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一种快速查找 晶圆划伤缺角沾污的方法

阅读：877发布：2023-02-22

专利汇可以提供一种快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法，包括：将已确认的造成晶圆划伤缺角沾污的设备的名称和硬件尺寸汇总做成数据库 1；统计晶圆制造过程中与所述晶圆发生接触的所有设备的名称和硬件尺寸，并将上述所有的硬件尺寸和晶圆的接触位置做成统一的数据库2；按照0.5mm的像素点对所述晶圆进行划分；在所划分的所述晶圆中确定划伤的起点和终点；选取与所述划伤最近似的曲线；根据所述曲线的形状和长度从所述数据库2中选取对应的数据，并将所选取的数据与所述数据库1中的数据进行对比；将确认的结果数据输入所述数据库1，以作为后续判断问题的参考依据。，下面是一种快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法，包括：
将已确认的造成晶圆划伤缺角沾污的设备的名称和硬件尺寸汇总做成数据库1；
统计晶圆制造过程中与所述晶圆发生接触的所有设备的名称和硬件尺寸，并将上述所有的硬件尺寸和晶圆的接触位置做成统一的数据库2；
按照0.5mm的像素点对所述晶圆进行划分；
在所划分的所述晶圆中确定划伤的起点和终点；
选取与所述划伤最近似的曲线；
根据所述曲线的形状和长度从所述数据库2中选取对应的数据，并将所选取的数据与所述数据库1中的数据进行对比；
将确认的结果数据输入所述数据库1，以作为后续判断问题的参考依据。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述数据库1中的硬件尺寸包括所述设备与所述晶圆发生实际接触的部位的尺寸以及所述设备对所述晶圆造成的划伤的尺寸。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述数据库2中的硬件尺寸包括所述设备与所述晶圆发生实际接触的部位的尺寸。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过改变相似度值来选取与所述划伤最近似的曲线。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述对比，以进一步排除不可能造成所述划伤的设备的名称和硬件尺寸。

说明书全文

一种快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法。

背景技术

[0002] 在半导体制造过程中，由于设备异常或者人为操作错误会导致晶圆划伤缺角沾污的产生，进而造成产品良率下降，严重的会导致整个晶圆的报废。

[0003] 目前，主要通过人工在线查找的方法来查找造成晶圆划伤缺角沾污的原因，即查找者参考整个半导体制造过程所采用的设备名称和硬件尺寸，凭借经验来判断产生上述问题的根源。这种查找方法的缺点是：不同的查找者所拥有的相关经验不同，因而对于不同的查找者，其查找的速度和判断的结果存在较大的差异，不利于快速、准确地解决所述出现的问题。

[0004] 因此，需要提出一种方法，以能够为不同的查找者提供一个统一的对于划伤缺角沾污的产生原因的查找平台。

发明内容

[0005] 针对现有技术的不足，本发明提供一种快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法，包括：将已确认的造成晶圆划伤缺角沾污的设备的名称和硬件尺寸汇总做成数据库1；统计晶圆制造过程中与所述晶圆发生接触的所有设备的名称和硬件尺寸，并将上述所有的硬件尺寸和晶圆的接触位置做成统一的数据库2；按照0.5mm的像素点对所述晶圆进行划分；在所划分的所述晶圆中确定划伤的起点和终点；选取与所述划伤最近似的曲线；根据所述曲线的形状和长度从所述数据库2中选取对应的数据，并将所选取的数据与所述数据库1中的数据进行对比；将确认的结果数据输入所述数据库1，以作为后续判断问题的参考依据。

[0006] 进一步，所述数据库1中的硬件尺寸包括所述设备与所述晶圆发生实际接触的部位的尺寸以及所述设备对所述晶圆造成的划伤的尺寸。

[0007] 进一步，所述数据库2中的硬件尺寸包括所述设备与所述晶圆发生实际接触的部位的尺寸。

[0008] 进一步，通过改变相似度值来选取与所述划伤最近似的曲线。

[0009] 进一步，通过所述对比，以进一步排除不可能造成所述划伤的设备的名称和硬件尺寸。

[0010] 根据本发明，可以为不同的查找者提供一个统一的对于划伤缺角沾污的产生原因的查找平台，并将异常记录存档；通过该平台，任何人都可以快速地判断问题，减小对产品的影响范围。附图说明

[0011] 本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

[0012] 附图中：

[0013] 图1为按照0.5mm的像素点对晶圆进行划分的示意图；

[0014] 图2为相似度查询按钮的示意图；

[0015] 图3为本发明提出的快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法的流程图。

具体实施方式

[0016] 在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

[0017] 为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤，以便阐释本发明提出的快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法。显然，本发明的施行并不限定于半导体领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

[0018] 应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。

[0019] 针对现有的人工在线查找方法的不足之处，本发明提出一个统一的对于划伤缺角沾污的产生原因进行查找的方法。

[0020] 参照图1，其中示出了本发明提出的快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法的流程图，用于简要示出整个查找方法的流程。下面将结合图1对本发明的方法进行详细描述。

[0021] 执行步骤101，将已确认的造成晶圆划伤缺角沾污的设备的名称和硬件尺寸汇总做成数据库1。所述设备包括托举或抓取所述晶圆的设备、研磨所述晶圆的设备等。所述硬件尺寸包括所述设备与所述晶圆发生实际接触的部位的尺寸以及所述设备对所述晶圆造成的划伤的尺寸。

[0022] 执行步骤102，统计晶圆制造过程中与所述晶圆发生接触的所有设备的名称和硬件尺寸，并将上述所有的硬件尺寸和晶圆的接触位置做成统一的数据库2。所述硬件尺寸包括所述设备与所述晶圆发生实际接触的部位的尺寸。

[0023] 执行步骤103，按照0.5mm的像素点对所述晶圆进行划分，如图2所示，将所划分的所述晶圆做成软件，其中所述数据库2链接到所述软件，即所述数据库2可以直观地链接到所划分的所述晶圆上。本实施例中，采用C#.net实现所述软件的制作。所述数据库1和数据库2的制作可以采用本领域技术人员所公知的方法来实现。

[0024] 执行步骤104，在如图2所示的晶圆(即所划分的所述晶圆)中确定划伤的起点和终点，所述软件将自动连接所述起点和终点以绘制成线，并根据所述线的位置和长度从所述数据库2中选取可能造成所述划伤的设备的名称和硬件尺寸；

[0025] 执行步骤105，选取与所述划伤最近似的曲线。所述软件中设置有相似度选项，通过调节如图3所示的相似度按钮以选择不同的相似度值，进而改变连接所述划伤的起点和终点的线的形状以确定与所述划伤最近似的曲线；其中，所述相似度值越大，所选取的曲线的形状和尺寸与所述划伤的形状和尺寸越近似，所述软件根据所选取的曲线的形状和尺寸从所述数据库2中选取的造成所述划伤的设备的名称和硬件尺寸的数据越精确。

[0026] 执行步骤106，所述软件根据所述曲线的位置和长度从所述数据库2中选取最有可能造成所述划伤的设备的名称和硬件尺寸的数据，并将所选取的数据与所述数据库1中的数据进行对比，以进一步排除不可能造成所述划伤的设备的名称和硬件尺寸的相关数据。

[0027] 执行步骤107，将确认的结果(即造成划伤的原因)数据输入所述数据库1，以作为后续判断问题的参考依据。

[0028] 根据本发明，可以为不同的查找者提供一个统一的对于划伤缺角沾污的产生原因的查找平台，并将异常记录存档，为新进的查找者提供分析问题的大量可参考的资料；通过该平台，任何人都可以快速地判断问题，减小对产品的影响范围。

[0029] 本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

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