射率可为2.0至2.6。第一子层和第二子层各自可为金属氧化物层。例如，用作具有上述折射率的第一子层的合适的材料可为Al2O3，且用作第二子层的合适的材料可为TiO2。但是，各种材料均可使用，只要使各层具有上述的折射率且最终的层叠结构具有阻挡性。
[0044] 在另一实例中，第一子层可为金属层，且第二子层可为有机硅层。本说明书中使用的术语“金属层”可为包含40重量％、50重量％或60重量％或更多的金属的层，且金属可以以单独或者以金属氧化物或合金的形式而包含。可以根据该层叠结构确保合适的去耦效应，从而层可具有所需的性能，例如，极佳的阻挡性能。金属层例如可为金属氧化物层，并且例如具有约1.4至2.6范围的折射率。在一个实例中，金属层可由那些可用作用于上述阻挡层材料的金属氧化物而形成，例如Al2O3或TiO2等。
[0045] 有机硅层可包含式1的化合物或式2的化合物，或包含含有这些化合物的聚合单元的聚合物。
[0046] 【式1】
[0047] R1(R12SiO)nR1
[0048] 【式2】
[0049]1
[0051] 在式2中，R和R 可各自独立地为氢、羟基、环氧基、烷氧基或单价烃基，且o可为3至10、3至8、3至6或3至4范围的数。
[0052] 除非另有特别地定义，否则本说明书中使用的术语“单价烃基”可为来自由碳和氢构成的化合物或该化合物的衍生物衍生而来的单价残基。例如，单价烃基可含有1至25个碳原子。单价烃基可为烷基、烯基、和炔基或芳基等。
[0053] 除非另有特别地定义，否则本说明书中使用的术语“烷基”可为具有1至20、1至16、1至12、1至8、或1至4个碳原子的烷基。烷基可为线型的、分支的，或环状类型。另外，任选地，烷基可被至少一个取代基取代。
[0054] 除非另有特别地定义，否则本说明书中使用的术语“烷氧基”可为具有1至20、1至16、1至12、1至8、或1至4个碳原子的烷氧基。烷氧基可为线型的、分支的，或环状类型。
另外，任选地，烷氧基可被至少一个取代基取代。除非另有特别地定义，否则本说明书中使用的术语“烯基”可为具有2至20、2至16、2至12、2至8、或2至4个碳原子的烯基。烯基可为线型的、分支的，或环状类型。并且，任选地，其可被至少一个取代基取代。
另外，任选地，烷氧基可被至少一个取代基取代。除非另有特别地定义，否则本说明书中使用的术语“烯基”可为具有2至20、2至16、2至12、2至8、或2至4个碳原子的烯基。烯基可为线型的、分支的，或环状类型。并且，任选地，其可被至少一个取代基取代。
[0055] 除非另有特别地定义，否则本说明书中使用的术语“炔基”可为具有2至20、2至16、2至12、2至8、或2至4个碳原子的炔基。炔基可为线型的、分支的，或环状类型。并且，任选地，其可被至少一个取代基取代。
[0056] 除非另有特别地定义，否则本说明书中使用的术语“芳基”可为由包含以下结构的化合物或其衍生物衍生而来的单价残基，在所述结构中，包含苯环、或有至少两个苯环相连接、或有至少两个苯环共用一个或至少两个碳原子而彼此稠合或连接。本说明书中所述的芳基的范围中可包括通常称作芳基、芳烷基(aralkyl group)或烷基芳基等的官能团。芳基可为，例如，具有6至25、6至21、6至18、或6至12个碳原子的芳基。芳基可为苯基、二氯苯基、氯苯基、苯乙基、苯丙基、苄基、甲苯基、二甲苯基(xylyl group)、或萘基等。
[0057] 除非另有特别地定义，否则本说明书中使用的术语“环氧基”可为由具有用于形成环的三个元素的环醚(cyclic ether)或包含环醚的化合物衍生而来的单价残基。环氧基可为缩水干油基、环氧烷基、缩水甘油氧烷基或脂环族环氧基。此处，脂环族环氧基可为由具有以下结构的化合物衍生而来的单价残基，在所述结构中，包含脂环族烃环结构，且形成脂环族烃环的两个碳原子也形成环氧基。脂环族环氧基可为具有6至12个碳原子的脂环族环氧基，例如，3，4-环氧基环己基乙基等。
[0058] 选择性地取代环氧基、烷氧基或单价烃基的取代基可为，但不限于，卤素如氯或氟等；缩水甘油基；环氧烷基；缩水甘油氧烷基；环氧基如脂环族环氧基；丙烯酰基；甲基丙烯酰基；异氰酸酯基；硫基；或单价烃基。
[0059] 式1或2的化合物可为，但不限于，三乙烯基三甲基环硅氧烷(trivinyltrimethylcyclosiloxane)、六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane)或1，3，5-三乙烯基-1，1，3，5，5-五甲基三硅氧烷(1，3，5-trivinyl-1，1，3，5，5-pentalmethyltrisiloxane)。
[0060] 第一无机材料层的厚度可根据所需用途进行合适的选择，无特殊限制。例如，第一无机材料层可具有约5至约60nm或约10至约55nm范围的厚度。在多层结构中，各个子层的厚度例如可为约0.5至约10nm或约0.5至约5nm的范围。
[0061] 为实现所需性能如极佳的阻挡性能或折射率，可调节无机材料层的形成条件。例如，无机材料层可在平坦化表面上形成，例如，具有5或更少、4.5或更少、4.0或更少、3.5或更少、3.0或更少、2.5或更少、2.0或更少、1.5或更少、1.0或更少、或0.5nm或更少的表面粗糙度(RMS，Root Mean Square)的表面上形成。当在平坦化表面上形成无机材料层时，待形成的层的质量可得到更多改善。RMS可利用具有优异的平坦化度的材料进行调节，或通过后述的缓冲层进行调节。用于确保所需性能如阻挡性能的另一种方法，是在形成无机材料层时对温度进行调节这一方法。通常，可通过物理沉降或化学沉积形成无机材料层，在该情况下，当将沉积温度调节至高温例如200℃或更多时，可确保优异的阻挡性能。
[0062] 无机材料层可通过以下方法形成：物理气相沉积(PVD，Physical VaporDeposition)，如溅镀(sputtering)、脉冲镭射沉积(PLD，Pulsed laser Deposition)、电子束蒸镀(Electron Beam Evaporation)、热蒸镀(thermal evaporation)、或激光分子束外延(L-MBE，Laser Molecular Beam Epitaxy)等；或化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)，如金属有机化学气相沉积(MOCVD，Metal Organic Chemical Vapor Deposition)、氢化物气相外延(HVPE，Hydride Vapor Phase Epitaxy)、引发化学气相沉积(iCVD，initiated chemical vapor deposition)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD，plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)或原子层沉积(ALD，Atomic Layer
Deposition)。根据所用的材料由上述方法中选择合适的方法，由此可使无机材料层的性能最大化。在本申请中，为利用上述材料形成一个层，可采用CVD方法，特别地，ALD法或iCVD法。例如，可通过ALD法而形成由金属或金属氧化物形成的层，且可通过iCVD法而形成有机硅层等。此处，本说明书中使用的术语“ALD层”是通过ALD法形成的层，且术语“iCVD层”是通过iCVD法形成的层。
Deposition)。根据所用的材料由上述方法中选择合适的方法，由此可使无机材料层的性能最大化。在本申请中，为利用上述材料形成一个层，可采用CVD方法，特别地，ALD法或iCVD法。例如，可通过ALD法而形成由金属或金属氧化物形成的层，且可通过iCVD法而形成有机硅层等。此处，本说明书中使用的术语“ALD层”是通过ALD法形成的层，且术语“iCVD层”是通过iCVD法形成的层。
[0063] 包括上述组件的基板区域可具有3％至90％、3％至85％、3％至50％或3％至30％的雾度。该雾度范围可有利于增加光提取效率。为控制基板区域的雾度，可调节基板区域中的散射粘合剂层的雾度，如有需要，也可调节基底膜的雾度，或者也可以施用散射层等。
[0064] 例如，为调节基板区域的雾度，上述基底膜可具有雾度(haze)。但是，当基板区域仅由散射粘合剂层等来确保雾度时，基底膜并非必须具有雾度。当其具有雾度时，基底膜可具有约3％至90％范围的雾度。雾度的另一下限例如可为约5％或10％。另外，雾度的另一上限例如可为约85％、80％、75％、70％、65％、60％、55％、50％、45％、40％、35％或30％。使基板具有雾度的方法无特殊限制，且可利用产生雾度所常规使用的方法。例如，当基底膜为聚合物膜时，可利用加入散射颗粒的方法，所述散射颗粒应具有与周围聚合物母体不同的折射率，并具有合适的平均粒径；或利用使用聚合物而形成膜的方法，所述聚合物是通过允许聚合物具有雾度的单体进行聚合而制备。
[0065] 基板区域可包括其他的层，例如缓冲层。形成缓冲层可以是为了确保层间粘合性能，或调节上述基底膜的RMS。缓冲层可以在基底膜上形成，或者当形成有散射层时，可以在散射层上部或第一无机材料层与透明电极层之间形成缓冲层，但本发明不限于此。正如下文所述，如果需要，缓冲层可以在上部区域中形成，且在本说明书中，为便于区分，在基板区域所形成的缓冲层可称为第一缓冲层，而在上部区域所形成的缓冲层可称为第二缓冲层。
[0066] 缓冲层可由高折射层形成。本说明书中使用的术语“高折射层”可为折射率为约1.6或更多、约1.65或更多、约1.7或更多或约1.75或更多的层。高折射层的折射率上限可为例如约2.5或约2.0，但不限于此。例如，该折射率可有利于改进光提取效率。
[0067] 缓冲层可利用合适的材料形成，所述合适的材料可有效地形成缓冲层并适当地确保层间粘合性能或平坦化度，但无特殊限制。缓冲层可由以下物质形成：金属，如Al；无机材料，如SiOx、SiOxNv、SiNx、AlOx、ZnSnOx、ITO、ZnO、IZO、ZnS、MgO或SnOx；聚酰亚胺；具有芴环的硝卤水树脂(caldo resin)；尿烷；环氧化物；聚苯乙烯；聚酰胺酸；聚酰亚胺；聚乙烯亚胺；聚乙烯醇；聚酰胺；聚硫；聚(甲基)丙烯酸酯；或如有机硅烷的有机材料。此处，关于有机硅，可使用在无机材料层段落中记载的化合物或将该化合物作为聚合单元而包含的聚合物。在另一实例中，缓冲层可利用通过共混金属如锆、钛或铈的烷氧化物或酰化物的化合物与具有极性基团如羰基或羟基的粘合剂所制备的材料而形成。关于烷氧化物或酰化物的化合物的实例，可使用烷氧基钛，如四正丁氧基钛、四异丙氧基钛、四正丙氧基钛、或四乙氧基钛；钛酰化物，如硬脂酸钛、钛螯合物；烷氧基锆，如四正丁氧基锆、四正丙氧基锆、四异丙氧基锆、或四乙氧基锆；锆酰化物，如锆三丁氧基硬脂酸锆；或锆螯合物。
[0068] 缓冲层可通过由上述材料中选择合适的材料而形成。当缓冲层需要高折射率时，可使用选自上述材料的折射率高的材料；或使用通过以下过程制备的材料：将选自上述的合适的材料与高折射颗粒配合，或者向上述材料中引入高折射率材料如Ti前体(Ti precursor)。本说明书中使用的术语“高折射颗粒”例如可以是，折射率为1.5或更多、2.0或更多、2.5或更多、2.6或更多、或2.7或更多的颗粒。高折射颗粒的折射率的上限例如可在可满足所需要的折射率的范围内进行选择。高折射颗粒例如可具有约1nm至100nm、
10nm至90nm、10nm至80nm、10nm至70nm、10nm至60nm、10nm至50nm、或10至45nm的平均粒径。高折射颗粒可为氧化铝、铝硅酸盐、氧化钛、或氧化锆。作为高折射颗粒，例如是折射率为2.5或更多的颗粒，可使用金红石型氧化钛。与普通颗粒相比，金红石型氧化钛的折射率较高，因而可控制其以便甚至以较小的比例得到所需的折射率。
10nm至90nm、10nm至80nm、10nm至70nm、10nm至60nm、10nm至50nm、或10至45nm的平均粒径。高折射颗粒可为氧化铝、铝硅酸盐、氧化钛、或氧化锆。作为高折射颗粒，例如是折射率为2.5或更多的颗粒，可使用金红石型氧化钛。与普通颗粒相比，金红石型氧化钛的折射率较高，因而可控制其以便甚至以较小的比例得到所需的折射率。
[0069] 形成缓冲层的方法例如可为PVD法和CVD法中合适的一种，但并不限于此。在另一实例中，缓冲层可通过以下步骤形成：通过将金属烷氧化物如烷氧基钛或烷氧基锆与溶剂如醇或水进行共混而制作涂覆溶液；施用涂覆溶液；以及涂布涂覆溶液以后，实施各种湿式涂布法和干式涂布法，包括在在合适的温度下塑化涂覆溶液的溶胶-凝胶涂布法。
[0070] 缓冲层的厚度无特殊限制，可考虑缓冲层的形成位置和所需功能而进行合适的选择。例如在散射层上形成用于确保平坦化表面的缓冲层时，与在基底膜上形成用于确保平坦化表面的缓冲层时相比，缓冲层可具有较大的厚度。
[0071] 基板区域可另外包括散射层，以确保基板区域具有合适的雾度。本说明书中使用的术语“散射层”可以是，可以形成为使入射至其层的光散射、折射、或衍射的所有类型的层。只要能够实现上述功能，对散射层的形状无特殊限制。
[0072] 作为可在基板区域中存在的另外的层，可在基底膜或阻挡膜的下部暂时地或永久地粘附载体基板(carrier substrate)。通常，作为载体基板，可使用刚性基板如玻璃基板。
[0073] 存在于基板区域上部的器件区域可包括透明电极层和反射电极层，且还包括在透明电极层和反射电极层之间存在的有机层。透明电极层和反射电极层可为有机电子器件中常规使用的空穴注入电极层或电子注入电极层。透明电极层和反射电极层的任意一个可形成为空穴注入电极层，而另一个可形成为电子注入电极层。
[0074] 空穴注入电极层例如可利用具有较高功函数(work function)的金属形成，且如果需要，可利用透明材料或反射材料形成。例如，空穴注入电极层可包含金属、合金、功函数约为4.0eV或更多的导电化合物、或其至少两种的混合物。这样的材料可为金属，如金、CuI、铟锡氧化物(ITO)，铟锌氧化物(IZO)、锌锡氧化物(ZTO)、铝掺杂或锌掺杂的氧化锌、镁铟氧化物、镍钨氧化物；氧化物，如ZnO、SnO2、或In2O3；金属氮化物，如氮化镓；金属硒化物，如硒化锌；或金属硫化物，如硫化锌。
[0075] 空穴注入电极层可通过任意方法形成，例如沉积、溅镀、化学沉积、或电化学方法。另外，根据需要，所形成的电极层可通过已知的使用光刻法或萌罩法形成图案。
[0076] 电子注入电极层例如可利用功函数较低的材料形成，并且可利用用于形成空穴注入电极层的材料中的合适的透明材料或反射材料形成，但本申请不限于此。电子注入电极层例如也可通过沉积或溅镀形成，根据需要，可进行合适的图案化。
[0077] 电极层例如可形成为约90nm至200nm、90nm至180nm、或90nm至150nm的厚度。
[0078] 有机层存在于透明电极层和反射电极层之间。有机层可包括至少两个发光单元。在该结构中，从发光单元产生的光，经过被反射电极层反射的过程而可发射到透明电极层。
[0079] 有机层可包括至少一个发光单元。如果需要，有机层可包括两个发光单元，例如具有第一发射中心波长的第一发光单元和具有第二发射中心波长的第二发光单元。在某些情况下，可包括至少三个发光单元。在本说明书中，第一发射中心波长与第二发射中心波长可在不同的范围内。例如，第一发射中心波长(λ1)与第二发射中心波长(λ2)之比(λ1/λ2)可在1.1至2的范围中。在该范围内，可通过发光单元的混合物来识别所需要的颜色。在另一实例中，比值(λ1/λ2)可为1.2或更多、1.3或更多或1.4或更多。在又一实例中，比值(λ1/λ2)可为1.9或更少或1.85或更少。考虑到光提取效率，可对发光单元和反射电极层之间的间隙进行调节。例如，第一发光单元和反射电极层(如反射电极层)之间间隙(L1)与第二发光单元和反射电极层之间间隙(L2)之比(L1/L2)可在约1.5至2.0的范围中。在另一实例中，比值(L1/L2)可约为2以上或2.5以上。此外，在另一实例中，比值(L1/L2)可约为15或更少。例如，当在具有上述雾度的基板区域上形成包括具有经上述调节的间隙并具有相应的发光中心波长的各个发光单元的有机层的时候，有机电子器件的光提取效率可有所改善。
[0080] 各个发光单元的发光中心波长和反射电极层之间的间隙只要满足上述比值，就对特定范围无特殊限制。例如，第一发光中心波长可为约500至700nm，且第二发光中心波长可为约380至500nm的范围。此外，第一发光单元与反射电极层之间的间隙可为150至200nm的范围，且第二发光单元与反射电极层之间的间隙可为20至80nm的范围。
[0081] 为进行合适的发射，在第一发光单元和第二发光单元之间还可存在有中间电极层或电荷发生层(CGL；Charge Generating Layer)。另外，可以通过具有产生电荷的特性的中间电极层或CGL来分隔发光单元。
[0082] 组成发光单元的材料无特殊限制。具有各种发光中心波长的荧光和磷光有机材料是本领域已知的，且可选择合适类型的已知材料来形成发光单元。用作发光单元的材料可为：Alq系材料，如三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3)、4-MAlq3或Gaq3等；环戊二烯(cyclopenadiene)衍生物，如C-545T(C26H26N2O2S)、DSA-胺、TBSA、BTP、PAP-NPA、螺-FPA、PhTDAOXD(Ph3Si)、或1，2，3，
4，5-五苯基-1，3-环戊二烯(PPCP，1，2，3，4，5-pentaphenyl-1，3-cyclopentadiene)；4，
4’-双(2，2’-二苯基乙烯基)-1，1’-联苯(DPVBi，4，4′-bis(2，2′-diphenylyinyl)-1，
1′-biphenyl)、二苯乙烯基苯或其衍生物；4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(1，1，
7，7，-四甲基久洛尼定-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB，4-(Dicyanomethylene)-2-ter
t-butyl-6-(1，1，7，7，-tetramethylj ulolidyl-9-enyl)-4H-pyran)、DDP、AAAP 或NPAMLI；或磷 光材 料(phosphorescent material)，如 Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon2Ir(acac)、(C6)2Ir(acac)、bt2Ir(acac)、dp2Ir(acac)、bzq2Ir(acac)、bo2Ir(acac)、F2Ir(bpy)、F2Ir(acac)、op2Ir(acac)、ppy2Ir(acac)、tpy2Ir(acac)、面 式 - 三 [2-(4，
5’-二氟苯基)吡啶-C'2，N]铱(III)(FIrppy，fac-tris[2-(4，5′-difluorophenyl)pyridine-C′2，N]iridium(III))或双(2-(2’-苯并[4，5-a]噻吩基)吡啶-N，C3')铱(乙酰丙酮)(Btp2Ir(acac)，bis(2-(2′-benzo[4，5-a]thienyl)pyridinato-N，C3′)iridium(acetylactonate))，但并不限于此。该发光层可包含作为主体(host)的上述材料，并包含主体掺杂体系(Host-Dopant system)，所述主体掺杂体系包括作为掺杂剂的苝(perylene)、二苯乙烯基联苯(distyrylbiphenyl)、DPT、喹吖啶酮(quinacridone)、红荧烯(rubrene)、BTX、ABTX、或DCJTB等，但并不限于此。
4，5-五苯基-1，3-环戊二烯(PPCP，1，2，3，4，5-pentaphenyl-1，3-cyclopentadiene)；4，
4’-双(2，2’-二苯基乙烯基)-1，1’-联苯(DPVBi，4，4′-bis(2，2′-diphenylyinyl)-1，
1′-biphenyl)、二苯乙烯基苯或其衍生物；4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(1，1，
7，7，-四甲基久洛尼定-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB，4-(Dicyanomethylene)-2-ter
t-butyl-6-(1，1，7，7，-tetramethylj ulolidyl-9-enyl)-4H-pyran)、DDP、AAAP 或NPAMLI；或磷 光材 料(phosphorescent material)，如 Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon2Ir(acac)、(C6)2Ir(acac)、bt2Ir(acac)、dp2Ir(acac)、bzq2Ir(acac)、bo2Ir(acac)、F2Ir(bpy)、F2Ir(acac)、op2Ir(acac)、ppy2Ir(acac)、tpy2Ir(acac)、面 式 - 三 [2-(4，
5’-二氟苯基)吡啶-C'2，N]铱(III)(FIrppy，fac-tris[2-(4，5′-difluorophenyl)pyridine-C′2，N]iridium(III))或双(2-(2’-苯并[4，5-a]噻吩基)吡啶-N，C3')铱(乙酰丙酮)(Btp2Ir(acac)，bis(2-(2′-benzo[4，5-a]thienyl)pyridinato-N，C3′)iridium(acetylactonate))，但并不限于此。该发光层可包含作为主体(host)的上述材料，并包含主体掺杂体系(Host-Dopant system)，所述主体掺杂体系包括作为掺杂剂的苝(perylene)、二苯乙烯基联苯(distyrylbiphenyl)、DPT、喹吖啶酮(quinacridone)、红荧烯(rubrene)、BTX、ABTX、或DCJTB等，但并不限于此。
[0083] 发光单元也可利用展现出发光特性的合适的一种物质形成，所述合适的一种物质选自得电子有机化合物或给电子有机化合物，其将在下文中得到描述。
[0084] 有机层可在还包括本领域已知的各种其他的功能性层的各种结构中形成，只要所述结构包括发光单元。作为在有机层中所包括的层，可使用电子注入层、空穴阻挡层、电子传输层、空穴传送层、或空穴注入层等。
[0085] 电子注入层或电子传送层例如可使用电子接收有机化合物(electron accepting organic compound)形成。在本说明书中，关于得电子有机化合物，可使用已知的任意化合物，无特殊限制。关于该有机化合物，可使用多环化合物，如对三联苯(P-terphenyl)或四联苯(quaterphenyl)或其衍生物；多环烃化合物，如萘(naphthalene)、并四苯(tetracene)、芘(pyrene)、晕苯(coronene)、 (chrysene)、蒽(anthracene)、二苯
蒽(diphenylanthracene)、稠四苯(naphthacene)或菲(phenanthrene)，或其衍生物；
或者杂环化合物，如啡咯啉(phenanthroline)、红菲咯啉(bathophenanthroline)、啡啶(phenanthridine)、吖啶(acridine)、喹啉(quinoline)、喹喔 啉(quinoxaline)、或吩嗪(phenazine)，或其衍生物。此外，荧光素(fluoroceine)、苝(perylene)、
酞 苝(phthaloperylene)、萘 苝(naphthaloperylene)、苝 酮(perynone)、酞 苝 酮(phthaloperynone)、萘苝酮(naphthaloperynone)、二苯基丁二烯(diphenylbutadiene)、四苯基丁二烯(tetraphenylbutadiene)、噁二唑(oxadiazole)、醛连氮(aldazine)、二苯并噁唑啉(bisbenzoxazoline)、联苯乙烯(bisstyryl)、吡嗪(pyrazine)、环戊二烯(cyclopentadiene)、8-羟基喹啉(oxine)、氨基喹啉(aminoquinoline)、亚胺(imine)、二苯乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑(diaminocarbazole)、吡喃(pyrane)、噻喃(thiopyrane)、聚甲炔(polymethine)、部花青素(merocyanine)、喹吖啶酮(quinacridone)、红荧烯
(rubrene)，或其衍生物；于日本公开专利申请第1988-295695号、日本公开专利申请第
1996-22557号、日本公开专利申请第1996-81472号、日本公开专利申请第1993-009470号、日本公开专利申请第1993-017764号公开的金属螯合络合物，例如所述络合物具有至少一种作为配体的金属螯合8-羟基喹啉化合物(metal chelated oxinoid compounds)
如：8-羟基喹啉化合物，包括：三(8-羟基喹啉)铝(tris(8-quinolinolato)aluminium)、双(8-羟基喹啉)镁、双[苯并(f)-8-羟基喹啉]锌(bis[benzo(f)-8-quinolinolato]
zinc)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)铟(tris(8-quinolinolato)
indium)、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝、8-羟基喹啉锂、三(5-氯-8-羟基喹啉)镓、双
(5-氯-8-羟基喹啉)钙，及其衍生物；于日本公开专利申请第1993-202011号、日本公开专利申请第1995-179394号、日本公开专利申请第1995-278124号或日本公开专利申请第
1995-228579号公开的噁二唑(oxadiazole)化合物；于日本公开专利申请第1995-157473号公开的三嗪(triazine)化合物；于日本公开专利申请第1994-203963号公开的茋类
(stilbene)衍生物；二苯乙烯基亚芳基(distyrylarylene)衍生物；于日本公开专利申请第1994-132080号或日本公开专利申请第1994-88072号公开的苯乙烯基衍生物；于日本公开专利申请第1994-100857号或日本公开专利申请第1994-207170号公开的二烯烃衍
生物；荧光增白剂，如苯并噁唑(benzooxazole)化合物、苯并噻唑(benzothiazole)化合物，或苯并咪唑(benzoimidazole)化合物；二苯乙烯基苯(distyrylbenzene)化合物，如
1，4-双(2-甲基苯乙烯基)苯、1，4-双(3-甲基苯乙烯基)苯、1，4-双(4-甲基苯乙烯
基)苯、二苯乙烯基苯、1，4-双(2-乙基苯乙烯基)苯、1，4-双(3-乙基苯乙烯基)苯、1，
4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯或1，4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯；二苯乙烯
基吡嗪化合物，如2，5-双(4-甲基苯乙烯基)吡嗪、2，5-双(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2，
5-双[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪、2，5-双(甲氧基苯乙烯基)吡嗪、2，5-双[2-(4-联
苯基)乙烯基]吡嗪或2，5-双[2-(1-芘基)乙烯基]吡嗪；二亚甲基(dimethylidine)
化合物或其衍生物，如1，4-亚苯基二亚甲基、4，4’-亚苯基二亚甲基、2，5-二甲苯二亚甲基、2，6-亚萘基二亚甲基、1，4-亚联苯基二亚甲基、1，4-对亚苯基二亚甲基、9，10-蒽二基二亚甲基(9，10-anthracenediyldimethylidine)，或4，4’-(2，2-二叔丁基苯基)联苯，或4，4’-(2，2-联苯基乙烯基)联苯等；于日本公开专利申请第1994-49079号或日本公开专利申请第1994-293778号公开的硅烷胺(silanamine)衍生物；于日本公开专利申请第
1994-279322号或日本公开专利申请第1994-279323号公开的多官能苯乙烯基化合物；于日本公开专利申请第1994-107648号或日本公开专利申请第1994-092947号公开的噁二
唑衍生物；于日本公开专利申请第1994-206865号公开的蒽化合物；于日本公开专利申请第1994-145146号公开的8-羟基喹啉盐衍生物；如日本公开专利申请第1992-96990号公开的四苯基丁二烯化合物；如日本公开专利申请第1991-296595号公开的有机三官能化合物；于日本专利公开号第1990-191694号公开的香豆素(coumarin)衍生物；于日本公开专利申请第1990-196885号公开的苝衍生物；于日本公开专利申请第1990-255789号公开的萘衍生物；如日本公开专利申请第1990-289676号或日本公开专利申请第1990-88689号公开的酞苝酮(phthaloperynone)衍生物；或如日本公开专利申请第1990-250292号公开的苯乙烯基胺衍生物，上述化合物被用作包含在低折射层中的得电子有机化合物。另外，在本说明书中，电子注入层可使用，例如，以下材料形成，如LiF或CsF。
蒽(diphenylanthracene)、稠四苯(naphthacene)或菲(phenanthrene)，或其衍生物；
或者杂环化合物，如啡咯啉(phenanthroline)、红菲咯啉(bathophenanthroline)、啡啶(phenanthridine)、吖啶(acridine)、喹啉(quinoline)、喹喔 啉(quinoxaline)、或吩嗪(phenazine)，或其衍生物。此外，荧光素(fluoroceine)、苝(perylene)、
酞 苝(phthaloperylene)、萘 苝(naphthaloperylene)、苝 酮(perynone)、酞 苝 酮(phthaloperynone)、萘苝酮(naphthaloperynone)、二苯基丁二烯(diphenylbutadiene)、四苯基丁二烯(tetraphenylbutadiene)、噁二唑(oxadiazole)、醛连氮(aldazine)、二苯并噁唑啉(bisbenzoxazoline)、联苯乙烯(bisstyryl)、吡嗪(pyrazine)、环戊二烯(cyclopentadiene)、8-羟基喹啉(oxine)、氨基喹啉(aminoquinoline)、亚胺(imine)、二苯乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑(diaminocarbazole)、吡喃(pyrane)、噻喃(thiopyrane)、聚甲炔(polymethine)、部花青素(merocyanine)、喹吖啶酮(quinacridone)、红荧烯
(rubrene)，或其衍生物；于日本公开专利申请第1988-295695号、日本公开专利申请第
1996-22557号、日本公开专利申请第1996-81472号、日本公开专利申请第1993-009470号、日本公开专利申请第1993-017764号公开的金属螯合络合物，例如所述络合物具有至少一种作为配体的金属螯合8-羟基喹啉化合物(metal chelated oxinoid compounds)
如：8-羟基喹啉化合物，包括：三(8-羟基喹啉)铝(tris(8-quinolinolato)aluminium)、双(8-羟基喹啉)镁、双[苯并(f)-8-羟基喹啉]锌(bis[benzo(f)-8-quinolinolato]
zinc)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)铟(tris(8-quinolinolato)
indium)、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝、8-羟基喹啉锂、三(5-氯-8-羟基喹啉)镓、双
(5-氯-8-羟基喹啉)钙，及其衍生物；于日本公开专利申请第1993-202011号、日本公开专利申请第1995-179394号、日本公开专利申请第1995-278124号或日本公开专利申请第
1995-228579号公开的噁二唑(oxadiazole)化合物；于日本公开专利申请第1995-157473号公开的三嗪(triazine)化合物；于日本公开专利申请第1994-203963号公开的茋类
(stilbene)衍生物；二苯乙烯基亚芳基(distyrylarylene)衍生物；于日本公开专利申请第1994-132080号或日本公开专利申请第1994-88072号公开的苯乙烯基衍生物；于日本公开专利申请第1994-100857号或日本公开专利申请第1994-207170号公开的二烯烃衍
生物；荧光增白剂，如苯并噁唑(benzooxazole)化合物、苯并噻唑(benzothiazole)化合物，或苯并咪唑(benzoimidazole)化合物；二苯乙烯基苯(distyrylbenzene)化合物，如
1，4-双(2-甲基苯乙烯基)苯、1，4-双(3-甲基苯乙烯基)苯、1，4-双(4-甲基苯乙烯
基)苯、二苯乙烯基苯、1，4-双(2-乙基苯乙烯基)苯、1，4-双(3-乙基苯乙烯基)苯、1，
4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯或1，4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯；二苯乙烯
基吡嗪化合物，如2，5-双(4-甲基苯乙烯基)吡嗪、2，5-双(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2，
5-双[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪、2，5-双(甲氧基苯乙烯基)吡嗪、2，5-双[2-(4-联
苯基)乙烯基]吡嗪或2，5-双[2-(1-芘基)乙烯基]吡嗪；二亚甲基(dimethylidine)
化合物或其衍生物，如1，4-亚苯基二亚甲基、4，4’-亚苯基二亚甲基、2，5-二甲苯二亚甲基、2，6-亚萘基二亚甲基、1，4-亚联苯基二亚甲基、1，4-对亚苯基二亚甲基、9，10-蒽二基二亚甲基(9，10-anthracenediyldimethylidine)，或4，4’-(2，2-二叔丁基苯基)联苯，或4，4’-(2，2-联苯基乙烯基)联苯等；于日本公开专利申请第1994-49079号或日本公开专利申请第1994-293778号公开的硅烷胺(silanamine)衍生物；于日本公开专利申请第
1994-279322号或日本公开专利申请第1994-279323号公开的多官能苯乙烯基化合物；于日本公开专利申请第1994-107648号或日本公开专利申请第1994-092947号公开的噁二
唑衍生物；于日本公开专利申请第1994-206865号公开的蒽化合物；于日本公开专利申请第1994-145146号公开的8-羟基喹啉盐衍生物；如日本公开专利申请第1992-96990号公开的四苯基丁二烯化合物；如日本公开专利申请第1991-296595号公开的有机三官能化合物；于日本专利公开号第1990-191694号公开的香豆素(coumarin)衍生物；于日本公开专利申请第1990-196885号公开的苝衍生物；于日本公开专利申请第1990-255789号公开的萘衍生物；如日本公开专利申请第1990-289676号或日本公开专利申请第1990-88689号公开的酞苝酮(phthaloperynone)衍生物；或如日本公开专利申请第1990-250292号公开的苯乙烯基胺衍生物，上述化合物被用作包含在低折射层中的得电子有机化合物。另外，在本说明书中，电子注入层可使用，例如，以下材料形成，如LiF或CsF。
[0086] 空穴阻挡层为阻挡从空穴注入电极层注入的空穴穿过发光层而进入电子注入电极层，由此延长器件的寿命并提高器件的效能的层，并且，根据需要，空穴阻挡层可以使用已知材料形成于发光层与电子注入电极层之间的适当部分。
[0087] 空穴注入层或空穴传送层可包括例如，给电子有机化合物(electron donating organic compound)。作为给电子有机化合物，可使用N，N’，N’-四苯基-4，4’-二氨基苯基、N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-二氨基联苯、2，2-双(4-二-对甲苯基氨基苯基)丙烷、N，N，N’，N’-四-对甲苯基-4，4’-二氨基联苯、双(4-二-对甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、N，N’-二苯基-N，N’-二(4-甲氧基苯基)-4，4’-二氨基联苯、N，N，N’，N’-四苯基-4，4'-二氨基二苯醚、4，4’-双(二苯基氨基)四苯[4，4′-bis(diphenylamino)quadriphenyl]、4-N，N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4'-N，N-二苯基氨基苯乙烯基苯、N-苯基咔唑、1，1-双(4-二-对三氨基苯基)环己烷、1，1-双(4-二-对三氨基苯基)-4-苯基环己烷、双(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、N，N，N-三(对甲苯基)胺、4-(二-对甲苯基氨基)-4’-[4-(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]茋、N，N，N’，N’-四苯基-4，4’-二氨基联苯N-苯基咔唑、4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯、4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]对三联苯、4，4’-双[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]联苯、4，4'-为[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]联苯、1，5-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨
基]萘、4，4’-双[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]联苯基苯基氨基]联苯、4，4’-双[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-对-三联苯、4，4’-双[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]联苯、4，4’-双
[N-(8-荧蒽基)-N-苯基氨基]联苯、4，4’-双[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]联苯、4，4'-双[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]联苯、4，4’-双[N-(1-晕苯基)-N-苯基氨基]联苯(4，4′-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、2，6-双(二-对甲苯基氨基)萘、2，6-双[二-(1-萘基)氨基]萘、2，6-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘、4，4”-双[N，
N-二(2-萘基)氨基]三联苯、4，4’-双{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]氨基}联苯、
4，4’-双[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]联苯、2，6-双[N，N-二-(2-萘基)氨基]芴或4，
4”-双(N，N-二-对甲苯基氨基)三联苯，或芳胺类化合物，如双(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺，但本发明不限于此。
基]萘、4，4’-双[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]联苯基苯基氨基]联苯、4，4’-双[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-对-三联苯、4，4’-双[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]联苯、4，4’-双
[N-(8-荧蒽基)-N-苯基氨基]联苯、4，4’-双[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]联苯、4，4'-双[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]联苯、4，4’-双[N-(1-晕苯基)-N-苯基氨基]联苯(4，4′-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、2，6-双(二-对甲苯基氨基)萘、2，6-双[二-(1-萘基)氨基]萘、2，6-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘、4，4”-双[N，
N-二(2-萘基)氨基]三联苯、4，4’-双{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]氨基}联苯、
4，4’-双[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]联苯、2，6-双[N，N-二-(2-萘基)氨基]芴或4，
4”-双(N，N-二-对甲苯基氨基)三联苯，或芳胺类化合物，如双(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺，但本发明不限于此。
[0088] 空穴注入层或空穴传输层可通过将有机化合物分散在聚合物中形成，或使用由有机化合物衍生的聚合物而形成。此外，也可使用π-共轭聚合物(π-conjugated
polymers)如聚对苯乙炔(polyparaphenylenevinylene)及其衍生物、空穴传输非共轭聚合物如聚(N-乙烯基咔唑)或聚硅烷的σ-共轭聚合物。
polymers)如聚对苯乙炔(polyparaphenylenevinylene)及其衍生物、空穴传输非共轭聚合物如聚(N-乙烯基咔唑)或聚硅烷的σ-共轭聚合物。
[0089] 空穴注入层可使用导电聚合物如金属酞菁(如铜酞菁)、或非金属酞菁、碳膜及聚苯胺而形成，或者，通过将芳胺化合物作为氧化剂，与Lewis酸反应而形成。
[0090] 对有机材料层的具体结构没有特别地限制。用于形成空穴或电子注入电极层、和有机层如发光单元、电子注入或传输层、或空穴注入或传输层的各种材料和方法是本领域已知的，所有这些方法都可以用于制作有机电子器件。
[0091] 有机电子器件的上部区域可包括向上部方向依次形成的第二无机材料层和覆盖(cover)膜。
[0092] 第二无机材料层的存在是用于阻止、抑制、或减少外界物质的渗入，从而获得耐久性，并且具体材料以及形成方法可以与在第一无机材料层的段落中所描述的那些相同。但是，当第二无机材料层设计为向基板区域发光时，并非必须将第二无机材料层形成为如第一无机材料层那样具有高的折射率。
[0093] 第二无机材料层上部存在的覆盖膜，可以是用于保护有机电子器件的结构，例如其为阻挡膜、金属板(sheet)、或导电膜，或其至少两者的层叠结构。上部区域中的覆盖膜可通过粘合层——例如，上述的具有阻挡性能的粘合层——而粘合在第二无机材料层上。
[0094] 如果需要，可在上部区域中存在有至少一个缓冲层，即第二缓冲层。例如，缓冲层可存在于反射电极层和第二无机材料层之间。在另一实施方案中，上部区域可分别包括至少两个第二缓冲层和至少两个阻挡层，并且也可包括交替重复层叠的结构。缓冲层可用于减小由上部区域结构产生的应力(stress)、阻止在第二无机材料层上形成覆盖膜时挤压到器件、和/或降低形成第二无机材料层的温度极限、以及提供合适的平坦化表面以便第二无机材料层可具有极佳的效果。用于第二缓冲层的特定材料和形成方法可以与在第一缓冲层段落中所描述的那些类似。但是，当光被设计为射向基板区域时，第二缓冲层并非必须形成为如第一无机材料层那样具有高的折射率。
[0095] 为使第二缓冲层在整个器件结构中展现出合适的性能并具备所需的功能，其可为通过iCVD法形成的iCVD层。
[0096] 第二缓冲层可包括，例如，聚(甲基)丙烯酸酯或有机硅等。
[0097] 聚(甲基)丙烯酸酯例如可包含式3的化合物的聚合单元。术语化合物的“聚合单元”意指，其化合物经聚合并包含在聚合物中的状态。聚(甲基)丙烯酸酯可为式3的化合物的均聚物，或者包含除式3的化合物以外的另一共聚物的共聚物。
[0098] 【式3】
[0099]
[0100] 在式3中，R1可为氢或具有1至4个碳原子的烷基，且A可为含有环氧基的基团或为脂环族单价烃基。
[0101] 在本说明书中，含有环氧基的基团可为缩水甘油基、缩水甘油氧基、缩水甘油烷基、缩水甘油氧烷基或脂环族环氧基等。此外，在本说明书中，脂环族单价烃基是指，由一种化合物或其衍生物衍生而来的单价残基，在所述化合物中碳原子以环形相连，但其并非芳香性化合物。脂环族单价烃基可为具有3至20、5至15或5至12个碳原子的烃基，例如，异冰片基(isobornyl)、环己基、降冰片基(norbornanyl)、降冰片烯基(norbornenyl)、二环戊二烯基、乙炔基环己烷基、乙炔基环己烯基或乙炔基十氢萘基等，但不限于此。
[0102] 同时，作为有机硅，可使用在基板区域的缓冲层的段落中所描述的材料。
[0103] 在整个器件结构中，使用上述材料并通过iCVD法来形成的第二缓冲层可具有极佳的功能。考虑到所需的功能，第二缓冲层可形成为约200至1,000nm或约200至500nm范围的合适的厚度。
[0104] 本发明涉及上述有机电子设备例如有机发光设备的用途。所述有机发光设备可有效应用于例如液晶显示器(LCD)的背光源、照明设备、各种传感器、打印机或复印件等的光源、车辆仪表盘的光源、信号灯、领航灯、显示设备、区域发光器件的光源、显示器、装饰或各种灯。在一个具体的实例中，本发明涉及包括所述有机发光器件的照明设备。在所述有机发光器件应用于照明设备或用于其他用途时，制造所述设备或设备的部件的方法不做特别限定，可使用本领域已知的任何材料和任何方法，只要使用所述有机发光器件。
[0105] 有益效果
[0107] 图1是表示示例性的有机电子器件的示意图。
具体实施方式
[0108] 下文中，将参照根据本申请的实施例和非根据本申请的比较例对本申请的说明性实施方案进行详细的描述。但是，本申请的范围不限于将于下文公开的实施方案。
[0109] 1、粘合剂层雾度的评价方法
[0110] 用于实施例或比较例的粘合剂层的雾度，是使用雾度测量计HM-150并根据ASTM D1003进行评价。
[0111] 2、量子效率的评价方法
[0112] 实施例或比较例中制作的有机电子器件的量子效率，是利用积分球或积分半球的常规方法进行评价。
[0113] 实施例1
[0114] 通过以下方法制作有机电子器件。作为基底膜，可使用折射率约为1.7的聚酰亚胺(PI，polyimide)膜。PI膜在作为载体基板的玻璃基板上形成，并根据已知的方法在PI膜上依次形成含有铟锡氧化物(ITO，Indium Tin Oxide)的正极层(anode)(透明电极层)、含有N，N′-二-[(1-萘基)-N，N'-联苯基]-1，1′-联苯基)-4，4′-二胺(alpha-NPD)的空穴注入层和发光单元(4，4’，4”-三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA)：Firpic，TCTA：Fir6)。随后，在发光单元上部真空沉降电子传输化合物、4，4’，4”-三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA)、和低折射材料LiF(折射率：约1.39)以使全部层的折射率约为1.66，从而形成厚度约为70nm的低折射有机层。随后，通过真空沉积在低折射有机层上形成作为电子注入反射电极的铝(Al)电极。然后，通过层离载体基板，并使用散射粘合剂层来在PI膜下部粘合阻挡膜，制作了器件。作为散射粘合剂，可使用通过共混散射颗粒——如折射率约为1.9且平均粒度约为200nm的氧化钛颗粒——与已知的透明丙烯酸粘合剂而制备出的粘合剂以使粘合剂层的雾度约为52％。在粘合阻挡膜时，粘合剂层的厚度被调整为约30μm。
[0115] 实施例2
[0116] 通过与实施例1所述相同的方法制作有机电子器件，不同之处在于，通过将与实施例1中所用的相同的氧化钛颗粒和应用于实施例1中的相同的已知透明丙烯酸粘合剂(折射率：约1.47)进行配合而制备了雾度约为64％的粘合剂。
[0117] 比较例1
[0118] 通过与实施例1所述相同的方法制作有机电子器件，不同之处在于，散射颗粒(金红石型氧化钛颗粒)不与应用于实施例1中的相同的已知透明丙烯酸粘合剂(折射率：约1.47)配合。
[0119] 比较例2
[0120] 通过与实施例1所述相同的方法制作有机电子器件，不同之处在于，通过将折射率约为1.4且平均粒度约为200nm——其与实施例1中所用的相同——的二氧化硅颗粒和应用于实施例1中的相同的已知透明丙烯酸粘合剂(折射率：约1.47)进行配合而制备了形成雾度约为60％的粘合剂层。
[0121] 比较例3
[0122] 通过与实施例1所述相同的方法制作有机电子器件，不同之处在于，通过将折射率约为1.4且平均粒度约为200nm——其与实施例1中所用的相同——的二氧化硅颗粒和应用于实施例1中的相同的已知透明丙烯酸粘合剂(折射率：约1.47)进行配合而制备了雾度约为70％的粘合剂层。
[0123] 量子效率的评价
[0124] 对分别在实施例或比较例中制作的有机电子器件的量子效率进行评价，且其结果总结于表1中。
[0125] 【表1】
[0126]实施例1 实施例2 比较例1 比较例2 比较例3
量子效率(Q.E.(％)) 46.2 43.7 33.5 38.2 39.8
量子效率(Q.E.(％)) 46.2 43.7 33.5 38.2 39.8
[0127] 从表1可以确认到，相比于不具有散射特性的粘合剂，向使用了本申请的散射粘合剂的有机电子器件具有优异的效果。特别地，从比较例2和比较例3的对比中可以确认到，在粘合剂层中的颗粒的折射率高于粘着性粘合剂的情况下，即使在其雾度与粘合剂层中的颗粒比粘着性粘合剂的折射率低时的雾度处于相同的水平或更低的水平的情况下，也得到了优异的量子效率。
[0128] 附图标记说明
[0129] 101：阻挡膜
[0130] 102：散射粘合剂层
[0131] 1021：粘着性粘合剂
[0132] 1022：散射颗粒
[0133] 103：基底膜
[0134] 104：透明电极层
[0135] 105：有机层
[0136] 106：反射电极层
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