凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法
专利汇可以提供凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种凹陷 沟道 型PNPN 场效应晶体管 的制造方法。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏 电流 的同时增大了驱动电流，也就是在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。采用本发明的凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法，工艺过程简单，效率高，降低了生产成本。，下面是凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法专利的具体信息内容。
1.一种凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法，其特征在于具体步骤为：
提供一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；
进行离子注入，在提供的半导体衬底内形成第一种掺杂类型的区域；
在经上步处理的半导体衬底上淀积形成第一种绝缘薄膜；
通过光刻，将所述第一种绝缘薄膜和第一种掺杂类型的区域刻蚀掉，露出进行后续掺杂的半导体衬底区域；
在上步形成的结构上，淀积形成第二种绝缘薄膜；然后进行各向异性刻蚀，形成由第二种绝缘薄膜构成的侧墙；
在上步形成的结构上，直接进行扩散，形成第二种掺杂类型的区域；
在上步行成的结构上淀积形成第三种绝缘薄膜；
通过自对准方法刻蚀形成器件的凹陷沟道区域；该凹陷沟道为U型；在该步骤中，上述侧墙被完全刻蚀掉；
在上步行成的结构上形成第四种绝缘薄膜；
在上步行成的结构上淀积形成第一种导电薄膜；
刻蚀形成器件的栅极结构，即通过光刻，刻蚀掉未被保护的第一种导电薄膜作为栅极，刻蚀出条状结构；该栅极位于凹陷沟道上方；
剥除剩余的第一种、第三种绝缘薄膜；
在上步行成的结构上淀积形成第五种绝缘薄膜，并对所述第五种绝缘薄膜进行刻蚀形成通孔结构；即在栅极上方开孔，形成栅极接触孔，在栅极两侧的第一种掺杂区域和第二种掺杂区域分别开孔，形成源极和漏极的接触孔；
淀积第二种导电薄膜形成电极。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的半导体衬底为单晶硅、多晶硅或者绝缘体上的硅。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一种掺杂类型为n型；第二种掺杂类型p型。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一种掺杂类型为p型；第二种掺杂类型n型。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一种、第二种、第三种、第五种绝缘薄膜为二氧化硅、氮化硅或者为它们之间相混合的绝缘材料。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一种导电薄膜为TiN、TaN、RuO2、Ru或WSi合金，或者为掺杂的多晶硅材料。
7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第二种导电薄膜为金属铝、金属钨。
8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述凹陷沟道区域形成前，所述第二种掺杂类型的区域在水平方向上延伸至所述第一种掺杂类型的区域下方。
9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述凹陷沟道区域将所述第二种掺杂类型的区域分隔为两个部分，并且，被分割的两个部分中的一部分位于所述第一种掺杂类型的区域下方。
凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法
技术领域
背景技术
105以及导体层106组成，导体层106采用金属栅材料或者掺杂的多晶硅材料。栅叠层区的侧墙107为绝缘介质比如为Si3N4材料，侧墙107将栅区导体层106与该器件的其它导体层隔离。源区103的掺杂类型通常与漏区101和耗尽区102的掺杂类型相反，并与衬底
100c的掺杂类型相同。源区103和漏区101之间贴近栅氧化层104的衬底表面为器件的电流沟道区域。衬底100a和100b为含轻掺杂第一种或第二种杂质的硅层，或为绝缘氧化层。绝缘层108为该晶体管的钝化层，它将所述晶体管与其它器件隔开。导体109、110和
111为金属铝或者金属钨，分别为该晶体管源极、栅极和漏极的电极。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏电流的同时增大了驱动电流，也就是在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。在目前的凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造工艺中，通常是先通过离子注入工艺形成漏区，并通过连续的两次外延工艺或者两次离子注入工艺形成源区和耗尽区，以图1所提供凹陷沟道型PNPN场效应晶体管为例，其详细步骤为：
发明内容
具体实施方式
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